Extremes Stück Tem

Für die Extremes Stück Tem gibt es insgesamt 272 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Extremes Stück Tem die folgenden Kategorien: Metallkorrosion, Anwendungen der Informationstechnologie, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Gummi- und Kunststoffprodukte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Diskrete Halbleitergeräte, Straßenfahrzeuggerät, Thermodynamik und Temperaturmessung, Verbundverstärkte Materialien, Kondensator.

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, Extremes Stück Tem

EIA_ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
EIA/ECA-953-2006 Geformter Tantal-Chip-Kondensator mit Polymerkathode
ECA EIA/ECA-955-2007 OBERFLÄCHENMONTIERTER ALUMINIUM-ELEKTROLYT-CHIP-KONDENSATOR MIT POLYMERKATHODE (QUALIFIKATIONSSPEZIFIKATION)
ECA SP 4984-2005 Oberflächenmontierter Aluminium-Elektrolyt-Chipkondensator mit Polymerkathode. Wird als ANSI/EIA/ECA-955 veröffentlicht

International Organization for Standardization (ISO), Extremes Stück Tem

ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Extremes Stück Tem

JEDEC JESD2-1982 Digitale bipolare Pinbelegung für Chipträger
JEDEC JESD51-50-2012 Überblick über Methoden zur thermischen Messung von Single- und Multi-Chip-, Single- und Multi-PN-Junction-Leuchtdioden (LEDs)

British Standards Institution (BSI), Extremes Stück Tem

BS ISO 22426:2020 Beurteilung der Wirksamkeit des kathodischen Schutzes anhand von Couponmessungen
BS EN ISO 8092-1:1998 Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordnetzkabelbäume – Laschen für einpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen

German Institute for Standardization, Extremes Stück Tem

DIN 41622-1:1965-01 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 3 × 1 mm; Maße
DIN 41618-1:1966-10 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Maße
DIN 41618-3:1974-05 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Leasing- und Rastteile
DIN CEN/TR 16625:2014-03*DIN SPEC 18449:2014-03 Flexible Platten zur Abdichtung – Statistische Definition des Herstellergrenzwerts und des angegebenen Wertes (MLV und MDV) – 95 % Statistik; Deutsche Fassung CEN/TR 16625:2013
DIN 41618-4:1976-02 Mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten 2,5 mm × 1 mm; Gehäuse und Verriegelungen für Steckverbinder DIN 41618 und DIN 41622
DIN EN 2995-006:2023-06 Luft- und Raumfahrt - Leistungsschalter, einpolig, temperaturkompensiert, Nennströme 1 A bis 25 A - Teil 006:6,3 mm & 2,8 mm Flachstecker mit polarisiertem Signalkontakt - Produktstandard; Deutsche Version ASD-STAN prEN 2995-006:2023 / Hinweis: Dat...
DIN 16196:2015 Zeigerthermometer mit elektrischen Grenzkontakten - Gefüllte Systemthermometer und Bimetall-Thermometer
DIN 16196:2013 Zeigerthermometer mit elektrischen Grenzkontakten - Gefüllte Systemthermometer und Bimetall-Thermometer
DIN EN 2995-006:2020 Luft- und Raumfahrt - Leistungsschalter, einpolig, temperaturkompensiert, Nennströme 1 A bis 25 A - Teil 006: 6,3 mm & 2,8 mm Flachstecker mit polarisiertem Signalkontakt - Produktnorm; Englische Version prEN 2995-006:2020

Association Francaise de Normalisation, Extremes Stück Tem

NF A81-304:1994 Umhüllte Elektroden für das manuelle Metalllichtbogenschweißen. Aufbringen eines Schweißmetallpads zur chemischen Analyse.
NF EN ISO 2128:2010 Anodisierung von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung der Dicke der anodischen Schichten – Zerstörungsfreie Methode mit einem optischen Schnittmikroskop
FD R13-438:1996 Straßenfahrzeuge. Mehrpolige 3-mm-Flachsteckeranschlüsse mit Gehäuseverriegelung. Dimensionsmerkmale.
NF R13-440:1992 Straßenfahrzeuge. Flache Schnellanschlussanschlüsse. Teil 2: Prüfungen und Leistungsanforderungen für einpolige Verbindungen.

