Einkristall+

Für die Einkristall+ gibt es insgesamt 329 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Einkristall+ die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Nichteisenmetalle, Industrieofen, Papier und Pappe, Isolierflüssigkeit, Wortschatz, Nichteisenmetallprodukte, Teile und Zubehör für Telekommunikationsgeräte, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Batterien und Akkus, Schneidewerkzeuge, Werkzeugmaschine, Pulvermetallurgie, Arbeitssicherheit, Arbeitshygiene, Einrichtungen im Gebäude, Prüfung von Metallmaterialien, Stahlprodukte, Glasfaserkommunikation, Diskrete Halbleitergeräte, Chemikalien, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Optik und optische Messungen, Kernenergietechnik, Solartechnik, Verbundverstärkte Materialien, Glas, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Keramik, Optoelektronik, Lasergeräte, Allgemeines, Terminologie, Standardisierung, Dokumentation, Optische Ausrüstung, Leitermaterial, Schmuck, Terminologie (Grundsätze und Koordination), Luftqualität, Bauteile, Komponenten elektrischer Geräte, Strahlungsmessung, Physik Chemie, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Einkristall+

GB/T 5238-2019 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 20228-2021 Galliumarsenid-Einkristall
GB/T 20229-2022 Galliumphosphid-Einkristall
GB/T 20230-2022 Indiumphosphid-Einkristall
GB/T 12964-2018 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 26069-2022 Geglühte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 25076-2018 Monokristallines Silizium für Solarzellen
GB/T 12965-2018 Monokristallines Silizium als geschnittene Wafer und geläppte Wafer
GB/T 26071-2018 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
GB/T 39137-2020 Bestimmung der Orientierung eines Einkristalls aus hochschmelzendem Metall
GB/T 37418-2019 Lutetium-Oxyorthosilikat, Lutetium-Yttrium-Oxyorthosilikat-Szintillations-Einkristalle
GB/T 11094-2020 Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode
GB/T 5252-2020 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Germanium
GB/T 8760-2020 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid
GB/T 41325-2022 Kristalle mit niedriger Dichte stammen aus grubenpolierten monokristallinen Siliziumwafern für integrierte Schaltkreise
GB/T 39123-2020 Spezifikation für Cadmium-Zink-Tellurid-Einkristallmaterial für Röntgen- und γ-Strahlungsdetektoren
GB/T 1551-2021 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren
GB/T 41153-2021 Bestimmung des Gehalts an Bor-, Aluminium- und Stickstoffverunreinigungen in Siliziumkarbid-Einkristallen – Sekundärionen-Massenspektrometrie

