EN
RU
ES
总有机碳的单位
本专题涉及总有机碳的单位的标准有221条。
国际标准分类中,总有机碳的单位涉及到水质、建筑材料、分析化学、核能工程、化工产品、土质、土壤学、内燃机、量和单位、电站综合、无机化学、有机化学、耐火材料、词汇、废物、地质学、气象学、水文学、木基板材、制药学、橡胶、空气质量、集成电路、微电子学、光学和光学测量、电工器件、微处理机系统、接口和互连设备、印制电路和印制电路板。
在中国标准分类中,总有机碳的单位涉及到基础标准与通用方法、石油勘探、开发与集输工程综合、石油地质勘探、化工专用仪器仪表、其他物质成份分析仪器、水环境有毒害物质分析方法、建材原料矿、混凝土、集料、灰浆、砂浆、核材料、核燃料综合、水泥、环境卫生、电子技术专用材料、、水处理剂基础标准与通用方法、表面活性剂基础标准与通用方法、电力试验技术、土壤环境质量分析方法、土壤、水土保持、耐火材料综合、海洋环境物质分析方法、半导体集成电路、医药综合、木材加工材、有机化工原料综合、土壤、肥料综合、连接器、计算机设备、车身(驾驶室)及附件、大气环境有毒害物质分析方法、计算机综合、系统设备接口、大气、水、土壤环境质量标准、污染物排放综合、固体废弃物、土壤及其他环境要素采样方法、微电路综合、放射性物质与放射强度分析测试方法。
德国标准化学会,关于总有机碳的单位的标准
AT-ON,关于总有机碳的单位的标准
RO-ASRO,关于总有机碳的单位的标准
美国材料与试验协会,关于总有机碳的单位的标准
- ASTM UOP588-94 电位滴定法测定碳氢化合物中的总无机氯化物和总有机氯化物
- ASTM UOP588-12 碳氢化合物中的总氯化物、无机氯化物和有机氯化物
- ASTM D7573-09 高温催化燃烧和红外探测法水总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D5173-15(2023) 通过氧化和检测产生的二氧化碳在线监测水中总有机碳的标准指南
- ASTM D5904-02(2017) 通过紫外线 过硫酸盐氧化和膜电导检测在水中总碳 无机碳和有机碳的标准测试方法
- ASTM D5173-15 通过氧化和检测产生二氧化碳在线监测水中总有机碳的标准指南
- ASTM E2656-16 用于总有机碳属性的药用水的实时释放测试的标准实践
- ASTM D4129-98 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的试验方法
- ASTM D4129-98(2003) 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的试验方法
- ASTM D412-98a(2002)e1 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的试验方法
- ASTM D412-06ae1 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的试验方法
- ASTM D6317-98(2004) 通过紫外线,过硫酸盐氧化,和膜导检测对水中总碳,有机碳,无机碳低水平测定的标准试验方法
- ASTM D6317-98 通过紫外线,过硫酸盐氧化,和膜导检测对水中总碳,有机碳,无机碳低水平测定的标准试验方法
- ASTM D7573-18 用高温催化燃烧和红外探测法测定水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D7573-18a 用高温催化燃烧和红外探测法测定水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D7573-09(2017) 用高温催化燃烧和红外探测法测定水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D7573-18ae1 用高温催化燃烧和红外探测法测定水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D6317-98(2009) 通过紫外线 过硫酸盐氧化和膜电导检测低水平测定水中总碳 无机碳和有机碳的标准测试方法
- ASTM E2656-10 制药用水有机碳总量特征实时发布试验的标准操作规程
- ASTM D4129-05(2020) 高温氧化法和库仑法检测水中总有机碳的标准试验方法
- ASTM D4129-05 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的标准试验方法
- ASTM D4129-05(2012) 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的标准试验方法
- ASTM D4129-05(2013) 用高温氧化法及库仑检测法对水中总碳量和有机碳含量的标准试验方法
- ASTM D5904-96 用紫外线、过(二)硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法
- ASTM D5904-02 用紫外线、过硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法
- ASTM D5904-02(2009) 用紫外线、过硫酸盐氧化物和薄膜导电率检测法测定水中总含碳量、有机碳和无机碳的标准试验方法
- ASTM D6317-15 使用紫外线, 过硫酸盐氧化以及膜电导检测对水中总碳, 无机碳以及有机碳进行低水平测定的标准试验方法
- ASTM D4839-03(2017) 用紫外线和/或过硫酸盐氧化法和红外线检测水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D5997-96(2005) 通过紫外线,过硫酸盐氧化作用,膜导电位检测对水中总碳,无机碳在线监测的标准试验方法
- ASTM D5997-96(2009) 通过紫外线、过硫酸盐氧化作用、膜导电位检测对水中总碳、无机碳在线监测的标准试验方法
- ASTM D7892-22 用气相色谱/质谱法测定氢燃料中总有机卤化物、总非甲烷碳氢化合物和甲醛的标准试验方法
- ASTM D8361-20 用红外检测产生的二氧化碳的两阶段湿化学催化羟基自由基氧化法测定水中总有机碳的标准试验方法
- ASTM D4839-03(2011) 用紫外线法或过硫酸盐氧化法或两者同时使用,以及红外线法检测水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D4839-94 用紫外线法或过硫酸盐氧化法或同时使用两种方法以及红外线法检测水中总碳和有机碳的标准试验方法
- ASTM D4839-03 用紫外线法或过硫酸盐氧化法或同时使用两种方法以及红外线法检测水中总碳和有机碳的标准试验方法
VN-TCVN,关于总有机碳的单位的标准
行业标准-石油,关于总有机碳的单位的标准
国家质检总局,关于总有机碳的单位的标准
丹麦标准化协会,关于总有机碳的单位的标准
立陶宛标准局,关于总有机碳的单位的标准
法国标准化协会,关于总有机碳的单位的标准
AENOR,关于总有机碳的单位的标准
日本工业标准调查会,关于总有机碳的单位的标准
ES-UNE,关于总有机碳的单位的标准
英国标准学会,关于总有机碳的单位的标准
RU-GOST R,关于总有机碳的单位的标准
韩国科技标准局,关于总有机碳的单位的标准
行业标准-核工业,关于总有机碳的单位的标准
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于总有机碳的单位的标准