Defense Logistics Agency, Extremes Stück Tem

DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIVE 5-VOLT-EINSTELLBARE PRÄZISIONSSPANNUNGSREFERENZ, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 2,5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 3,3 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, POSITIV, FEST, 5 V, NIEDRIGER DROPOUT, SPANNUNGSREGLER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACH-EXKLUSIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRA-HOCHGESCHWINDIGKEIT, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01507-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTE SCHOTTKY-, TTL-, HEX-INVERTIERENDE TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL-JK-FLIP-FLOPS MIT VOREINSTELLUNG UND KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 512 X 4-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OPEN-DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STRAHLENGEHÄRTET, SEHR GERÄUSCHARM, VIERFACH, OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRAHOHE GESCHWINDIGKEIT, AUSGANGSKLEMME, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88523 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, HEX 2-EINGANG ODER TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-06250-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR SCHOTTKY TTL, MEHRERE NOR-GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL-WECHSELRICHTER MIT NIEDRIGER LEISTUNG, HEX-SCHMITT-TRIGGER-WECHSELRICHTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-03202-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03203-2003 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 2048 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88728 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, OKTAL D-TYP EDGE-GETriggerte FLIP-FLOPS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT ADRESSIERBARE LATCHES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 1K x 8-Bit, REGISTRIERTER PROM MIT PROGRAMMIERBARER INITIALISIERUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87647 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD-NAND-GATE MIT 2 EINGÄNGEN UND OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95537 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL, VIERFACH-D-TYP-FLIP-FLOPS MIT KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Bus-Transceiver mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Bus-Transceiver mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL, VIERFACH-D-TYP-FLIP-FLOPS MIT KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, NPN, Silizium, Schalten, Typ 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ
DLA SMD-5962-91726 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84061-1984 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES LOW POWER SCHOTTKY TTL, INVERTER-GATE, PUFFER-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 8192 BIT, SCHALTBAR, SCHOTTKY, BIPOLARER PROM MIT TRI-STATE-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90686 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH, 2-EINGÄNGE POSITIV ODER GATE MIT TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-VIERFACH-BUS-PUFFER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-VIERFACH-BUS-PUFFER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Bus-Transceiver mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Bus-Transceiver mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, NIEDRIGE LEISTUNG, TYPEN 2N930 UND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC und JANKC
DLA SMD-5962-96697 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 8-ZEILIGEN TAKTTREIBER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86709 REV F-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SPEICHER, 16 x 48 x 8 FELDPROGRAMMIERBARER LOGIKSEQUENCER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90590 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, HEX-WECHSELRICHTER MIT OFFENEN DRAIN-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER, TREIBER/EMPFÄNGER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 10-ZEILIGEN TAKTTREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84031 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, LOGIKGATE MIT PUFFERAUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, INVERTIERENDE DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, binäre 4-Bit-Volladdierer mit schnellem Übertrag, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortschrittliche Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, SCHOTTKY TTL, Datenselektoren/Multiplexer mit Dreizustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER MIT EINGANGSLATCHES, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Hex-Bus-Treiber mit 3 Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Vierfach-Bus-Puffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, binäre 4-Bit-Volladdierer mit schnellem Übertrag, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88621 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, VIERFACH, EXKLUSIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRASCEIVER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87621 REV B-2011 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 8-BIT-BINÄRZÄHLER MIT EINGANGSREGISTERN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Hex-Bus-Treiber mit 3 Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Datenselektoren/Multiplexer mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3 V ABT OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ALS SCHOTTKY TTL, DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, OKTAL, KANTENGESTEUERTES D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 20-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, 16-Bit-Puffer/Treiber mit nicht invertierenden Drei-Zustands-Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT BUSHALTE- UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT NICHT-INVERTIERENDEN UND INVERTIERENDEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, DOPPEL-D-TYP-FLIP-FLOPS MIT POSITIVER KANTENGESTÖRUNG, MIT LÖSCHEN UND ZURÜCKSETZEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTALPUFFER UND TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, SYNCHRONER 8-BIT-AUF-/ABZÄHLER MIT ASYNCHRONEM, KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-90582 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, AUF/AB-BINÄRZÄHLER MIT VOREINSTELLUNG UND RIPPLE-TAKT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93148 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT NICHT-INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT BUSHALTE- UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93148 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91716 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, TAKTTREIBER, QUAD-D-TYP-FLIP-FLOP MIT ANGEPASSTEN LAUFVERZÖGERUNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89722-1989 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED SCHOTTKY, TTL, OKTAL 30-OHM ÜBERTRAGUNGSLEITUNGS-/BACKPLANE-TRANSCEIVERS NINV (OFFENER KOLLEKTOR MIT ENABLE MIT DREI STAATEN), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT 18-BIT-TRANSCEIVER/-REGISTER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 3,3-V-16-BIT-TRANSCEIVER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universalbus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, PUFFER/TREIBER, OFFENER KOLLEKTOR-AUSGANG, HOCHSPANNUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90562 REV A-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTEN SCHOTTKY 1 VON 16 DATENGENERATOREN/MULTIPLEXER MIT 3-ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND 25-OHM-PULL-DOWN-WIDERSTÄNDEN IN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96761-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 8-ZEILIGEN TAKTTREIBER, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL REGISTRIERTEM BUS-TRANSCEIVER, DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER/MOS-TREIBER MIT INVERTIERTEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-VERRIEGELTER TRANSCEIVER MIT DUAL-ENABLE, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL REGISTRIERTEM BUS-TRANSCEIVER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 10-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETE, ERWEITERTE CMOS-, TAKT- UND WARTEZUSTANDS-ERZEUGUNGSSCHALTUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-VOLT-16-BIT-TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT 18-BIT-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, nichtinvertierender 16-Bit-Puffer/Leitungstreiber mit Reihenwiderstand und dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95647 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BICMOS, 3,3 V 16-BIT EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIPFLOPS MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96747-1997 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, SCAN-Pfad-Wahlschalter mit bidirektionalem 8-Bit-Datenbus, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER, DREI-SATE-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT TAKTFREIGABE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-, TTL-, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 8-BIT-BIS-9-BIT-PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT WIDERSTAND DER 25-OHM-SERIE UND INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-Volt-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT BUS-HALTEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-PRF-19500/394 M-2008 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, LEISTUNGSSCHALTER, TYPEN: 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150S, 2N5237S und 2N5238S, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, J ANSG, JANSH , JANHCA, JANHCB, JANKCA, JANKCB, JANKCM, JANKC
DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Bus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALES 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89663-1989 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 9-BIT-PARITÄTSGENERATOREN/CHECKER MIT BUS-TREIBER-PARITÄTS-E/A-ANSCHLUSS, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, JK-FLIPFLOP MIT DOPPELTER NEGATIVER KANTENGESTÖRUNG, ASYNCHRONES SETZEN UND LÖSCHEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-VOLT-16-BIT-TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT BUS-HALTUNG, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE UND TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-Flop mit DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-EDGE-GETriggerter D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, INVERTIERUNG, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREISTAATLICHEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM

National Association of Corrosion Engineers (NACE), Extremes Stück Tem

NACE RP0104-2004 Die Verwendung von Gutscheinen für Anwendungen zur Überwachung des kathodischen Schutzes, Artikel-Nr.: 21105
NACE 35201-2001 Technischer Bericht über die Anwendung und Interpretation von Daten aus externen Coupons, die bei der Bewertung kathodisch geschützter Metallstrukturen verwendet werden (Artikel-Nr. 24213)

Society of Automotive Engineers (SAE), Extremes Stück Tem

SAE AMS6546E-1991 Stahlblech, -band und -platte 0,48Cr 8,0Ni 4,0Co 0,48Mo 0,09V (0,24-0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen, geglüht
SAE AMS6524D-1991 Stahl, Blech, Band und Platte 1,0Cr 7,5Ni 4,5Co 1,0Mo 0,09V (0,29-0,34C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen, geglüht
SAE AMS6439B-1988 Stahlblech, -streifen und -platten, 1,05 Cr, 0,55 Ni, 1,0 Mo, 0,12 V (0,42–0,48 °C), abschmelzende Elektrode, vakuumgeschmolzen, geglüht
SAE AMS6520D-1995 Stahl, Maraging, Blech, Streifen und Platte, 18Ni 7,8Co 4,9Mo 0,40Ti 0,10Al, abschmelzende Elektrode geschmolzen, lösungsgeglüht
SAE MAM5914A-2003 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Streifen und Folie 52,5ni 19cr 3,0mo 5,0cb 0,90ti 0,50al 18fe Abschmelzbare Elektrode oder durch Vakuuminduktion geschmolzen, präzise kaltgewalzt, lösungswärmebehandelt
SAE AMS5605F-2013 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Band und Platte, 41,5Ni – 16Cr – 37Fe – 2,9Cb – 1,8Ti, abschmelzbare Elektrode oder Vakuuminduktion geschmolzen, 1800 °F (982 °C) lösungswärmebehandelt
SAE AMS5605E-2006 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Streifen und Platte 41,5 Ni – 16 Cr – 37 Fe – 2,9 Cb – 1,8 Ti. Abschmelzbare Elektrode oder Vakuuminduktion, geschmolzen bei 1800 Grad F (982 Grad C), lösungswärmebehandelt, UNS N09706
SAE AMS5605D-2000 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Band und Platte 41,5Ni 16Cr 37Fe 2,9Cb 1,8Ti. Abschmelzbare Elektrode oder Vakuuminduktion geschmolzen, 1800°F (982°C) lösungswärmebehandelt
SAE J2223/3-1998 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder – Flachstecker – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/1-1998 Anschlüsse für elektrische Bordnetzkabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 1: Einpolige Steckverbinder – Flachsteckeranschlüsse – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/1-2011 Anschlüsse für elektrische Bordnetzkabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 1: Einpolige Steckverbinder – Flachsteckeranschlüsse – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/1-2005 Anschlüsse für elektrische Bordnetzkabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 1: Einpolige Steckverbinder – Flachsteckeranschlüsse – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/3-1994 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder – Flachstecker – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/3-2003 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/1-2003 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 1: Einpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/1-1994 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 1: Einpolige Steckverbinder – Flachstecker – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223-3-2011 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE AMS5872D-2000 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Band und Platte 48Ni 20Cr 20Co 5,9Mo 2,2Ti 0,45Al Abschmelzbare Elektrode oder durch Vakuuminduktion geschmolzene Lösung wärmebehandelt
SAE AMS5606D-2000 Legierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Band und Platte 41,5Ni 16Cr 37Fe 2,9Cb 1,8Ti Abschmelzbare Elektrode oder Vakuuminduktion geschmolzen bei 1750°F (954°C) lösungswärmebehandelt
SAE AMS5597F-2009 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Band und Platte, 52,5Ni 19Cr 3,0Mo 5,1Cb (Nb) 0,90Ti 0,50Al 18Fe, abschmelzbare Elektrode oder Vakuuminduktion geschmolzen, 1950°F (1066°C) lösungswärmebehandelt
SAE AMS5914A-2001 Nickellegierung, korrosions- und hitzebeständig, Blech, Streifen und Folie 52,5Ni – 19Cr – 3,0Mo – 5,0Cb – 0,90Ti – 0,50Al – 18Fe Abschmelzbare Elektrode oder vakuuminduktionsgeschmolzen, präzisionskaltgewalzt, lösungsgeglüht. Zusammensetzung ähnlich UNS N07719

