GB/T 17170-2015
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy


GB/T 17170-2015 中,可能用到以下仪器

 

高精度光学浮区法单晶炉

高精度光学浮区法单晶炉

QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司

 

EL406洗板分液系统

EL406洗板分液系统

安捷伦细胞分析事业部(BioTek)

 

GB/T 17170-2015



标准号
GB/T 17170-2015
发布日期
2015年12月10日
实施日期
2016年07月01日
废止日期
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 14264
被代替标准
GB/T 17170-1997
适用范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于106 Ω ? cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

GB/T 17170-2015系列标准


GB/T 17170-2015 中可能用到的仪器设备





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