ZH
EN
ES

гджб 33

гджб 33, Всего: 51 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к гджб 33, являются: .

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, гджб 33

GJB 33/21-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация копировального аппарата серии GD310A
GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/20-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302.
GJB 33/22-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа ГО103
GJB 33/23-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302-4
GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 33/11-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ37
GJB 33/1A-2021 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства 3DD3716 типа NPN кремниевого силового транзистора
GJB 33/13A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство типа 2CK37, кремниевый сильноточный переключающий диод, подробные характеристики
GJB 33/008-1989 Бланк детальной спецификации на переключающие транзисторы малой мощности для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/4-1987 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных устройств. Подробные характеристики кремниевых однофазных мостовых выпрямителей типа GP, GT классов QL12300A, QL12300D и 13300H.
GJB 33/7A-2021 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов 3СК2904, 3СК2905, 3СК2906 и 3СК2907 кремниевых переключающих транзисторов малой мощности типа PNP
GJB 33/24-2021 Подробные характеристики кремниевого полевого микроволнового импульсного силового транзистора CS0406-10
GJB 33/004-1989 Пустая подробная спецификация на силовые переключающие транзисторы полупроводниковых дискретных устройств.
GJB 33/2-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3767 типа NPN.
GJB 33/25-2021 Подробные характеристики кремниевого полевого микроволнового импульсного силового транзистора CS0406-350
GJB 33/5A-2021 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных устройств кремниевых высоковольтных выпрямительных блоков 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K и 2CL150K.
GJB 33/006-1989 Бланк детальной спецификации на диоды стабилизации и опорного напряжения для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/007-1989 Бланк рабочей спецификации на выпрямительные диоды для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/8A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство 3DK2369A типа NPN кремниевый переключающий транзистор малой мощности подробная спецификация
GJB 33/2A-2021 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства 3DD3767 типа NPN кремниевого силового транзистора
GJB 33/10-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ33
GJB 33/001-1989 Бланк детальной спецификации на высокочастотные маломощные транзисторы для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/8-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств GP, GT и GCT кремниевого переключающего транзистора малой мощности класса 3DK2369A типа NPN
GJB 33/3A-2021 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства 3DD3442 типа кремниевого силового транзистора NPN
GJB 33/7-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств GP, GT и GCT кремниевого переключающего транзистора малой мощности PNP класса 3CK2907
GJB 33/002-1989 Бланк рабочей спецификации на транзисторы низкочастотные мощные для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/6A-2021 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных устройств кремниевых маломощных транзисторов PNP типа 3CG2604 и 3CG2605
GJB 33/5-1987 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных устройств. Подробные характеристики кремниевых высоковольтных выпрямительных реакторов 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K и 2CL150K классов GP и GT.
GJB 33/1-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3716 типа NPN.
GJB 33/003-1989 Пустая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и ниже 1 ГГц для полупроводниковых дискретных устройств.
GJB 33/14A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация
GJB 33/009-1989 Бланк подробной спецификации на тиристоры полупроводниковых дискретных устройств
GJB 33/6-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств. Кремниевые маломощные транзисторы PNP класса 3CG2605 GP, GT и GCT.
GJB 33/9-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ32
GJB 33/4A-2021 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных устройств кремниевых однофазных мостовых выпрямителей типа QL12300A, QL12300D и QL12300H.
GJB 33/3-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3442 типа NPN.
GJB 33/12A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство типа 2CK36, кремниевый сильноточный переключающий диод, подробные характеристики
GJB 33/005-1989 Бланк подробной спецификации на переключающие диоды полупроводниковых дискретных устройств
GJB 33-1985 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств
GJB 33B-2021 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств
GJB 33A/13-2003 Полупроводниковое дискретное устройство типа 2CK37, кремниевый сильноточный переключающий диод, подробные характеристики
GJB 33A/12-2003 Полупроводниковое дискретное устройство типа 2CK36, кремниевый сильноточный переключающий диод, подробные характеристики
GJB 33A/14-2003 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация
GJB 680/33-1994 Подробные характеристики внутренних адаптеров типа «джек-гнездо» серии TNC уровня 2
GJB 65/33-2017 Подробные спецификации миниатюрных электромагнитных реле типа JRW-221M с классами интенсивности отказов
GJB/Z 33-1993 Рекомендации по контролю качества авиационно-космической стали и жаропрочных сплавов

未注明发布机构, гджб 33

GJB 33A-1997 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств