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离子 晶体管
本专题涉及离子 晶体管的标准有29条。
国际标准分类中，离子 晶体管涉及到分析化学、涂料和清漆、半导体分立器件、集成电路、微电子学、光电子学、激光设备。
在中国标准分类中，离子 晶体管涉及到涂料基础标准与通用方法、半导体集成电路、半导体分立器件综合、半导体三极管、紧固件。
德国标准化学会，关于离子 晶体管的标准
- DIN 55659-2:2012 色漆和清漆.pH值的测定.第2部分:带有离子敏场效应晶体管(ISFET)的pH电极
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN 62416:2010-12 半导体器件-MOS晶体管的热载流子测试
- DIN EN 120003:1996 空白详细规范:光电晶体管、光电复合晶体管、光电晶体管阵列
英国标准学会，关于离子 晶体管的标准
- BS EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS EN 120003:1986 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.光电晶体管,光电复合晶体管,光电晶体管阵列
- BS EN 120003:1993 电子元件质量评估协调制度规范 空白详细规范 光电晶体管、光电达林顿晶体管、光电晶体管阵列
丹麦标准化协会，关于离子 晶体管的标准
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
- DS/EN 62416:2010 半导体器件 MOS 晶体管的热载流子测试
法国标准化协会，关于离子 晶体管的标准
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- NF C80-202*NF EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管热载流子的试验
- NF EN 62416:2010 半导体器件 – MOS 晶体管的热载流子测试
ES-UNE，关于离子 晶体管的标准
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- UNE-EN 120003:1992 BDS：光电晶体管、光电卡林顿晶体管、光电晶体管阵列
- UNE-EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管的热载流子测试
立陶宛标准局，关于离子 晶体管的标准
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
RO-ASRO，关于离子 晶体管的标准
- STAS 11437-1980 非电离晶体管．测试法
- STAS 11418-1980 半导体装置非电离晶体管．术语
- STAS SR CEI 747-4-1995 半导体装置．分离装置．第4部分：微波二极管和晶体管
- STAS SR CEI 747-8-1993 半导体装置．分离装置．第8部分：场效应晶体管
- STAS 6693/2-1975 半导体设备．晶体管．电子性能测试方法
SE-SIS，关于离子 晶体管的标准
- SIS SS CECC 20003-1988 空白详细规范：光电晶体管；光电晶体管达林顿电路晶体管；光电晶体管阵列
欧洲电工标准化委员会，关于离子 晶体管的标准
- EN 62416:2010 半导体器件.MOS晶体管的热载子试验
PL-PKN，关于离子 晶体管的标准
- PN T01210-01-1992 半导体器件．分离器件．双极晶体管．低频放大箱额定的双极晶体管空白细节规格
CZ-CSN，关于离子 晶体管的标准
- CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 半导体设备．离散设备．第8部分：场效应晶体管
(美国)军事条例和规范，关于离子 晶体管的标准
- ARMY MIL-T-48604 NOTICE 1-1997 11746797氦氖等离子体激光管
- ARMY MIL-T-48604 (3)-1990 11746797氦氖等离子体激光管
- ARMY MIL-T-48604-1977 11746797氦氖等离子体激光管
