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DE三电极+ 电容
本专题涉及三电极+ 电容的标准有500条。
国际标准分类中,三电极+ 电容涉及到有色金属产品、电子电信设备用机电元件、电容器、半导体分立器件、电磁兼容性(EMC)、电子管、航空航天制造用材料、光电子学、激光设备、旋转电机、电工器件、开关装置和控制器、瓶、小罐、瓮、电阻器、电池和蓄电池、航空航天用电气设备和系统、航空航天发动机和推进系统、电气工程综合、绝缘、电线和电缆、变压器、电抗器、电感器、特殊工作条件下用电气设备、无机化学、音频、视频和视听工程、金属材料试验、燃烧器、锅炉、焊接、钎焊和低温焊、集成电路、微电子学、无损检测、分析化学、电子显示器件、机上设备和仪器、物理学、化学、医疗设备、导体材料、建筑材料、有色金属、无线通信、电信综合、电子元器件组件、电工和电子试验。
在中国标准分类中,三电极+ 电容涉及到重金属及其合金、电子技术专用材料、、航空器及其附件综合、通用零部件、线路器材、微波管、电子元件综合、电真空器件综合、半导体光敏器件、高压开关设备、电容器、电磁兼容、半导体发光器件、电气系统与设备、通用电子测量仪器设备及系统、电力试验技术、异步电机、无机盐、录制设备、发电机组、同步电机、换热设备、微电路综合、蓄电能装置、焊接与切割设备、金属物理性能试验方法、电化学、热化学、光学式分析仪器、半导体集成电路、物理学与力学、计量综合、焊接与切割、传感元件、其他电真空器件、半导体分立器件综合、航天器用能源设备、医用电子仪器设备、医疗器械综合、炭素材料、密封材料、稀有高熔点金属及其合金、广播、电视发送与接收设备、系统设备接口、标准化、质量管理、石墨材料。
工业和信息化部,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-电子,关于三电极+ 电容的标准
中国团体标准,关于三电极+ 电容的标准
(美国)军事条例和规范,关于三电极+ 电容的标准
AR-IRAM,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-航空,关于三电极+ 电容的标准
德国标准化学会,关于三电极+ 电容的标准
法国标准化协会,关于三电极+ 电容的标准
RU-GOST R,关于三电极+ 电容的标准
美国国防后勤局,关于三电极+ 电容的标准
- DLA DSCC-DWG-05017 REV B-2012 电容器,固定电解(非固体电解质),钽阳极和阴极
- DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL兼容单片硅四总线缓冲门三态输出双极CMOS数字微电路
- DLA DSCC-DWG-01001-2001 氧化铝两极化电解的固定电容器
- DLA DESC-DWG-89021 REV E-2013 电容器,固定,电解极化,氧化铝,超低 ESR
- DLA DSCC-DWG-10004 REV A-2011 电容器,固定,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA DSCC-DWG-10004 REV B-2012 电容器,固定,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA DSCC-DWG-13017-2013 电容器,固定,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA DSCC-DWG-10004 REV D-2013 电容器,固定,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA DSCC-DWG-13017 REV B-2013 电容器,固定,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA DSCC-DWG-10004 REV B-2009 固定电容器,电解(非固体电解质),钽(极化块状)
- DLA A-A-55168 D-2012 保险丝座,块状,H 类,30 安培,250 伏交流电,一极、二极和三极
- DLA A-A-55426 D-2012 保险丝座,块状,H 类,60 安培,600 伏交流电,一极、二极和三极
- DLA A-A-55427 D-2012 保险丝座,块状,H 类,60 安培,250 伏交流电,一极、二极和三极
- DLA A-A-55428 D-2012 保险丝座,块状,H 类,30 安培,600 伏交流电,一极、二极和三极
- DLA A-A-55429 D-2012 保险丝座,块状,H 类,100 安培,600 伏交流电,一极、二极和三极
- DLA DESC-DWG-88022 REV D-2009 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA DESC-DWG-88022 REV E-2010 电容器,固定,电解,极化,氧化铝,单端安装
- DLA MIL-C-62 F SUPP 1-2008 电容器,固定,电解(直流,铝,干电解质,极化),一般规范
- DLA MIL-C-62 F-2008 电容器,固定,电解(直流,铝,干电解质,极化),一般规范
- DLA QPL-62-2011 电容器,固定,电解(直流,铝,干电解质,极化),一般规范
- DLA QPL-62-2013 电容器,固定,电解(直流,铝,干电解质,极化),一般规范
- DLA DSCC-DWG-93026 REV P-2008 固定电容器,电解(非固体电解质),钽(极化,烧结块状)
- DLA DSCC-DWG-93026 REV R-2010 固定电容器,电解(非固体电解质),钽(极化,烧结块状)
- DLA DSCC-DWG-89021 REV D-2004 固定极化电解质氧化铝及超低ESR的电容器
- DLA MIL-C-62/1 D-2008 固定式电解电容器(直流、铝、干电解质、极化)CE10 和 CE11 型
- DLA MIL-C-62/2 D-2008 固定式电解电容器(直流、铝、干电解质、极化)CE12 和 CE13 型
- DLA MIL-C-62/12 G-2008 固定式电解电容器(直流、铝、干电解质、极化)CE70 和 CE71 型
- DLA QPL-62-QPD-2010 固定式电解电容器(直流、铝、干电解质、极化)通用规范
- DLA MIL-DTL-3950/16 A-2008 环保密封4安培低电平三极搬扭开关
- DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 三重3输入阳性与门硅单片电路数字双极微电路
- DLA DSCC-DWG-04052-2006 多阳极高分子钽芯片固定电容器
- DLA MIL-C-62 E SUPP 1-2004 电容器,固定的,电解质(DC,铝制,干电解质,极化)通用规格
- DLA MIL-C-62 E-2004 电容器,固定的,电解质(DC,铝制,干电解质,极化)通用规格
