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二次泄漏

本专题涉及二次泄漏的标准有19条。

国际标准分类中,二次泄漏涉及到半导体分立器件、环境保护、废物、医学科学和保健装置综合。

在中国标准分类中,二次泄漏涉及到物理学与力学、标志、包装、运输、贮存、、污染控制技术规范。


美国国家标准学会,关于二次泄漏的标准

API - American Petroleum Institute,关于二次泄漏的标准

美国材料与试验协会,关于二次泄漏的标准

  • ASTM E427-95(2000) 用卤素检漏仪(碱离子二极管)检测泄漏的标准实施规程
  • ASTM E427-95(2006) 用卤素检漏仪(碱离子二极管)试验泄漏的标准实施规程
  • ASTM F78-97 用二次标准校准氦检漏仪的标准试验方法
  • ASTM F769-00 测量晶体管和二极管泄漏电流的标准测试方法(2006 年撤回)
  • ASTM F2228-13 采用二氧化碳示踪气体法对多孔防渗透材料的包装泄漏性进行无损检测的标准试验方法
  • ASTM F2227-13 采用二氧化碳示踪气体法对未密封及空的包装托盘的泄漏性进行无损检测的标准试验方法

RU-GOST R,关于二次泄漏的标准

行业标准-商品检验,关于二次泄漏的标准

  • SN/T 2745-2010 医用包装盘泄漏性无损检测试验方法 二氧化碳法

中国团体标准,关于二次泄漏的标准

  • T/CSES 71-2022 二氧化碳地质利用与封存项目泄漏风险评价规范

行业标准-化工,关于二次泄漏的标准

  • HG/T 4335.5-2012 酸类物质泄漏的处理处置方法 第5部分:乙二酸(草酸)

GB-REG,关于二次泄漏的标准

  • REG NASA-LLIS-0054-1992 经验教训 四氧化二氮(N2O4)的过度释放;公共广播声明; SCAPE 防护服中的针孔泄漏

美国国防后勤局,关于二次泄漏的标准

  • DLA MIL-PRF-19500/594 A VALID NOTICE 2-2008 半导体器件、二极管、硅、电源整流器、快速恢复、低泄漏、1N6664 至 1N6666 型和 1N6664R 至 1N6666R JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS 型
  • DLA MIL-PRF-19500/594 B-2010 半导体器件、二极管、硅、功率整流器、超快速恢复、低泄漏、1N6664 至 1N6666 型和 1N6664R 至 1N6666R 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/241 L-2008 半导体器件,二极管,硅,低泄漏,受控正向电压,类型 1N3595-1、1N3595US、1N3595UR-1、1N3595A-1、1N3595AUS 和 1N3595AUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS, JANHC 和 JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/241 N-2013 半导体器件,二极管,硅,低泄漏,受控正向电压,类型 1N3595-1、1N3595UB、1N3595UBCA、1N3595UBD、1N3595UBCC、1N3595UB2、1N3595UB2R、1N3595US、 1N3595UR-1、1N3595A-1、1N3595AUS 和 1N3595AUR-1,一月, JANTX、JANTXV、JANS、JANH




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