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Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

Oxidación fotocatalítica de semiconductores., Total: 83 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Oxidación fotocatalítica de semiconductores. son: Cerámica, Tratamiento superficial y revestimiento., Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., Materiales semiconductores.

British Standards Institution (BSI), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

BS ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante análisis cuantitativo del carbono orgánico total (TOC)
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto.
BS ISO 22197-1:2008 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Eliminación de óxido nítrico
BS ISO 22197-1:2016 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Eliminación de óxido nítrico
BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior: eliminación de óxido nítrico
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS ISO 10676:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
BS ISO 22197-2:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de acetaldehído
BS ISO 10676:2010 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación de oxígeno activo.
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 22197-3:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores: eliminación de tolueno

International Organization for Standardization (ISO), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

ISO 22601:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar el rendimiento de la descomposición oxidativa de fenol de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante métodos cuantitativos.
ISO 19722:2017 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto
ISO 22197-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 22197-1:2007 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 10676:2010 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo.
ISO 17168-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19635:2016 Cerámicas finas (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

Association Francaise de Normalisation, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.

European Committee for Standardization (CEN), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

JIS R 1708:2016 Cerámica fina (Cerámica avanzada, Cerámica técnica avanzada) -- Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto
JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores

German Institute for Standardization, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN ISO 22197-1:2018-12 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN ISO 22197-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2016).
DIN ISO 22197-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico (ISO 22197-1:2007).

Defense Logistics Agency, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CAMBIADOR DE NIVEL DE TENSIÓN HEXAGONAL PARA OPERACIÓN TTL A CMOS O CMOS A CMOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-94532-1994 MICROCIRCUITO, CMOS, MICROPROCESADOR DE 64 BITS
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS, NOR GATES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96736-1996 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, CONVERTIDOR DE NIVEL DE INTERFAZ CMOS/TTL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)

Group Standards of the People's Republic of China, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

T/CECA 35-2019 Sensor de gas semiconductor de óxido metálico
T/QGCML 743-2023 Especificaciones para el proceso de anodizado de piezas de equipos semiconductores.
T/CASAS 006-2020 La especificación general para el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio

AENOR, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

UNE-ISO 22197-1:2012 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación del óxido nítrico
UNE 127197-1:2013 Aplicación del método de prueba para evaluar el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores empapados en productos prefabricados de hormigón - Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

KS L ISO 22197-1:2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 22197-1:2008 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) -Método de prueba para el rendimiento de purificación de aire de materiales fotocatalíticos semiconductores-Parte 1: Eliminación de óxido nítrico
KS L ISO 22197-1:2022 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 17168-1:2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS L ISO 10676:2012 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para el rendimiento de la purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo
KS L ISO 27447-2011(2016) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 10676-2012(2022) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para el rendimiento de purificación de agua de materiales fotocatalíticos semiconductores mediante la medición de la capacidad de formación del oxígeno activo

KR-KS, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

KS L ISO 22197-1-2018 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 22197-1-2022 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para determinar el rendimiento de la purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores. Parte 1: Eliminación de óxido nítrico.
KS L ISO 17168-1-2020 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para el rendimiento de purificación del aire de materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior. Parte 1: Remova
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 14605-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

International Electrotechnical Commission (IEC), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)

Professional Standard - Electron, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

SJ 20025-1992 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 20026-1992 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
SJ 20079-1992 Métodos de prueba para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

GB/T 15652-1995 Especificación genérica para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.
GB/T 15653-1995 Métodos de medición para sensores de gas de semiconductores de óxido metálico.

Danish Standards Foundation, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

DS/EN 62417:2010

ES-UNE, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

U.S. Military Regulations and Norms, Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
ARMY MIL-M-48646-1986 MICROCIRCUITO DIGITAL MULTICHIP CMOS SCO/DLA
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)
ARMY MIL-M-63530-1981 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS (LÓGICA)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

IEEE 641-1987 DEFINICIONES ESTÁNDAR Y CARACTERIZACIÓN DE Matrices de semiconductores de óxido de nitruro metálico

Lithuanian Standards Office , Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Oxidación fotocatalítica de semiconductores.

ANSI/IEEE Std 641-1987 Definiciones estándar IEEE y caracterización de matrices de semiconductores de óxido de nitruro metálico