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Fotodiodo monolítico

Fotodiodo monolítico, Total: 315 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Fotodiodo monolítico son: Materiales semiconductores, Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Lámparas y equipos relacionados., Óptica y medidas ópticas., Comunicaciones de fibra óptica., Circuitos impresos y placas., Difusión de radio y televisión, Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Circuitos integrados. Microelectrónica, ingeniería de energía nuclear, ingeniería de energía solar, Pequeña embarcación, Dispositivos de visualización electrónica., tubos electronicos, Odontología, Pruebas eléctricas y electrónicas., Pruebas ambientales.


Professional Standard - Electron, Fotodiodo monolítico

  • SJ/T 11470-2014 Obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11471-2014 Métodos de medición para obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11396-2009 Los sustratos de zafiro para diodos emisores de luz a base de nitruro.
  • SJ/T 2216-2015 Especificación técnica para fotodiodo de silicio.
  • SJ/T 11869-2022 Especificaciones detalladas para chips de diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
  • SJ/T 11868-2022 Especificaciones detalladas para chips de diodos emisores de luz de potencia azul con sustrato de silicio
  • SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • SJ/T 11867-2022 Especificaciones detalladas para chips de diodos emisores de luz de baja potencia con luz azul y sustrato de silicio
  • SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
  • SJ/T 2354-2015 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
  • SJ/T 2354-2015/0352 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
  • SJ 2354.1-1983 Procedimientos generales de medición de parámetros eléctricos y ópticos de fotodiodos PIN y de avalancha.
  • SJ 2354.5-1983 Método de medición de capacitancia de fotodiodos PIN y de avalancha.
  • SJ 50033/102-1995 Especificación detallada del fotodiodo PIN InGaAs/InP para el tipo GD 218
  • SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
  • SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
  • SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
  • SJ 2354.3-1983 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos PIN y de avalancha.
  • SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
  • SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
  • SJ 2354.10-1983 Método de medición del factor de luz cruzada de PIN y matriz de fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2354.6-1983 Método de medición de la capacidad de respuesta de PIN y fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2354.13-1983 Método de medición del factor de multiplicación de PIN y fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
  • SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
  • SJ 2354.4-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de PIN y fotodiodos de avalancha
  • SJ 2354.2-1983 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos PIN y de avalancha
  • SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
  • SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
  • SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
  • SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
  • SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
  • SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
  • SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
  • SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
  • SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
  • SJ 2354.14-1983 Método de medición del factor de exceso de ruido de PIN y fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
  • SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
  • SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
  • SJ 2354.11-1983 Método de medición del ancho de la zona ciega del PIN y de la matriz de fotodiodos de avalancha
  • SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
  • SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
  • SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
  • SJ 2354.9-1983 Método de medición de la potencia equivalente de ruido de fotodiodos PIN y de avalancha
  • SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
  • SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
  • SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
  • SJ 2354.7-1983 Método de medición de la curva de respuesta espectral y el rango de respuesta espectral de fotodiodos PIN y de avalancha
  • SJ 2354.12-1983 Método de medición del factor de temperatura del voltaje de ruptura inverso de PIN y fotodiodos de avalancha
  • SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
  • SJ 2354.8-1983 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos PIN y de avalancha
  • SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
  • SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
  • SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
  • SJ 2658.4-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de capacitancia
  • SJ/T 10947-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos emisores de luz verde semiconductores FG341052 y FG343053
  • SJ 2658.3-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de tensión invertida
  • SJ/T 2658.16-2016 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 16: Eficiencia de conversión fotoeléctrica.
  • SJ/T 10948-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos emisores de luz roja semiconductores FG313052, FG314053, FG313054 y FG314055
  • SJ 2658.5-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de resistencia en serie directa

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Fotodiodo monolítico

  • CNS 13808-1997 Obleas epitaxiales para diodos emisores de luz
  • CNS 13806-1997 Método de medición de la longitud de onda de emisión y la intensidad luminosa de obleas epitaxiales de diodos emisores de luz
  • CNS 13780-1996 Métodos de prueba de resistencia para diodos emisores de infrarrojos (para automatización): prueba de voltaje de aplicación continua
  • CNS 13090-1992 Método de prueba de resistencia para lámparas grandes de diodos emisores de luz (para exhibición en exteriores): prueba de aplicación continua de corriente
  • CNS 6121-1988 Métodos de prueba ambiental y métodos de prueba de resistencia para dispositivos semiconductores discretos (prueba de voltaje de aplicación continua de diodos rectificadores)

