UV-Silizium-Photovoltaikzelle

Für die UV-Silizium-Photovoltaikzelle gibt es insgesamt 141 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst UV-Silizium-Photovoltaikzelle die folgenden Kategorien: Isoliermaterialien, Halbleitermaterial, Solartechnik, Komponenten elektrischer Geräte, Prüfung von Metallmaterialien, Integrierte Luft- und Raumfahrzeuge, Drähte und Kabel, Elektrische Geräte und Systeme für die Luft- und Raumfahrt, Umweltschutz, analytische Chemie, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrische und elektronische Prüfung, Erdgas, Arbeitssicherheit, Arbeitshygiene, Teile und Zubehör für Telekommunikationsgeräte, Ausrüstung für die Gesundheit des menschlichen Körpers, Glasfaserkommunikation, Nichteisenmetalle.

Group Standards of the People's Republic of China, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

T/ZZB 2854-2022 UV-Isolierfolien aus kristallinen Silizium-Photovoltaikmodulen – Polyethylenterephthalatfolien
T/ZZB 1389-2019 Monokristalline Silizium-Photovoltaikzellen
T/CPIA 0020-2020 Elektrolumineszenz-Testverfahren für kristalline Silizium-Photovoltaikzellen
T/CPIA 0048.1-2022 Herstellungsrichtlinien für Standard-Photovoltaikzellen aus kristallinem Silizium für Produktionslinien Teil 1: Homogene kristalline Silizium-Photovoltaikzellen
T/CPIA 0048.2-2023 Richtlinien für die Herstellung standardmäßiger kristalliner Silizium-Photovoltaikzellen für Produktionslinien Teil 2: Heterogene kristalline Silizium-Photovoltaikzellen
T/GDWCA 0101-2023 UV-Bestrahlungsvernetzungsausrüstung für Drähte und Kabel
T/CSTM 00463-2023 Klassifizierung der schwarzen Ringe in kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen vom N-Typ
T/CSTM 00463-2022 Klassifizierung der schwarzen Ringe in kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen vom N-Typ
T/CEC 287-2019 Technische Anforderungen für Rückkontakt-Photovoltaikzellen aus kristallinem Silizium
T/CPIA 0041-2022 Testverfahren zur thermisch unterstützten lichtinduzierten Dämpfung von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
T/CSTM 00465-2022 Testverfahren zur Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen durch feuchte Hitze
T/CSTM 00461-2022 Testverfahren für die Elektrodenschälfestigkeit von kristallinen Silizium-PV-Zellen
T/GDWCA 0085-2022 Durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht vernetzte Polyethylen-Isoliermassen für Drähte und Kabel
T/SQIA 057-2023 Technische Anforderungen für die Bewertung des CO2-Fußabdrucks von Photovoltaikzellen aus kristallinem Silizium
T/CSTM 00587-2023 Prüfverfahren für die Biegefestigkeit kristalliner Siliziumzellen – Vierpunkt-Biegefestigkeit
T/ZSA 39-2020 Charakterisierung von Graphen – Austrittsarbeit – Methode der Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS).
T/ZGIA 002-2020 Graphen-Testmethoden Bestimmung der Austrittsarbeit Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
T/CPIA 0051-2023 Testmethode für den Kontaktwiderstand von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen und Metallelektroden Transmission Line Model Method (TLM)
T/CPIA 0030.1-2021 Paste für kristalline Silizium-Photovoltaikzellen Teil 1: Backfield-Aluminiumpaste, gesinterte Aluminiumpaste
T/CPIA 0030.3-2021 Paste für kristalline Silizium-Photovoltaikzellen Teil 3: Silberpaste auf der Vorderseite, gesinterte Silberpaste
T/CPIA 0030.2-2021 Paste für kristalline Silizium-Photovoltaikzellen Teil 2: Rückseiten-Silberpaste, gesinterte Silberpaste

British Standards Institution (BSI), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

