印度三级片

本专题涉及印度三级片的标准有378条。

国际标准分类中，印度三级片涉及到服务、石油产品综合、电影、印制技术、粗腰桶、桶、筒等、与食品接触的物品与材料、核能工程、印制电路和印制电路板、声学和声学测量、造纸工业设备、电工器件、摄影技术、矿产加工设备、建筑材料、陶瓷、半导体材料、航空航天制造用零部件、导体材料、集成电路、微电子学、切削工具、造船和海上构筑物综合、文献成像象技术、纸制品、金属材料试验、航空航天用电气设备和系统、紧固件。

在中国标准分类中，印度三级片涉及到、印刷技术、核电厂核岛、印制电路、量具与量仪、噪声、振动测试方法、连接器、合成树脂、塑料、基础标准与通用方法、半金属与半导体材料综合、特种陶瓷、管件、卡箍、密封件、感光材料、半导体集成电路、技术管理、电影与摄影技术、感光材料基础标准与通用方法、印刷机械、微电路综合、制片设备、陶瓷、玻璃综合、造纸综合、电子元器件、电气系统与设备、低压配电电器、紧固件、造纸机械与设备、安装、接线连接件。

IN-BIS，关于印度三级片的标准

IS 9846-1981 未切割的印度 MESTA 分级
IS 11596-1986 未切割的印度 BIMLI 分级规范
IS 7787-1975 用于榨油的印度楝树仁和去果肉的印度楝树种子分级
IS 271-1975 白色、TOSSA 和 DAISEE 未切割印度黄麻的分级

HU-MSZT，关于印度三级片的标准

MSZ 2234-1976 螺栓垫三精度等级
MSZ 2363-1972 螺丝六角头螺丝三级精度等级
MSZ 10103-1976 II级精度的透镜头的十字形槽的片状螺栓

