halbes Oxidationspotential

Für die halbes Oxidationspotential gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst halbes Oxidationspotential die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Wasserqualität, Bodenqualität, Bodenkunde, Diskrete Halbleitergeräte, Kraftwerk umfassend, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, analytische Chemie, Elektronische Geräte, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Nichteisenmetalle, Teile und Zubehör für Telekommunikationsgeräte, Prüfung von Metallmaterialien, Gummi- und Kunststoffprodukte, nichtmetallische Mineralien, Speiseöle und -fette, Ölsaaten, Desinfektion und Sterilisation, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Ventil, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Luftqualität, Wortschatz, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Umweltschutz, Keramik, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Anorganische Chemie, Baumaterial, Umfangreiche elektronische Komponenten, Elektrische und elektronische Prüfung, Obst, Gemüse und deren Produkte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Bergbau und Ausgrabung, Batterien und Akkus, Chemikalien, Feuerfeste Materialien, Glas, Nichteisenmetallprodukte, Kernenergietechnik, Glasfaserkommunikation, Kraftstoff, magnetische Materialien, Abfall, Leitermaterial, Filter, Isolierung.

Defense Logistics Agency, halbes Oxidationspotential

DLA SMD-5962-94532-1994 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 64-BIT-MIKROPROZESSOR
DLA SMD-5962-94533-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 64-BIT-AUSGANGSKORRELATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92331-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, KOORDINATENTRANSFORMATOR, 16X16 BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT, MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94537-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-SPEICHERVERARBEITUNGSEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-KASKADIERBARES ALU, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12 x 10-BIT-MATRIX-MULTIPLIKATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL 12-BIT, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER BUSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77056-1977 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX, OPEN DRAIN, N-KANAL-PUFFER
DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS 8-BIT A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 Mikroschaltkreise, linear, CMOS, 14 Bit, Analog-Digital-Wandler, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 16-BIT, ANALOG-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS 12-BIT ANALOG-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 96-BIT-FLOATING-POINT-DUAL-PORT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, A/D-KONVERTER, 12-BIT, CMOS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89446-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT VARIABLER LÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, CMOS, HEX-SPANNUNGSPEGELVERSCHALTER FÜR TTL-ZU-CMOS- ODER CMOS-ZU-CMOS-BETRIEB, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96683-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-ARITHMETISCHE LOGIKEINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 1-BIS-64-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94542-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-KOPROZESSOR FÜR LOKALES NETZWERK, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89665-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 9-BIT-BREITGEPUFFERTE REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-MIKROPROZESSOR MIT HOHER INTEGRATION, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-16 BIT PARALLELSCHNITTSTELLE/TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 16-BIT- UND 8/16-BIT-MIKROPROZESSOR MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTIERENDER SCHMITT-TRIGGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 MIKROSCHALTER, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89731-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 8-BIT-TRANSCEIVER MIT PARITÄT, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 Mikroschaltkreis, CMOS, 12-Bit-gepufferte Multiplikation, Digital-Analog-Konverter, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HEX D FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 BIT PARALLELMULTIPLIKATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94564-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 24-BIT ALLGEMEINER DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT-VIDEO-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT-CMOS, SCHNELLER A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL, CMOS, 12-BIT, D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94608-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12-BIT KASKADIERBARER MULTIPLIER-SOMMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88568-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, NMOS, EINZELKOMPONENTEN, 8-BIT-MIKROCOMPUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, OKTAL-PI-BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, 8-BIT-CMOS-FLASH-A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90512-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HMOS, 8-BIT-MIKROCOMPUTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT TTL/BTL REGISTRIERTER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89707-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-DEKADENZÄHLER, SYNCHRONER RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 128K X 8-BIT
DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 128K X 32-BIT
DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-SCHEIBEN-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, UNGEPUFFERTER HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HEX-D-TYP-FLIP-FLOP MIT HEX-D-TYP UND KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT SERIELLER/PARALLEL-EIN, SERIELLER AUSGANG-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89772-1992 Mikroschaltkreis, CHMOS, 16-Bit-Mikrocontroller mit externem 8-Bit- oder 16-Bit-Bus, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, 14-STUFIGER RIPPLE-CARRY-BINÄRZÄHLER/TEILER UND OSZILLATOR
DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 6-BIT-FLASH-A/D-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-INVERTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT-A/D-FLASH, KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, NEUN-BIT-PARITÄTSGENERATOR/CHECKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS 8-EINGÄNGE, NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 MIKROKREISE, DIGITAL, NMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM) MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SYNCHRONER BINÄR-ABWÄRTSZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, UNIVERSAL SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 12-BIT, MULTIPLIZIERENDER D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 56-BIT DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, DUAL 12-BIT-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, REGISTRIERTER 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, SPEICHER, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS
DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPELTES 4-STUFEN-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FEHLERERKENNUNGS- UND KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 X 16 BIT MULTIPLIERER, AKKUMULATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT, A/D-KONVERTER MIT TRACK/HOLD, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89533-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 10-BIT NICHTINVERTIERENDER TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, SERIELLE SCHNITTSTELLE, 8-BIT-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 4-BIT SYNCHRONER DEKADEN-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-FEHLERERKENNUNGS- UND -KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, HYBRID UND MONOLITHISCH, DIGITAL, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER, CMOS, 256K X 8-BIT
DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SCAN-Pfad-Linker mit 4-Bit-ID-Bus, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, 80-BIT-NUMERISCHE PROZESSOR-ERWEITERUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 512 x 8 BIT SERIELLER EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 MIKROKREIS, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL JK FLIP-FLOP MIT SET UND RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLES IN/PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89741-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER MIT I/P-LATCH, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 4-BIT SYNCHRONER AUF/AB-DEKADENZÄHLER MIT ASYNCHRONEM RESET, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT TRI-STATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-PARALLEL-IN/PARALLEL-OUT-VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL, D-TYP-FLIP-FLOP MIT KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT ADRESSIERBARER LATCH, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89989-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 256 x 4 STATISCHER RAM (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDES REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHT INVERTIERENDES 9-BIT-REGISTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88661-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS-9-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, DOPPELTES 64-STUFIGES STATISCHES VERSCHIEBUNGSREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, QUAD-D-TYP-FLIP-FLOP, MIT KLAREM MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-STUFIGES SHIFT REGISTER/LATCH MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL 12-BIT GEPUFFERTER VERVIELFACHTER CMOS-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-D-TYP-FLIP-FLOP MIT RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, STRAHLENGEHÄRTETER, PROGRAMMIERBARER SKEW-TAKTPUFFER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SERIELLER EIN/PARALLEL AUSGANG SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL 12-BIT, DOPPELGEPUFFTER MULTIPLIZIERENDES CMOS, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89732-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT MASTER-RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89951-1990 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, NMOS 256 X 4 BIT, NICHTFLÜCHTIGER STATISCHER RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, CMOS, 12-BIT, SERIELLER EINGANG, MULTIPLIZIERUNG, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 MIKROSCHALTUNG, CMOS, VIERFACH-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROCONTROLLER MIT ON-CHIP-EPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89638-1989 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-STROMMODUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 4-BIT SYNCHRONER BINÄRZÄHLER MIT ASYNCHRONEM, KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT PARALLEL-IN SERIAL-OUT SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 12-STUFIGER BINÄRZÄHLER MIT RIPPLE-CARRY, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90705-1991 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, BCD-DEKADENZÄHLER, ASYNCHRONER RESET, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, LEISTUNGSGESCHALTET, 32K x 8-BIT PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MIL-STD-1750-ANLEITUNGSSATZ-ARCHITEKTUR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT 8-BIT-PARITÄTSGENERATOR/CHECKER, DREISTATUS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, EXKLUSIVES NOR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, EINSTELLBARER SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ZWEIDIMENSIONALER KONVOLVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DREI-ZUSTANDS-OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90574-1990 MIKROKREISE, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-BIT SYNCHRONER BCD-ABWÄRTSZÄHLER, TTL, KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, 8-BIT, MIKROPROZESSOR-KOMPATIBEL, A/D-KONVERTER MIT TRACK/HOLD, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93244-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT-PROGRAMMIER-EEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, REGISTRIERTES 8K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, MIKROPROZESSOR-ÜBERWACHUNGSSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94745-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIELLE KONFIGURATION PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-BIT-EPROM-MIKROCONTROLLER MIT 10-BIT-A/D, CAPTIVE/VERGLEICHS-TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DOPPELPOLIG, VIERPOSITION, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90686-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 12-BIT-CMOS-DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT AUSGANGSVERSTÄRKER UND REFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL BINÄRER AUFWÄRTSZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, QUAD D LATCH, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ENCODER-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS 16 x 16 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94709-1994 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, BANG-BANG-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SHIFT-/SPEICHERREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-DMA-CONTROLLER MIT INTEGRIERTER SYSTEMUNTERSTÜTZUNG VON PERIPHERIEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, VIERFACH 8-BIT-MULTIPLIERENDER CMOS, DIGITAL-ANALOG-KONVERTER MIT SPEICHER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT SCHMITT-TRIGGER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88674-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT, NICHT INVERTIEREND, BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 4-BIT-VOREINSTELLBARER BINÄRZÄHLER MIT ASYNCHRONEM RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06208-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, 16-BIT-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD 2-EINGANG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, GEPUFFERTES DREIFACH-NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94642-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VERBESSERTE MULTIFUNKTIONALE PERIPHERIE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 MIRCOCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, ASYNCHRON, SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL, RS232, TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSAL SERIELLER CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BUS-TRANSCEIVER, DIFFERENTIAL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TESTBUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96803-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS-HEX-WECHSELRICHTER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88575-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-BINÄRER