- DLA DSCC-DWG-88022 REV C-2000 固定极化电解质氧化铝及单端安装的电容器
- DLA DSCC-DWG-89085 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及SNAP安装薄片电容器
- DLA DESC-DWG-89085 REV D-2009 电容器,固定式,电解极化,氧化铝,卡扣安装,薄型
- DLA SMD-5962-90750 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、八路总线收发器,带反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95835 REV A-2008 单片硅TTL兼容输入,八路透明D类锁存器带三相输出,双极CMOS数字微电路
- DLA SMD-5962-95836 REV A-2008 单片硅TTL兼容输入,边沿触发D型触发器带三相输出,双极CMOS数字微电路
- DLA QPL-62-86-2006 电解(直流两极化铝制干电解质)的固定电容器.一般规格
- DLA SMD-5962-87542 REV B-2001 硅单块 双极三态优先编码数字微型电路
- DLA MIL-DTL-83731/24 A-2008 环保密封的4安培低电平三极拨动开关
- DLA DSCC-DWG-89012 REV C-2006 固定极化电解质氧化铝及低螺母插入的电容器
- DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制总线收发器
- DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制寄存收发器
- DLA SMD-5962-87541 REV C-2007 硅单块 三输出或门,三输入发射极耦合逻辑,数字微型电路
- DLA MIL-PRF-39003/2 H-2009 电容器,固定,电解(固体电解质),钽(极化,烧结块),可靠性高,CSR09 型
- DLA MIL-PRF-39003/2 J-2012 电容器,固定,电解(固体电解质),钽(极化,烧结块),可靠性高,CSR09 型
- DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器,带 25 欧姆串联电阻和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA MIL-C-39018/10 B-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,可靠性高,CUR92 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
- DLA A-A-50877 A-1988 电仪器电极
- DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
- DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
- DLA MIL-PRF-39003/1 K-2009 电容器,固定,电解(固体电解质),钽,(极化,烧结块状),可靠性高,CSR13 型
- DLA MIL-PRF-39003/3 H-2009 电容器,固定,电解(固体电解质),钽,(极化,烧结块状),可靠性高,CSR23 型
- DLA MIL-PRF-39003/6 E-2009 电容器,固定,电解(固体电解质),钽(极化,烧结块状),可靠性高,CSR33 型
- DLA MIL-PRF-39003/1 K (1)-2011 电容器,固定,电解(固体电解质),钽,(极化,烧结块状),可靠性高,CSR13 型
- DLA MIL-PRF-39003/6 F-2012 电容器,固定,电解(固体电解质),钽(极化,烧结块状),可靠性高,CSR33 型
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 三重3输入阳性与门晶体管硅单片电路数字双极微电路
- DLA MIL-DTL-2726/18 B VALID NOTICE 1-2013 插座,电气,三重,50 安培,250 伏特,直流电,3 极接地(符号编号 1105.1)
- DLA MIL-DTL-52286/2 C-2010 电缆组件,电源,电气,2 导体,20 英尺长,椭圆形端接,带三个 2 极连接器
- DLA DESC-DWG-87035 REV B-1993 低功率肖特基14引脚浸兼容三重积极延迟线
- DLA SMD-5962-95606 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路收发器/线路驱动器,带 25 O 系列电阻器和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带八进制寄存总线收发器的扫描测试设备、三电平输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器,具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90516 REV C-2013 微电路、数字、双极 CMOS、八路 D 型边沿触发触发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 微电路、数字、双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型透明锁存器
- DLA DSCC-DWG-13008-2013 电容器,固定,多阳极钽,芯片,保形涂层外壳
- DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,16-BIT母线三状态输出无线电收发机,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-39018/2 F-2009 电容器,固定,电解(氧化铝)(非极化),型号 CU14(未绝缘)和 CU15(绝缘)
- DLA MIL-PRF-39018/6 D-2009 固定式电解(氧化铝)(极化)电容器,成熟的可靠性 CUR91 型(绝缘)
- DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
- DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 单片硅TTL兼容输入,八缓冲器/驱动器反向三态同相输出,改进的双极CMOS数字微电路
- DLA MIL-PRF-39003/9 F-2009 电容器,固定,电解(固体电解质),钽(极化,烧结块状),高频,可靠性高,CSR21 型
- DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 双极的互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96878 REV B-1997 2独立或非独立输入三状态输出六角缓冲器或线驱动器晶体管兼容输入硅单片电路数字双极微电路
- DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT母线三状态输出改变和转换,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带串联电阻器和三态输出的 16 位同相缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-90772 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入正与门、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-89703 REV C-2013 微电路,数字,高速CMOS,三重三输入或非门,TTL兼容输入,单片硅
- DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器和寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
- DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
- DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
- DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 单片硅TTL兼容输入,20位总线接口D型锁存器带三相输出,改进的双极CMOS数字微电路
- DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
- DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
- DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 先进双极互补金属氧化物半导体,36-BIT三状态输出,整体母线无线电接收器,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,三路三输入正与门,单块硅
- DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
- DLA MIL-DTL-2726/61 B VALID NOTICE 1-2013 插座,电气,4 极接地,60 安培,450 伏特,三相(符号编号 1266)
国家质检总局,关于三电极+ 电容的标准
RO-ASRO,关于三电极+ 电容的标准
PL-PKN,关于三电极+ 电容的标准
美国电子元器件、组件及材料协会,关于三电极+ 电容的标准
CZ-CSN,关于三电极+ 电容的标准
ECIA - Electronic Components Industry Association,关于三电极+ 电容的标准
国际电工委员会,关于三电极+ 电容的标准
台湾地方标准,关于三电极+ 电容的标准
加拿大标准协会,关于三电极+ 电容的标准
美国电子元器件、组件及材料协会,关于三电极+ 电容的标准
GSO,关于三电极+ 电容的标准
AT-ON,关于三电极+ 电容的标准
NATO - North Atlantic Treaty Organization,关于三电极+ 电容的标准
TR-TSE,关于三电极+ 电容的标准
欧洲电工标准化委员会,关于三电极+ 电容的标准
英国标准学会,关于三电极+ 电容的标准
SCC,关于三电极+ 电容的标准
美国国家标准学会,关于三电极+ 电容的标准
ES-UNE,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-电力,关于三电极+ 电容的标准
美国电气电子工程师学会,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-机械,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-化工,关于三电极+ 电容的标准
贵州省地方标准,关于三电极+ 电容的标准
韩国科技标准局,关于三电极+ 电容的标准
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization,关于三电极+ 电容的标准
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components,关于三电极+ 电容的标准
SE-SIS,关于三电极+ 电容的标准
湖南省标准,关于三电极+ 电容的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于三电极+ 电容的标准
GB-REG,关于三电极+ 电容的标准
AWS - American Welding Society,关于三电极+ 电容的标准
国际标准化组织,关于三电极+ 电容的标准
HU-MSZT,关于三电极+ 电容的标准
丹麦标准化协会,关于三电极+ 电容的标准
YU-JUS,关于三电极+ 电容的标准
国家军用标准-总装备部,关于三电极+ 电容的标准
欧洲电工电子元器件标准,关于三电极+ 电容的标准
GOST,关于三电极+ 电容的标准
未注明发布机构,关于三电极+ 电容的标准
欧洲航空航天和国防工业标准化协会,关于三电极+ 电容的标准
国家计量检定规程,关于三电极+ 电容的标准
欧洲标准化委员会,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-航天,关于三电极+ 电容的标准
TH-TISI,关于三电极+ 电容的标准
日本工业标准调查会,关于三电极+ 电容的标准
KR-KS,关于三电极+ 电容的标准
ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector,关于三电极+ 电容的标准
IT-UNI,关于三电极+ 电容的标准
澳大利亚标准协会,关于三电极+ 电容的标准
BE-NBN,关于三电极+ 电容的标准
印度尼西亚标准,关于三电极+ 电容的标准
美国国防部标准化文件(含MIL标准),关于三电极+ 电容的标准
德国机械工程师协会,关于三电极+ 电容的标准
行业标准-黑色冶金,关于三电极+ 电容的标准
日本电子机械工业会,关于三电极+ 电容的标准
(美国)全国电气制造商协会,关于三电极+ 电容的标准
NEMA - National Electrical Manufacturers Association,关于三电极+ 电容的标准
ZA-SANS,关于三电极+ 电容的标准
立陶宛标准局,关于三电极+ 电容的标准
(美国)海军,关于三电极+ 电容的标准
美国电子电路和电子互连行业协会,关于三电极+ 电容的标准