KR-KS,关于总有机碳的单位的标准
国际标准化组织,关于总有机碳的单位的标准
中国团体标准,关于总有机碳的单位的标准
欧洲标准化委员会,关于总有机碳的单位的标准
未注明发布机构,关于总有机碳的单位的标准
CZ-CSN,关于总有机碳的单位的标准
行业标准-城建,关于总有机碳的单位的标准
行业标准-电力,关于总有机碳的单位的标准
印度尼西亚标准,关于总有机碳的单位的标准
环球油品公司(美国),关于总有机碳的单位的标准
行业标准-电子,关于总有机碳的单位的标准
行业标准-环保,关于总有机碳的单位的标准
德国机械工程师协会,关于总有机碳的单位的标准
美国国防后勤局,关于总有机碳的单位的标准
- DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持和三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 硅单片,装有三态正向输出的八位总线收发器,双极数字微型电路
- DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 具有可配置电压转换和三态输出、单片硅的微电路、数字、单位双电源总线收发器
- DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-88575 REV A-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 10 位同相总线接口锁存器、单片硅
- DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 硅单片,装有4位ID总线的扫描通道连接器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
- DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 硅单片装有三态输出的八位总线接收器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-89989-1990 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
- DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 微电路、数字、16 位双电源总线收发器,具有可配置的电压转换和三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 微电路、数字、8 位双电源总线收发器,具有可配置的电压转换和三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 微电路、数字、16 位双电源总线收发器,具有可配置的电压转换和三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 微电路、数字、双位、双电源总线收发器,具有可配置的电压转换和三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-05210 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线缓冲器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-05213 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位总线收发器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-92225 REV D-2009 微电路、数字、快速 CMOS、10 位总线接口 D 寄存器,具有三态输出、TTL 兼容输入和有限的输出电压摆幅,单片硅
- DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线缓冲器,改进型肖特基TTL数字微型电路
- DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位总线接口 D 型锁存器
- DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基、TTL、具有三态输出的 8 位总线接口触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、具有同相和反相输入的 10 位总线接口触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的 10 位总线接口 D 型锁存器、单片硅
- DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的反向八位总线收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器,高速氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 硅单片,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型低功率肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位寄存收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位缓冲器/驱动器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-11207 REV A-2012 微电路、数字、低压 CMOS、抗辐射、16 位双电源总线收发器和具有总线保持功能的电平转换器、A 侧串联电阻器和三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 硅单片,装有正向三态输出,TTL可兼容输入的八位总线收发器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入,装有三态输出的八位总线收发器及寄存器,改进型双极氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-05212 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持功能的 16 位 D 型触发器、串联输出电阻器和三态输出、单片硅
YU-JUS,关于总有机碳的单位的标准
(美国)海军,关于总有机碳的单位的标准
国际电工委员会,关于总有机碳的单位的标准
- IEC 796-2:1990 微处理器系统总线.8位及16位数据(MULTIBUS I).第2部分:对带有边缘连接器(直接配合)的系统总线配置的机械与引脚的描述
- IEC 796-3:1990 8位和16位数据微处理机系统总线I.第3部分:具有插脚和插座连接器(间接式)的欧洲卡配置用机械和插脚描述
HU-MSZT,关于总有机碳的单位的标准
欧洲电工标准化委员会,关于总有机碳的单位的标准
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.,关于总有机碳的单位的标准
- IEEE 1196-1987 简单 32 位背板总线标准:NuBus 包括 ANSI/IEEE Std 1101-1987 微型计算机机械核心规范的 IEEE 标准(IEEE 计算机协会文档)