U.S. Military Regulations and Norms, Extremes Stück Tem

ARMY MIL-PRF-55365/12 D (2)-2008 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, TYP CWR15
ARMY MIL-PRF-55365/12 E-2011 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, TYP CWR15
ARMY MIL-PRF-55365/13 A-2011 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, TYP CWR16
ARMY MIL-PRF-55365/8 H-2011 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT, TYP CWR11 (METRISCH)
ARMY MIL-PRF-55365/4 H-2011 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT, AUSFÜHRUNGEN CWR06 UND CWR09
ARMY MIL-PRF-55365/11 C-2011 KONDENSATOREN, CHIP, FEST, TANTAL, POLARISIERT, ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT, NICHT ETABLIERTE ZUVERLÄSSIGKEIT UND HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT, AUSFÜHRUNGEN CWR19 UND CWR29

SAE - SAE International, Extremes Stück Tem

SAE AMS6546F-2001 Stahl@ Blech@ Streifen@ und Platte 0,48Cr - 8,0Ni - 4,0Co - 0,48Mo - 0,09V (0,24 - 0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@geglüht (UNS K91122)
SAE AMS6546E-1995 Stahl@ Blech@ Streifen@ und Platte 0,48Cr - 8,0Ni - 4,0Co - 0,48Mo - 0,09V (0,24 - 0,30C) Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@geglüht (UNS K91122)
SAE AMS6524E-2003 Stahl@ Blech@ Streifen@ und Platte 1,0Cr - 7,5Ni - 4,5Co - 1,0Mo - 0,09V (0,29 - 0,34C) Abschmelzbare Elektrode Vakuumgeschmolzen@geglüht (UNS K91313)
SAE AMS6520D-2001 Stahl@ Maraging@ Blech@ Streifen@ und Platte 18Ni - 7,8Co - 4,9Mo - 0,40Ti - 0,10Al Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@ Lösungswärmebehandelt (UNS K92890)
SAE AMS6520C-1995 Stahl@ Maraging@ Blech@ Streifen@ und Platte 18Ni - 7,8Co - 4,9Mo - 0,40Ti - 0,10Al Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@ Lösungswärmebehandelt (UNS K92890)
SAE AMS6520E-2016 Stahl@ Maraging@ Blech@ Streifen@ und Platte 18Ni - 7,8Co - 4,9Mo - 0,40Ti - 0,10Al Abschmelzbare Elektrode geschmolzen@ Lösungswärmebehandelt (UNS K92890)
SAE AMS5605G-2019 Nickel Alloy@ Corrosion and Heat Resistant@ Sheet@ Strip@ and Plate 41.5Ni - 16Cr - 37Fe - 2.9Cb (Nb) - 1.8Ti Consumable Electrode or Vacuum Induction Melted 1800 °F (982 °C) Solution Heat Treated (UNS N09706)
SAE J2223-1-2005 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 1: Einpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223-3-1998 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223-3-2006 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen, Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder, Flachstecker, Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen
SAE J2223/3 DRAFT-1994 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 3: Mehrpolige Steckverbinder – Flachsteckklemmen – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen @ Technischer Bericht
SAE J2223/1 DRAFT-1994 Anschlüsse für elektrische Kabelbäume in Straßenfahrzeugen – Teil 1: Einpolige Steckverbinder – Flachsteckeranschlüsse – Abmessungsmerkmale und spezifische Anforderungen @ Technischer Bericht

American Society for Testing and Materials (ASTM), Extremes Stück Tem

ASTM D1830-17 Standardtestverfahren für die thermische Belastbarkeit von flexiblen Plattenmaterialien, die zur elektrischen Isolierung verwendet werden, mit der Methode der gebogenen Elektrode
ASTM D1830-99 Standardtestverfahren für die thermische Belastbarkeit von flexiblen Plattenmaterialien, die zur elektrischen Isolierung verwendet werden, mit der Methode der gebogenen Elektrode
ASTM D1830-99(2005) Standardtestverfahren für die thermische Belastbarkeit von flexiblen Plattenmaterialien, die zur elektrischen Isolierung verwendet werden, mit der Methode der gebogenen Elektrode

