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场效应晶体管 逻辑电路

本专题涉及场效应晶体管 逻辑电路的标准有263条。

国际标准分类中，场效应晶体管 逻辑电路涉及到半导体分立器件、集成电路、微电子学、电学、磁学、电和磁的测量、音频、视频和视听工程、光纤通信、电子设备用机械构件、阀门、无线通信、电子元器件综合。

在中国标准分类中，场效应晶体管 逻辑电路涉及到半导体分立器件综合、半导体集成电路、电子测量与仪器综合、半导体二极管、半导体三极管、场效应器件、光通信设备、阀门、广播、电视发送与接收设备、、基础标准与通用方法。

美国国防后勤局，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
• DLA SMD-5962-86710 REV B-2006 硅单块 逻辑运算器肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,高级数字微型电路
• DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87508 REV E-2006 硅单块 发射极耦合逻辑到晶体管-晶体管逻辑电路的翻译,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 硅单块 六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 硅单块 六进制晶体管晶体管逻辑电路到发射极耦合逻辑的翻译器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92075 REV B-2006 硅单块 68030/40发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路钟驱动器,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/566 B VALID NOTICE 2-2011 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅、逻辑电平、2N6902 和 2N6904 型 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-86881 REV B-2006 硅单块 算术逻辑部件低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路 数字主储存器微型电路
• DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 硅单块 多路复用器晶体管-晶体管逻辑电路双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86708 REV A-2007 硅单块高速注册,肖特基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/570 D-2009 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅逻辑级、类型 2N6901 和 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-92066 REV A-2004 硅单块 带自动记录器的双向翻译器,八进制发射极耦合逻辑或晶体管-晶体管逻辑电路,发射极耦合逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86075 REV C-2007 硅单块 移动装置,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/570 E-2010 半导体器件、晶体管、场效应、N 沟道、硅逻辑级、类型 2N6901 和 2N6903、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC 和 JANKC
• DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 硅单块 双单稳多谐振荡器,晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86069-1986 硅单块 量值比较器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 硅单块 非与缓冲器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90798-1992 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双奇数发生器或校验器
• DLA MIL-PRF-19500/752-2010 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、2N7608T2 型、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
• DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 硅单块 缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 微电路.电片硅数字双极晶体管-晶体管逻辑(TTL)同步4位加/减计数器
• DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 硅单块 或门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86842 REV E-2006 硅单块 和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路
• DLA SMD-5962-97593 REV B-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,六路反向器,单块硅
• DLA MIL-PRF-19500/744-2008 半导体器件、场效应晶体管、N 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7616UB、2N7616UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/745-2008 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7626UB、2N7626UBC、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
• DLA DSCC-DWG-85019 REV E-2008 3比特的可编程活动延迟线,与16 PIN 及3比特的晶体管.晶体管逻辑电路兼容,并与发射器逻辑耦合
• DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-91738 REV A-2005 硅单块 八进制D型改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 硅单块 译码器双极飞机(自动)着陆系统晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86070 REV C-2006 硅单块 8比特同一校验器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 硅单块 非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86843 REV C-2006 硅单块 逆变器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 硅单块 非是门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 硅单块 译码器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 硅单块 多路复用器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 硅单块 多路复用器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 半导体器件、场效应晶体管、P 沟道、抗辐射（总剂量和单事件效应）、逻辑级硅、类型 2N7624U3 和 2N7625T3、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 JANSF
• DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门
• DLA SMD-5962-92046 REV A-2004 硅单块 稳压器振动器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86719 REV A-2007 硅单块 D型自动记录机器低功率肖特基晶体管-晶体管逻辑电路数字微型电路
• DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 硅单块 无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 硅单块 和门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 硅单块 无门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86876 REV B-2007 硅单块 升值或降值计数器,低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,10位计算器,单块硅
• DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 硅单块 总线接收器高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块 三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87517 REV B-2001 硅单块 二进制计数器低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87533 REV B-2001 硅单块 万能多路复用器,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 硅单块 非与门高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 硅单块 计数器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路或门,双极数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 1-2008 单硅片数字微电路,为低功率肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带多个单稳态振动器
• DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,三路三输入正与门,单块硅
• DLA SMD-5962-97588 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,四路2输入正或门,单块硅
• DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,8 位等值比较器,单块硅
