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Transistor de efecto de campo

Transistor de efecto de campo, Total: 410 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Transistor de efecto de campo son: Dispositivos semiconductores, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Materiales semiconductores, válvulas, Pruebas eléctricas y electrónicas., Componentes electrónicos en general., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Química analítica, Pinturas y barnices, Circuitos integrados. Microelectrónica, Pruebas ambientales.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Transistor de efecto de campo

JEDEC JES2-1992 Transistor, Fet de potencia de arseniuro de galio, especificación genérica
JEDEC JESD73-4-2001 7Estándar para la descripción de 3867: Conmutador FET DDR de 2,5 V, doble, 5 bits, 2 puertos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Transistor de efecto de campo

KS C 5202-1980(2000) TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFIABILIDAD ASEGURADA
KS C 5202-2004 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFIABILIDAD ASEGURADA
KS C IEC 60747-8:2002 Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo
KS C IEC 60747-8:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 4－1：Diodos y transistores de microondas－Transistores de efecto de campo de microondas－Especificación detallada en blanco

YU-JUS, Transistor de efecto de campo

JUS N.R1.353-1979 Símbolo de letra para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.
JUS N.R1.323-1979 Términos y definiciones para dispositivos semiconductores. Transistores bipolares y de efecto de campo.
JUS N.R1.451-1982 Transistor de efecto de campo. Principios generales de los métodos de medición.
JUS N.R1.330-1979 transistores ipolares. Definiciones de parámetros de dispersión.
JUS N.R1.373-1980 Yodos semiconductores. Clasificaciones y características esenciales. Diodos de señal de baja potencia
JUS N.R1.390-1979 Tnmmton bipolar. Clasificaciones y características esenciales: transistores de señal de potencia bw
JUS N.R1.391-1979 Transistores polares. Clasificaciones y características esenciales: transistores de potencia.
JUS N.R1.392-1980 Transistores de efecto de campo. Clasificaciones y características esenciales.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Transistor de efecto de campo

JIS C 7214:1978 Transistores de efecto de campo con fiabilidad garantizada

IET - Institution of Engineering and Technology, Transistor de efecto de campo

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 Transistores de efecto de campo de microondas: teoría @ diseño y aplicaciones
RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 Técnicas de medición y modelado de RF y microondas para transistores de efecto de campo

International Electrotechnical Commission (IEC), Transistor de efecto de campo

IEC 60747-8:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 8: Transistores de efecto de campo
IEC 60747-8-1:1987 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
IEC 60747-8-3:1995 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo - Sección 3: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación
IEC 60747-8-2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 8: transistores de efecto de campo; sección 2: especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo para aplicaciones de amplificador de potencia con clasificación de caja
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:1984 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
IEC 60747-8:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.
IEC 60747-4-1:2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas; Transistores de efecto de campo de microondas; Especificación de detalle en blanco
IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 8-4: Transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia.
IEC TS 62607-6-16:2022 Nanofabricación. Características clave de control. Parte 6-16: Materiales bidimensionales. Concentración de portadores: método del transistor de efecto de campo.
IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET). Parte 1: Prueba rápida BTI para MOSFET.
IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 1: Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización.
IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.

British Standards Institution (BSI), Transistor de efecto de campo

BS IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores de efecto de campo
BS IEC 60747-8:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores de efecto de campo - Clasificaciones y características adicionales y modificaciones en los métodos de medición para transistores de efecto de campo de conmutación de potencia
BS QC 750114:1996 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo. Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación
BS EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8. Transistores de efecto de campo
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS IEC 62373-1:2020 Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y óxidos metálicos (MOSFET): prueba BTI rápida para MOSFET
BS QC 750106:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada en blanco. Transistores de efecto de campo para aplicaciones de amplificadores de potencia con clasificación de caja
BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
18/30381548 DC BS EN 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI
17/30366375 DC BSIEC 62373-1. Dispositivos semiconductores. Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Parte 1. Método de prueba rápida BTI

CZ-CSN, Transistor de efecto de campo

CSN 35 8803-1983 Transistores de efecto de campo. Parámetro eléctrico. Métodos de medición
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistor de efecto de campo

European Standard for Electrical and Electronic Components, Transistor de efecto de campo

EN 150012:1991 Especificación detallada en blanco: transistores de efecto de campo de puerta única

