ZH
EN
ES

Фотокаталитическое окисление полупроводников

Фотокаталитическое окисление полупроводников, Всего: 83 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Фотокаталитическое окисление полупроводников, являются: Керамика, Обработка поверхности и покрытие, Полупроводниковые приборы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Электронные компоненты в целом, Полупроводниковые материалы.

British Standards Institution (BSI), Фотокаталитическое окисление полупроводников

BS ISO 22601:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытаний для определения эффективности окислительного разложения фенола полупроводниковых фотокаталитических материалов путем количественного анализа общего органического углерода (ТОС)
BS PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерение этих условий
BS ISO 19722:2017 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода
BS ISO 22197-1:2008 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление оксида азота.
BS ISO 22197-1:2016 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление оксида азота
BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 17168-1:2018 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Удаление оксида азота
BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
BS ISO 10676:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода
BS ISO 22197-2:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление ацетальдегида
BS ISO 10676:2010 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода
BS ISO 13125:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 22197-3:2019 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Удаление толуола

International Organization for Standardization (ISO), Фотокаталитическое окисление полупроводников

ISO 22601:2019 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения эффективности окислительного разложения фенола полупроводниковых фотокаталитических материалов количественным путем.
ISO 19722:2017 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
ISO 22197-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 22197-1:2007 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 10676:2010 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
ISO 17168-1:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1. Удаление оксида азота.
ISO 13125:2013 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2019 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

Association Francaise de Normalisation, Фотокаталитическое окисление полупроводников

XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
NF ISO 22197-4:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 4. Удаление формальдегида.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF ISO 22197-5:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.

European Committee for Standardization (CEN), Фотокаталитическое окисление полупроводников

PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Фотокаталитическое окисление полупроводников

JIS R 1708:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.
JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
JIS R 1712:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

German Institute for Standardization, Фотокаталитическое окисление полупроводников

DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Фотокатализ - Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий; Немецкая версия CEN/TS 16599:2014.
DIN ISO 22197-1:2018-12 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2016).
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN ISO 22197-1:2018 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2016).
DIN ISO 22197-1:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота (ISO 22197-1:2007).

Defense Logistics Agency, Фотокаталитическое окисление полупроводников

DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94532-1994 МИКРОСХЕМА, КМОП, 64-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР
DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ВЕНТИЛЯ НО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Фотокаталитическое окисление полупроводников

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

Group Standards of the People's Republic of China, Фотокаталитическое окисление полупроводников

T/CECA 35-2019 Металлооксидный полупроводниковый газовый датчик
T/QGCML 743-2023 Технические условия на процесс анодирования деталей полупроводникового оборудования
T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник

AENOR, Фотокаталитическое окисление полупроводников

UNE-ISO 22197-1:2012 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1: Удаление оксида азота
UNE 127197-1:2013 Применение метода испытаний для оценки эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов, пропитанных сборными железобетонными изделиями. Часть 1: Удаление оксида азота.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Фотокаталитическое окисление полупроводников

KS L ISO 22197-1:2018 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-1:2008 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1: Удаление оксида азота.
KS L ISO 22197-1:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 17168-1:2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1: Удаление.
KS L ISO 10676:2012 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения образующей способности активного кислорода.
KS L ISO 27447-2011(2016) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2011(2021) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 10676-2012(2022) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания эффективности очистки воды полупроводниковыми фотокаталитическими материалами путем измерения формообразующей способности активного кислорода.

KR-KS, Фотокаталитическое окисление полупроводников

KS L ISO 22197-1-2018 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 22197-1-2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания характеристик очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов. Часть 1. Удаление оксида азота.
KS L ISO 17168-1-2020 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытания эффективности очистки воздуха полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения. Часть 1: Удаление.
KS L ISO 27447-2023 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 14605-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

International Electrotechnical Commission (IEC), Фотокаталитическое окисление полупроводников

IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

Professional Standard - Electron, Фотокаталитическое окисление полупроводников

SJ 20025-1992 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
SJ 20026-1992 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ 20079-1992 Методы испытаний газовых сенсоров металлооксидных полупроводников

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Фотокаталитическое окисление полупроводников

GB/T 15652-1995 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
GB/T 15653-1995 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников

Danish Standards Foundation, Фотокаталитическое окисление полупроводников

DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

ES-UNE, Фотокаталитическое окисление полупроводников

UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).

U.S. Military Regulations and Norms, Фотокаталитическое окисление полупроводников

ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, МНОГОЧИПНАЯ КМОП SCO/DLA
ARMY MIL-M-48646-1986 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, МНОГОЧИПНАЯ КМОП SCO/DLA
ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)
ARMY MIL-M-63530-1981 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП (ЛОГИКА)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Фотокаталитическое окисление полупроводников

IEEE 641-1987 СТАНДАРТНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТАЛЛ-НИТРИД-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАССИВЫ

Lithuanian Standards Office , Фотокаталитическое окисление полупроводников

LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Фотокаталитическое окисление полупроводников

ANSI/IEEE Std 641-1987 Стандартные определения IEEE и характеристики полупроводниковых матриц из оксидов металлов