• DLA SMD-5962-97584 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4输入正与非门,单块硅
• DLA SMD-5962-91586 REV B-2006 硅单块 10-4线优先编码器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 硅单块 带三态输出总线接收器晶体管-晶体管逻辑电路,高级肖脱基,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86717 REV D-2002 硅单块 8比特转换自动记录机器晶体管-晶体管逻辑电路低功率肖特基数字微型电路
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 硅单块 带锁和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 半导体器件，场效应辐射硬化（总剂量和单事件效应）双晶体管，N 沟道和 P 沟道，逻辑级硅类型 2N7632UD，JANTXVR，F 和 JANSR，F
• DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
• DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 微电路，混合，定制，场效应晶体管，500 伏，带栅极保护
• DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 硅单块 四列二输入是非驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,1选8译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 硅单块 移位寄存器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 硅单块 自动记录器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/326 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅多路分配器型小功率肖特基晶体管逻辑数字式微电路
• DLA SMD-5962-92090 REV A-2004 硅单块 10比特缓冲器或行驱动线,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-07242-2008 双通道线性数字单硅片微电路,带总线收发器,采用晶体管.晶体管逻辑输入/输出
• DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 硅单块 二进制计数器,互补金属氧化物半导体,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
• DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-90800 REV A-2004 硅单块 8比特逐步渐近自动记录器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路双极数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅高压集电极开路输出型配备缓冲器/驱动器的低功率晶体管晶体管逻辑数字式微电路
• DLA SMD-5962-91661-1993 硅单块 四倍三向总线接收器,小功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-97583 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路1/4数据选择器/多用选择器,单块硅
• DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路透明D型锁存器,单块硅
• DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 微型电路,数字型,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带三态输出的八路边沿触发D型触发器,单块硅
• DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-86870-1987 硅单块 8比特直线外序列移位寄存器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 硅单块 四倍2输入正面非与缓冲器高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 硅单块 方形2输入和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91597-1993 硅单块 三倍双向闩锁总线接收器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 1-2008 单片硅计数器型小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
• DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速场效应晶体管输入运算放大器,线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 微电路、混合、定制、场效应晶体管，600 伏或 500 伏，带栅极保护
• DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双8选1译码器或多路分解器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-97585 REV A-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态反向输出,单块硅
• DLA SMD-5962-97586 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,八路缓冲器W/低启动带三态非反向输出,单块硅
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的3到8阵列译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入方形2输入非与门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 硅单块 方形双输入或带晶体管-晶体管逻辑电路数字输入门的高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制易识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制施米特触发器高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2门自动记录器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双十进制波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-86834 REV B-2006 硅单块 带三态输出的方形非倒转总线接收器,高级低功率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-97582 REV B-2006 微型电路,数字型,双极,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,3线到8线解码器/多用复解码器,单块硅
• DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
• DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 半导体器件，场效应晶体管，N 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7616UB、2N7616UBC、2N7616UBN、2N7616UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
• DLA MIL-PRF-19500/745 B-2010 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
• DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
• DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 半导体器件，场效应晶体管，P 沟道，抗辐射（总剂量和单事件效应），逻辑级硅，类型 2N7626UB、2N7626UBC、2N7626UBN、2N7626UBCN、JANTXVR、JANTXVF、JANSR 和 J美国国家科学基金会
• DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 闭合环路缓冲放大器,输入场效应晶体管,直线式混合微型电路
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 输入场效应晶体管,差异操作放大器,直线式混合微型电路
• DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双4选1译码器或多路分解器,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91732-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,3到8线译码器或光学多路分解器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,四列2输入非倒转多路复用器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
• DLA SMD-5962-97632 REV A-2007 微型电路,数字型,改进低功率肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路4线到1线数据选择器/多用复选择器,单块硅
• DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器 高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅单块 八进制D型边沿触发的触发器,晶体管-晶体管逻辑电路兼容,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-86874 REV C-2006 硅单块 八进制缓冲器W/高或低激活的三态非倒转输出,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
• DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,16沟道直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制透明止动销,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅单块 带晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入和三态输出的八进制接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线驱动器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的八进制接收器,高级双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的缓冲器或钟驱动器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制总线接收器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 硅单块 带有源低允许三态非倒转输出的八进制缓冲器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 硅单块 带输入自动记录器8比特二进制计数器,低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极微型电路
• DLA SMD-5962-90710-1992 硅单块 带三态输出10比特总线界面D型门闩线路,高级低功率肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块 操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
• DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块 高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 硅单块 可锁的晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-98627 REV A-2007 微型电路,线型,双极改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,带清零信号和预置信号的双路正边沿触发D型触发器,单块硅
• DLA SMD-5962-97592 REV A-2007 微型电路,数字型,双极,带清零信号和预置信号的改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双路正边沿触发D型触发器,单块硅
• DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 1-2008 单稳态单硅双极微电路,为低功率肖肯特晶体管逻辑,带层叠移位储存器
• DLA SMD-5962-04228-2004 硅单片互补晶体管-晶体管逻辑电路,装有预先装置及脉冲计时器,双向二进制计算器的高级氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-91725-1994 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输出,带八进制D型止动栓的扫描测试装置,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型总线接收器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,双2比特双稳定易被识破的止动销,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制总线接收器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
• DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅单块 操作扩大器,精密结型场效应晶体管输入,直线型微型电路
• DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块 操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
• DLA SMD-5962-91716-1994 硅单块 带匹配横向传播延误的四倍D型缓冲器,钟驱动器,改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,4沟道差异直线型微型电路
• DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制记名的无线电收发机,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88625 REV C-2008 高级双极数字单硅片微电路,采用四倍ALS肖肯特晶体管-晶体管逻辑,带1到2个数据选择器/多任务器
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带主重设置八进制D型双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带设置和重设置的双J-K双稳态多谐振荡器触发电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
• DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块 高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
• DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
• DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转行驱动线或缓冲器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的非倒转八进制透明闩锁,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,明确八进制D型双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91724-1993 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容,带三态输出的双互补金属氧化物半导体的八进制总线接收器和自动记录器,数字微型电路
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的16比特D型边缘触发缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制D型易被识破的止动销,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带反相八进制缓冲器及三态输出的线路驱动器
• DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的双1选4数据收集器和多路调制器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90780 REV B-2004 硅单块 带非倒转和倒转输入的10比特总线界面触发器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的九比特D缓冲器,正极边缘触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出的倒转八进制行驱动线或缓冲器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,非同步重设置,四比特可重设置二进制计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输出八进制双稳态多谐振荡器触发器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入非倒转六进制缓冲器或行驱动线,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带非倒转三态输入八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90695-1991 硅单块 带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,三态输出,带同步重设置的八比特诊断式自动记录器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,可预设置的同步4比特二进制升值或降值计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带开放式控制器输出的八进制缓冲器和行驱动线,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带预设置和清除的双D型双稳态多谐振荡器触发器,高级互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 硅单块 带三态输出和终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的八进制D型止动销 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅可串接式双稳态多谐振荡器型小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-87628 REV D-2006 硅单块 带三态输出和晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入的八进制不可倒转的D型双稳态多谐振荡器触发电路,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的六总线驱动器的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
• DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的四总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
• DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的八总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
• DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 半导体器件、晶体管、高电压、场效应、N 沟道、硅、类型 2N7387 和 2N7387U1、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
• DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 数字单硅片微电路,由双极互补金属氧化物半导体结构组成,带八进制总线收发器及三台输出寄存器,与晶体管-晶体管逻辑兼容
• DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
• DLA SMD-5962-86853 REV A-2003 硅单块 带预设置D型双稳态多谐振荡器触发器和带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路闭回路鉴定与报告兼容输入的,高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
• DLA SMD-5962-86855 REV A-2003 硅单块 8比特带终端开关晶体管-晶体管逻辑电路和闭回路鉴定与报告兼容输入的并行输入串行输出移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的18比特总线收发器,采用晶体管-晶体管逻辑兼容输入
• DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块 操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路