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Einkristall+

GB/T 5238-2009 Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 5238-2009(英文版) Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 5238-2009e Monokristallines Germanium und monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 12962-1996 Monokristallines Silizium
GB/T 12962-2005 Monokristallines Silizium
GB/T 5238-1995 Monokristallines Germanium
GB/T 12962-2015 Silizium-Einkristall
GB/T 15713-1995 Monokristalline Germaniumscheiben
GB/T 29504-2013 300 mm monokristallines Silizium
GB/T 20229-2006 Galliumphosphid-Signalkristall
GB/T 20230-2006 Indiumphosphid-Signaturkristall
GB/T 20228-2006 Galliumarsenid-Einkristall
GB/T 14843-1993 Lithiumniobat-Einkristalle
GB/T 31092-2014 Monokristalliner Saphirbarren
GB/T 31092-2022 Monokristalliner Saphirbarren
GB/T 12964-2003 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium
GB/T 29506-2013 300 mm polierte monokristalline Siliziumwafer
GB/T 30656-2014 Polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 25076-2010 Monokristallines Silizium einer Solarzelle
GB/T 30656-2023 Einkristall-polierter Siliziumkarbid-Wafer
GB/T 26072-2010 Germanium-Einkristall-Solarzelle
GB/T 1555-1997 Testmethoden zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleitereinkristalls
GB/T 11072-2009 Indiumantimonid-Polykristall, Einzelkristalle und geschnittene Scheiben
GB/T 1555-2023 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls
GB/T 1555-2009 Prüfverfahren zur Bestimmung der Orientierung eines Halbleiter-Einkristalls
GB/T 12965-1996 Monokristallines Silizium als Schnittscheiben und geläppte Scheiben
GB/T 12965-2005 Monokristallines Silizium in Scheiben geschnitten und geläppt
GB/T 1551-2009 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium
GB/T 26065-2010 Spezifikation für polierte Test-Siliziumwafer
GB/T 30858-2014 Poliertes monokristallines Saphirsubstratprodukt
GB/T 13843-1992 Polierte monokristalline Saphirsubstrate
GB/T 25075-2010 Galliumarsenid-Einkristall für Solarzellen
GB/T 29420-2012 Nd-dotierte Vanadat-Laserkristallvorrichtungen
GB/T 29508-2013 300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben
GB/T 34213-2023 Hochreines Aluminiumoxid für Saphir-Einkristall
GB/T 11094-2007 Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer
GB/T 26071-2010 Monokristallines Silizium als geschnittene Scheiben für Photovoltaik-Solarzellen
GB/T 29421-2012 Vanadat-Birebringent-Kristallgeräte
GB/T 9532-2012 Bezeichnungen für piezoelektrische Kristalle
GB/T 30866-2014 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 18032-2000 Die Untersuchungsmethode für mikroskopische AB-Defekte in Galliumarsenid-Einkristallen
GB/T 32278-2015 Prüfverfahren für die Ebenheit eines Siliziumkarbid-Einzelwafers
GB/T 5252-2006 Germanium-Einkristall. Prüfung der Versetzungs-Ätzgrubendichte
GB/T 8760-2006 Galliumarsenid-Einkristall – Bestimmung der Versetzungsdichte
GB/T 11093-2007 In Flüssigkeit eingekapselte, durch Czochralski gezüchtete Galliumarsenid-Einkristalle und geschnittene Scheiben
GB/T 26044-2010 Einkristalliner Rundkupferdraht und Ziehmaterial zur Signalübertragung
GB 8760-1988 Galliumarsenid-Einkristall – Bestimmung der Versetzungsdichte
GB/T 41765-2022 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von monokristallinem Siliziumkarbid
GB/T 1552-1995 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
GB/T 1551-1995 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Silizium- und Germaniumstäben mit einer Zweipunktsonde
GB/T 26074-2010 Germanium-Einkristall. Messung des spezifischen Widerstands – DC lineare Vierpunktsonde
GB/T 41751-2022 Prüfverfahren für den Krümmungsradius der Kristallebene in GaN-Einkristall-Substratwafern
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 15250-1994 Testverfahren zur Dämpfung akustischer Volumenwellen von piezoelektrischen Lithiumniobat-Kristallen
GB/T 30118-2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
GB/T 10067.410-2014 Grundlegende Spezifikationen für Elektrowärmeanlagen. Teil 410: Einkristall-Züchtungsofen
GB/T 30839.46-2015 Klassifizierung des Energieverbrauchs für industrielle Elektrowärmeanlagen. Teil 46: Kristallzüchtungsöfen
GB/T 42263-2022 Bestimmung des Stickstoffgehalts in Silizium-Einkristallen – Methode der Sekundärionen-Massenspektrometrie
GB/T 30867-2014 Testverfahren zur Messung der Dicke und der Gesamtdickenschwankung von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 31351-2014 Zerstörungsfreie Prüfmethode für die Mikroröhrendichte von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 22452-2008 Allgemeiner technischer Zustand nichtlinearer optischer Boratkristallgeräte
GB/T 22453-2008 Messmethode für nichtlineare optische Boratkristallgeräte
GB/T 24574-2009 Testmethoden zur Photolumineszenzanalyse von einkristallinem Silizium auf III-V-Verunreinigungen
GB 11297.7-1989 Testmethode für den spezifischen Widerstand und den Hall-Koeffizienten von InSb-Einkristallen
GB/T 30868-2014 Testmethode zur Messung der Mikroröhrendichte von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern. Chemisches Ätzen
GB/T 42271-2022 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von halbisolierendem monokristallinem Siliziumkarbid durch berührungslose Messung
GB/T 13389-1992 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor und Phosphor dotiertes Silizium
GB/T 32282-2015 Messung der Versetzungsdichte in Galliumnitrid-Einkristallen mittels Kathodolumineszenzmikroskopie
GB/T 19199-2015 Testmethoden für die Kohlenstoffakzeptorkonzentration in halbisolierenden Galliumarsenid-Einkristallen mittels Infrarot-Absorptionsspektroskopie
GB/T 19199-2003 Prüfverfahren für die Kohlenstoffkonzentration von halbisolierendem einkristallinem Galliumarsenid durch Messung der Infrarotabsorptionsmethode
GB/T 32188-2015 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines GaN-Einkristallsubstrats
GB/T 13389-2014 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium
GB/T 4326-2006 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB 4326-1984 Extrinsische Halbleiter-Einkristalle – Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten
GB/T 32189-2015 Rasterkraftmikroskopische Untersuchung der Oberflächenrauheit von Galliumnitrid-Einkristallsubstraten
GB/T 17170-2015 Testmethode für die EL2-Tiefdonorkonzentration in halbisolierenden Galliumarsenid-Einkristallen mittels Infrarot-Absorptionsspektroskopie
GB/T 35306-2023 Bestimmung des Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalts in der Niedertemperatur-Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie von Silizium-Einkristallen