PL-PKN, Transistor de efecto de campo

PN T01505 ArkusZ06-1974 ¿Campo-eftec? Transis?ors Método de medición Ga?? icdo actual
PN T01505 ArkusZ11-1974 Transmisores de efecto de campo Método de medición Desglose drenaje-fuente yol?age U
PN T01501 ArkusZ4-1973 Diseño de semiconductores Símbolos de letras de los parámetros de los transistores de efecto de campo
PN T01505 ArkusZ01-1974 ¿Efecto de campo? transistores Medición de me?hod Corte de fuente de puerta?f yol?aoe Ugs (Offi
PN T01505 ArkusZ10-1974 Transistores con efecto de campo Método de medición Tensión de ruptura de fuente de gas U(8R) GSS
PN T01505 ArkusZ09-1974 Transitores de efecto de campo Método de medición Tensión de ruptura drenaje-fuente U(BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 ¿Transisores ecl de campo? Método de medición ¿Shorf-circui? inpof conductancia fuente común 9uss
PN T01505-19-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Factor de ruido F y tensión de ruido de entrada equivalente U?
PN T01505 ArkusZ14-1974 ¿Efecto de campo? transistor Método de medición Cortocircuito reyerse transferencia conductancia fuente común g,,?
PN T01505-17-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de salida de cortocircuito en fuente común C22SS
PN T01505 ArkusZ02-1974 Transistores de efecto de campo Método de medición Ugs de voltaje umbral de fuente de gas (TO)
PN T01505-16-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de entrada de cortocircuito en fuente común CnM
PN T01505-18-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de transferencia inversa de fuente común con entrada en cortocircuito Cl2j.s
PN T01505-04-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss
PN T01505-15-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia del transmisor directo de cortocircuito yi\s y transconductancia directa de cortocircuito en gms de fuente común
PN T01505-13-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss
PN T01505-03-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta en cortocircuito a la fuente. idss

RU-GOST R, Transistor de efecto de campo

GOST 17466-1980 Transistores bipolares y de efecto de campo. Parametros basicos
GOST 20398.2-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de la figura de ruido
GOST 20398.3-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de transconductancia directa.
GOST 20398.6-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de corriente de fuga de puerta.
GOST 20398.11-1980
GOST 20398.0-1983 Transistores de efecto de campo. Requisitos generales para medir parámetros eléctricos.
GOST 20398.8-1974 Transistores de efecto de campo. Corriente de drenaje para técnica de medición V(Gs)=0
GOST 20398.13-1980
GOST 20398.12-1980
GOST 20398.1-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de admitancia de transferencia directa de circuito de disparo.
GOST 20398.4-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición del componente de conductancia de salida activa.
GOST 20398.7-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de tensión umbral y de corte.
GOST 20398.9-1980
GOST 20398.10-1980
GOST 20398.5-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de capacitancia de salida y transferencia de entrada.
GOST 20398.14-1988

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Transistor de efecto de campo

GB/T 15450-1995 Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de doble qute de silicio
GB/T 6219-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de hasta 5 W y 1 GHz
GB/T 4586-1994 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo
GB/T 15449-1995 Especificación detallada de Biank para transistores de efecto de campo para aplicaciones de muestreo de casos clasificados
GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco

Professional Standard - Aerospace, Transistor de efecto de campo

QJ 2617-1994 Especificación de aceptación para el paquete de transistores de efecto de campo de microondas (FET de microondas)

TH-TISI, Transistor de efecto de campo

TIS 2124-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección tres: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo clasificados por caja para aplicaciones de conmutación.
TIS 2122-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única, hasta 5 W y 1 GHz.
TIS 2121-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: transistores de efecto de campo.
TIS 2123-2002 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo. Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo para aplicaciones de amplificadores de potencia con clasificación de caja.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Transistor de efecto de campo

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
EN 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)

RO-ASRO, Transistor de efecto de campo

STAS SR CEI 747-8-1993 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo
STAS 12389-1985 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Valores límite y nomenclatura de parámetros eléctricos básicos
STAS 12124/3-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO D FIFL Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos
STAS 12124/4-1983 Dispositivos semiconductores TRANZISTORES DE EFECTO DE CAMPO Métodos para medir parámetros eléctricos estáticos
STAS 7128/8-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para transitores de efecto de campo

KR-KS, Transistor de efecto de campo

KS C IEC 60747-8-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Transistor de efecto de campo