美国国防后勤局，关于印度三级片的标准

DLA SMD-5962-87611 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入和门、单片硅
DLA SMD-5962-95652 REV D-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重三输入与非门、单片硅
DLA SMD-5962-90772 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入正与门、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04701 REV A-2011 微电路，数字，高级 CMOS，三重 3 输入正和门，单片硅
DLA SMD-5962-96522 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三路 3 输入和门、单片硅
DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路缓冲器、单片硅
DLA DSCC-DWG-89065 REV B-2003 高性能高密度两片印刷电路板连接器的通用规格
DLA SMD-5962-89510 REV B-2012 微电路、数字、高级肖特基、TTL、三重、3 输入、或非、或非门、单片硅
DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 微电路，数字，高级 CMOS，具有三态输出的 16 位 D 型锁存器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 微电路，数字，高级 CMOS，具有三态输出的八进制 D 型锁存器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
DLA SMD-5962-88703 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、四路 2 输入多路复用器、具有三态输出、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的双 4 输入多路复用器、单片硅
DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 微电路，数字，高级 CMOS，八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-96529 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三重 3 输入或非门、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-90585 REV B-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，多模式缓冲锁存器，INV （三态），单片硅
DLA SMD-5962-96521 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重 3 输入与非门、TTL 兼容输入、单片硅
DLA MS14311 REV C-2009 管件，黄铜或青铜，带螺纹（90 度弯头、三通、四通、45 度弯头和接头），250 级
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型透明锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
DLA SMD-5962-87631 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-87631 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-96536 REV E-2009 微电路，数字，高级 CMOS，抗辐射，4 位幅度比较器，单片硅
DLA SMD-5962-86704 REV M-2009 微电路，线性，可编程初级侧脉冲宽度调制器，单片硅
DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS 抗辐射、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 微电路、数字、高级低电压 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 1 线至 10 线时钟驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 微电路、数字、高级肖特基 TTL、具有三态输出的四路同相总线收发器、单片硅
DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带反相三态输出的缓冲线/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 10 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位诊断寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器/线路驱动器、具有三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 数字微电路,具有三态输出的高级高速CMOS型八路缓冲器/驱动器和单片硅
DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 输入多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、八路 16 位 D 型触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04678 REV A-2010 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 八进制透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 32 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的通用多路复用器、单片硅
DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的八路缓冲门、单片硅
DLA MIL-M-38510/339 E-2011 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，数据选择器/多路复用器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04722 REV A-2005 高级双极CMOS数字微电路3.3伏ABT32比特边缘触发D型触发器带三相输出单片硅
DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位 D 型边沿触发触发器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 微电路，数字，高级 CMOS，8 位 D 型触发器，正边沿触发，三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 微电路、数字、高级高速 CMOS、八路缓冲器/驱动器、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型透明锁存器
DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96863 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入的四路总线缓冲器门单片硅
DLA SMD-5962-96869 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的四路总线缓冲器门、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-88704 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路 2 输入多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
DLA SMD-5962-87761 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出和 TTL 兼容输入的双 4 输入多路复用器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有 TTL 兼容输入和三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92194 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的数据选择器/多路复用器、单片硅
DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的同相六角缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-96806 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、带反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
DLA SMD-5962-87556 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
DLA SMD-5962-93118 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的透明锁存器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型边沿触发触发器
DLA SMD-5962-96589 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87556 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 微电路，数字，高级 CMOS，9 位 D 型触发器，正边沿触发，具有三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-95661 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、八进制 D 型边沿触发触发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途寄存收发器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-96591 REV C-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 硅单片三态输出平行差探测电路/校正电路,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96853 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型触发器
DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96855 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96867 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-93115 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的非反相收发器、TTL 兼容、单片硅
DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、9 位总线接口 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 单片硅8缓存和线式驱动器带三种状态的输出,抗辐射的高级CMOS数字式微电子电路
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有双使能、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制锁存收发器
DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位边沿触发 D 型触发器
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位总线接口 D 型锁存器
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出的八进制收发器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96775 REV B-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位事件波开关总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-93207 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基、TTL、具有三态输出的 8 位总线接口触发器、单片硅
DLA SMD-5962-90985 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有使能功能的 8 位幅度比较器、单片硅
DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96865 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制边沿触发 D 型触发器
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制边沿触发 D 型触发器
DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的 10 位总线接口 D 型锁存器、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位收发器/寄存器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器，带 25 欧姆串联电阻和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93116 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、带三电平输出的同相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93127 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的反相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93116 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、带三电平输出的同相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96587 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的同相六角缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-96587 REV C-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的同相六角缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位寄存收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89601 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八进制正边沿触发 D 型触发器，具有三态输出和 TTL 兼容输入，单片硅
DLA SMD-5962-96569 REV D-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的反相八通道缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位通用总线收发器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 配备三态输出TTL兼容输出的单片18位总线收发器的微电路数字式高级双极CMOS扫描试验设备
DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏八进制总线收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位缓冲器/驱动器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96575 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-95606 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路收发器/线路驱动器，带 25 O 系列电阻器和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92197 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路双向收发器，带 8 位奇偶校验发生器/校验器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带八进制寄存总线收发器的扫描测试设备、三电平输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和具有反相三态输出的寄存器、单片硅
DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 高级肖特基TTL系列(ALS)双极数字微电路的带三路输出的数据选择器/多路复与单片硅的详细规范
DLA SMD-5962-06234-2007 硅单片三态输出施密特16比特双向多用记录收发器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路多用
DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位总线收发器和寄存器的扫描测试设备、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带串联电阻器和三态输出的 16 位同相缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-88771 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有通用并行 I/O 引脚的 8 输入通用移位/存储寄存器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-89722 REV A-2010 微电路、数字、高级肖特基、TTL、八进制 30 欧姆传输线驱动器/背板收发器 NINV，（集电极开路，具有三种状态），单片硅
DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带八进制总线收发器和寄存器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93141 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带奇偶校验发生器/校验器的 9 位可锁存收发器、非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸

中国团体标准，关于印度三级片的标准

T/NXSCJS 086-2023 印章印文鉴定案件难度等级评定规范
T/NXSCJS 100-2024 指印鉴定案件难度等级评定规范
T/CPF 0066-2023 质量分级及“领跑者”评价要求铝易开盖三片罐
T/CPF 0031-2022 质量分级及“领跑者”评价要求罐头食品金属三片罐

