SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers
SJT11490-2015, SJ11490-2015
- 标准号
- SJ/T 11490-2015
- 别名
- SJT11490-2015, SJ11490-2015
- 发布
- 2015年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 11490-2015
- 引用标准
- GB/T 8760-2006
- 适用范围
- 本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5 000/cm2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。