PNS IEC 62373-1-2021
半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-ox ide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET


PNS IEC 62373-1-2021 发布历史

PNS IEC 62373-1-2021由PH-BPS 发布于 2021。

PNS IEC 62373-1-2021 在中国标准分类中归属于: L40/49 半导体分立器件,在国际标准分类中归属于: 31.080.99 其他半导体分立器件。

PNS IEC 62373-1-2021的历代版本如下:

  • 2021年 PNS IEC 62373-1-2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

 

 

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标准号
PNS IEC 62373-1-2021
发布日期
2021年
实施日期
废止日期
中国标准分类号
L40/49
国际标准分类号
31.080.99
发布单位
PH-BPS




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