日本工业标准调查会，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• JIS C 7311:1980 有可靠性保证的晶体管-晶体管逻辑电路、"与非"门、集成电路

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• JEDEC JES2-1992 电晶体,砷化镓场效应晶体管,总规范

美国材料与试验协会，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• ASTM F676-97 测量不饱和的晶体管逻辑电路吸收电流的方法
• ASTM F676-97(2003) 测量不饱和的晶体管逻辑电路吸收电流的试验方法
• ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
• ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

英国标准学会，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• BS IEC 60747-8:2001 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
• BS QC 750114:1996 电子元件质量评估协调制度 半导体器件 离散设备 场效应晶体管 用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范
• BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管

PL-PKN，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• PN T01505 ArkusZ12-1974 场效应晶体管．测量方法．短路输入电导公用源
• PN T01505 ArkusZ06-1974 场效应晶体管栅电流测量方法 Icdo
• PN T01505 ArkusZ14-1974 场效应．晶体管测量方法，短路逆向转移电导公用源
• PN T01505-17-1987 场效应晶体管测量方法．公同源C22SS中短路输出电容
• PN T01505 ArkusZ11-1974 场效应晶体管．测量方法．漏源事故电压
• PN T01505-16-1987 场效应晶体管．测量方法，公用源CnM中的短路输入电容
• PN T01505 ArkusZ01-1974 场效应．晶体管．测量方法．闸源切断．电压值
• PN T01505 ArkusZ10-1974 场效应晶体管栅源击穿电压的测定U（8R） GSS
• PN T01505 ArkusZ09-1974 场效应晶体管．测量方法．漏源击穿电压U（BR） DSS
• PN T01505-18-1987 场效应晶体管．测量方法．带输入短路Cl2j．s的公用源反向转移电容
• PN T01505 ArkusZ02-1974 场效应晶体管．测量方法．闸源临界电压．闸源临界电压
• PN T01505-19-1987 场效应晶体管．测量方法．噪声系数F和等效输入噪声电压U
• PN T01505-13-1987 场效应晶体管．测量方法．在共源极高斯中的短路输出导纳 yy22s和短路输出电导
• PN T01505-03-1987 场效应晶体管漏电流测量方法 在某一指定的栅源电压 Idsx 和漏电流下．栅源短路
• PN T01505-04-1987 栅截止电流和栅泄漏电流惯性制导系统的场效应晶体管测量方法

CZ-CSN，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• CSN 35 8803-1983 场效应晶体管．电气参数．测量方法

欧洲电工电子元器件标准，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• CECC 90 102 ISSUE 2-1989 系列标准:晶体管-晶体管逻辑电路肖脱基数字集成电路系列54S, 64S, 74S, 84S (En, Fr) 超微半导体 1 (En, Fr)

RU-GOST R，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• GOST 20398.6-1974 场效应晶体管.闸门漏电流测量方法
• GOST 20398.11-1980 场效应晶体管.噪声电动势测量方法
• GOST 20398.0-1983 场效应晶体管.电参数测量的一般要求
• GOST 20398.8-1974 场效应晶体管.漏极起始电流测量方法
• GOST 20398.13-1980 场效应晶体管.漏极－源极电阻测量方法
• GOST 20398.12-1980 场效应晶体管.漏极剩余电流的测量方法
• GOST 20398.7-1974 场效应晶体管.门限电压和截止电压测量方法
• GOST 20398.5-1974 场效应晶体管.输入电容、越渡电容和输出电容测量方法
• GOST 20398.10-1980 场效应晶体管.在脉冲状态下的漏极电流测量方法

RO-ASRO，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• STAS 7128/8-1986 半导体设备和集成电路的字母符号．场效应晶体管符号
• STAS 12389-1985 场效应晶体管．限值和基础电器参数命名
• STAS 12124/3-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法
• STAS 12124/4-1983 半导体设备．场效应晶体管，测量电气的静态参数的方法

法国标准化协会，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• NF C96-008:1985 半导体器件.分立器件和集成电路.第8部分:场效应晶体管
• NF C86-712:1981 电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.单栅极场效应晶体管

行业标准-电子，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
• SJ/T 11059-1996 电子元器件详细规范 CS4220A型单栅N沟结型场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 11057-1996 电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 11055-1996 电子元器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 11056-1996 电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 10956-1996 电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 10957-1996 电子元器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）
• SJ/T 11058-1996 电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）

中国团体标准，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
• T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• QC 750114-1996 电子元件质量评估协调系统 半导体器件 分立器件场效应晶体管 用于开关应用的外壳额定场效应晶体管的空白详细规范（IEC 747-8-3:1995）

未注明发布机构，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• BS EN 150012:1993(2000) 电子元件质量评估协调制度规范 空白详细规范 单栅场效应晶体管

国际电工委员会，关于场效应晶体管 逻辑电路的标准

• IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)

本站其他标准专题： 场效应晶体管 逻辑电路，逻辑电路，发射极耦合逻辑电路，场效应晶体管，晶体管-晶体管逻辑电路，电容 场效应晶体管，场效应晶体管, 详细，功率场效应晶体管，现场效应晶体管，型场效应晶体管, 详细，通道场效应晶体管，单栅场效应晶体管，场效应晶体管 空白详细，ph场效应晶体管电极，结型场效应晶体管，氧化铪场效应晶体管，超级结型场效应晶体管，东方氧化铪场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管。

 

可能用到的仪器设备