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DEbv三级
本专题涉及bv三级的标准有442条。
国际标准分类中,bv三级涉及到分析化学、化工产品、无机化学、有机化学、摄影技术、泵、核能工程、电学、磁学、电和磁的测量、香料和调料、食品添加剂、制药学、捕捞和水产养殖、水果、蔬菜及其制品、食品技术、农业和林业、天文学、大地测量学、地理学、造船和海上构筑物综合、橡胶和塑料制品、(没有标题)、词汇、公司(企业)的组织和管理、半导体分立器件、挠性传动和传送、轴和联轴器、标准化总则、术语学(原则和协调配合)、桥梁建筑、人类工效学、钢铁产品、建筑工业、旋转电机、开关装置和控制器、服务、地质学、气象学、水文学、机械试验、齿轮及齿轮传动、医疗设备、信息学、出版、能源和热传导工程综合、绝缘流体、接口和互连设备、计量学和测量综合、集成电路、微电子学、矿产加工设备、机床装置、金属矿、信息技术应用、质量、医学科学和保健装置综合、粗腰桶、桶、筒等、燃烧器、锅炉、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、水质、与食品接触的物品与材料、建筑物的防护、航空航天用电气设备和系统、家用自动控制装置、运动设备和设施、烟草、烟草制品和烟草工业设备、环境保护、电工器件、陶瓷、法律、行政管理、金融、银行、货币体系、保险、职业安全、工业卫生、整流器、转换器、稳压电源、无线通信、石油和天然气工业设备、电子设备用机械构件、电信设备用部件和附件、道路工程、饮料、石油产品综合、农业机械、工具和设备、电信系统。
在中国标准分类中,bv三级涉及到一般有机化工原料、工业气体与化学气体、、泵、淡水养殖与产品、其他化工产品综合、土壤、肥料综合、一般有机试剂、有机溶剂、核电厂核岛、基础标准与通用方法、船用电气安装件、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、测绘综合、表面活性剂基础标准与通用方法、饲养动物、系泊设备、橡胶制品综合、农林技术、商业、贸易、合同、变压器、半导体三极管、联轴器、制动器与变速器、核材料、核燃料及其分析试验方法、标准化、质量管理、化学助剂、航天器总体、养蜂、养蚕、焊接与切割、人类工效学、核反应堆与核电厂核岛设备、技术管理、医药、气象学、矿山、煤炭工程、齿轮与齿轮传动、医疗器械综合、图书馆、档案、文献与情报工作、石化、化工工程、信息传输指标、半导体集成电路、电子元器件、森林资源保护、放射性金属矿、供应与使用关系、工程勘察与岩土工程综合、供水、排水器材设备、种子、苗木、苗圃、污染控制技术规范、旋转电机综合、低压配电电器、特种陶瓷、特殊电机、工业物理因素危害控制、节目传输系统接口、工业废水、污染物分析方法、传输系统组群、频谱安排、连接器、园林动植物及其器械、异步电机、石油产品综合、生产环境安全卫生设施、半导体分立器件综合、动力输出轴、牵引装置及附件、通信网技术体制、通信网综合。
US-FCR,关于bv三级的标准
CZ-CSN,关于bv三级的标准
美国机动车工程师协会,关于bv三级的标准
韩国科技标准局,关于bv三级的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于bv三级的标准
RO-ASRO,关于bv三级的标准
美国国防后勤局,关于bv三级的标准
- DLA A-A-55827 B-2009 三氧化铬,工业级
- DLA A-A-55827 C-2010 三氧化铬,工业级
- DLA SMD-5962-87611 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入和门、单片硅
- DLA SMD-5962-95652 REV D-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重三输入与非门、单片硅
- DLA SMD-5962-90772 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入正与门、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA A-A-59231 B-2012 乙醇胺(单乙醇胺和三乙醇胺),工业级
- DLA A-A-55460 D-2009 灭弧室,接地故障,两极,三线医院级,15 安培
- DLA A-A-55461 D-2009 灭弧室,接地故障,两极,三线医院级,20 安培
- DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA A-A-55460 C-2003 15安培医院等级三线两杆接地故障断续器
- DLA A-A-55461 C-2003 15安培医院等级三线两杆接地故障断续器
- DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04701 REV A-2011 微电路,数字,高级 CMOS,三重 3 输入正和门,单片硅
- DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 硅单块 输入,三倍三输入正极是门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96522 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三路 3 输入和门、单片硅
- DLA A-A-55168 C-2007 一个,两个和三个极点250V30安培交流电H级模块保险丝座
- DLA A-A-55426 C-2007 一个,两个和三个极点600V60安培交流电H级模块保险丝座
- DLA A-A-55427 C-2007 一个,两个和三个极点600V60安培交流电H级模块保险丝座
- DLA A-A-55428 C-2007 一个,两个和三个极点600V60安培交流电H级模块保险丝座
- DLA A-A-55429 C-2007 一个,两个和三个极点600V60安培交流电H级模块保险丝座
- DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路缓冲器、单片硅
- DLA SMD-5962-89510 REV B-2012 微电路、数字、高级肖特基、TTL、三重、3 输入、或非、或非门、单片硅
- DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 微电路,数字,高级 CMOS,具有三态输出的 16 位 D 型锁存器,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
- DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
- DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 微电路,数字,高级 CMOS,具有三态输出的八进制 D 型锁存器,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
- DLA SMD-5962-88703 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、四路 2 输入多路复用器、具有三态输出、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的双 4 输入多路复用器、单片硅
- DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 微电路,数字,高级 CMOS,八路缓冲器/线路驱动器,具有三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、单片硅
- DLA SMD-5962-96529 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三重 3 输入或非门、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-90585 REV B-2010 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,多模式缓冲锁存器,INV (三态),单片硅