AUF-/ABZÄHLER MIT TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 4-BIT-MAGNITUDENKomparator, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88675-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS ELEKTRISCH LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS, EINZEL-CHIP, 8-BIT-MIKROCONTROLLER MIT 16.000 BYTES EPROM-PROGRAMMSPEICHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, FELDPROGRAMMIERBARES GATE-ARRAY 4000 GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROZESSOR-SCHNITTSTELLENSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92284-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 32-BIT-RISC-MIKROPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93184 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, DUAL/QUAD, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, LOOKAHEAD-CARRY-GENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MULTIPLEXER MIT ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 3-BIS-8-ZEILEN-DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERVALL-TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE PERIPHERIESCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 MIKROSCHALTUNG, NMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, MOS-TAKTTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-79017-1979 MIKROKREISE, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER/SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON-GATE
DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DIGITALER SIGNALPROZESSOR MIT FESTPUNKT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, NIEDRIGE LEISTUNG, PULSWEITENMODULATOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, ECHTZEITUHR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, PHASE-LOCKED-LOOP-FILTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NMOS-UNTERBRECHUNGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, HOCHLEISTUNGS-MIKROCONTROLLER AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, VIERFACHER BILATERALER SCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER, INVERTIEREND, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87757 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX D-TYPE FLIP-FLOP MIT MASTER RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, MIKROPOWER PHASE LOCKED LOOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, LVDS-QUAD-CMOS-DIFFERENTIAL-LEITUNGSEMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITALES CMOS, PROGRAMMIERBARE LOGIKZELLENANORDNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL RETRIGGERBARER MONOSTABLER MULTIVIBRATOR MIT RESET, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, DUAL 4-EINGÄNGE NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, VIERFACH, 2 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 10-BIS-4-ZEILEN-PRIORITÄTSENCODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 MIKROKREISE, DIGITALES CMOS, QUAD 3-STATE R/S LATCHES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77035-1977 MIKROKREISE, DIGITAL, CMOS, 4-BIT-LATCH, 4-BIS-16-ZEILEN-DECODER
DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 14-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 12-STUFIGER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SERIELLE CONTROLLER-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER INTERRUPT-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, MIKROPROZESSOR, DIGITAL, N-KANAL, 16-BIT-MIKROCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 12-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03251-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, RESOLVER-ZU-DIGITAL-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90997-1991 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CHMOS-BUS-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, BREITBAND, VERSTÄRKER MIT VARIABLER VERSTÄRKERUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89652-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, QUAD-DUAL-PORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89695-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-JK-FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92026-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FIXPOINT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87744-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 1M (64K X 16) BIT, NMOS, UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92103-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FLOATING POINT PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DOPPELSYNCHRONER ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UNIVERSELLER ASYNCHRONER EMPFÄNGER SENDER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARER DMA-CONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SIGNALPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85528-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUS-ARBITER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93008-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 16K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93109-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, EINGEBETTETER PROZESSOR MIT HOHER INTEGRATION, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8x8 MULTIPLIERER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K x 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-ARINC-BUS-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, PRÄZISIONSTIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, CMOS, MIKROPROZESSOR, OPTIMIERT FÜR DIGITALE SIGNALVERARBEITUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95525-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD ELEKTRISCH löschbares, programmierbares Potentiometer, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 MIKROSCHALTER, LINEAR, CMOS, HOCHLEISTUNGS-ANALOGSCHALTER MIT TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, DUAL-SPST-ANALOGSCHALTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94734-1995 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16 MEG x 1 DRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ELEKTRISCH löschbares, programmierbares Logikarray, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SINGLE-POWER-MOSFET-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4-BIT-VOLLADDER MIT PARALLELER ÜBERTRAGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, QUAD UND/ODER SELECT GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, 8-EINGÄNGE NOR/OR-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, HEX-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96786-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS/TTL-KONVERTER, 8-BIT, BIDIREKTIONAL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95715-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR-TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD 2-EINGANG NOR GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE, NOR-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, QUAD 2-EINGANG EXKLUSIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, QUAD 2-EINGANG POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZEN, DÜNNSCHICHT
DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT 3 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, DUAL-4-EINGANG-NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 FIFO, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS-VIDEO-MULTIPLEXER/VERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94567-1996 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, X 9 GESTALTETE FIFOS, MONOLITHISCHES SILIKON