Professional Standard - Machinery, Einkristall+

JB/T 10439-2004 Kristallzüchtungsöfen Kristallzüchtungsöfen der TDR-Serie nach der Czochralski-Methode
JB/T 5633-1991 Einkristallofen. Abstufung des Energieverbrauchs
JB/T 7996-1999 Gemeinsames Schleifmittel Einzelnes Alundum
JB/T 7996-2012 Konventionelles Schleifmittel. Monokristallines Edelkorund
JB/T 12068-2014 TDR-Z Germanium-Einkristall-Züchtungsofen nach der Czochralski-Methode
JB/T 5203-1991 Monokristallines geschmolzenes Aluminiumoxid. Methode zur chemischen Analyse
JB/T 5203-2012 Chemische Analysemethoden für monokristallines geschmolzenes Aluminiumoxid
JB/T 5203-2023 Chemische Analysemethoden für monokristallines geschmolzenes Aluminiumoxid

UNKNOWN, Einkristall+

YB 1602-1983 Silizium-Einkristall
YB 1602-83 Silizium-Einkristall
YB 1603-83 Silizium-Einkristall-Trennscheiben und Schleifscheiben

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB13/T 1314-2010 Monokristalliner Siliziumquadratstab in Solarqualität, monokristalliner Siliziumwafer
DB13/T 1828-2013 Monokristalliner Siliziumwafer in Solarqualität
DB13/T 5092-2019 Allgemeine technische Anforderungen an quadratische Impfkristalle für monokristalline Siliziumbarren in Solarqualität
DB13/T 5631-2022 Technische Spezifikationen für die Herstellung von Quarztiegeln für die Züchtung von einkristallinem Silizium für elektronische Materialien

