SJ/T 2658.9-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle

SJT2658.9-2015, SJ2658.9-2015


 

 

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标准号
SJ/T 2658.9-2015
别名
SJT2658.9-2015, SJ2658.9-2015
发布
2015年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 2658.9-2015
 
 
引用标准
CIE 127-1997 GB/T 15651-1995 GB/T 2900.65-2004 SJ/T 2658.1 SJ/T 2658.8
被代替标准
SJ 2658.9-1986
适用范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

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