Professional Standard - Water Conservancy, halbes Oxidationspotential

SL 94-1994 Bestimmung des Oxidations-Reduktionspotentials (elektrometrische Methode)

Professional Standard - Environmental Protection, halbes Oxidationspotential

HJ 746-2015 Boden – Bestimmung des Redoxpotenzials – Potenzialmethode
HJ/T 46-1999 Technische Bedingungen des Detektors der Schwefeldioxidkonzentration für die Elektrolysemethode mit konstantem Potential
HJ 693-2014 Emission aus stationären Quellen.Bestimmung von Stickoxiden.Festes Potential durch Elektrolysemethode
HJ 57-2017 Emission aus stationären Quellen – Bestimmung von Schwefeldioxid – Festpotential durch Elektrolysemethode
HJ 973-2018 Bestimmung von Kohlenmonoxid in Abgasen aus festen Schadstoffquellen Elektrolyse mit konstantem Potenzial
HJ/T 57-2000 Bestimmung von Schwefeldioxid aus Abgasen einer stationären Quelle. Elektrolyseverfahren mit festem Potential

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), halbes Oxidationspotential

KS C IEC 60746-5-2014(2019) Ausdruck der Leistung elektrochemischer Analysatoren – Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential
KS I ISO 11271-2016(2021) Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode
KS D ISO 2376:2012 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
KS D ISO 2376:2013 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
KS F 2712-2002 Prüfverfahren für Halbzellenpotentiale von Bewehrungsstahl in Beton
KS F 2712-2017 Prüfverfahren für Halbzellenpotentiale von Bewehrungsstahl in Beton
KS M 1317-2010 Elektrolytisches Mangandioxid
KS M 1317-1995 Elektrolytisches Mangandioxid
KS M 1317-2020 Elektrolytisches Mangandioxid

German Institute for Standardization, halbes Oxidationspotential

DIN IEC 60746-5:1996-07 Leistungsausdruck elektrochemischer Analysatoren – Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential (IEC 60746-5:1992)
DIN ISO 11271:2022-11 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode (ISO 11271:2022); Text in Deutsch und Englisch / Hinweis: Ausgabedatum 14.10.2022*Gedacht als Ersatz für DIN ISO 11271 (2003-03).
DIN EN ISO 27107:2010-08 Tierische und pflanzliche Fette und Öle – Bestimmung des Peroxidwerts – Potentiometrische Endpunktbestimmung (ISO 27107:2008, korrigierte Fassung 2009-05-15); Deutsche Fassung EN ISO 27107:2010
DIN ISO 11271:2023-11 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode (ISO 11271:2022)
DIN ISO 11271:2003-03 Bodenbeschaffenheit – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode (ISO 11271:2002) / Hinweis: Wird durch DIN ISO 11271 (2022-11) ersetzt.

RO-ASRO, halbes Oxidationspotential

STAS 8125/12-1968 Bariumoxid. Bestimmung der Sesquioxidzusammensetzung (Ｒ203)
STAS SR 12271-18-1996 Urandioxid. Uranisotopenanalyse mittels Massenspektrometrie
STAS 134/1-1983 Feuerfester Silica-Aluminiumoxid-Mörtel aus Schamott und halbsaure Aluminiummörtel
STAS 11186-1980 ELEKTROLYTISCHES MANGANDIOXID
STAS 11186-1985 ELEKTROLYTISCHES MANGANDIOXID

VN-TCVN, halbes Oxidationspotential

TCVN 7594-2006 Bodenqualität.Bestimmung des Redoxpotentials.Feldmethode

Professional Standard - Electricity, halbes Oxidationspotential

DL/T 1480-2015 Prüfverfahren für das Redoxpotential von Wasser

GOSTR, halbes Oxidationspotential

GOST R 59012-2020 Steinkohle. Bestimmung der Oxidation durch potentiometrische Titration

工业和信息化部, halbes Oxidationspotential

YS/T 988-2014 Carboxyethylgermaniumsesquioxid
YS/T 1107-2016 Chemische Analysemethode für Carboxyethylgermaniumsesquioxid
QB/T 2629-2021 Elektrolytisches Mangandioxid für alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien
YS/T 1157.4-2016 Methoden zur chemischen Analyse von rohem Kobalthydroxid Teil 4: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration
YS/T 1157.1-2016 Methoden zur chemischen Analyse von rohem Kobalthydroxid Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration
SJ/T 11636-2016 Bestimmung von Tetramethylammoniumhydroxid in Entwicklungslösungen für die Elektronikindustrie durch automatische potentiometrische Titration

KR-KS, halbes Oxidationspotential

KS I ISO 11271-2016 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode
KS D ISO 2376-2012 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotenzials

PL-PKN, halbes Oxidationspotential

PN T06513-02-1990 Messung des Redoxpotentialwerts Industrielle Analysegeräte
PN T06513-03-1989 Redoxpotentialwert Labormessgeräte Allgemeine Anforderungen und Prüfungen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, halbes Oxidationspotential