Group Standards of the People's Republic of China, Einkristall+

T/ZSA 72-2019 Monokristallines Siliziumkarbid
T/IAWBS 001-2021 Einkristall aus Siliziumkarbid
T/ZZB 1389-2019 Monokristalline Silizium-Photovoltaikzellen
T/ZZB 2675-2022 Monokristallines Silizium als geläppte Wafer für TVS
T/ZZB 0044-2016 Kristallzüchtungsöfen der TDR-Serie
T/ZZB 1927-2020 Automatische Monosilizium-Schneidemaschine
T/JSAS 015-2021 Monokristalline Silizium-Solarzellen
T/GZHG 006-2019 Großer einkristalliner Nickel-Kobalt-Lithium-Mangan-Oxid (NCM523)
T/ZZB 0497-2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten
T/CISA 167-2021 Vorlegierung aus der Einkristall-Superlegierung DD419
T/HEBQIA 073-2022 Supraleitende Magnete für monokristallines Czochralski-Silizium
T/CISA 086-2021 DD405 Einkristall-Superlegierungs-Vorlegierung
T/SZBX 118-2023 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
T/CASME 465-2023 IPA-freier Texturierer für Monosilizium
T/IAWBS 005-2018 6 Zoll polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
T/CEC 290-2019 Technische Anforderungen für Rückkontakt-Einkristallwafer
T/NXCL 30-2024 300 mm einkristallines Czochralski-Silizium mit niedrigem Sauerstoffgehalt
T/CEMIA 004-2018 Quarztiegel für das Wachstum von einkristallinem Silizium in der Photovoltaikindustrie
T/IAWBS 005-2024 6 bis 8 Zoll große, polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
T/ZS 0596-2024 Quarztiegel für das Wachstum von photovoltaischem monokristallinem Silizium
T/CEMIA 023-2021 Quarztiegel für das Wachstum von Halbleiter-Monosilicium
T/CECA 69-2022 Einkristalline Dünnschichtsubstrate für SAW-Geräte
T/ZZB 0648-2018 200 mm starke, mit Phosphor dotierte, einkristalline, polierte Czochralski-Siliziumwafer
T/NXCL 017-2022 300 mm starke, mit Phosphor dotierte, einkristalline, polierte Czochralski-Siliziumwafer
T/NXCL 016-2022 200 mm stark antimondotierter, einkristalliner, polierter Czochralski-Siliziumwafer
T/CSTM 00033-2020 Begriffe optischer anorganischer Einkristalle zur Detektion nuklearer Strahlung
T/NXCL 29-2024 300 mm polierte einkristalline Czochralski-Siliziumwafer mit niedrigem Sauerstoffgehalt
T/CEMIA 005-2018 Verfahren zur Herstellung von Quarztiegeln für das photovoltaische Einkristall-Siliziumwachstum
T/ZZB 2283-2021 Ultrahochreines Graphitpulver für Halbleiter-Siliziumkarbidkristalle
T/ICMTIA SM0027-2022 Polierter 300-mm-P-Typ-Silizium-Einkristallwafer für fortschrittliche Speichertechnologie
T/NXCL 28-2024 Synthetischer Quarztiegel für das Wachstum von monokristallinem Silizium in Halbleiterqualität
T/IAWBS 014-2021 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von polierten Siliziumkarbid-Wafern
T/CEMIA 024-2021 Verfahren zur Herstellung von Quarztiegeln für das Wachstum von Halbleiter-Monosilicium
T/IAWBS 018-2022 Testverfahren für die Versetzungsdichte von polierten Diamant-Einkristallwafern
T/STSI 7-2020 Im Bauwesen eingesetzte Photovoltaikmodule – Allgemeine technische Anforderungen an U-förmige Einkristallbauteile
T/QGCML 2289-2023 Spezifikationen für den Herstellungsprozess von Hochfrequenz-Breitband-Einkristall-Aluminiumnitrid-Filtern
T/IAWBS 013-2019 Die Methode zur Messung des spezifischen Widerstands für halbisolierende Siliziumkarbidsubstrate
T/ZZB 2407-2021 Nickel-Kobalt-Mangan-Verbundhydroxid, aufgetragen in einkristallinem Kathodenmaterial
T/IAWBS 017-2022 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenrocking-Kurve eines Diamant-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 015-2021 Testverfahren für die volle Breite bei halbem Maximum der Doppelkristall-Röntgenschaukelkurve eines Ga2O3-Einkristallsubstrats
T/IAWBS 016-2022 Röntgen-Doppelkristall-Rocking-Kurve FWHM-Testmethode für Siliziumkarbid-Einzelwafer
T/CAB 0181-2022 Die Methoden zur Messung charakteristischer Parameter von LYSO- und LSO-Szintillatoren
T/CNIA 0101-2021 Technische Spezifikation für die Bewertung von umweltfreundlichen Designprodukten für polierte Siliziumkarbid-Einkristallwafer
T/IAWBS 011-2019 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands leitfähiger Siliziumkarbid-Wafer mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
T/ZJSEIA 004-2022 Klebefolie aus Ethylen-Vinylacetat-Copolymer (EVA) für monokristalline Silizium-Photovoltaikmodule
T/CECA 83-2023 Lithiumtantalat- und Lithiumniobat-reduzierte Einkristallwafer – technische Anforderungen und Messmethoden für Helligkeit und Farbunterschied

Professional Standard - Light Industry, Einkristall+

QB/T 1173-2002 Einkristalliner Kandiszucker
QB/T 1173-1991 Einkristalliner Kandiszucker

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Einkristall+

YS/T 554-2007 Lithiumniobat-Einkristalle
YS/T 42-2010 Lithiumtantalat-Einkristalle
YS/T 554-2006 Lithiumniobat-Einkristall
YS/T 1167-2016 Geätzte Wafer aus monokristallinem Silizium
YS 783-2012 Die Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit eines Infrarot-Germanium-Einkristalls
YS/T 978-2014 Führungsschild aus Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffen für einen Einkristallofen
YS/T 977-2014 Wärmeisolationszylinder aus Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoff eines Einkristallofens
YS/T 792-2012 Tiegel aus Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffen, der in Einkristallöfen verwendet wird
YS/T 557-2006 Testverfahren zur Schallwellendämpfung eines piezoelektrischen Lithiumniobat-Einkristalls