- DLA SMD-5962-96521 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重 3 输入与非门、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA MS14311 REV C-2009 管件,黄铜或青铜,带螺纹(90 度弯头、三通、四通、45 度弯头和接头),250 级
- DLA W-C-596/149 A VALID NOTICE 1-2001 直流电30安培,28伏特特殊用途防脱接地两级三线电气插头连接器
- DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型透明锁存器、单片硅
- DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
- DLA SMD-5962-87631 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-87631 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
- DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块 三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
- DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS 抗辐射、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 微电路、数字、高级低电压 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、单片硅
- DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
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- DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、单片硅
- DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
- DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 1 线至 10 线时钟驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 微电路、数字、高级肖特基 TTL、具有三态输出的四路同相总线收发器、单片硅
- DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带反相三态输出的缓冲线/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 10 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
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- DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
- DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器/线路驱动器、具有三态输出、单片硅
- DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 数字微电路,具有三态输出的高级高速CMOS型八路缓冲器/驱动器和单片硅
- DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 输入多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
- DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、八路 16 位 D 型触发器,具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04678 REV A-2010 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3-V ABT 八进制透明 D 型锁存器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 16 位边沿触发 D 型触发器,带三态输出,单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
- DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 微电路,数字,高级双极 CMOS,3.3V ABT 32 位边沿触发 D 型触发器,带三态输出,单片硅
- DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的通用多路复用器、单片硅
- DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
- DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
- DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
- DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的八路缓冲门、单片硅
- DLA MIL-M-38510/339 E-2011 微电路,数字,双极,高级肖特基 TTL,数据选择器/多路复用器,带三态输出,单片硅
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- ASTM D4995-00 1,1,2-三氯 1,2,2-三氟乙烷溶剂的脱脂等级和电子等级的标准规范
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- ASTM D4080-15(2020) 技术级和蒸汽脱脂级三氯乙烯的标准规范
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- ASTM D4126-00 蒸气脱脂级和普通溶剂级1,1,1-三氯乙烷的标准规范
- ASTM D4126-02(2007) 蒸气脱脂级和普通溶剂级1,1,1-三氯乙烷的标准规范
- ASTM D4126-02(2012) 蒸气脱脂级和普通溶剂级1,1,1-三氯乙烷的标准规格
- ASTM D4995-10 1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷溶剂的电子和脱脂等级的标准规范
- ASTM D4995-04(2010) 1,1,2–电子和脱脂等级的标准规范;三氯1,2,2和#x2013;三氟乙烷溶剂
- ASTM D4995-10(2020) 1,1,2–电子和脱脂等级的标准规范;三氯1,2,2和#x2013;三氟乙烷溶剂
- ASTM D4995-10(2015) 1,1,2–电子和脱脂等级的标准规范;三氯1,2,2和#x2013;三氟乙烷溶剂
- ASTM D2074-07(2019) 用替代指示剂法测定脂肪胺的总、一级、二级和三级胺值的标准试验方法
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- ASTM D4080-96 三氯乙烯 技术和蒸汽脱脂级别的标准规范
- ASTM D4080-00 三氯乙烯 技术和蒸汽脱脂级别的标准规范
- ASTM E1573-18 使用A加权和三分之一倍频程声压级测量和报告掩蔽声级的标准测试方法
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