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transistor de iones
transistor de iones, Total: 21 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en transistor de iones son: Química analítica, Pinturas y barnices, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica.
German Institute for Standardization, transistor de iones
- DIN 55659-2:2012 Pinturas y barnices. Determinación del valor de pH. Parte 2: electrodos de pH con tecnología ISFET.
- DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
- DIN EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
British Standards Institution (BSI), transistor de iones
- BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
- BS EN 120003:1986 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco - Fototransistores, transistores fotodarlington, conjuntos de fototransistores
Danish Standards Foundation, transistor de iones
Association Francaise de Normalisation, transistor de iones
- NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
ES-UNE, transistor de iones
- UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
- UNE-EN 120003:1992 BDS: FOTOTRANSISTORES, TRANSISTORES FOTOCARLINGTON, Matrices de fototransistores. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
Lithuanian Standards Office , transistor de iones
- LST EN 62417-2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010)
RO-ASRO, transistor de iones
- STAS 11437-1980 TRANSISTORES DE UNIÓN Métodos de prueba
- STAS 11418-1980 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES DE UNIJUNCIÓN Terminología
- STAS SR CEI 747-4-1995 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4: Diodos y transistores de microondas
- STAS SR CEI 747-8-1993 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo
SE-SIS, transistor de iones
- SIS SS CECC 20003-1988 Especificaciones detalladas en blanco: Fototransistores, transistores Photodar/ington, conjuntos de fototransistores
PL-PKN, transistor de iones
- PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, transistor de iones
- EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
CZ-CSN, transistor de iones
U.S. Military Regulations and Norms, transistor de iones