轻工业部, Einkristall+

QB 1173-1991 Einkristalliner Kandiszucker

Professional Standard - Electron, Einkristall+

SJ/Z 2655-1986 Sammlung einkristalliner Germaninm-Defekte
SJ 20607-1996 Spezifikation für Molybdänatkristall
SJ 20444-1994 Spezifikation für Lithiumniobat-Einkristall
SJ 3241-1989 Galliumarsenid-Einkristallstab und -Wafer
SJ 3243-1989 Indiumphosphid-Einkristallbarren und -Wafer
SJ/T 10173-1991 TDA75 einkristalline Silizium-Solarzelle
SJ 20606-1996 Spezifikation für Tellurdioxid-Einkristall
SJ/T 11450-2013 Spezifikationen zum Energieverbrauch von Einkristallöfen
SJ/T 11854-2022 Czochralski-Ofen aus monokristallinem Silizium für die Photovoltaik
SJ/T 11450-2023 Spezifikation für den Energieverbrauch von Silizium-Einkristall-Züchter
SJ/T 11502-2015 Spezifikation für polierte monokristalline Siliziumkarbid-Wafer
SJ/T 11505-2015 Spezifikation für polierte Saphir-Einkristallwafer
SJ/T 11853-2022 Überdruck-Schwebezonen-Schmelzofen für einkristallines Silizium
SJ/T 11500-2015 Testverfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ/T 11501-2015 Prüfverfahren zur Bestimmung des Kristalltyps von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ 2572-1985 Monokristalline Siliziumstäbe und -platten für Solarzellen
SJ/T 11864-2022 Halbisolierendes Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat
SJ 3245-1989 Methoden zur Messung der Versetzung von Indiumphosphid-Einkristallen
SJ 20641-1997 Spezifikation für Indiumantimonid-Einkristalle zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ 3244.3-1989 Messmethoden für die Kristallorientierung von Einkristallen aus Galliumarsenid und Indiumphosphid
SJ/T 11499-2015 Prüfverfahren zur Messung der elektrischen Eigenschaften von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ 20640-1997 Spezifikation für Indiumantimonid-Einkristallscheiben zur Verwendung in Infrarotdetektoren
SJ 20750-1999 Spezifikation für strahlungsgehärtete einkristalline Siliziumwafer für integrierte CMOS-Schaltungen im Militärbereich
SJ 20858-2002 Messmethoden für elektrische Parameter von Siliziumkarbid-Einkristallmaterial
SJ 20605-1996 Spezifikation für Lithiumtantalat-Einkristalle, die in SAW-Geräten verwendet werden
SJ/T 2428-1983 Kalibrierung für astronautische Standard-Monokristall-Silizium-Solarzellen
SJ 2915-1988 Begriffe und Definitionen für Einkristall-Mikrowellenferritgeräte
SJ/T 31109-1994 Anforderungen an die Einsatzbereitschaft sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für Hochdruck-Einkristallöfen
SJ/T 31108-1994 Anforderungen an die Bereitschaft sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für CG3000-Einkristallöfen
SJ/T 11504-2015 Prüfverfahren zur Messung der Oberflächenqualität von poliertem monokristallinem Siliziumkarbid
SJ 20844-2002 Prüfverfahren für die Mikrozonenhomogenität von halbisolierendem einkristallinem Galliumarsenid
SJ 20843-2002 Quantitative Bestimmung der AB-mikroskopischen Defektdichte in Galliumarsenid-Einkristallen
SJ/T 2429-1983 Prüfverfahren für die elektrischen Eigenschaften von einkristallinen Silizium-Solarzellen für die Raumfahrt
SJ/T 11503-2015 Testmethoden zur Messung der Oberflächenrauheit von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
SJ/T 11494-2015 Testmethoden zur Photolumineszenzanalyse von einkristallinem Silizium auf III-V-Verunreinigungen
SJ/T 11207-1999 Messung der magnetischen Eigenschaften von YIG-Einkristall-Magnetfilmen
SJ/T 10625-1995 Bestimmungsmethode für den interstitiellen atomaren Sauerstoffgehalt von Germanium durch Infrarotabsorption
SJ/T 10333-1993 Messmethoden für Uni-Junction-Transistoren
SJ 3249.2-1989 Methoden zur Messung der Kohlenstoffkonzentration von halbisolierenden Gallicem-Arsenid-Einkristallen durch Infrarotabsorption
SJ 3249.1-1989 Methoden zur Messung des spezifischen Widerstands von halbisolierendem Galliumarsenid- und Indiumphosphid-Einkristallmaterial