GJB/Z 41.4-1993 Transistor de efecto de campo de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/24-2021 Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas con efecto de campo de silicio CS0406-10
GJB 33/25-2021 Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas con efecto de campo de silicio CS0406-350
GJB 33/003-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única de menos de 5 W y de menos de 1 GHz para dispositivos semiconductores discretos

Defense Logistics Agency, Transistor de efecto de campo

DLA SMD-5962-89659-1990 MICROCIRCUITO, LINEAL, BUFFER FET, HÍBRIDO
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2608, JAN y UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2609, JAN y UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N2609, JAN Y UB
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N2608, JAN Y UB
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7507U3, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, silicio, tipo 2N7507U3, JANTX, JANTXV y JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N7505T3, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPO 2N7508U3, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, Transistor de efecto de campo, Canal P, Silicio, Tipo 2N7505T3, JANTX, JANTXV y JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N7508U3, JANTX, JANTXV y JANS
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 MICROCIRCUITOS LINEALES, AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, 600 VOLTIOS O 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7537, 2N7537A, JAN Y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, Transistor de efecto de campo, Plástico, Canal N, Silicio, Tipo 2N7537, 2N7537A, JAN y JANTX
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MICROCIRCUITO LINEAL AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N2497 A 2N2500, 2N3329 A 2N3332, JANTX
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N2497 A 2N2500, 2N3329 A 2N3332, JANTX
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N6966, 2N6967, 2N6968 Y 2N6969 JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPO 2N4416A Y 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6660 Y 2N6661, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPO 2N4416A Y 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, ALTA VELOCIDAD, ENTRADA FET, AMPLIFICADOR OPERACIONAL
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, PERSONALIZADO, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, 600 VOLTIOS O 500 VOLTIOS, CON PROTECCIÓN DE PUERTA
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADORES MOSFET DOBLES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo dual, canal N, tipos de silicio 2N5545, 2N5546 y 2N5547, JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DOBLE, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N5545, 2N5546 Y 2N5547, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal P, silicio, tipos 2N6804 y 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N6804 Y 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7002, 2N7002T2 Y 2N7002UB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N6804 Y 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 MICROCIRCUITO, LINEAL, ALTA VELOCIDAD, JFET, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL DIFERENCIAL, ENTRADA FET
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 MICROCIRCUITOS LINEALES, CONDUCTOR MOSFET, DOBLE POTENCIA
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, ALTA TENSIÓN, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7387 Y 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, cuádruple, transistores de efecto de campo, canal P, tipo silicio 2N7335 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal PC, silicio, varios tipos, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7292, 2N7294, 2N7296 Y 2N7298, JANTXVM, D, R, H Y JANSM, D Y R
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPO 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, RADIACIÓN DE CANAL P ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPOS 2N7506U8 Y 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL-LINEAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTROLADOR FET DE INTERRUPTOR COMPLEMENTARIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, CONTROLADOR MOSFET DE POTENCIA ÚNICA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/570 D-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, NIVEL LÓGICO DE SILICIO, TIPOS 2N6901 Y 2N6903, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 H-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/566 B VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, efecto de campo, canal N, silicio, nivel lógico, tipos 2N6902 y 2N6904 JAN, JANTX, JANTXV y JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 J-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/542 J (1)-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, ALTA TENSIÓN, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7387 Y 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/431 E-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N4091, 2N4092, 2N4093, 2N4091UB, 2N4092UB Y 