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粒 级 单位
本专题涉及粒 级 单位的标准有255条。
国际标准分类中,粒 级 单位涉及到粒度分析、筛分、字符符号、水力工程、建筑物中的设施、量和单位、质量、服务、农业和林业、医学科学和保健装置综合、能源和热传导工程综合、集成电路、微电子学、犯罪行为防范、娱乐、旅游、职业安全、工业卫生、声学和声学测量、建筑物、公司(企业)的组织和管理、标准化总则、废物、事故和灾害控制、纸制品、机械安全、消防、术语学(原则和协调配合)、光纤通信、运输、医药卫生技术、环保、保健和安全、陶瓷、环境保护、电信终端设备、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、劳动、就业、建筑构件、教育、建筑材料、机器、装置、设备的特性和设计、信息技术应用、电阻器、分析化学、土质、土壤学、热力学和温度测量、采矿和挖掘、电信综合、计量学和测量综合、航空航天用电气设备和系统。
在中国标准分类中,粒 级 单位涉及到物理学与力学、水利、水电工程综合、分类编码、、计量综合、电梯、标准化、质量管理、社会公共安全综合、供应与使用关系、卫生综合、技术管理、基础标准与通用方法、半导体集成电路、广播、电视网综合、商业、贸易、合同、劳动安全技术综合、声学计量、筛分、筛板与筛网、元素半导体材料、能源综合、工厂防火防爆安全技术、光通信设备、金融、保险、制冷工程、安全卫生管理、供热、采暖工程、特种陶瓷、土壤环境质量分析方法、信息处理技术综合、建筑暖通、空调器材设备、电阻器、土壤、水土保持、电位器、电测模拟指示仪表、卫生、安全、劳动保护、地质矿产勘察与开发综合、土壤、肥料综合、通信网综合、电子元器件、微电路综合。
IT-UNI,关于粒 级 单位的标准
德国标准化学会,关于粒 级 单位的标准
台湾地方标准,关于粒 级 单位的标准
AENOR,关于粒 级 单位的标准
CZ-CSN,关于粒 级 单位的标准
HU-MSZT,关于粒 级 单位的标准
行业标准-水利,关于粒 级 单位的标准
中国团体标准,关于粒 级 单位的标准
浙江省标准,关于粒 级 单位的标准
陕西省标准,关于粒 级 单位的标准
天津市地方标准,关于粒 级 单位的标准
云南省地方标准,关于粒 级 单位的标准
黑龙江省地方标准,关于粒 级 单位的标准
湖南省标准,关于粒 级 单位的标准
北京市地方标准,关于粒 级 单位的标准
江苏省标准,关于粒 级 单位的标准
PL-PKN,关于粒 级 单位的标准
山西省标准,关于粒 级 单位的标准
行业标准-航天,关于粒 级 单位的标准
美国国防后勤局,关于粒 级 单位的标准
- DLA SMD-5962-89717 REV A-1992 硅单片,32位可级联圆筒移位器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV D-2009 微电路,数字,CMOS,16 位可级联 ALU,单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA MIL-M-38510/765 A VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、高级 CMOS、移位寄存器、单片硅、正逻辑
- DLA SMD-5962-92306 REV A-2004 硅单片,4级计数器/移位寄存器,ECL数字微型电路
- DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 微电路,数字,双极性,高级肖特基,TTL,8 位双向通用移位寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-96536 REV E-2009 微电路,数字,高级 CMOS,抗辐射,4 位幅度比较器,单片硅
- DLA SMD-5962-96556 REV E-2009 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,8 位串行输入/并行输出移位寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-96584 REV B-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA SMD-5962-96556 REV F-2011 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,8 位串行输入/并行输出移位寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-96584 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA SMD-5962-96556 REV G-2012 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,8 位串行输入/并行输出移位寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-96556 REV H-2013 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,8 位串行输入/并行输出移位寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-86870 REV A-2010 微电路、数字、高级低功耗肖特基、TTL、8 位、并行输出串行移位寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 微电路,数字,双极,高级肖特基,8 位身份比较器,单片硅
- DLA SMD-5962-96558 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-91722 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、4 位可预设二进制计数器、异步复位、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96558 REV F-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-96558 REV G-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有快速进位的 4 位二进制全加器、单片硅
- DLA SMD-5962-83021 REV H-2005 硅单片移位寄存器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
- DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 硅单片,16位可级联运算器,氧化物半导体,数字微型电路
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,8 位身份比较器,单片硅
- DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,8 位身份比较器,单片硅
- DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,8 位身份比较器,单片硅
- DLA SMD-5962-87756 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、带主复位的八进制 D 型触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-87626 REV C-2012 微电路,数字,高级 CMOS,带主复位的十六进制 D 触发器,单片硅
- DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,8 位二进制计数器,单片硅
- DLA SMD-5962-96557 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96557 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行输入/并行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96585 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有快速进位的 4 位二进制全加器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 微电路,数字,高级 CMOS,具有三态输出的 16 位 D 型锁存器,单片硅
- DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-89545 REV B-2008 微电路,数字,双极,高级肖特基,8 位双向二进制计数器,单片硅
- DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、低功耗肖特基 TTL、移位寄存器、可级联、单片硅
- DLA SMD-5962-94608-1994 硅单片,12位可级联乘法器加法器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96566 REV G-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、同步 4 位加/减双时钟计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-96566 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、同步 4 位加/减双时钟计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-88578 REV C-2008 微电路,数字,双极,高级低功耗肖特基 TTL,8 位身份比较器,单片硅
- DLA SMD-5962-96564 REV C-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同步 4 位加/减二进制计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、同步 8 位、加/减计数器、单片硅
- DLA SMD-5962-96582 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、9 位奇/偶校验发生器/校验器、单片硅
- DLA SMD-5962-96559 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、8 位串行/并行输入、串行输出移位寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-96566 REV F-2008 微电路,数字,高级 CMOS,抗辐射,同步 4 位向上/向下双时钟计数器,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
- DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
- DLA SMD-5962-89947 REV B-2011 微电路、数字、高速 CMOS、12 级纹波进位二进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-90985 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有使能功能的 8 位幅度比较器、单片硅
- DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-88534 REV C-2008 微电路、数字、高级 CMOS、带置位和清除功能的双 JK 触发器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03602 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有 3 态输出的 16 位 D 型透明锁存器、TTL 兼容、单片硅
- DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-87757 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、带主复位的十六进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 10 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位诊断寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
- DLA SMD-5962-89735 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带复位功能的八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96561 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、4 位上/下二进制同步计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、八路 16 位 D 型触发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 16 位边沿触发 D 型触发器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 32 位边沿触发 D 型触发器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-96561 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、4 位上/下二进制同步计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96565 REV B-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同步 4 位加/减二进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96565 REV C-2011 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同步 4 位加/减二进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96583 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、9 位奇/偶校验发生器/校验器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96583 REV D-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、9 位奇/偶校验发生器/校验器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
- DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位 D 型边沿触发触发器、TTL 兼容、单片硅
- DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 微电路,数字,高级 CMOS,8 位 D 型触发器,正边沿触发,三态输出,TTL 兼容输入,单片硅
- DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
- DLA SMD-5962-96555 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS 抗辐射、同步可预置 4 位二进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04729 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 扫描测试设备,带 18 位通用总线收发器,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04730 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 扫描测试设备,带 18 位通用总线收发器,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04731 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 扫描测试设备,带 18 位收发器和寄存器,单片硅
- DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型透明锁存器
- DLA SMD-5962-96577 REV B-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、用于计数器的前瞻进位发生器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,施密特 16 位双向多用途收发器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,施密特 16 位双向多用途收发器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,施密特 16 位双向多用途收发器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,16 位并行错误检测和校正电路,具有三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,16 位并行错误检测和校正电路,具有三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,12级行波进位二进计数器,高速氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
- DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型边沿触发触发器
- DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 微电路,数字,高级 CMOS,9 位 D 型触发器,正边沿触发,具有三态输出,TTL 兼容输入,单片硅
- DLA SMD-5962-96563 REV B-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同步 4 位向上/向下 BCD 十进制计数器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 微电路,数字,抗辐射,高级 CMOS,施密特 16 位双向多用途寄存收发器,带三态输出,单片硅
法国标准化协会,关于粒 级 单位的标准
河南省标准,关于粒 级 单位的标准
行业标准-公共安全标准,关于粒 级 单位的标准
美国国家标准学会,关于粒 级 单位的标准
AT-ON,关于粒 级 单位的标准
江西省标准,关于粒 级 单位的标准
山东省地方标准,关于粒 级 单位的标准
河北省标准,关于粒 级 单位的标准
吉林省地方标准,关于粒 级 单位的标准
文化和旅游部,关于粒 级 单位的标准
RU-GOST R,关于粒 级 单位的标准
RO-ASRO,关于粒 级 单位的标准
内蒙古自治区标准,关于粒 级 单位的标准
贵州省地方标准,关于粒 级 单位的标准
上海市标准,关于粒 级 单位的标准
SE-SIS,关于粒 级 单位的标准
TIA - Telecommunications Industry Association,关于粒 级 单位的标准
英国标准学会,关于粒 级 单位的标准
美国材料与试验协会,关于粒 级 单位的标准
福建省地方标准,关于粒 级 单位的标准
欧洲标准化委员会,关于粒 级 单位的标准
美国声协会,关于粒 级 单位的标准
日本工业标准调查会,关于粒 级 单位的标准
国际标准化组织,关于粒 级 单位的标准
韩国科技标准局,关于粒 级 单位的标准
IEC - International Electrotechnical Commission,关于粒 级 单位的标准
ES-UNE,关于粒 级 单位的标准
欧洲电信标准协会,关于粒 级 单位的标准
美国机动车工程师协会,关于粒 级 单位的标准
SAE - SAE International,关于粒 级 单位的标准