RU-GOST R, Einkristall+

GOST 16153-1980 Monokristallines Germanium. Spezifikationen
GOST 24392-1980 Monokristallines Silizium und Germanium. Messung des elektrischen Widerstands nach der Vier-Sonden-Methode
GOST R 57548-2017 Vakuuminduktionsschmelzen zur Herstellung von Produkten mit Einkristallstruktur. Technische Anforderungen

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Einkristall+

GJB 3076A-2021 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 3076-1997 Galliumphosphid-Einzelchip-Spezifikation
GJB 2917A-2018 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917A-2004 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 2917-1997 Spezifikation für Indiumphosphid-Einzelwafer
GJB 1926-1994 Materialspezifikation für Galliumarsenid-Einkristalle
GJB 10342-2021 Spezifikation für polierte Indiumantimonid-Einkristallwafer
GJB 10343-2021 Spezifikation für polierte Galliumantimonid-Einkristallwafer
GJB 1927A-2021 Methode zur Prüfung von Galliumarsenid-Einkristallmaterialien
GJB 1927-1994 Methode zur Prüfung von Galliumarsenid-Einkristallmaterialien
GJB 9804-2020 Spezifikation für Einkristallstäbe aus Molybdän-Niob-Legierung für nukleare Zwecke
GJB 1431-1992 Allgemeine Spezifikationen für monokristalline Silizium-Solarzellen für den Weltraumeinsatz
GJB 395-1987 Einkristallines Magnesiumfluorid für Luft-Luft-Raketen-Modulationsplatten
GJB 1431A-2014 Allgemeine Spezifikation für einkristalline Silizium-Solarzellen für Weltraumanwendungen
GJB 581-1988 Einkristallines Kalziumfluorid zur Infrarotlenkung von „Boden-Luft“-Raketen
GJB 1944A-2017 Spezifikation für Silizium-Einkristalle für Weltraumsolarzellen
GJB 2452-1995 Spezifikation für Cadmiumtellurid-Einkristallwafer für Infrarotdetektoren
GJB 2918-1997 Spezifikation für zonengeschmolzene Siliziummonolithe mit hohem Widerstand in Detektorqualität
GJB 2652-1996 Spezifikation für einkristalline Cadmium-Zink-Tellurid-Materialien für Infrarotdetektoren
GJB 2652A-2004 Spezifikation für einkristalline Cadmium-Zink-Tellurid-Materialien für Infrarotdetektoren
GJB 757-1989 Großer Einzelchip aus synthetischem Glimmer für Radar-Mikrowellengeräte
GJB 8512-2015 Spezifikation für polierte Germanium-Einkristallwafer für Weltraumsolarzellen
GJB 2918A-2017 Spezifikation für polierte Wafer aus geschmolzenem Silizium-Einkristall in einer Zone mit hohem Widerstand in Detektorqualität
GJB 396-1987 Prüfverfahren für einkristallines Magnesiumfluorid zur Verwendung in Modulationsscheiben für Luft-Luft-Raketen
GJB 1431/1-2000 Spezifikationen für monokristalline Silizium-Solarzellen der Serien TDJ und TDB für den Einsatz im Weltraum
GJB 1431/1A-2021 Spezifikationen für monokristalline Silizium-Solarzellen der Serien TDJ und TDB für den Einsatz im Weltraum
GJB 2834-1997 Spezifikation für Galliumarsenid-Einkristalle und polierte Wafer für Weltraumsolarzellen

IN-BIS, Einkristall+

IS 9709-1980 Spezifikationen für synthetischen Quarz-Einkristall
IS 3895-1966 Spezifikation für monokristalline Halbleiter-Gleichrichterzellen und -Stacks
IS 4540-1968 Spezifikation für monokristalline Halbleiter-Gleichrichterkomponenten und -geräte

