GB/T 17170-2015
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
GBT17170-2015, GB17170-2015
GB/T 17170-2015 发布历史
GB/T 17170-2015由国家质检总局 CN-GB 发布于 2015-12-10，并于 2016-07-01 实施。
GB/T 17170-2015 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 17170-2015 。
GB/T 17170-2015 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 17170-2015的历代版本如下：
- 2015年 GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- 1997年 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
本标准规定了半绝缘砷化久单晶深施主EL2 浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10”0，cm 的非挫杂和碳挫杂半绝缘砷化儿单品深施主EL2 浓度的测定。 本标准不适用于挫铬半绝缘砷化饼单晶深施主EL2 浓度的测定。
- 标准号
- GB/T 17170-2015
- 别名
- GBT17170-2015
GB17170-2015 - 发布
- 2015年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 17170-2015
- 引用标准
- GB/T 14264
- 被代替标准
- GB/T 17170-1997
GB/T 17170-2015相似标准
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