BS EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
PD IEC TS 63202-2:2021 Photovoltaik-Zellen. Elektrolumineszenzbildgebung von kristallinen Siliziumsolarzellen
PD IEC TS 63202-4:2022 Photovoltaikzellen – Messung der durch Licht und erhöhte Temperatur verursachten Verschlechterung von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
BS EN 4650:2023 Luft- und Raumfahrtserie. Draht- und Kabelmarkierungsverfahren, UV-Laser
BS EN 4650:2010 Luft- und Raumfahrt – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser
BS EN 61215:2005 Terrestrische Photovoltaikmodule (PV) aus kristallinem Silizium – Designqualifizierung und Typgenehmigung
BS EN 50289-4-17:2011 Kommunikationskabel. Spezifikationen für Testmethoden. Prüfverfahren zur Bewertung der UV-Beständigkeit des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln
BS EN 50289-4-17:2015 Kommunikationskabel. Spezifikationen für Testmethoden. Prüfverfahren zur Bewertung der UV-Beständigkeit des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln
BS EN 2267-010:2005 Elektrische Kabel für allgemeine Zwecke – Betriebstemperaturen zwischen -55 °C und 260 °C – Teil 010: DR-Familie, einfach mit UV-Laser bedruckbar – Produktnorm
BS EN 2267-010:2006 Luft- und Raumfahrtserie. Elektrische Kabel für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturen zwischen -55°C und 260°C. DR-Familie, einzeln mit UV-Laser bedruckbar. Produktstandard
BS EN 2266-005:2006 Luft- und Raumfahrt - Kabel, elektrisch, für allgemeine Zwecke - Betriebstemperaturen zwischen -55 °C und 200 °C - UV-Laserbedruckbar - Produktnorm
BS EN 2267-010:2013 Luft- und Raumfahrtserie. Elektrische Kabel für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturen zwischen - 55°C und 260°C. DR-Familie, einzeln mit UV-Laser bedruckbar. Produktstandard
BS EN 2266-005:2005 Elektrische Kabel für allgemeine Zwecke – Betriebstemperaturen zwischen
22/30466943 DC BS EN 60794-1-214. Glasfaserkabel – Teil 1-214. Allgemeine Spezifikation. Grundlegende Testverfahren für optische Kabel. Umwelttestmethoden. Kabel-UV-Beständigkeitstest, Methode F14

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DB35/T 1126-2011 Low-Light-Solarzelle aus amorphem Silizium

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
EN 50289-4-17:2015 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln

Association Francaise de Normalisation, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

NF C57-331*NF EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
NF EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
NF C57-110:1998 UV-Test für Photovoltaik (PV)-Module.
NF EN 4650:2023 Luft- und Raumfahrtserie – UV-Lasermarkierungsverfahren für Drähte und Kabel
NF L52-251*NF EN 4650:2010 Luft- und Raumfahrt – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser
NF C86-252-001:1987 Detailspezifikation für MOS-Ultraviolettlicht-löschbare, elektrisch programmierbare Nur-Lese-Speicher, monolithische Siliziumschaltungen
NF C86-252:1988 Komponenten für elektronische Geräte MOS-UV-Licht löschbare, elektrisch programmierbare Festwertspeicher Silizium-monolithische Schaltkreise Sammlung von Detailspezifikationen im Rahmen der französischen Norm NF C 86-252 (CECC 90 113)
NF EN 3475-706:2006 Luft- und Raumfahrt – Elektrische Kabel für die Luftfahrt – Prüfverfahren – Teil 706: UV-Laserbeschriftbarkeit
NF EN 2266-005:2006 Luft- und Raumfahrt – Kabel, elektrische, allgemeine Zwecke – Betriebstemperaturen zwischen – 55 °C und 200 °C – Teil 005: UV-Lasermarkierbar – Produktnorm
NF EN 2267-005:2006 Luft- und Raumfahrt – Kabel, elektrische, allgemeine Zwecke – Betriebstemperaturen zwischen – 55 °C und 260 °C – Teil 005: UV-Lasermarkierbar – Produktnorm
NF C73-827/A1:2010 Sicherheit von Haushaltsgeräten und ähnlichen Elektrogeräten – Teil 2-27: Besondere Anforderungen für Geräte, die der Haut ultravioletter und infraroter Strahlung ausgesetzt sind.
NF C93-537-4-17*NF EN 50289-4-17:2016 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln
NF EN 50289-4-17:2016 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur Bewertung der UV-Beständigkeit von Elektrokabel- und Glasfaserkabelmänteln
NF C93-537-4-17:2011 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln.

International Electrotechnical Commission (IEC), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
IEC TS 63202-2:2021 Photovoltaische Zellen – Teil 2: Elektrolumineszenz-Bildgebung von kristallinen Silizium-Solarzellen
IEC TS 63202-4:2022 Photovoltaikzellen – Teil 4: Messung der durch Licht und erhöhte Temperatur verursachten Verschlechterung von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen

ES-UNE, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

UNE-EN IEC 63202-1:2020 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
UNE-EN 4650:2023 Luft- und Raumfahrtserie – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im April 2023.)
UNE-EN 50289-4-17:2016 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln

SAE - SAE International, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SAE AS5649-2007 Draht- und Kabelmarkierungsverfahren mit UV-Laser