工业和信息化部, Einkristall+

JC/T 2417-2017 Piezoelektrisches Einkristallmaterial aus Lithiumtetraborat
YS/T 1182-2016 Sicherheitsspezifikationen für die Herstellung von Germanium-Einkristallen
YB/T 4589-2017 Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe für die Isolierung von Einkristallöfen
YB/T 4587-2017 Heizelement aus Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoff für Einkristallöfen
JC/T 2545-2019 Pyroelektrischer Einkristall für Hochleistungs-Infrarotdetektoren
YB/T 4588-2017 Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe mit Plattenstruktur für Einkristallöfen
JB/T 13942-2020 Synthese von großen Einkristalldiamanten für den industriellen Einsatz durch superabrasive statische Druckmethode
JC/T 2513-2019 Testverfahren für die Anti-Graufleck-Leistung von Kaliumtitanylphosphat-Einkristallkomponenten

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Einkristall+

GB/T 34210-2017 Testmethode zur Bestimmung der Orientierung von Saphir-Einkristallen
GB/T 33763-2017 Testmethode für die Versetzungsdichte von Saphir-Einkristallen
GB/T 35305-2017 Monokristalline, mit Galliumarsenid polierte Wafer für Solarzellen
GB/T 34481-2017 Testmethode zur Messung der Ätzgrubendichte (EPD) in monokristallinen Germaniumscheiben mit geringer Versetzungsdichte
GB/T 35306-2017 Testmethode für den Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt von einkristallinem Silizium – Niedertemperatur-Fourier-Transformations-Infrarotspektrometrie

未注明发布机构, Einkristall+

SEMI M55-0308-2008 SPEZIFIKATION FÜR POLIERTE EINKRISTALLINE SILIZIUMCARBID-WAFER
SEMI M81-0611-2011 LEITFADEN ZU FEHLER AUF EINKRISTALLINISCHEN SILIZIUMCARBID-SUBSTRATEN
DIN EN 62276 E:2015-04 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Einkristall+

JJG 48-2004 Standardscheibe aus einkristallinem Silizium mit spezifischem Widerstand
JJG 48-1990 Überprüfungsregelung der Standardscheibe des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium

Professional Standard - Building Materials, Einkristall+

JC/T 1048-2007 Schmelztiegel aus Quarzglas für die Züchtung von einkristallinem Silizium
JC/T 1048-2018 Quarztiegel für die Züchtung von einkristallinem Silizium
JC/T 2796-2023 Hochreines Graphitpulver für Siliziumkarbid-Einkristalle
JC/T 2025-2010 Piezoelektrische Einkristalle aus Bleimagnesiumniobattitanat (PMNT).
JC/T 2343-2015 Einkristallines Aluminiumoxidrohr, hergestellt durch kantendefiniertes filmgespeistes Kristallwachstum
JC/T 2139-2012 Hochreiner Paratellurit-Einkristall für die Kernphysik

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Einkristall+

YB 1603-1983 Trenn- und Schleifscheiben aus Silizium-Einkristallen

机械电子工业部, Einkristall+

JB 5203-1991 Chemische Analysemethode für einkristallinen Korund

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB36/ 771-2013 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit monokristallines Czochralski-Silizium

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB15/T 2234-2021 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit monokristallines Czochralski-Silizium

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB61/T 512-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
DB61/T 511-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumstäbe für Solarzellen

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Einkristall+

JJF 1256-2010 Kalibrierungsspezifikation für Röntgeneinkristall-Ausrichtungsgeräte
JJF 1760-2019 Kalibrierungsspezifikation für Standardscheiben mit einkristallinem Siliziumwiderstand

Shanghai Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB31/ 792-2014 Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit für monokristallines Silizium und Siliziumwafer
DB31/T 792-2014 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Silizium-Einkristall und dessen Silizium-Wafer
DB31/ 792-2020 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Silizium-Einkristall und dessen Silizium-Wafer

German Institute for Standardization, Einkristall+

DIN 50431:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Messung des spezifischen Widerstands von Silizium- oder Germanium-Einkristallen mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrommethode mit kollinearem Array
DIN EN 62276:2017-08 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2016); Deutsche Fassung EN 62276:2016 / Hinweis: DIN EN 62276 (2013-08) bleibt neben dieser Norm bis zum 28.11.2019 gültig.
DIN EN IEC 62276:2023-05 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 49/1401/CD:2022); Text in Deutsch und Englisch / Hinweis: Ausgabedatum 28.04.2023*Gedacht als Ersatz für DIN EN 62276 (2017-08).