Group Standards of the People's Republic of China, Fotodiodo monolítico

  • T/COEMA 004LCD-2022 Película polarizadora para pantalla de TV con diodos emisores de luz orgánicos.
  • T/ZZB 2332-2021 Sustrato de zafiro pulido para LED
  • T/COEMA 003LCD-2022 Película polarizadora para pantallas de diodos emisores de luz orgánicos de tamaño medio-pequeño
  • T/QGCML 030-2020 Estándares eléctricos convencionales para láminas de difusión de diodos
  • T/CVIA 11-2016 Métodos de medición de TV con diodos orgánicos emisores de luz (OLED)
  • T/CVIA 59-2016 Métodos de medición de TV con diodos orgánicos emisores de luz (OLED)
  • T/CVIA 10-2016 Requisitos técnicos generales para televisores con diodos emisores de luz orgánicos (OLED)
  • T/CVIA 58-2016 Requisitos técnicos generales para televisores con diodos emisores de luz orgánicos (OLED)
  • T/CSA 048-2019 Medición de características eléctricas y fotométricas para LED de iluminación general bajo diferentes corrientes/temperaturas

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Fotodiodo monolítico

Professional Standard - Military and Civilian Products, Fotodiodo monolítico

  • WJ 2100-2004 Método de prueba para fotodiodos de silicio y fotodiodos de avalancha de silicio.
  • WJ 2265-1995 Especificaciones para fotodiodos de avalancha de silicio preamplificados
  • WJ 2506-1998 Reglamento de verificación para el probador dinámico de fotodiodos

Defense Logistics Agency, Fotodiodo monolítico

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Fotodiodo monolítico

  • GB/T 36613-2018 Método de prueba de sonda para chips de diodos emisores de luz
  • GB/T 36358-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia.

ES-UNE, Fotodiodo monolítico

  • UNE-EN 120005:1992 BDS: FOTODIODOS, Matrices de fotodiodos (NO DESTINADOS A APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA). (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
  • UNE-EN 120001:1992 BDS: DIODOS EMISORES DE LUZ, MATRICES DE DIODOS EMISORES DE LUZ, DISPLAYS DE DIODOS EMISORES DE LUZ SIN LÓGICA INTERNA Y RESISTENCIA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
  • UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-FOTODIODOS PARA APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

German Institute for Standardization, Fotodiodo monolítico

  • DIN EN 120005:1996 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
  • DIN EN 120005:1996-11 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
  • DIN EN 120001:1993-06 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia; Versión alemana EN 120001:1992
  • DIN IEC 62088:2002-09 Instrumentación nuclear. Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba (IEC 62088:2001).
  • DIN EN 62341-6-1:2011-07 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos (IEC 62341-6-1:2009); Versión alemana EN 62341-6-1:2011
  • DIN EN 62384:2007 Equipo de control electrónico suministrado en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento (IEC 62384:2006); Versión alemana EN 62384:2006
  • DIN IEC 62088:2002 Instrumentación nuclear. Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba (IEC 62088:2001).
  • DIN EN 62384:2010 Equipo de control electrónico suministrado en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento (IEC 62384:2006 + A1:2009); Versión alemana EN 62384:2006 + A1:2009
  • DIN EN 61347-2-13:2007 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED (IEC 61347-2-13:2006); Versión alemana EN 61347-2-13:2006

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Fotodiodo monolítico

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Fotodiodo monolítico

  • JEDEC JESD51-50-2012 Descripción general de las metodologías para la medición térmica de diodos emisores de luz (LED) de un solo chip y de varios chips, de una sola y de múltiples uniones PN