GB/T 20245.5-2013 Ausdruck der Leistung elektrochemischer Analysatoren. Teil 5: Oxidations-Reduktionspotential oder Redoxpotential
GB/T 8754-2006 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Isolationsprüfung durch Messung des Durchschlagpotentials
GB 28234-2011 Sicherheits- und Hygienestandard für den Generator von saurem elektrolysiertem und oxidierendem Wasser
GB 21346-2022 Die Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit aus elektrolytischem Aluminium und Aluminiumoxid
GB/T 18115.1-2000 Lanthanoxid – Bestimmung des Gehalts an Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.2-2000 Ceroxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.5-2000 Samariumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 8762.8-2000 Europiumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.6-2000 Gadoliniumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.7-2000 Terbiumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.9-2000 Holmiumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.8-2000 Dysprosiumoxid – Bestimmung von Lanthanoxid, Ceriumoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Luteclumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.4-2000 Neodyniumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.10-2000 Erbiumoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18115.3-2000 Praseodymoxid – Bestimmung des Gehalts an Lanthanoxid, Ceroxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetiumoxid und Yttriumoxid
GB/T 18116.1-2000 Yttrium-Europiumoxid – Bestimmung der Gehalte an Lanthanoxid, Ceroxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Gadoliniumoxid, Terbiumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid und Lutetiumoxid – Ind
GB/T 15652-1995 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB/T 26563-2011 Geschmolzenes Zirkonoxid
GB/T 26563-2011(英文版) Geschmolzenes Zirkonoxid
GB/T 15653-1995 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
GB 25327-2010 Die Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit des Aluminiumoxidunternehmens

U.S. Military Regulations and Norms, halbes Oxidationspotential

ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-48646-1986 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCO/DLA MULTICHIP CMOS
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63530-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 MILITÄRSPEZIFIKATION MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS (ANFANGSLOGIK)
ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48632-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-STEUERUNG UND TIMINGBASIS, MONOLITHISCH, SILIKON
ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-I-48634-1986 INTEGRIERTER SCHALTKREIS, DIGITAL, CMOS-LOGIK-ARRAY AUS MONOLITHISCHEM SILIKON
ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63321 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS (ENDGÜLTIGE LOGIK)
ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A-1981 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SONDERZWECK ODER GATE

Group Standards of the People's Republic of China, halbes Oxidationspotential

T/ZSZJX 006-2020 Wasserqualität – Bestimmung des chemischen Sauerstoffbedarfs – Potentiometrische Titration
T/CECA 35-2019 Metalloxid-Halbleiter-Gassensor
T/QGCML 743-2023 Spezifikationen für den Anodisierungsprozess von Halbleiterausrüstungsteilen
T/ZZB 0629-2018 Draht aus Silber-Zinnoxid-Indiumoxid durch interne Oxidation der Legierung für den Relaiskontakt
T/CPCIF 0056-2020 Calciumoxid für Calciumcarbid

American Society for Testing and Materials (ASTM), halbes Oxidationspotential

ASTM D1498-14(2022)e1 Standardtestmethode für das Oxidations-Reduktions-Potenzial von Wasser
ASTM UOP291-15 Gesamtchlorid in Aluminiumoxid- und Siliciumdioxid-Aluminiumoxid-Katalysatoren durch Mikrowellenaufschluss und potentiometrische Titration
ASTM F616M-96 Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM F616M-96(2003) Standardtestmethode zur Messung des MOSFET-Drain-Leckstroms (metrisch)
ASTM D1498-14 Standardtestmethode für das Oxidations-Reduktions-Potenzial von Wasser
ASTM D1498-08 Standardtestmethode für das Oxidations-Reduktions-Potenzial von Wasser
ASTM G200-09 Standardtestmethode zur Messung des Oxidations-Reduktionspotentials (ORP) von Böden
ASTM G200-20 Standardtestmethode zur Messung des Oxidations-Reduktionspotentials (ORP) von Böden
ASTM G200-09(2014) Standardtestmethode zur Messung des Oxidations-Reduktionspotentials 40;ORP41; des Bodens
ASTM D873-02(2007) Standardtestmethode für die Oxidationsstabilität von Flugkraftstoffen (Potentialrückstandsmethode)
ASTM D873-12(2018) Standardtestmethode für die Oxidationsstabilität von Flugkraftstoffen (Potentialrückstandsmethode)
ASTM UOP291-13 Gesamtchlorid in Aluminiumoxid- und Siliciumdioxid-Aluminiumoxid-Katalysatoren durch Mikrowellenaufschluss und potentiometrische Titration

British Standards Institution (BSI), halbes Oxidationspotential

BS EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
BS ISO 11271:2022 Bodenqualität. Bestimmung des Redoxpotentials. Feldmethode
BS IEC 61196-13:2023 Koaxiale Kommunikationskabel – Rahmenspezifikation für halbstarre Kabel mit Siliziumdioxid-Dielektrikum
BS EN ISO 27107:2008 Tierische und pflanzliche Fette und Öle – Bestimmung der Peroxidzahl – Potentiometrische Endpunktbestimmung
BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
BS EN 62416:2010 Halbleiterbauelemente – Hot-Carrier-Test an MOS-Transistoren

Danish Standards Foundation, halbes Oxidationspotential

DS/EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
DS/ISO 11271:2004 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode

International Organization for Standardization (ISO), halbes Oxidationspotential

ISO 11271:2022 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), halbes Oxidationspotential

