Korn in halber Breite

Für die Korn in halber Breite gibt es insgesamt 19 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Korn in halber Breite die folgenden Kategorien: Getränke, Halbleitermaterial, Optoelektronik, Lasergeräte, Prüfung von Metallmaterialien, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Umfangreiche elektronische Komponenten, Diskrete Halbleitergeräte, Zerstörungsfreie Prüfung.

Group Standards of the People's Republic of China, Korn in halber Breite

T/BJWA 004-2022 Natürliches Trinkwasser mit niedrigem Hertz-17O-NMR-FWHM
T/BJWA 005-2022 Bestimmung der 17O-NMR-FWHM im Wasser-NMR-Verfahren
T/IAWBS 017-2022 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenrocking-Kurve eines Diamant-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 015-2021 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines Ga2O3-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 016-2022 Röntgen-Doppelkristall-Rocking-Kurve FWHM-Testmethode für Siliziumkarbid-Einzelwafer

Professional Standard - Electron, Korn in halber Breite

SJ 2355.7-1983 Methode zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Strahlungsbandbreite lichtemittierender Geräte
SJ 2658.12-1986 Messmethoden für Halbleiter-Infrarotdioden. Methoden zur Messung der Spitzenemissionswellenlänge und der spektralen Halbwertsbreite
SJ/T 2658.12-2015 Messverfahren für Halbleiter-Infrarot-emittierende Dioden. Teil 12: Spitzenemissionswellenlänge und spektrale Strahlungsbandbreite

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Korn in halber Breite

GB/T 32188-2015 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines GaN-Einkristallsubstrats
GB/T 23413-2009 Bestimmung der Kristallitgröße und Mikrospannung von Nanomaterialien. Röntgenbeugungslinienverbreiterungsmethode

International Electrotechnical Commission (IEC), Korn in halber Breite

IEC 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente – Teil 5: Die- und Waferbauelemente

British Standards Institution (BSI), Korn in halber Breite

BS EN 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente. - Teil 5: Die- und Wafer-Geräte

BE-NBN, Korn in halber Breite

NBN A 23-114-1983 Magnetisches, kaltgewalztes, nicht kornorientiertes legiertes Stahlband, geliefert als Halbzeug

Association Francaise de Normalisation, Korn in halber Breite

NF A04-503:1988 Halbzeuge aus Aluminium, Kupfer, Nickel und deren Legierungen. Bestimmung der Korngröße. Aluminium und Aluminiumlegierungen.
NF A04-505:1988 Halbzeuge aus Aluminium, Kupfer, Nickel und deren Legierungen. Bestimmung der Korngröße. Nickel und Nickellegierungen.

Defense Logistics Agency, Korn in halber Breite

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTSTRAHLUNGSGEHÄRTET (GESAMTHOSIE UND EINZELEREIGNISEFFEKTE) TRANSISTOREN, N-KANAL-SILIZIUM, TYPEN 2N7405, 2N7406, 2N7407 UND 2N7408, JANSD UND JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 HALBLEITERGERÄT, FELDEFFEKTSTRAHLUNGSGEHÄRTEN (GESAMTHOSIEN UND EINZELEREIGNISEFFEKTE), TRANSISTOR, N-KANAL, SILIKON, TYP 2N7488T3, 2N7489T3 UND 2N7490T3, JANTXVR UND JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Halbleiterbauelement, feldeffektstrahlungsgehärteter (Gesamtdosis- und Einzelereigniseffekte) Transistor, P-Kanal-Siliziumtyp 2N7438 und 2N7439 JANSD und JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Halbleiterbauelement, durch Feldeffektstrahlung gehärteter Transistor (Gesamtdosis und Einzelereigniseffekte), N-Kanal, Siliziumtypen 2N7497T2, 2N7498T2 und 2N7499T2, JANTXVR und JANSR