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普通整流功率二极管一般采用 p+pnn+的结构,反向恢复时间长一般在 25 微秒;电流定额范围较大,可以实现 1 安培到数百安培的电流;电压范围宽,可以实现 5V-5000V 的整流;但是普通整流功率二极管高频特性一般,一般用于 1KHz 以下的整流电路中。 2、MOSFET MOSFET简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路和数字电路的场效应晶体管。...
SiC器件主要存在两个可靠性问题——栅极氧化物稳定性和阈值电压稳定性。栅极氧化物稳定性:与功率MOSFET类似,SiC器件也是垂直器件,使用与MOSFET相同的栅极氧化物材料(二氧化硅),但是SiC器件在更高的内部电场工作,因此栅极氧化物在实际工作中寿命可能缩短。目前SiC中的栅极氧化问题已经被理解,TDDB(时变电介质击穿)是时效机制,目前已经已经得到很大解决。...
例如,电极材料、焊料、外壳、绝缘材料等都限制了工作温度的提高。 以上仅举数例,不是全部。还有很多工艺问题还没有理想的解决办法,如碳化硅半导体表面挖槽工艺、终端钝化工艺、栅氧层的界面态对碳化硅MOSFET器件的长期稳定性影响方面,行业中还有没有达成一致的结论等,大大阻碍了碳化硅功率器件的快速发展。八、为什么SIC器件还不能普及?早在20世纪60年代,碳化硅器件的优点已经为人们所熟知。...
SiC器件方面,国际上SiC肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等均已实现量产,产品耐压范围600V-1700V,单芯片电流超过50A,并开发出了1200V/300A、1700V/225A的全SiC功率模块产品;实验室开发了10000V-15000V/10A-20A的SiC MOSFET;并研发出了IGBT芯片样品,最高耐压水平已经超过20 kV量级。...
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