IPC TA-720 SECTION 6 Dünnes Epoxidglaslaminat und Prepreg

RU-GOST R, halbes Oxidationspotential

GOST 7619.5-1981 Fluorit. Methode zur Bestimmung von Sesquioxiden
GOST ISO 27107-2016 Tierische und pflanzliche Fette und Öle. Bestimmung des Peroxidwerts mittels potentiometrischer Endpunktmethode

(U.S.) Ford Automotive Standards, halbes Oxidationspotential

FORD ESB-M64J27-A4-1993 OXIDATIONSPOTENTIALKONTROLLADDITIV Abgebildet auf ESB-M64J27-A1

CZ-CSN, halbes Oxidationspotential

CSN 44 1876-1982 Bauxit. Bestimmung von Chrom(III)oxid. Die potentiometrischen und photometrischen Methoden.
CSN 44 1875-1983 Bauxit. Bestimmung von Vanadiumoxid. Die potentiometrischen und photometrischen Methoden.
CSN 70 0632 Cast.1-1986 Glasprüfmethoden. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Bleioxid. Volumetrische Methode mit Komplexon 3 (nach der elektrolytischen Trennung)
CSN 70 0638 Cast.1-1976 Glasprüfung. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Calciumoxid. Volumetrische Methode mit Complexone 3
CSN 70 0628 Cast.1-1990 Glasprüfmethoden. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Aluminiumoxid. Volumetrische Methode mit Complexone 3
CSN 70 0634 Cast.3-1976 Glasprüfung. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Manganoxid. Volumetrische Methode mit Complexone 3
CSN 70 0639 Cast.1-1976 Glasprüfung. Chemische Analyse von Glas. Bestimmung von Magnesiumoxid. Volumetrische Methode mit Complexone 3

IN-BIS, halbes Oxidationspotential

IS 2720 Pt.25-1982 Bodentestmethoden Teil XXV Bestimmung der Silica-Sesquioxidationsrate

Professional Standard - Machinery, halbes Oxidationspotential

JB/T 7948.2-1999 Methoden zur chemischen Analyse von geschmolzenen Schweißpulvern. Potentiometrische Methode zur Bestimmung des Manganoxidgehalts
JB/T 5842-2005 Ringe aus Chips von Halbleiterbauelementen
JB/T 5842-1991 Die-Ausrichtringe für Leistungshalbleiterbauelemente
JB/T 11827-2014 Testmethode für die Leistung von CaO bei der Trocken-/Halbtrockenentschwefelung
JB/T 8508-1996 Magnesiumoxid in elektrischer Qualität
JB/T 9670-2014 Zinkoxid für den Varistor von Metalloxid-Überspannungsableitern

Professional Standard - Aviation, halbes Oxidationspotential

HB/Z 339.1-1999 Analytische Methode der anodischen Chromsäure-Oxidationslösung einer Aluminiumlegierung. Bestimmung des freien Chromtrioxids und des Gesamtchromtrioxidgehalts durch potentiometrische Titration
HB/Z 5086.3-2000 Analysemethode zur Cyanid-Galvanisierung von Kupferlösungen. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Natriumhydroxidgehalts
HB/Z 5105.1-2000 Elektrochemische Polierlösungsanalysemethode Potentiometrische Titration Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
HB/Z 5084.2-2000 Analytische Methode der Zyanid-Galvanisierung von Zinklösungen durch potentiometrische Titration zur Bestimmung des Gehalts an Natriumhydroxid
HB/Z 5085.3-1999 Analytische Methode der Cyanid-Galvanik mit Cadmiumlösung. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Natriumhydroxidgehalts
HB/Z 5105.2-2000 Elektrochemische Polierlösungsanalysemethode Potentiometrische Titration Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
HB/Z 5109.9-2001 Analysemethode für Passivierungslösung Bestimmung des Chromtrioxidgehalts in Passivierungslösung für die Kupferplattierung durch potentiometrische Titration
HB/Z 5091.1-1999 Analysemethode für Verchromungslösung Bestimmung des Chromtrioxidgehalts durch potentiometrische Titration
HB/Z 5107.18-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 18: Bestimmung des Ammoniumchloridgehalts (Natriumchlorid) in Salpetersäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5107.17-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 17: Bestimmung des Salpetersäuregehalts in Salpetersäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5092.1-2001 Analysemethode der galvanischen Schwarzchromlösung, potentiometrische Titration, Bestimmung des Chromtrioxidgehalts
HB/Z 5091.2-1999 Analysemethode für Verchromungslösung Bestimmung des Dichromtrioxidgehalts durch potentiometrische Titration
HB/Z 5109.3-2001 Analysemethode für Passivierungslösung. Bestimmung von Chromtrioxid in Trisäure-Passivierungslösungen für die Verzinkung und Cadmiumbeschichtung durch potentiometrische Titration
HB/Z 5107.7-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 7: Bestimmung des Eisessigsäuregehalts in Eisessigsäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5107.9-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 9: Bestimmung des Chlorgehalts in Eisessigsäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5107.16-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 16: Bestimmung des Kaliumbichromatgehalts in Salpetersäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5093.2-2000 Analytische Methode der alkalischen Galvanisierung von Zinnlösungen. Potentiometrische Titration zur Bestimmung des Gehalts an Natriumhydroxid
HB/Z 5107.5-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 5: Bestimmung des Eisessigsäuregehalts in Aluminiumkaliumsulfat-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode
HB/Z 5107.6-2004 Methoden zur Analyse chemischer Oxidationslösungen für Magnesiumlegierungen – Teil 6: Bestimmung des Kaliumbichromatgehalts in Eisessigsäure-Oxidationslösungen durch potentiometrische Methode