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Einkristall+

KS D 2715-2006 Zugprobe aus ein- und polykristallinen Nano-/Mikro-Dünnschichtmaterialien
KS D 2715-2017 Zugprobe aus ein- und polykristallinen Nano-/Mikro-Dünnschichtmaterialien
KS D 0260-1999 PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
KS C IEC 62276:2007 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
KS D 0260-1989(1994) PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
KS D 0257-2022 Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen durch photoleitende Zerfallsmethode
KS D 0257-2002(2017) Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen durch photoleitende Zerfallsmethode
KS D 0257-2002(2022) Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen durch photoleitende Zerfallsmethode
KS C IEC 62276:2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB51/T 2499-2018 Benennung und Qualifizierungsbeurteilung von Einkristall-Edelsteinen mit Füllbehandlung

American National Standards Institute （ANSI), Einkristall+

ANSI/ASTM D6058:2001 Praxis zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung
ANSI/ASTM D6057:2001 Testverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung mittels Phasenkontrastmikroskopie

Association Francaise de Normalisation, Einkristall+

NF C93-616:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
NF C93-616:2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden.
NF C93-616*NF EN 62276:2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Einkristall+

JIS C 6760:2014 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
JIS H 0604:1995 Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen mittels photoleitender Zerfallsmethode

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Einkristall+

DB35/T 1118-2011 Veraschungshemmende nichtlineare optische Einkristallkomponenten aus Kaliumtitanylphosphat

International Electrotechnical Commission (IEC), Einkristall+

IEC 62276:2005 Einkristallwafer für die Anwendung in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
IEC 62276:2012 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
IEC PAS 62276:2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellenbauelemente – Spezifikation und Messmethode
IEC 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Professional Standard - Aviation, Einkristall+

HB 6742-1993 Bestimmung der Kristallorientierung von Einzelkristallblättern durch Röntgen-Backblow-Laue-Fotografie
HB 7762-2005 Spezifikation für Vorlegierungen gerichtet erstarrter und einkristalliner Superlegierungen für Flugzeugtriebwerke

British Standards Institution (BSI), Einkristall+

BS EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
BS EN 62276:2005 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
BS EN 62276:2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
BS EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
23/30468947 DC BS EN 62276. Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden

PL-PKN, Einkristall+

PN M59102-1973 Markierungsprodukte: gebundene Schleifmittel und monokristalline Klassifizierung und Bezeichnung

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Einkristall+

IEEE 1859-2017 Relaxorbasierte Einkristalle für Wandler- und Aktoranwendungen

IEC - International Electrotechnical Commission, Einkristall+

PAS 62276-2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellengeräte – Spezifikation und Messmethode (Ausgabe 1.0)

CZ-CSN, Einkristall+

CSN 34 5941-1984 Galliumarsenid und Galliumphospid einkristallin. Bestimmung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten

Professional Standard - Geology, Einkristall+

DZ/T 0294-2016 Screening und Identifizierung farbloser Einkristalldiamanten, die durch chemische Gasphasenabscheidung synthetisiert wurden

Danish Standards Foundation, Einkristall+

DS/EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Einkristall+

EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Einkristall+

EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

ES-UNE, Einkristall+

UNE-EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Januar 2017.)

GOST, Einkristall+

GOST 25734-1983 Aluminiumoxid. Methode zur kristallooptischen Bestimmung von Einkristallen in nichtmetallurgischem Aluminiumoxid

GSO, Einkristall+

GSO IEC 62276:2014 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

American Society for Testing and Materials (ASTM), Einkristall+

ASTM F847-94(1999) Standardtestmethoden zur Messung der kristallographischen Ausrichtung von Flächen auf einkristallinen Siliziumwafern durch Röntgentechniken
ASTM D6058-96(2011) Standardverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung
ASTM D6058-96(2016) Standardverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung

廊坊市市场监督管理局, Einkristall+

DB1310/T 227-2020 Technische Spezifikation für den Quarztiegelprozess zur Züchtung von einkristallinem Silizium, einem speziellen elektronischen Material

Lithuanian Standards Office , Einkristall+

LST EN 62276-2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden (IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2012)

KR-KS, Einkristall+

KS C IEC 62276-2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Einkristall+

IEEE Std 1859-2017 IEEE-Standard für Relaxor-basierte Einkristalle für Wandler- und Aktoranwendungen
IEEE P1859/D7, September 2016 Von der IEEE genehmigter Standardentwurf für Relaxor-basierte Einkristalle für Wandler- und Aktuatoranwendungen
IEEE P1859/D8, February 2017 Von der IEEE genehmigter Standardentwurf für Relaxor-basierte Einkristalle für Wandler- und Aktuatoranwendungen