台湾地方标准，关于印度三级片的标准

CNS 6497-1980 金云母片、薄片与裂片之尺度分级法
CNS 6496-1980 白云母片、薄片与薄层之尺度分级法

NL-NEN，关于印度三级片的标准

NEN 2364-1967 印刷．平台式滚筒网版印刷机的刚度的分级
NEN 10249-2-11/A2-1994 IEC 249-2-11-1987/A2-1993 印制电路用基材．第2部分：规范．第11号规范：一般用途级的多层印制板生产用的薄环氧织物玻璃纤维铜涂覆层片

ANSI - American National Standards Institute，关于印度三级片的标准

IT2.37-2001 摄影打印颗粒指数评估彩色底片的打印颗粒度
IT4.14-2002 摄影（冲洗）黑白胶片和印版显影剂颗粒度评价方法
IT2.24-1996 摄影学直接正片彩色印刷相机用材料 ISO 速度的测定

美国电影与电视工程师协会，关于印度三级片的标准

SMPTE RP 180-1999 决定电影底片和中间片印刷密度的光谱条件

韩国科技标准局，关于印度三级片的标准

KS A ISO 6036-2003(2018) 电影 - 彩色运动图片打印和电视幻灯片 - 密度规格
KS A ISO 7187-2022 摄影术直接正片彩色冲印相机材料 ISO感光度的测定
KS L 1601-2006(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）单片陶瓷室温抗压强度试验方法
KS L ISO 17565-2006(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）单片陶瓷高温抗弯强度试验方法
KS A ISO 7739:2003 电影摄影.16mm电影胶片打印技术双轨光学录音.位置和宽度尺寸
KS L 1601-2006(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－室温下单片陶瓷抗压强度的试验方法
KS L 1599-2001(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－单片陶瓷室温和高温拉伸强度试验方法
KS L 1599-2001(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）单片陶瓷室温和高温拉伸强度试验方法
KS L ISO 14705:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）试验方法室温下单片陶瓷的硬度（ISO 14705-2016）
KS A ISO 162:2003 电影摄影.35mm磁片上三声轨、四声轨或六声轨和17.5mm磁片上单声轨录音和磁头隙缝.位置和宽度尺寸
KS A ISO 17266:2018 电影摄影 - 35毫米电影打印和底片上的多声道模拟和数字摄影声音和控制记录以及70毫米电影胶片和底片上的数字声音控制记录 - 位置和宽度尺寸
KS L ISO 23242-2024 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）单片陶瓷薄板室温三点或四点弯曲强度试验方法

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于印度三级片的标准

ASHRAE 4582-2002 三排翅片级热泵蒸发器的霜/除霜性能（RP-1002）
ASHRAE 3917-1995 喷嘴高度和孔口尺寸对装有 R-134a 的低翅片三角节距管束喷雾蒸发传热性能的影响

美国电子电路和电子互连行业协会，关于印度三级片的标准

IPC 2524-1999 印制线路板制造数据质量评级制度

行业标准-核工业，关于印度三级片的标准

EJ/T 418-1989 三十万千瓦压水堆核电厂安全二级泵、三级泵清洁度和清洗工艺技术条件

日本工业标准调查会，关于印度三级片的标准

JIS C 6524:1995 多层印制线路板用半固化片.BISMALEIMIDE/三氮杂苯/环氧树脂浸渍玻璃布
JIS K 7612:1994 连续色调反射光印相用黑白相纸的ISO感光度的测定及分级方法
JIS C 6492:1998 印制电路基板材料.限定可燃性(垂直燃烧试验)的双马来酰亚胺/三氮杂苯改良环氧衍生物机织玻璃纤维包铜层压片材

美国电气电子工程师学会，关于印度三级片的标准

SMPTE RP 180:1999 RP 180:1999 SMPTE 推荐做法定义电影负片和中间片印刷密度的光谱条件

行业标准-电子，关于印度三级片的标准

SJ 20896-2003 印制电路板组件装焊后的洁净度检测及分级

行业标准-航空，关于印度三级片的标准

HB 789-1973 １～９级精度用单头圆片形卡规Ｄ＝１～２６０ｍｍ
HB 790-1973 ６～８级精度用双头片状槽用量规Ｂ＝０．５～５０ｍｍ
HB 788-1973 １～９级精度用硬质合金单头圆片形卡规Ｄ＞６～２６０ｍｍ