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, halbes Oxidationspotential

GJB 760-1989 Coulometrische Methode mit kontrolliertem Potenzial zur Bestimmung des Gesamtplutoniumgehalts in Plutoniumdioxid

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, halbes Oxidationspotential

EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)

Lithuanian Standards Office , halbes Oxidationspotential

LST EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials (ISO 2376:2010)

AENOR, halbes Oxidationspotential

UNE-EN ISO 2376:2011 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials (ISO 2376:2010)
UNE-ISO 11271:2007 Bodenqualität – Bestimmung des Redoxpotentials – Feldmethode. (ISO 11271:2002)
UNE 51118:1983 STANDARDPRÜFMETHODE FÜR DIE OXIDATIONSSTABILITÄT VON FLUGKRAFTSTOFFEN (POTENZIELLE RÜCKSTANDSMETHODE)

Professional Standard - Building Materials, halbes Oxidationspotential

JC/T 2024-2010 Durchscheinendes Aluminiumoxid-Keramikrohr für Metallhalogenidlampen

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), halbes Oxidationspotential

JIS C 6522:1996 Prepreg für mehrschichtige Leiterplatten – mit Epoxidharz imprägniertes Glasgewebe

Association Francaise de Normalisation, halbes Oxidationspotential

NF T20-554:1989 Wasserstoffperoxid für den industriellen Einsatz. Bestimmung des scheinbaren pH-Wertes (pha). Potentiometrische Methode.
NF T90-260:2023 Wasserqualität – Charakterisierung von Analysemethoden – Messung des Redoxpotentials im Wasser
NF EN ISO 27107:2010 Fette tierischen und pflanzlichen Ursprungs – Bestimmung des Peroxidindex – Bestimmung mit potentiometrischem Haltepunkt
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).

Professional Standard - Non-ferrous Metal, halbes Oxidationspotential

YS/T 710.1-2009 Methode zur chemischen Analyse von Kobaltoxid. Teil 1: Bestimmung des Kobaltgehalts. Potentiometrische Methode
YS/T 968-2014 Lithiumoxid in Batteriequalität

Standard Association of Australia （SAA）, halbes Oxidationspotential

IEC 61196-13:2023 Koaxiale Kommunikationskabel – Teil 13 – Rahmenspezifikation für halbstarre Kabel mit Siliziumdioxid-Dielektrikum

Professional Standard - Electron, halbes Oxidationspotential

SJ/T 11824-2022 Testmethode für äquivalente Kapazität und Spannungsänderungsrate für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).
SJ/T 10895-1996 Atomabsorptionsanalyse von CaO, SrO, BaO und MgO in elektronischem Glas
SJ 20025-1992 Allgemeine Spezifikation für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/T 10896-1996 Atomabsorptionsanalyse von ZnO, PbO, Al2O3 und Sb2O3 in elektronischem Glas
SJ/T 10540-1994 Chemische Analysemethoden für Produkte und Halbzeuge aus Permanentferrit
SJ 20026-1992 Messmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ 20079-1992 Testmethoden für Gassensoren aus Metalloxid-Halbleitern
SJ/T 10540-2013 Chemische Analysemethoden von Produkten und Halbzeugen aus Permanentferrit
SJ/T 10894-1996 Atomabsorptionsanalyse von Li2O, Na2O und K2O in elektronischem Glas
SJ/T 10041-1991 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten. Integrierte Halbleiterschaltung – CC4014 CMOS 8-Bit-Schieberegister
SJ/T 10071-1991 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Integrierte Halbleiterschaltung. Typ CH2022 4-Bit-Schieberegister
SJ/T 11484-2015 Mit Aluminium dotiertes, mit Zinkoxid beschichtetes, transparentes, leitfähiges Glas
SJ/T 10897-1996 Atomabsorptionsanalyse von Co2O3, NiO und MnO2 in elektronischem Glas
SJ/T 10909-1996 Bestimmung von K2O, Na2O und Li2O in elektronischem Glas – Flammenspektroskopie-Methode