American National Standards Institute （ANSI), Extremes Stück Tem

ANSI/ASTM D1830:1999 Prüfverfahren für die thermische Belastbarkeit von flexiblen Plattenmaterialien, die zur elektrischen Isolierung verwendet werden, mit der Methode der gebogenen Elektrode (10.01)
ANSI/EIA 580AOOO:1991 Feste Chipkondensatoren mit metallisierten Elektroden und Polyethylenterephthalat-Dielektrikum, Abschnittsspezifikation für / Hinweis: Genehmigt am 07.11.1991.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Extremes Stück Tem

KS C IEC 60130-5-2003(2008) Steckverbinder für Frequenzen unter 3 MHz (Mc/s) – Teil 5: Rechteckige mehrpolige Steckverbinder mit Messerkontakten
KS C IEC 60130-6-2003(2008) Steckverbinder für Frequenzen unter 3 MHz (Mc/s) – Teil 6: Rechteckige mehrpolige Miniatursteckverbinder mit Messerkontakten
KS R ISO 8092-3-2003(2018) Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordkabelbäume – Teil 3: Laschen für mehrpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen
KS C IEC 60748-2-1:2001 Integrierte Halbleiterschaltkreise – Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise Abschnitt 1: Leere Detailspezifikation für bipolare monolithische digitale integrierte Schaltkreisgatter (ausgenommen nicht festgeschriebene Logikarrays)
KS C 6384-3101-2013 Festkondensatoren zur Verwendung in elektronischen Geräten – Teil 3: Detailspezifikation: Feststehende Tantal-Chipkondensatoren für die Oberflächenmontage mit Festelektrolyt und poröser Anode, Typ I. Bewertungsstufe E

SE-SIS, Extremes Stück Tem

SIS SS 06 11 01-1990 Schweißelektroden – Drahtelektroden und Rohrdrähte zum Metall-Schutzgasschweißen und Metall-Lichtbogenschweißen von Kohlenstoffstahl, kohlenstoffmanganlegiertem Stahl, mikrolegiertem Stahl und niedriglegiertem Stahl – Schweißgutproben für die Prüfung aller Schweißmetalle
SIS SS CECC 32200-1988 Rahmenspezifikation: Feste Chipkondensatoren mit metallisierten Elektroden und Po/Yethy/En-Terephtha/Ate-Dielektrikum für Gleichstrom
SIS SS 06 13 01-1990 Verbrauchsmaterialien – Drahtelektroden und Flussmittel zum Unterpulverschweißen von Kohlenstoffstählen, Kohlenstoff-Mangan-Stählen, mikrolegierten Stählen und niedriglegierten Stählen – Schweißgutproben für die Prüfung aller Schweißmetalle
SIS SS CECC 32201-1988 Vordruck für Bauartspezifikation: Feste Chip-Kondensatoren mit metallisierten Elektroden und Po/Yethylen-Terephthal/At-Dielektrikum für Gleichstrom

Danish Standards Foundation, Extremes Stück Tem

DS/EN ISO 8092-1:1999 Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordkabelbäume – Del 1: Laschen für einpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen
DS/EN ISO 8092-3:2000 Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für Bordnetzkabelbäume – Teil 3: Steckzungen für mehrpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen
DS/IEC 574-18:1989 Audiovisuelle, Video- und Fernsehgeräte und -systeme. Teil 18: Steckverbinder für automatische Diaprojektoren mit eingebauten Triacs für audiovisuelle Anwendungen