2N4093UB, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 E-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N5114 A 2N5116 Y 2N5114UB A 2N5116UB, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7463T2, 2N7464T2, 2N7463U5 Y 2N7464U5 JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, plástico encapsulado, canal N, silicio, tipo 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/476 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N5114 A 2N5116 Y 2N5114UB A 2N5116UB, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, ALTA VELOCIDAD, PRECISIÓN, JFET, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 MICROCIRCUITO LINEAL, QUAD BIFET, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, JFET, MICROPODER, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, DUAL, JFET, ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, ENTRADA FET, AMPLIFICADOR DE BÚFER DE BUCLE CERRADO
DLA MIL-PRF-19500/563 F VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal P, tipos de silicio 2N6845, 2N6845U, 2N6847 y 2N6847U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRANSISTOR MATRIZ, CANAL N Y P, SILICIO VARIOS TIPOS JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424, 2N7425 Y 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424, 2N7425 Y 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPO 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR Y JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/753-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7580T1, 2N7582T1, 2N7584T1 Y 2N7586T1, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/755-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7588T3, 2N7590T3, 2N7592T3 Y 2N7594T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7523T1, 2N7523U2, 2N7524T1 Y 2N7524U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7580T1, 2N7582T1, 2N7584T1 Y 2N7586T1, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, VARIOS TIPOS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7624U3 Y 2N7625T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/570 E-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, NIVEL LÓGICO DE SILICIO, TIPOS 2N6901 Y 2N6903, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7465T3 Y 2N7466T3 Y SUFIJOS U3, JANTXVR Y JANSR
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 MICROCIRCUITO, LINEAL, QUAD, SPST JFET, INTERRUPTOR ANALÓGICO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 MICROCIRCUITO, LINEAL, ENTRADA JFET DE PRECISIÓN, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, JFET, MICROPOWER, DUAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/556 K-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6782, 2N6782U, 2N6784, 2N6784U, 2N6786 Y 2N6786U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 MICROCIRCUITO, LINEAL, JFET DE PRECISIÓN DOBLE, AMPLIFICADOR OPERACIONAL DE ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 MICROCIRCUITO, LINEAL, 8 CANALES, MULTIPLEXOR ANALÓGICO JFET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 MICROCIRCUITO LINEAL MULTIPLEXOR ANALÓGICO JFET DE 16 CANALES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 MICROCIRCUITO, LINEAL, QUAD, PRECISIÓN, ALTA VELOCIDAD, AMPLIFICADOR OPERACIONAL JFET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, JFET, MICROPOWER, QUAD, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7519U3, 2N7519U3C, 2N7519T3, 2N7520U3, 2N7520U3C Y 2N7520T3, JANTX VR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7503U8 Y 2N7503U8C, JANTXVR, F Y G Y JANSR, F Y G
DLA MIL-PRF-19500/746-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U3C, 2N7 593U3 Y 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/758-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7609U8 Y 2N7609U8C, JANTXVR, F Y G Y JANSR, F Y G
DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U3C, 2N7 593U3 Y 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424U, 2N7425U Y 2N7426U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SIMPLE, ALTO VOLTAJE, MOSFET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/375 H-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, MODO DE AGOTAMIENTO, SILICIO, TIPOS 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 Y 2N3823UB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/375 J-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, MODO DE AGOTAMIENTO, SILICIO, TIPOS 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 Y 2N3823UB, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/595 K-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, AVALANCHA REPETITIVA, EFECTO DE CAMPO, TRANSISTOR, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7236, 2N7237, 2N7236U Y 2N7237U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 G VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, tipos de silicio 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 y 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 H-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 Y 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANK c
DLA MIL-PRF-19500/557 J-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 Y 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANK c