Professional Standard - Rare Earth, halbes Oxidationspotential

XB/T 613.2-2010 Chemische Analysemethoden für Cer-Terbiumoxid. Teil 2: Bestimmung von Lanthanoxid, Praseodymoxid, Neodymoxid, Samariumoxid, Europiumoxid, Gadoliniumoxid, Dysprosiumoxid, Holmiumoxid, Erbiumoxid, Thuliumoxid, Ytterbiumoxid, Lutetium

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, halbes Oxidationspotential

CNS 8104-1981 Methode zur Messung der linearen MOSFET-Schwellenspannung
CNS 8106-1981 Methode zur Messung der MOSFET-Sättigungsschwellenspannung
CNS 10561-1985 Mit Epoxidharz imprägniertes Glasgewebe (Pre-Preg) für mehrschichtige gedruckte Schaltungen

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, halbes Oxidationspotential

GB 25327-2017 Die Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit Aluminiumoxid

ZA-SANS, halbes Oxidationspotential

CKS 99-1967 SPEZIFIKATION FÜR KOHLENDIOXID, TECHNISCH (metrische Einheiten)

API - American Petroleum Institute, halbes Oxidationspotential

API 4169-1972 DIE ISOTOPISCHE ZUSAMMENSETZUNG DES ATMOSPHÄRISCHEN KOHLENMONOXIDS

Shanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, halbes Oxidationspotential

DB14/T 663-2012 Umfassende Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Aluminiumoxid
DB14/ 663-2012 Umfassende Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Aluminiumoxid
DB14/T 692-2012 Bestimmung des Peroxidwerts landwirtschaftlicher Nüsse durch automatische potentiometrische Titration

机械电子工业部, halbes Oxidationspotential

JB 5842-1991 Positionierungsringe für Leistungshalbleiterbauelemente

Professional Standard - Geology, halbes Oxidationspotential

DZ/T 0184.21-1997 Bestimmung von Sauerstoffisotopen in natürlichem Wasser durch die Kohlendioxid-Wasserbilanz-Methode
DZ/T 0184.13-1997 Bestimmung der Sauerstoffisotopenzusammensetzung in Silikat- und Oxidmineralien durch die Brompentafluorid-Methode

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, halbes Oxidationspotential

DB15/T 925-2015 Chemische Analysemethode für Nicht-Seltenerd-Verunreinigungen in einzelnen Seltenerdoxiden. Bestimmung von Aluminiumoxid, Chromoxid, Manganoxid, Kobaltoxid, Nickeloxid, Kupferoxid, Zinkoxid, Bleioxid, Cadmiumoxid und Arsenoxid durch Induktion

European Committee for Standardization (CEN), halbes Oxidationspotential

EN 12671:2016 Chemikalien zur Aufbereitung von Wasser für den menschlichen Gebrauch – Vor Ort erzeugtes Chlordioxid

Professional Standard - Nuclear Industry, halbes Oxidationspotential

EJ/T 1212.2-2008 Testmethoden zur Analyse von gesinterten Gadoliniumoxid-Urandioxid-Pellets. Teil 2: Bestimmung der Isotopen-Uramium-Zusammensetzung durch thermische Ionisations-Massenspektrometrie
EJ/T 20164-2018 Automatische potentiometrische Titrationsmethode zur Bestimmung des Urangehalts in wiederaufbereitetem Urantrioxidpulver

Professional Standard - Aerospace, halbes Oxidationspotential

QJ 2868-1997 Spezifikation für den halbautomatischen Schweißprozess mit Kohlendioxidschutzgas

International Electrotechnical Commission (IEC), halbes Oxidationspotential

IEC 62417:2010 Halbleiterbauelemente – Mobile Ionentests für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)
IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Teil 8-4: Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, halbes Oxidationspotential

JEDEC JEP184-2021 Richtlinie zur Bewertung der Vorspannungstemperaturinstabilität von Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiterbauelementen für die Leistungselektronikumwandlung

Universal Oil Products Company (UOP), halbes Oxidationspotential

UOP 291-2013 Gesamtchlorid in Aluminiumoxid- und Siliciumdioxid-Aluminiumoxid-Katalysatoren durch Mikrowellenaufschluss und potentiometrische Titration
UOP 291-2015 Gesamtchlorid in Aluminiumoxid- und Siliciumdioxid-Aluminiumoxid-Katalysatoren durch Mikrowellenaufschluss und potentiometrische Titration

Professional Standard - Light Industry, halbes Oxidationspotential

QB/T 2629-2004 Elektrolytisches Mangandioxid für quecksilberfreie alkalische Zink-Mangandioxid-Batterien

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., halbes Oxidationspotential

IEEE 641-1987 STANDARDDEFINITIONEN UND CHARAKTERISIERUNG VON METALLNITRIDOXID-HALBLEITER-ARRAYS

Indonesia Standards, halbes Oxidationspotential

SNI 06-2119-1991 Elektrolytisches Mangandioxid

ES-AENOR, halbes Oxidationspotential

UNE 36-134-1990 Oxidierter verchromter Stahl