halbes Spitzenkorn

Für die halbes Spitzenkorn gibt es insgesamt 16 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst halbes Spitzenkorn die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Umfangreiche elektronische Komponenten, Prüfung von Metallmaterialien.

International Electrotechnical Commission (IEC), halbes Spitzenkorn

IEC 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente – Teil 5: Die- und Waferbauelemente

British Standards Institution (BSI), halbes Spitzenkorn

BS EN 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente. - Teil 5: Die- und Wafer-Geräte

BE-NBN, halbes Spitzenkorn

NBN A 23-114-1983 Magnetisches, kaltgewalztes, nicht kornorientiertes legiertes Stahlband, geliefert als Halbzeug

Association Francaise de Normalisation, halbes Spitzenkorn

NF A04-503:1988 Halbzeuge aus Aluminium, Kupfer, Nickel und deren Legierungen. Bestimmung der Korngröße. Aluminium und Aluminiumlegierungen.
NF A04-505:1988 Halbzeuge aus Aluminium, Kupfer, Nickel und deren Legierungen. Bestimmung der Korngröße. Nickel und Nickellegierungen.

Defense Logistics Agency, halbes Spitzenkorn

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTSTRAHLUNGSGEHÄRTET (GESAMTHOSIE UND EINZELEREIGNISEFFEKTE) TRANSISTOREN, N-KANAL-SILIZIUM, TYPEN 2N7405, 2N7406, 2N7407 UND 2N7408, JANSD UND JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTSTRAHLUNGSGEHÄRTEN (GESAMTHOSIEN UND EINZELEREIGNISEFFEKTE), TRANSISTOR, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7488T3, 2N7489T3 UND 2N7490T3, JANTXVR UND JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, feldeffektstrahlungsgehärteter (Gesamtdosis- und Einzelereigniseffekte) Transistor, P-Kanal-Siliziumtyp 2N7438 und 2N7439 JANSD und JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Halbleiterbauelement, durch Feldeffektstrahlung gehärteter Transistor (Gesamtdosis und Einzelereigniseffekte), N-Kanal, Siliziumtypen 2N7497T2, 2N7498T2 und 2N7499T2, JANTXVR und JANSR
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, FELDEFFEKT, N-KANAL, STRAHLUNGSGEHÄRTET (GESAMTHOSOSE UND EINZELEREIGNISEFFEKTE), TYP 2N7467U2, JANTXVR, F, G UND H UND JANSR, F, G UND H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTRANSISTOR, N-KANAL, STRAHLUNGSGEHÄRTET (GESAMTHOSIE UND EINZELEREIGNISWIRKUNGEN), SILIKON, TYP 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR und JANSH
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, feldeffektstrahlungsgehärteter (Gesamtdosis- und Einzelereigniseffekte) Transistor, N-Kanal-Siliziumtypen 2N7512, 2N7513 und 2N7514 JANTXVD, R und JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Halbleiterbauelement, feldeffektstrahlungsgehärteter (Gesamtdosis- und Einzelereigniseffekte) Transistor, N-Kanal-Silizium, Typen 2N7509, 2N7510 und 2N7511, JANTXVD, R und JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Halbleiterbauelement, Feldeffekt, strahlungsgehärtet (Gesamtdosis und Einzelereigniseffekte), Transistorchip, N-Kanal und PC-Kanal, Silizium, verschiedene Typen, JANHC und JANKC
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTSTRAHLUNG GEHÄRTET (GESAMTHOSIE UND EINZELEREIGNIS-EFFEKTE), VIERFACH-TRANSISTOR, N-KANAL UND P-KANAL, SILIZIUM, TYP 2N7518 UND 2N7518U, JANTXVR, F, UND JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Halbleiterbauelement, durch Feldeffektstrahlung gehärteter Transistor (Gesamtdosis und Einzelereigniseffekte), N-Kanal, Silizium, Typen 2N7494U5, 2N7495U5 und 2N7496U5, JANTXVR, F, G und H sowie JANSR, F, G und H