Society of Automotive Engineers (SAE), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SAE AS5649-2012 Draht- und Kabelmarkierungsprozess, UV-Laser
SAE AS5649A-2019 Draht- und Kabelmarkierungsprozess, UV-Laser
SAE AIR5558-2009 Ultraviolette (UV) Lasermarkierungsleistung von Luft- und Raumfahrtdrahtkonstruktionen

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

CNS 15116-2007 UV-Test für Photovoltaik (PV)-Module

工业和信息化部, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SJ/T 11629-2016 Online-Methode zur Photolumineszenzanalyse von Siliziumwafern und -zellen für Solarzellen
SJ/T 11631-2016 Prüfverfahren für Aussehensmängel von Siliziumwafern für Solarzellen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

GB/T 29055-2019(英文版) Multikristalline Siliziumwafer für Photovoltaik-Solarzellen
GB/T 29054-2019(英文版) Gießen multikristalliner Siliziumsteine für Photovoltaik-Solarzellen
GB/T 29850-2013 Testverfahren zur Messung des Kompensationsgrads von Siliziummaterialien, die für Photovoltaikanwendungen verwendet werden
GB/T 6495.11-2016 Photovoltaische Geräte. Teil 11: Testverfahren für die anfängliche lichtinduzierte Degradation von kristallinen Silizium-Solarzellen
GB/T 31854-2015 Testmethode zur Messung des Gehalts an metallischen Verunreinigungen in Siliziummaterialien, die für Photovoltaikanwendungen verwendet werden, mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
GB/T 29849-2013 Testverfahren zur Messung der metallischen Oberflächenkontamination von Siliziummaterialien, die für Photovoltaikanwendungen verwendet werden, mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
GB/T 29851-2013 Testmethode zur Messung von Bor und Aluminium in Siliziummaterialien für Photovoltaikanwendungen mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie
GB/T 29852-2013 Testmethode zur Messung von Phosphor, Arsen und Antimon in Siliziummaterialien für Photovoltaikanwendungen mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie

Defense Logistics Agency, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DLA SMD-5962-91545 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89476 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85135 REV B-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, 64K X 8-BIT, UV-EPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86864 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ULTRAVIOLET-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/507 B VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, Speicher, Digital, CMOS Ultraviolett löschbare programmierbare Array-Logik, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89469 REV C-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91584 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91772 REV A-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88726 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ULTRAVIOLET-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87515 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K x 8 UV-EPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88680-1991 Mikroschaltkreise, Speicher, digital, 2K x 8 Power Down UV-EPROM, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89537 REV B-2006 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, 16K x 8 UV-EPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93248-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90754 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES ASYNCHRONES REGISTRIERTES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/224 VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, Speicher, digital, MOS, 32K x 8, Ultraviolett, löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher (EPROM), monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-93245-1993 Mikroschaltkreise, digital, Speicher, CMOS, erweiterte Spannung, UV-löschbar, programmierbares Logik-Array, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBAR, LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85135 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS, 64K x 8-BIT UV-LÖSCHBARER PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (UVEPROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87661 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 16K
DLA SMD-5962-91772-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87744 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, NMOS, 64K x 16-Bit (1M), UV-löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (UVEPROM), MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SPEICHER, UV-LÖSCHBARES CMOS, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, ULTRAVIOLET-LÖSCHBAR, PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 8K x 8 UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91584-1992 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIK-ARRAY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89476-1992 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, UV-LÖSCHBARES PROGRAMMIERBARES LOGIKGERÄT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92322-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 64K X 8-BIT SCHNELLER SPALTENZUGANG UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K x 8 UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 262, 144-BIT (32K x 8), UV-LÖSCHBARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 MIKROKREISE, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 64K x 8 UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 REGISTRIERTES UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93122-1993 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 2K X 16-BIT STATE MACHINE UVEPROM, MONOLITHISCHES SILIKON

Military Standards (MIL-STD), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DOD A-A-54996-1994 LICHT, ULTRAVIOLET, PROBENUNTERSUCHUNG (110 VOLT, 60 ZYKLUS, AC- ODER BATTERIEBETRIEBEN)

SE-SIS, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SIS SS CECC 90113-1987 Leere Detailspezifikation: MOS-Ultraviolettlicht-löschbare, elektrisch programmierbare Nur-Lese-Speicher, monolithische Siliziumschaltkreise

RU-GOST R, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

GOST R IEC 61829-2013 Photovoltaikbatterien aus kristallinem Silizium. Messung der IV-Eigenschaften vor Ort

Danish Standards Foundation, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DS/EN 4650:2010 Luft- und Raumfahrt – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser

