PNS IEC 62373-1-2021
半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-ox ide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

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标准号: PNS IEC 62373-1-2021
发布日期: 2021年
实施日期
废止日期: 无
中国标准分类号: L40/49
国际标准分类号: 31.080.99
发布单位: PH-BPS

PNS IEC 62373-1-2021半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-ox ide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

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半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验