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Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

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En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Circuito lógico del transistor de efecto de campo. son: Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Comunicaciones de fibra óptica., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., válvulas, Radiocomunicaciones, Componentes electrónicos en general..


Defense Logistics Agency, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • JIS C 7311:1980 Fiabilidad asegurada TTL, puertas nand positivas, circuitos integrados

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • JEDEC JES2-1992 Transistor, Fet de potencia de arseniuro de galio, especificación genérica

American Society for Testing and Materials (ASTM), Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • ASTM F676-97 Método de prueba estándar para medir la corriente del disipador TTL no saturada
  • ASTM F676-97(2003) Método de prueba estándar para medir la corriente del disipador TTL no saturada
  • ASTM F616M-96 Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)
  • ASTM F616M-96(2003) Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico)

British Standards Institution (BSI), Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • BS IEC 60747-8:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores de efecto de campo - Clasificaciones y características adicionales y modificaciones en los métodos de medición para transistores de efecto de campo de conmutación de potencia
  • BS QC 750114:1996 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia

PL-PKN, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • PN T01505 ArkusZ12-1974 ¿Transisores ecl de campo? Método de medición ¿Shorf-circui? inpof conductancia fuente común 9uss
  • PN T01505 ArkusZ06-1974 ¿Campo-eftec? Transis?ors Método de medición Ga?? icdo actual
  • PN T01505 ArkusZ14-1974 ¿Efecto de campo? transistor Método de medición Cortocircuito reyerse transferencia conductancia fuente común g,,?
  • PN T01505-17-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de salida de cortocircuito en fuente común C22SS
  • PN T01505 ArkusZ11-1974 Transmisores de efecto de campo Método de medición Desglose drenaje-fuente yol?age U
  • PN T01505-16-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de entrada de cortocircuito en fuente común CnM
  • PN T01505 ArkusZ01-1974 ¿Efecto de campo? transistores Medición de me?hod Corte de fuente de puerta?f yol?aoe Ugs (Offi
  • PN T01505 ArkusZ10-1974 Transistores con efecto de campo Método de medición Tensión de ruptura de fuente de gas U(8R) GSS
  • PN T01505 ArkusZ09-1974 Transitores de efecto de campo Método de medición Tensión de ruptura drenaje-fuente U(BR) DSS
  • PN T01505-18-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de transferencia inversa de fuente común con entrada en cortocircuito Cl2j.s
  • PN T01505 ArkusZ02-1974 Transistores de efecto de campo Método de medición Ugs de voltaje umbral de fuente de gas (TO)
  • PN T01505-19-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Factor de ruido F y tensión de ruido de entrada equivalente U?
  • PN T01505-13-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss
  • PN T01505-03-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta en cortocircuito a la fuente. idss
  • PN T01505-04-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss

CZ-CSN, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • CSN 35 8803-1983 Transistores de efecto de campo. Parámetro eléctrico. Métodos de medición

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RO-ASRO, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • STAS 7128/8-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para transitores de efecto de campo
  • STAS 12389-1985 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Valores límite y nomenclatura de parámetros eléctricos básicos
  • STAS 12124/3-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO D FIFL Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos
  • STAS 12124/4-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO DE CAMPO Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos

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  • NF C96-008:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 8: transistores de efecto de campo.
  • NF C86-712:1981 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Transistores de efecto de campo de puerta única.

Professional Standard - Electron, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
  • SJ/T 11059-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo tipo unión de canal N de puerta única CS4220A (aplicable para certificación)
  • SJ/T 11057-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS142 (aplicable para certificación)
  • SJ/T 11055-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS119 (aplicable para certificación)
  • SJ/T 11056-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS1191 (aplicable para certificación)
  • SJ/T 10956-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS122 (aplicable para certificación)
  • SJ/T 10957-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS103 (aplicable para certificación)
  • SJ/T 11058-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS1421 (aplicable para certificación)

Group Standards of the People's Republic of China, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

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  • T/CASAS 007-2020 Especificación de prueba para módulos de transistores de efecto de campo (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de vehículos eléctricos

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • QC 750114-1996 Sistema armonizado de evaluación de calidad para componentes electrónicos Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos Transistores de efecto de campo - Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación (IEC 747-8-3:1995)

未注明发布机构, Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • BS EN 150012:1993(2000) Especificación para el sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Transistores de efecto de campo de puerta única.

International Electrotechnical Commission (IEC), Circuito lógico del transistor de efecto de campo.

  • IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.




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