英国标准学会，关于印度三级片的标准

BS EN 13023:2003+A1:2010 打印、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量.准确度等级为2级和3级
BS ISO 18951-2:2022 成像材料照片印刷品的耐刮擦性硬度计测试方法
BS ISO 12647-2:1997 图形技术.半色调分离度、检验和印制相片制作过程控制.第2部分:胶印平版工艺
BS ISO 7187:1995 摄影用于直接正片彩色印刷相机的材料 ISO感光度的确定
19/30375027 DC BS ISO 23242 精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷）室温下单片陶瓷薄板三点或四点弯曲抗弯强度试验方法
BS ISO 14705:2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温下单片陶瓷硬度的试验方法
21/30405401 DC BS ISO 18951-2 成像材料照片印刷品的耐刮擦性第2部分硬度计测试方法
BS EN 13023:2003 打印、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量.准确度等级为2和3
BS ISO 17162:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温环境下单片陶瓷的机械性能. 抗压强度的测定
BS ISO 17266:2018 摄影 35 毫米电影冲印和底片上的多通道模拟和数字摄影声音和控制记录以及 70 毫米电影冲印和底片上的数字声音控制记录位置和宽度尺寸
BS EN ISO 23146:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).单片陶瓷断裂韧度的试验方法.单边V形切口束(SEVNB)法
BS EN 623-3:2001 高级工程陶瓷.单片陶瓷.一般和纹理特性.粒度和粒度分布的测定(线性截取法表征)
BS EN 843-4:2007 高级工业陶瓷室温单片陶瓷的机械特征维氏、努氏和洛氏表面硬度
BS EN 843-4:2005 高级工业陶瓷.室温单片陶瓷的机械特征.维氏、努氏和洛氏表面硬度
BS EN 843-1:2007 高级工业陶瓷室温下单片陶瓷的机械特性第1部分：弯曲强度的测定
BS EN 843-1:2006 高级工业陶瓷.室温下单片陶瓷的机械特性.第1部分:弯曲强度的测定
BS EN 3774-006:2023 航空航天系列断路器三极温度补偿额定电流 1 A 至 25 A 6,3 片形端子产品标准
BS EN 658-5:2003 高级工业陶瓷.室温下陶瓷复合材料的机械性能.利用短跨度弯曲试验(三点)测定层间抗剪强度
BS EN 658-5:2002 高级工业陶瓷.室温下陶瓷复合材料的机械性能.利用短跨度弯曲试验(三点)测定层间抗剪强度
BS EN 3774-001:1999 转换容量为65 In，额定电流为2A至25A的温度补偿的三级电路断路器.技术规范

法国标准化协会，关于印度三级片的标准

NF Q40-003/IN1*NF EN 13023/IN1:2010 印刷、纸张加工、造纸机和辅助设备的噪声测量方法准确度等级2级和3级
NF Q40-003*NF EN 13023+A1:2010 印刷、纸张加工、造纸机和辅助设备的噪声测量方法准确度等级2级和3级
NF B43-362:2021 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室温下单片陶瓷硬度的试验方法
NF EN 13023/IN1:2010 测量印刷、加工、制造和精加工机器发出的噪声的方法 - 精度等级 2 和 3
NF EN 13023+A1:2010 测量印刷、加工、制造和精加工机器发出的噪声的方法 - 精度等级 2 和 3
NF B41-206-1*NF EN 843-1:2007 高级工业陶瓷室温下单片陶瓷的机械性能第1部分：挠曲强度的测定
NF B41-205*NF EN 623-4:2005 高级工业陶磁单片陶磁一般和纹理特性第4部分：表面粗糙度的测定指南

IEC - International Electrotechnical Commission，关于印度三级片的标准

IEC 62760:2019 标准化响度级别的音频再现方法（1.1 版；综合重印）
IEC 60249-2-4/AMD4:1994 修改件4 印刷电路基本材料第2部分；规格规格 4：普通级铜涂层环氧树脂玻璃布片（2.0 版）

