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gjb 33

gjb 33, Total: 51 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en gjb 33 son: .

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, gjb 33

• GJB 33/21-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para la fotocopiadora de la serie GD310A.
• GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
• GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
• GJB 33/20-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302.
• GJB 33/22-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GO103.
• GJB 33/23-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH3201Z-4
• GJB 33/19-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302-4
• GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
• GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
• GJB 33/14A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada
• GJB 33/009-1989 Especificación detallada en blanco para tiristores de dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/6-1988 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2605 tipo PNP
• GJB 33/9-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT32
• GJB 33/4A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, rectificadores de puente monofásicos de silicio tipo QL12300A, QL12300D y QL12300H
• GJB 33/3-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3442
• GJB 33/12A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas
• GJB 33/005-1989 Especificación detallada en blanco para diodos de conmutación de dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/11-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT37
• GJB 33/1A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3716
• GJB 33/13A-2021 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37
• GJB 33/008-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de conmutación de baja potencia para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/4-1987 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para rectificadores de puente monofásicos de silicio tipo GP, GT grados QL12300A, QL12300D y 13300H
• GJB 33/7A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de conmutación de baja potencia de silicio PNP tipo 3CK2904, 3CK2905, 3CK2906 y 3CK2907
• GJB 33/24-2021 Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas con efecto de campo de silicio CS0406-10
• GJB 33/004-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de conmutación de potencia de dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/2-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3767
• GJB 33/25-2021 Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas con efecto de campo de silicio CS0406-350
• GJB 33/5A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, pilas de rectificadores de alto voltaje de silicio 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K
• GJB 33/006-1989 Especificación detallada en blanco para regulación de voltaje y diodos de referencia de voltaje para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/007-1989 Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/8A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
• GJB 33/2A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3767
• GJB 33/10-1989 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Transistor de unión simple de silicio PN tipo BT33
• GJB 33/001-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta frecuencia y baja potencia para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/8-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio
• GJB 33/3A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3442
• GJB 33/7-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3CK2907 tipo PNP transistor de conmutación de baja potencia de silicio
• GJB 33/002-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta potencia y baja frecuencia para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33/6A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2604 y 3CG2605 PNP
• GJB 33/5-1987 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para reactores rectificadores de alto voltaje de silicio GP y GT de grado 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K
• GJB 33/1-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3716
• GJB 33/003-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de menos de 5 W y de menos de 1 GHz para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33-1985 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33B-2021 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos
• GJB 33A/14-2003 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada
• GJB 33A/13-2003 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37
• GJB 33A/12-2003 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas
• GJB 680/33-1994 Especificación detallada para adaptadores internos de conector a conector de nivel 2 de la serie TNC
• GJB 65/33-2017 Especificación detallada para relés electromagnéticos en miniatura tipo JRW-221M con clases de tasa de falla
• GJB/Z 33-1993 Directrices de control de calidad para acero aeroespacial y aleaciones de alta temperatura

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• GJB 33A-1997 Especificación general para dispositivos semiconductores discretos

Otros:   x33, uscar-33, uscar33, uscar 33, uscar 33, estruendo 33, d33, a33, astm c 33, gjb 33, l33, astm a33, HJ 33, Yodo 33, gjb 33-23-2011, gjb 33/23-2011, Selenio 33, gjb33, ASHRAE 33, JGJ 33.