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cristal de silicio
cristal de silicio, Total: 69 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en cristal de silicio son: Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., pruebas de metales, Materiales semiconductores, Metales no ferrosos, Fluidos aislantes, Minerales no metalíferos, ingeniería de energía solar, Dispositivos semiconductores, Vaso, Pilas y baterías galvánicas., Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Vocabularios, Cerámica, ingeniería de energía nuclear.
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), cristal de silicio
- KS C 0256-2002(2017) Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
- KS C 0256-2002(2022) Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
- KS D 0258-2012 Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
- KS D 0078-2008 Método de prueba para la determinación de concentraciones de impurezas en cristales de silicio mediante espectroscopia de fotoluminiscencia.
- KS D 0078-2008(2018) Método de prueba para la determinación de concentraciones de impurezas en cristales de silicio mediante espectroscopia de fotoluminiscencia.
- KS D 0258-2012(2022) Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
- KS D 0257-2002 Medición de la vida útil de la minoría - portador en un monocristal de silicio mediante el método de desintegración fotoconductora
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, cristal de silicio
- GB/T 1554-1995 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
- GB/T 1554-2009 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
- GB/T 14144-1993 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
- GB/T 14144-2009 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
- GB/T 1557-1989 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
- GB/T 1557-2006 El método para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
- GB/T 31958-2023 Vidrio de sustrato para pantalla de cristal líquido de transistor de película delgada de silicio amorfo
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), cristal de silicio
- JIS H 0602:1995 Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
- JIS H 0609:1994 Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
- JIS H 0615:2021 Método de prueba para la determinación de concentraciones de impurezas en cristales de silicio mediante espectroscopia de fotoluminiscencia.
- JIS H 0615:1996 Método de prueba para la determinación de concentraciones de impurezas en cristales de silicio mediante espectroscopia de fotoluminiscencia.
- JIS H 0609:1999 Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, cristal de silicio
- GB/T 1557-2018 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.
- GB/T 37051-2018 Método de prueba para la determinación de la densidad de defectos cristalinos en lingotes y obleas de silicio fotovoltaico.
- GB/T 37896-2019 Vidrio laminado fotovoltaico (PV) de silicio cristalino ligero
Defense Logistics Agency, cristal de silicio
- DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N3442, JAN, JANTX Y JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, FOTO TIPO 2N986
- DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, TIPO DE SILICIO 2N1051
- DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR, PUERTA BUFFER DE BUS CUÁDRUPLE, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA MIL-PRF-19500/139 B NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO JAN-2N1119
- DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, ALTA TENSIÓN, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7387 Y 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
- DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
- DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
- DLA DSCC-DWG-99009 REV A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5241
- DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PN, SILICIO, UNIJUNCIÓN JAN2N5431 Y JANTX2N5431
- DLA MIL-PRF-19500/74 E NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES, NPN, SILICIO, MEDIA POTENCIA, TIPOS 2N497, 2N498, 2N656 Y 2N657
- DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores, cuádruple, efecto de campo, canal NC, silicio, tipo 2N7334, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKCA2N7334 y JANHCA2N7334
- DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
- DLA MIL-S-19500/288 (2)-1966 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, TIPO DE SILICIO 2N2377
- DLA MIL-PRF-19500/357 K (1)-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, AMPLIFICADOR, TIPOS 2N3634 HASTA 2N3637, 2N3634UB HASTA 2N3637UB, 2N3634L HASTA 2N3637L, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, J ANSR, JANSF, JANSG, JANSH, JANHCA, JANKCA, JANKCAM, JANKCAD
- DLA MIL-PRF-19500/75 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES, PN, UNIJUNCIÓN DE SILICIO TIPOS 2N2417A HASTA 2N2422A, Y TX2N2417A HASTA TX2N2422A
- DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, MATRIZ DE TRANSISTORES, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N5002 Y 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG, JANSH, JANHCB, JANKCB, JANKCBM, JANKCBD, JANKCBP, JANKCBL, JANKCBR, JANKCBF, JANKCBG Y JANKCBH
- DLA MIL-PRF-19500/710 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, POTENCIA, TIPOS 2N6674T1, 2N6674T3, 2N6675T1 Y 2N6675T3, JAN, JANTX Y JANTXV
- DLA SMD-5962-87777 REV B-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, MATRICES DE TRANSISTORES/PAR EMPAREJADO, SILICIO MONOLÍTICO
- DLA MIL-S-19500/536 VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE POTENCIA 2N6671 Y 2N6673 JAN, JANTX Y JANTXV
RO-ASRO, cristal de silicio
RU-GOST R, cristal de silicio
- GOST 28976-1991 Dispositivos fotovoltaicos de silicio cristalino. Procedimientos para correcciones de temperatura e irradiancia a las características de voltaje de corriente medidas.
Professional Standard - Electron, cristal de silicio
- SJ/T 2217-2014 Especificación técnica para fototransistor de silicio.
- SJ 50033.40-1994 Especificación detallada para el fototransistor NPN de silicio semiconductor tipo GT11
- SJ/T 11550-2015 Cinta de inmersión de soldadura a base de estaño utilizada para módulos fotovoltaicos (PV) de silicio cristalino
Association Francaise de Normalisation, cristal de silicio
- NF C57-203*NF EN 50513:2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares.
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, cristal de silicio
Group Standards of the People's Republic of China, cristal de silicio
- T/CPIA 0037-2022 Especificaciones para obleas cristalinas fotovoltaicas
- T/SZBX 061-2021 Módulo fotovoltaico de silicio cristalino de baja degradación
- T/ZZB 0091-2016 Módulos fotovoltaicos (PV) terrestres de silicio cristalino
- T/CSTM 00584-2022 Tejas fotovoltaicas de silicio cristalino en edificios
- T/CPIA 0043-2022 Directrices para el desguace de módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
- T/CPIA 0048.1-2022 Directrices de fabricación de células fotovoltaicas estándar de silicio cristalino para líneas de producción Parte 1: Células fotovoltaicas de silicio cristalino homogéneo
- T/CPIA 0046-2022 Cinta de posicionamiento para módulos fotovoltaicos de silicio cristalino
- T/GDKJ 0029-2023 Pasta de plata frontal de célula solar de silicio cristalino
- T/CSTM 00035-2020 Cristal de centelleo de oxiortosilicato de itrio dopado con cerio
工业和信息化部, cristal de silicio
- XB/T 516-2021 Material de reciclaje de cristales de silicato de itrio y lutecio
German Institute for Standardization, cristal de silicio
- DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
- DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
British Standards Institution (BSI), cristal de silicio
- BS EN 50513:2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
Danish Standards Foundation, cristal de silicio
Lithuanian Standards Office , cristal de silicio
- LST EN 50513-2009 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
AENOR, cristal de silicio
- UNE-EN 50513:2011 Obleas solares: ficha técnica e información de producto de obleas de silicio cristalino para la fabricación de células solares
Professional Standard - Building Materials, cristal de silicio