印度尼西亚标准，关于印度三级片的标准

SNI 13-6660-2002 通过多级三轴试验方法测定岩石剪切强度

行业标准-商品检验，关于印度三级片的标准

SN/T 1015-2001 进出口瓶级聚酯切片特性粘度测定方法

欧洲标准化委员会，关于印度三级片的标准

EN 13023:2003+A1:2010 印刷,纸张转换,造纸机及其辅助设备的噪声测量法.2级和3级精度
EN 3774-006:2023 航空航天系列断路器三极温度补偿额定电流 1 A 至 25 A 部分 006：6,3 片形端子产品标准
EN 843-5:2006 高级工业陶瓷.环境温度单片陶瓷的机械特征.第5部分:统计分析［代替:CEN ENV 843-5］

IT-UNI，关于印度三级片的标准

UNI 6237-1968 图表复制．可变深度的轮转凹印中的中间色调正片用光学密度间距
UNI 3586-1954 用于三股电话线的简单支架．高度，轨距，级别，负荷种类，组合，级别种类，负载和轨距种类

丹麦标准化协会，关于印度三级片的标准

DS/EN 13023+A1:2010 印刷、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法 2 级和 3 级精度

立陶宛标准局，关于印度三级片的标准

LST EN 13023-2003+A1-2010 印刷、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法 2 级和 3 级精度

AENOR，关于印度三级片的标准

UNE-EN 13023:2004+A1:2010 印刷、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法 2 级和 3 级精度

未注明发布机构，关于印度三级片的标准

DIN EN 13023:2003 印刷、纸张加工、造纸和整理机械的噪声测量方法精度等级 2 和 3 印刷、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法精度等级 2 和 3；纸张印象、变形、制造和最终加工机器的测量方法精度等级 2 和 3；
DIN EN ISO 14705 E:2020-09 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷) 室温下单片陶瓷硬度的试验方法（草案）
DIN EN ISO 23146 E:2015-10 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷) 单片陶瓷断裂韧度的试验方法单边V形切口束(SEVNB)法（草案）
DIN 53131-3:2009-11 纸张测试喷墨介质第3部分：打印图像质量光学消除、光学密度、光学三刺激值、点图像干扰

KR-KS，关于印度三级片的标准

KS L ISO 14705-2018(2023) 细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）室温下单片陶瓷硬度试验方法
KS L ISO 14704-2018(2023) 细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）单片陶瓷室温弯曲强度试验方法
KS L ISO 14705-2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）试验方法室温下单片陶瓷的硬度（ISO 14705-2016）
KS A ISO 17266-2018 电影摄影 - 35毫米电影打印和底片上的多声道模拟和数字摄影声音和控制记录以及70毫米电影胶片和底片上的数字声音控制记录 - 位置和宽度尺寸

美国保险商实验所，关于印度三级片的标准

UL 497A-2001 通信电路安全二级保护器的 UL 标准（第三版；2012年12月13日（含）的修订重印）
UL 1917-2003 安全固态风扇速度控制的 UL 标准（第三版；2007年2月5日（含）的修订重印）

(美国)军事条例和规范，关于印度三级片的标准

ARMY QPL-55342-101-2008 太空级未设可靠度和已设可靠度的固定片式电阻器总规范
ARMY QPL-55342-105-2009 太空级未设可靠度,已设可靠度的薄膜片式固定电阻器总规范
ARMY QPL-55342-102-2009 太空级未设可靠度和已设可靠度的薄膜固定片式电阻器总规范
ARMY QPL-55342-109-2010 太空级未设和已设可靠度的薄膜固定片式电阻器总规范
ARMY QPL-55342-110-2010 太空级未设或已设可靠度的薄膜固定片式电阻器总规范