Lithuanian Standards Office , UV-Silizium-Photovoltaikzelle

LST EN 4650-2010 Luft- und Raumfahrt – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser

German Institute for Standardization, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DIN EN 4650:2023-06 Luft- und Raumfahrt - Draht- und Kabelmarkierungsverfahren, UV-Laser; Deutsche und englische Fassung EN 4650:2023
DIN EN 4650:2020 Luft- und Raumfahrt - Draht- und Kabelmarkierungsverfahren, UV-Laser; Englische Version prEN 4650:2020
DIN EN 4650:2023 Luft- und Raumfahrt - Draht- und Kabelmarkierungsverfahren, UV-Laser; Deutsche und englische Fassung EN 4650:2023
DIN EN 50289-4-17:2011 Kommunikationskabel - Spezifikationen für Prüfverfahren - Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln; Deutsche Fassung EN 50289-4-17:2011

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

PREN 4650-2008 Luft- und Raumfahrttechnik Draht- und Kabelmarkierungsverfahren mit UV-Laser (Ausgabe P 1)

Professional Standard - Electron, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SJ/T 11830-2022 Leitfaden zur intelligenten Datenerfassung für kristalline Silizium-Photovoltaikzellen

European Committee for Standardization (CEN), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

EN 4650:2010 Luft- und Raumfahrt - Markierungsverfahren für Drähte und Kabel, UV-Laser

未注明发布机构, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DIN EN 4650 E:2022-08 Luft- und Raumfahrt – Verfahren zur Draht- und Kabelmarkierung, UV-Laser

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

GB/T 41072-2021 Chemische Oberflächenanalyse – Elektronenspektroskopie – Richtlinien für die Analyse durch Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie

Professional Standard - Aerospace, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

QJ 2291-1992 Testspezifikationen für Silizium-Photovoltaikzellen und deren Baugruppen für Solarsensoren

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

ASD-STAN PREN 4650-2008 Luft- und Raumfahrttechnik Draht- und Kabelmarkierungsverfahren, UV-Laser (Ausgabe P 1)

国家能源局, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

SY/T 7657.4-2021 Bestimmung von Erdgas mithilfe der kombinierten Methode aus photoakustischer Spektroskopie, Infrarotspektroskopie und Brennstoffzelle. Teil 4: Bestimmung des Wasserstoffgehalts mithilfe der Brennstoffzellenmethode
SY/T 7657.1-2021 Bestimmung von Erdgas mittels kombinierter Methode aus photoakustischer Spektroskopie, Infrarotspektroskopie und Brennstoffzelle, Teil 1: Allgemeine Grundsätze
SY/T 7657.2-2021 Bestimmung von Erdgas mittels kombinierter Methode aus photoakustischer Spektroskopie, Infrarotspektroskopie und Brennstoffzelle. Teil 2: Bestimmung des Methangehalts mittels photoakustischer Spektroskopie
SY/T 7657.3-2021 Teil 3 der kombinierten photoakustischen Spektroskopie-Infrarotspektroskopie-Brennstoffzellen-Bestimmungsmethode für Erdgas: Bestimmung des Gehalts an Ethan und den oben genannten Alkanen, Kohlendioxid und Kohlenmonoxid mittels Infrarotspektroskopie

中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

GBZ 9-2002 Diagnosekriterien für berufsbedingte akute elektrische Ophthahlmie (durch ultraviolette Strahlen verursachte Kerato-Konjunktivitis)

American Society for Testing and Materials (ASTM), UV-Silizium-Photovoltaikzelle

ASTM E1039-99 Standardtestmethode zur Kalibrierung von nichtkonzentrierenden Silizium-Photovoltaik-Primärreferenzzellen unter globaler Strahlung (zurückgezogen 2004)

ES-AENOR, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

UNE 104-281 Pt.5-17-1988 Asphalt und modifizierte Asphaltmaterialien. Armaturen, Bleche und Platten, Prüfverfahren. Künstliche Alterung von UV-fluoreszierenden Reagenzgläsern

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

EN 50289-4-17:2011 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln

AENOR, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

UNE-EN 50289-4-17:2012 Kommunikationskabel – Spezifikationen für Prüfverfahren – Teil 4-17: Prüfverfahren zur UV-Beständigkeitsbewertung des Mantels von Elektro- und Glasfaserkabeln

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, UV-Silizium-Photovoltaikzelle

DB15/T 927-2015 Bestimmung von Lanthan, Ce, Praseodym, Neodym, Zink, Magnesium, Eisen und Silizium in Mischmetallen in Batteriequalität durch optische Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma