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grano medio pico
grano medio pico, Total: 16 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en grano medio pico son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., pruebas de metales.
International Electrotechnical Commission (IEC), grano medio pico
- IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
British Standards Institution (BSI), grano medio pico
- BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
BE-NBN, grano medio pico
- NBN A 23-114-1983 BANDES MAGNETIQUES EN ACIER ALLIE A GRAINS NON ORIENTES LAMINEES A FROID ET LIVREES A L'ETAT SEMI-FINI
Association Francaise de Normalisation, grano medio pico
- NF A04-503:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Aluminio y aleaciones de aluminio.
- NF A04-505:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Níquel y aleaciones de níquel.
Defense Logistics Agency, grano medio pico
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
- DLA MIL-PRF-19500/747-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPO 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR Y JANSH
- DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
- DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
- DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal PC, silicio, varios tipos, JANHC y JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F Y JANSR, F
- DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, silicio, tipos 2N7494U5, 2N7495U5 y 2N7496U5, JANTXVR, F, G y H, y JANSR, F, G y H