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于印度三级片的标准

GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

美国材料与试验协会，关于印度三级片的标准

ASTM C1273-05 室温下单片高级陶瓷抗拉强度的标准试验方法
ASTM C1273-05(2010) 室温下单片高级陶瓷抗拉强度的标准试验方法

美国机动车工程师协会，关于印度三级片的标准

SAE AS1960/5-1992 40度三角带联轴器和窄金属薄片法兰FSC 5340的接头安装
SAE AS7928/7-2011 端子接线片和接头，导体，压接式，铜，接线片，压接式，铜，未绝缘，环舌 I 型，175°C 总导体温度的 1 级
SAE AS7928/2B-2007 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用矩形簧片绝缘压接型铜接线端子
SAE AS25036A-2007 II型、1级、喇叭口状、环形舌片、绝缘、铜、折边型、接线端子(105℃总导体温度用)
SAE AS25036B-2010 II型,1级,喇叭口状,环形舌片,绝缘,折边型,铜接线端子(105℃总导体温度用)
SAE AS7928/11-2007 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/9-2007 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用抗锡晶须矩形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/7A-2014 175℃总导体温度用I型,1级,环形舌片,非绝缘,铜,压接,终端接线,铜,压接,导体接线端子
SAE AS7928/7-1999 175℃总导体温度用I型,1级,环形舌片,非绝缘,铜,压接,终端接线,铜,压接,导体接线端子
SAE AS7928/4-1999 (105℃总导体温度用)II型、1级、喇叭口、环形舌片、绝缘、接线头、铜端子、压接、导体接线端子

黑龙江省地方标准，关于印度三级片的标准

DB23/T 3328-2022 天然鳞片石墨中微量三氧化二磷铬天青S分光光度法

GOSTR，关于印度三级片的标准

GOST R 53479-2009 印刷行业设备噪声排放日期的测定方法精度等级 2 和 3
GOST 33604-2015 印刷、造纸和造纸机械及辅助设备噪声排放特性的测定方法精度等级 2 和 3

国际标准化组织，关于印度三级片的标准

ISO 14705:2016 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温下单片陶瓷硬度的试验方法
ISO 18909:2006 摄影.处理过的摄影彩色胶片和纸张印迹.测量呈象稳定度方法
ISO 14704:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).室温下单片陶瓷挠曲强度的试验方法
ISO 14704:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).室温下单片陶瓷挠曲强度的试验方法
ISO 162:1985 电影 35mm磁片上三声轨、四声轨或六声轨和17.5mm磁片上单声轨录音和磁头隙缝位置和宽度尺寸
ISO 17162:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温环境下单片陶瓷的机械性能. 抗压强度的测定
ISO 162:1975 电影技术.不含图片的35mm电影胶片上三个磁性声音记录的记录和再现磁头间隙.位置和宽度尺寸
ISO 23146:2008 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).单片陶瓷断裂韧度的试验方法.单边V形切口束(SEVNB)法
ISO 23146:2012 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).单片陶瓷断裂韧度的试验方法.单边V形切口束(SEVNB)法
ISO 17167:2018 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）.室温下单片陶瓷的机械性能.通过环对环试验测定弯曲强度
ISO 23242:2020 精细陶瓷（高级陶瓷高级工业陶瓷）用三点或四点弯曲法测定整体陶瓷薄板在室温下弯曲强度的试验方法

SCC，关于印度三级片的标准

DIN 53131-100 E:2010 纸张测试喷墨介质第100部分：打印图像质量光学消除、光密度、光学三刺激值、打印图像干扰草案
DIN 53131-3 E:2009 纸张测试喷墨介质第3部分：打印图像质量光学消除、光学密度、光学三刺激值草案

BE-NBN，关于印度三级片的标准

NBN-EN 2592-1993 航空航天系列．三级自动开关电流强度至25 A．产品规格

国家质检总局，关于印度三级片的标准

GB/T 4637-1994 35mm磁片上三声轨、四声轨和六声轨磁头隙缝的位置和宽度尺寸
GB/T 28386-2012 印刷、纸加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法.准确度等级2和3

RU-GOST R，关于印度三级片的标准

GOST 16228-1981 轻合金加工用带镶齿刀头的三角度圆片铣刀.设计和尺寸规格
GOST 13.1.115-1990 复制术.缩微摄影.重氮增感胶片缩微印刷品.对光学密度的要求和检验方法

GSO，关于印度三级片的标准

GSO ISO 28520:2013 船舶技术和观察油润滑系统清洁度和密封垫片等级指南
GSO ISO 7004:2015 摄影工业射线照相胶片暴露于 X 射线和伽马射线时 ISO 速度、平均 ISO 等级以及 ISO、G2 和 G4 等级的测定
GSO ISO 5799:2015 摄影医疗直接曝光系统和牙科放射线照相过程/胶片 ISO速度和平均ISO等级的估计