DLA MIL-PRF-19500/557 K-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 Y 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANK c
DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR CUÁDRUPLE ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F, Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7503U8 Y 2N7503U8C, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7468U2 Y 2N7469U2 JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7470T1 Y 2N7471T1, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR DOBLE, CANAL N Y CANAL P, TIPOS DE SILICIO DE NIVEL LÓGICO 2N7632UD, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7470T1 Y 2N7471T1, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, silicio, tipos 2N7494U5, 2N7495U5 y 2N7496U5, JANTXVR, F, G y H, y JANSR, F, G y H
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 MICROCIRCUITO, LINEAL, MULTIPLEXOR ANALÓGICO JFET DIFERENCIAL DE 4 CANALES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, CANAL P ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, CANAL P ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/555 K-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N6788, 2N6788U, 2N6790, 2N6790U, 2N6792, 2N6792U, 2N6794 Y 2N6794U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7491T2, 2N7492T2 Y 2N7493T2, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7482T3, 2N7483T3 Y 2N7484T3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7482T3, 2N7483T3 Y 2N7484T3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7479U3, 2N7480U3 Y 2N7481U3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7491T2, 2N7492T2 Y 2N7493T2, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7494U5, 2N7495U5 Y 2N7496U5, JANTXVR, F, G Y H, Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7389, 2N7390, 2N7389U, 2N7389U5 Y 2N7390U, 2N7390U5, JANTXV, R, Y F Y JANS, R, Y F
DLA MIL-PRF-19500/663 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7431, 2N7432 Y 2N7433, JANTXVR, F, G Y H; Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/664 D-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7431U, 2N7432U Y 2N7433U, JANTXVR, F, G Y H; Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/663 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7431, 2N7432 Y 2N7433, JANTXVR, F, G Y H; Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, transistores, cuádruple, efecto de campo, canal NC, silicio, tipo 2N7334, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKCA2N7334 y JANHCA2N7334
DLA MIL-PRF-19500/615 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7382 Y 2N7383, JANTXV M, D, R Y F Y JANS M, D, R Y F
DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, TIPOS DE SILICIO 2N7521U, 2N7522U, 2N7525 Y 2N7526, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 MICROCIRCUITO, LINEAL, J-FET DE BAJA POTENCIA, AMPLIFICADOR OPERACIONAL SIMPLE/DUAL/QUAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/592 E VALID NOTICE 1-2009 Dispositivo semiconductor, avalancha repetitiva, transistor de efecto de campo, canal N, tipos de silicio 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U, 2N7227U y 2N7228U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7616UB, 2N7616UBC, 2N7616UBN, 2N7616UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7380 Y 2N7381, JANTXV, M, D, R, F, G, Y H Y JANS, M, D, R , F, G y H
DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7616UB, 2N7616UBC, 2N7616UBN, 2N7616UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, ENTRADA JFET, IMPULSOR DE ALTA SALIDA, BAJA POTENCIA, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/592 F-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, AVALANCHA REPETITIVA, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U, 2N7227U Y 2N7228U, JAN, JANTX, JANTXV , JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 K-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, AVALANCHA REPETITIVA DE SILICIO, TIPOS 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 Y 2N6770T1, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 M-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, AVALANCHA REPETITIVA DE SILICIO, TIPOS 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 Y 2N6770T1, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, AVALANCHA REPETITIVA DE SILICIO, TIPOS 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 Y 2N6770T1, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7291, 2N7293, 2N7295 Y 2N7297, JANTXVM, D, Y R, Y JANSM, D, Y R
DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO ENDURECIDO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/605 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7292, 2N7294, 2N7296 Y 2N7298, JANTXVM, D, R, H Y JANSM, D Y R
DLA MIL-PRF-19500/614 H-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7380 Y 2N7381, JANTXV, M, D, R, F, G, Y H Y JANS, M, D, R, F, G y H
DLA MIL-PRF-19500/603 H-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7268, 2N7269, 2N7270, 2N7394, 2N7268U, 2N7269U, 2N7270U y 2N7394U, JANTXVR, F , G, H; JANSR, F, G y H
DLA MIL-PRF-19500/603 J-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7268, 2N7269, 2N7270, 2N7394, 2N7268U, 2N7269U, 2N7270U y 2N7394U, JANTXVR, F , G, H; JANSR, F, G y H

IN-BIS, Transistor de efecto de campo

IS 4400 Pt.10-1983 MÉTODOS DE MEDIDAS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARTE 10 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
IS 3700 Pt.10-1982 CLASIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS ESENCIALES DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOROS PARTE Ⅹ TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Professional Standard - Electron, Transistor de efecto de campo

SJ 20231-1993 Reglamento de verificación del probador FET Yfs de doble puerta KDK
SJ 20184-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para transistores de efecto de campo de los tipos CS3821,3822,3823
SJ 20789-2000 Métodos de prueba de detección rápida para el parámetro termosensible del transistor de efecto de campo MOS
SJ 2748-1987 Especificación detallada en blanco para FET de microondas de bajo ruido y puerta única
SJ 20232-1993 Reglamento de verificación del probador FET Gp de doble puerta KDK
SJ 50033/42-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para FET de microondas GaAs tipo CSO467
SJ 50033/78-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de microondas GaAs tipo CS0464
SJ/T 11824-2022 Método de prueba de tasa de cambio de voltaje y capacitancia equivalente del transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
SJ 1974-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de baja frecuencia, tipo CS1
SJ 1975-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de baja frecuencia, tipo CS2
SJ 1976-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de baja frecuencia, tipo CS3
SJ 1977-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS4
SJ 1978-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS5
SJ 1979-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS6
SJ 1980-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS7
SJ 1981-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS8
SJ 1982-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de alta frecuencia, tipo CS9
SJ 50033/79-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0536
SJ 50033/120-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS205
SJ 20061-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio del tipo CS146
SJ 50033.51-1994 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de doble puerta de microondas GaAs tipo CS0558
SJ 50033.52-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0529.
SJ 50033.54-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0532
SJ 50033/119-1997 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS204
SJ 50033/81-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0524
SJ 50033/121-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para transistores de efecto de campo en modo de unión de canal N de silicio tipo CS3458 ～ CS3460
SJ 50033/80-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el FET de potencia de microondas GaAs tipo CS0513
SJ 50033/122-1997 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para transistores de efecto de campo en modo de unión de canal N de silicio tipo CS3684 ～ CS3687
SJ 50033/38-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para los tipos CS4856 ～ CS4861 transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal N de silicio
SJ 50033.53-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de potencia de microondas GaAs tipo CS0530 y CS0531
SJ 50033/84-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción MOS de canal N de silicio tipo CS140
SJ 50033/86-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal P de silicio tipo CS5114 ～ CS5116
SJ 50033/83-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora MOS de canal P de silicio tipo CS139
SJ 50033/87-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción de canal N de silicio tipo CS4091 ～ CS4093
SJ 50033/85-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de reducción MOS de canal N de silicio tipo CS141
SJ 50033/106-1996 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de bajo ruido de microondas GaAs tipo CS203.
SJ 1990-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS20
SJ 1991-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS21
SJ 1992-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS22
SJ 1989-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS19
SJ 50033/89-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS 6768 y CS 6770
SJ 50033/88-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS6760 y CS6762
SJ 1986-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS13
SJ 1988-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS15
SJ 1984-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS11
SJ 1987-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS14
SJ 1983-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS10
SJ 1985-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de bajo ruido y baja frecuencia, tipo CS12
SJ 20011-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de las clases CS1 GP, GT y GCT
SJ 20012-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS4. Clases GP, GT y GCT
SJ 20013-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS10. Clases GP, GT y GCT
SJ/T 11059-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo tipo unión de canal N de puerta única CS4220A (aplicable para certificación)
SJ 1994-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS24
SJ 2002-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS32
SJ 2003-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS33
SJ 2001-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS31
SJ 1995-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS25
SJ 1997-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS27
SJ 1998-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS28
SJ 2000-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS30
SJ 2004-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS34
SJ 1993-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS23
SJ 1996-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS26
SJ 1999-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS29
SJ/T 11057-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS142 (aplicable para certificación)
SJ/T 11055-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS119 (aplicable para certificación)
SJ/T 11056-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS1191 (aplicable para certificación)
SJ/T 10956-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS122 (aplicable para certificación)
SJ/T 10957-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS103 (aplicable para certificación)
SJ/T 11058-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de puerta aislada dual de silicio de alta frecuencia 4CS1421 (aplicable para certificación)
SJ/T 10834-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: transistores de efecto de campo de unión de puerta única CS111, CS112, CS113, CS114, CS115 y CS116 (aplicable para certificación)
SJ 2099-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS42
SJ 2103-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS46
SJ 2104-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS47
SJ 2092-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS35
SJ 2093-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS36
SJ 2094-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS37
SJ 2095-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS38
SJ 2096-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS39
SJ 2097-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS40
SJ 2105-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS48
SJ 2106-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS49
SJ 2107-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS50
SJ 2108-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS51
SJ 2100-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS43
SJ 2102-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS45
SJ 2098-1982 Especificación detallada para transistores de conmutación de baja potencia de efecto de campo de unión de canal N, tipo CS41
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National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Transistor de efecto de campo

JJG(电子) 04049-1995 Regulaciones de verificación del probador CX del transistor de efecto de campo de puerta doble de Guoyang
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QC 750114-1995 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 8: Transistores de efecto de campo - Sección 3: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación (IEC 747-8-3 ED 1)
QC 750112-1987 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única @ hasta 5 W y 1 GHz (IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750114-1996 Sistema armonizado de evaluación de calidad para componentes electrónicos Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos Transistores de efecto de campo - Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo con clasificación de caja para aplicaciones de conmutación (IEC 747-8-3:1995)
QC 750115-2000 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas - Transistores de efecto de campo de microondas - Especificación detallada en blanco (IEC 60747-4-1:2000)

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T/CASAS 007-2020 Especificación de prueba para módulos de transistores de efecto de campo (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) de vehículos eléctricos
T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
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SJ/T 9014.8.2-2018 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8-2: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de superunión

PH-BPS, Transistor de efecto de campo

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