British Standards Institution (BSI), Fotodiodo monolítico

  • 24/30490678 DC BS IEC 60747-5-18 Dispositivos semiconductores - Parte 5-18: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba diodos emisores de luz de la macro fotoluminiscencia para obleas epitaxiales de microdiodos emisores de luz
  • BS IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
  • BS IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.
  • BS IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
  • BS EN 120005:1986 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco - Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • BS EN 120001:1993 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • BS EN 120001:1991 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificaciones detalladas en blanco - Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • 18/30367363 DC BSIEC 60747-5-8. Dispositivos semiconductores. Parte 5-8. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
  • BS EN 120005:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • BS PD IEC/TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos. Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11. Dispositivos semiconductores. Parte 5-11. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.
  • BS EN ISO 19009:2015 Pequeña embarcación. Luces de navegación eléctricas. Rendimiento de las luces LED
  • PD IEC/TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos. Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
  • BS EN 120002:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • BS EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias LED.
  • BS IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
  • BS EN 120008:1995(2000) Especificación para el sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz y diodos emisores de infrarrojos para sistemas o subsistemas de fibra óptica.
  • 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6. Dispositivos semiconductores. Parte 5-6. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos
  • BS EN 62384:2006 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
  • PD IEC TS 63109:2022 Módulos y células fotovoltaicas (PV). Medición del factor de idealidad del diodo mediante análisis cuantitativo de imágenes de electroluminiscencia.
  • BS IEC 60747-5-9:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura.
  • BS EN 61347-2-13:2006
  • BS EN 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámparas. Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados en CC o CA para módulos LED
  • BS EN 62384:2006+A1:2009 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
  • BS EN 120006:1993(1999) Especificación para el sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Pin - fotodiodos para aplicaciones de fibra óptica.
  • 14/30313209 DC BS EN 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • 23/30475452 DC BS EN IEC 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED): Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • 20/30430108 DC BS EN IEC 62341-6-1. Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16. Dispositivos semiconductores - Parte 5-16. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de fotocorriente.
  • 20/30422995 DC BS EN IEC 60747-5-15. Dispositivos semiconductores. Parte 5-15. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia.
  • BS IEC 60747-5-10:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en el punto de referencia de temperatura ambiente.
  • BS EN 62560:2012 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para voltaje 50 V. Especificaciones de seguridad
  • BS EN 62341-6-2:2012 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Métodos de medición de la calidad visual y el rendimiento ambiental.
  • BS EN IEC 62149-12:2023 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño: dispositivo de diodo láser de retroalimentación distribuida para sistemas de radio analógicos sobre fibra
  • 18/30367367 DC BSIEC 60747-5-62. Dispositivos semiconductores. Parte 5-9. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura.
  • BS EN 150015:1993(2000) Especificación para el sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos supresores de sobretensión transitoria unidireccional.

Association Francaise de Normalisation, Fotodiodo monolítico

  • NF EN 120005:1992 Especificación de marco especial: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica}
  • NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • NF EN 120001:1992 Especificación marco particular: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin resistencia ni circuitos lógicos internos
  • NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • NF C96-551/A2:1981 Optoelectrónicos Diodos emisores de luz Optoacopladores Hojas de artículos relevantes
  • NF C96-551/A3:1981 Optoelectrónicos Diodos emisores de luz Optoacopladores Hojas de artículos relevantes
  • NF C86-502:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de infrarrojos, matrices de diodos emisores de infrarrojos.
  • NF C93-872:1987 Receptores digitales con fotodiodo pin.
  • NF C86-501:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz.
  • NF C86-505:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fotodiodos. Matrices de fotodiodos. Especificación de detalle en blanco CECC 20 005.
  • NF EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • NF C96-565-2*NF EN 62595-2:2013 Unidad de retroiluminación LCD - Parte 2: métodos de medición electroóptica de la unidad de retroiluminación LED
  • NF C71-305*NF EN 62384:2006 Equipos de control electrónicos suministrados en CC o CA para módulos LED - Requisitos de rendimiento.
  • NF C96-541-6-1*NF EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • NF EN IEC 63286:2022 Paneles flexibles de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) para iluminación general: requisitos de rendimiento
  • NF C71-251*NF EN 62560:2013 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
  • NF C71-247-13:2006 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC para módulos LED con suministro de CA.
  • NF C71-247-13*NF EN 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED

SE-SIS, Fotodiodo monolítico

  • SIS SS CECC 20005-1988 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • SIS SS-CECC 20001-1991 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • SIS SS CECC 20006-1988 Especificación detallada en blanco: fotodiodos PIN para aplicaciones de fibra óptica

Lithuanian Standards Office , Fotodiodo monolítico

  • LST EN 120005-2001 Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • LST EN 120001-2001 Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • LST EN 62341-6-1-2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos (IEC 62341-6-1:2009)

SCC, Fotodiodo monolítico

  • DANSK DS/EN 120005:2016 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • DANSK DS/EN 120001:2016 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • CSA C865.1-2023 Pilotes de diodos electroluminiscentes — métodos de medición
  • CSA C22.2 No.250.13-2020 Dispositivos de diodos emisores de luz (LED) para aplicaciones de iluminación.
  • DANSK DS/IEC TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos: prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
  • ANSI C78.51-2016(R2022) Norma nacional estadounidense para lámparas eléctricas - Lámparas LED (diodo emisor de luz) - Método de designación
  • DIN EN 60747-5-7 E:2011 Borrador de documento - Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores (IEC 47E/420/CD:2011)
  • CEI EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • DANSK DS/EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • DIN IEC /TS 62916 E:2016 Borrador de documento - Pruebas de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación para módulos fotovoltaicos (IEC 82/932/CD:2015)
  • ANSI C78.53-2019(R2023) Estándar nacional estadounidense para lámparas eléctricas: especificaciones de rendimiento para lámparas LED (diodo emisor de luz) de reemplazo directo
  • UNE-EN ISO 10650-2:2008 Odontología. Activadores motorizados de polimerización. Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED) (ISO 10650-2:2007).
  • ANSI C78.374-2015(R2021) Estándar nacional estadounidense para lámparas eléctricas: hoja de especificaciones del paquete de diodos emisores de luz para aplicaciones de iluminación general
  • DIN EN 60747-5-6 E:2011 Borrador de documento - Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz (IEC 47E/418/CD:2011)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Fotodiodo monolítico