德国标准化学会，关于印度三级片的标准

DIN EN 13023:2010-08 印刷、纸张加工、造纸机械和辅助设备的噪声测量方法-精度等级2和3
DIN 53131-3:2010 纸的试验.喷墨介质.第3部分:印刷影像质量.光学消除,光密度,光学三色值,点影像干扰
DIN EN 3774-006:2023-06 航空航天系列 - 断路器，三极，温度补偿，额定电流 1 A 至 25 A - 零件 006：6,3 片形端子
DIN EN 843-1:2008 高级工业陶瓷.室温下单片陶瓷的机械性能.第1部分:挠曲强度的测定
DIN 53131-3:2010-11 纸张测试喷墨介质第3部分：打印图像质量光学消除、光学密度、光学三刺激值、点图像干扰
DIN EN ISO 14705:2021 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温下单片陶瓷硬度的试验方法(ISO 14705-2016); G德文版本EN ISO 14705-2021
DIN EN 623-3:2003 高级工业陶瓷.单片陶瓷.总则和结构特性.第3部分:粒度和粒度分布测定(用线性截断法表征)
DIN EN 820-1:2003 高级工业陶瓷.单片陶瓷试验方法.热机械特性.第1部分:高温挠曲强度测定
DIN EN 13023:2010 印刷、纸张加工、造纸机与设备的噪声测量方法.准确度等级2和3.德文版本EN 13023-2003+A1-2010
DIN EN 3774-006:2024-04 航空航天系列断路器三极温度补偿额定电流 1 A 至 25 A 第006部分：6,3 片形端子产品标准
DIN EN ISO 23146:2016 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).单片陶瓷断裂韧度的试验方法.单边V形切口束(SEVNB)法(ISO 23146-2012).德文版本EN ISO 23146-2016

PT-IPQ，关于印度三级片的标准

NP EN 10109-3-1999 金属材料，印度测试．第3部分：用于测试机器洛氏硬度参考块的校准（等级A；B；C；D；E；F；G；H；K；N；T）

SAE - SAE International，关于印度三级片的标准

SAE AS7928/2C-2016 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用矩形簧片绝缘压接型铜接线端子
SAE AS25036D-2012 II型,1级,喇叭口状,环形舌片,绝缘,折边型,铜接线端子(105℃总导体温度用)
SAE AS25036C-2011 II型,1级,喇叭口状,环形舌片,绝缘,折边型,铜接线端子(105℃总导体温度用)
SAE AS25036E-2015 II型,1级,喇叭口状,环形舌片,绝缘,折边型,铜接线端子(105℃总导体温度用)
SAE AS7928/11C-2015 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/11B-2011 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/11A-2010 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/2A-1999 端子接线片和接头导体压接式铜绝缘矩形舌用于薄壁线 II 型 105 摄氏度总导体温度的 1 级
SAE AS7928/2A-A1-2004 端子接线片和接头导体压接式铜绝缘矩形舌用于薄壁线 II 型 105 摄氏度总导体温度的 1 级
SAE AS7928/2-1999 端子接线片和接头导体压接式铜绝缘矩形舌用于薄壁线 II 型 150 摄氏度总导体温度的 1 级
SAE AS7928/9A-2016 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用抗锡晶须矩形簧片非绝缘压接型铜接线端子
SAE AS7928/4B-2015 (105℃总导体温度用)II型、1级、喇叭口、环形舌片、绝缘、接线头、铜端子、压接、导体接线端子

欧洲航空工业协会，关于印度三级片的标准

AECMA PREN 4126-1994 航空航天系列.锚自动锁不固定双接线片螺母增加埋头孔耐热钢MoS2等级900 MPa(室温)/315度度C版

NATO - North Atlantic Treaty Organization，关于印度三级片的标准

STANAG 4009 P3-1959 第五轮附件（第三部分拖拉机和半挂车上第五轮附件的位置和高度 II 级）（ED 1 AMD 7）

ES-UNE，关于印度三级片的标准

UNE-EN 3774-006:2023 航空航天系列断路器三极温度补偿额定电流 1 A 至 25 A 第 006 部分：6,3 片形端子产品标准