YU-JUS, Extremes Stück Tem

JUS N.R2.624-1980 Polare Tantahim-Elektrolytkondensatoren mit gesinterter Anode und Festelektrolyt ohne Schutzschicht – Tantahim-Chipkondensatoren (Typ 3A2), 6,3 bis 35 V DC Klimahärte 55/125/

BE-NBN, Extremes Stück Tem

NBN-EN 28092-2-1992 Transportmitteln. Schnelle Verbindung mit Schiebereglern. Teil 2: Versuche und Anforderungen zum Verbinden unipolarer Verbindungen (ISO 8092:2:1989)

未注明发布机构, Extremes Stück Tem

DIN 16196 E:2013-01 Zeigerthermometer mit elektrischen Grenzkontakten - Gefüllte Systemthermometer und Bimetall-Thermometer

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Extremes Stück Tem

DB13/T 5026.3-2019 Methode zur Bestimmung der physikalischen Eigenschaften von leitfähiger Graphenpaste Teil 3: Vier-Sonden-Methode zur Bestimmung des Elektrodenwiderstands von Paste

KR-KS, Extremes Stück Tem

KS R ISO 8092-3-2003(2023) Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordkabelbäume – Teil 3: Laschen für mehrpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen

Lithuanian Standards Office , Extremes Stück Tem

LST EN ISO 8092-3:2002 Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordkabelbäume – Teil 3: Laschen für mehrpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen (ISO 8092-3:1996)
LST EN ISO 8092-1:2002 Straßenfahrzeuge – Anschlüsse für elektrische Bordkabelbäume – Teil 1: Laschen für einpolige Anschlüsse – Abmessungen und spezifische Anforderungen (ISO 8092-1:1996)

PT-IPQ, Extremes Stück Tem

NP 2955/6-1985 Elektronisches Bauteil. Programmierbarer bipolarer Nur-Lese-Speicher zur Verwendung in monolithischen integrierten Schaltkreisen, detaillierte Spezifikationen

ES-UNE, Extremes Stück Tem

UNE-EN 2995-006:2023 Luft- und Raumfahrt - Leistungsschalter, einpolig, temperaturkompensiert, Nennströme 1 A bis 25 A - Teil 006: 6,3 mm & 2,8-mm-Flachstecker mit polarisiertem Signalkontakt – Produktstandard (gebilligt von der Asociación Española de Normalización i...

European Committee for Standardization (CEN), Extremes Stück Tem

EN 2995-006:2023 Luft- und Raumfahrt - Leistungsschalter, einpolig, temperaturkompensiert, Nennströme 1 A bis 25 A - Teil 006: 6,3 mm & 2,8 mm Flachstecker mit polarisiertem Signalkontakt – Produktstandard

ECIA - Electronic Components Industry Association, Extremes Stück Tem

580A000-1992 Abschnittsspezifikation für Festchipkondensatoren mit metallisierten Elektroden und Polyethylenterephthalat-Dielektrikum zur Verwendung in elektronischen Geräten

Underwriters Laboratories (UL), Extremes Stück Tem

UL 1681 CRD-2013 UL-Standard für Konfigurationen von Sicherheitsverdrahtungsgeräten – Abschnitts-/Absatzreferenz: Neue Abbildung C3.2 Betreff: 2-poliger, 3-adriger Erdungsstecker mit Anschlusswert für 15 A bei 125 V und polarisiertem neutralem Messerprofil (Ausgabe 4: 10. April @ 2012)

PL-PKN, Extremes Stück Tem

PN M01002-01-1992 Grundgrößen beim Schneiden und Schleifen. Geometrie des aktiven Teils von Schneidwerkzeugen. Allgemeine Begriffe, Bezugssysteme, Werkzeug- und Arbeitswinkel, Spanbrecher

TH-TISI, Extremes Stück Tem

TIS 1903-1999 Festkondensatoren zur Verwendung in elektronischen Geräten. Teil 3-101: Detailspezifikation: Feste Tantal-Chipkondensatoren zur Oberflächenmontage mit Festelektrolyt und poröser Anode, Typ i. Beurteilungsstufe e