  • KS C 6990-2001 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6905-2001 Reglas generales de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6991-2001 Métodos de prueba de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6906-2001 Métodos de prueba de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6990-2013 REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 6991-2013 MÉTODOS DE PRUEBA DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 6990-2001(2011) REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 6991-2001(2011) MÉTODOS DE PRUEBA DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS P ISO 10650-2-2009(2014) Odontología－Activadores de polimerización motorizados－Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED)
  • KS C IEC 62341-6-1:2020 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • KS C IEC 62384:2011 Equipo de control electrónico suministrado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
  • KS C IEC 62341-6:2007 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) －Parte 6: Métodos de medición
  • KS C IEC 61347-2-13:2011 Equipo de control de lámpara－Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Fotodiodo monolítico

  • JIS C 5990:1997 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5991:1997 Métodos de medición de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 8156:2011 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para tensión > 50 V -- Especificaciones de seguridad
  • JIS C 8156:2017 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para tensión > 50 V -- Especificaciones de seguridad

Professional Standard - Machinery, Fotodiodo monolítico

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Fotodiodo monolítico

  • GB/T 36356-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • GB/T 36357-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia media.
  • GB/T 15651.7-2024 Dispositivos semiconductores Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos Fotodiodos y fototransistores
  • GB/T 23729-2009 Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba
  • GB/T 15651.6-2023 Dispositivos semiconductores Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos Diodos emisores de luz
  • GB/T 42243-2022 Especificaciones técnicas generales para televisores con diodos emisores de luz orgánicos (OLED)
  • GB/T 36359-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
  • GB/T 36360-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia media
  • GB/T 20871.61-2013 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.
  • GB/T 39075.203-2023 Seguridad de las fuentes de luz de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) para uso de iluminación general Parte 2-3: Requisitos especiales para láminas y paneles de luz OLED flexibles
  • GB/T 18904.3-2002 Dispositivos semiconductores. Parte 12-3: Dispositivos optoelectrónicos. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz. Aplicación de visualización.

CZ-CSN, Fotodiodo monolítico

International Electrotechnical Commission (IEC), Fotodiodo monolítico

  • IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-8: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz
  • IEC 91/926/PAS:2010 Placa de circuito electrónico para LED de alto brillo.
  • IEC 60747-5-7:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
  • IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Parte 5-16: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
  • IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-11: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz
  • IEC TS 62916:2017 Módulos fotovoltaicos: prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
  • IEC 60747-5-6:2016 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
  • IEC 60747-5-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
  • IEC 91/928/PAS:2010 Métodos de prueba para placas de circuitos electrónicos para LED de alto brillo.
  • IEC 60747-5-6:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
  • IEC 62341-6-3:2017/COR1:2019 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 62341-6-1:2022 RLV Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 62341-6-1:2017 RLV Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 62341-6-1:2022 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 62595-2:2012 Unidad de retroiluminación LCD - Parte 2: Métodos de medición electroóptica de la unidad de retroiluminación LED
  • IEC 62384:2006 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
  • IEC TS 63109:2022 Módulos y células fotovoltaicas (PV): medición del factor de idealidad del diodo mediante análisis cuantitativo de imágenes de electroluminiscencia
  • IEC 62384:2011 Equipo de control electrónico alimentado por CC o CA para módulos LED: requisitos de rendimiento
  • IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores - Parte 5-12: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de eficiencias de LED
  • IEC 62341-6-1:2017 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 62341-6-1:2009 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos
  • IEC 60747-5-15:2022 Dispositivos semiconductores - Parte 5-15: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba del voltaje de banda plana basado en la espectroscopia de electrorreflectancia
  • IEC 60747-12-3:1998 Dispositivos semiconductores. Parte 12-3: Dispositivos optoelectrónicos. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz. Aplicación de visualización.
  • IEC 62560:2011 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
  • IEC 62560:2015 Lámparas LED con balasto automático para servicios de iluminación general para tensión > 50 V - Especificaciones de seguridad
  • IEC 61347-2-13:2014 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
  • IEC 61347-2-13:2006 Equipo de control de lámpara - Parte 2-13: Requisitos particulares para equipos de control electrónicos suministrados con CC o CA para módulos LED
  • IEC 60747-5-9:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-9: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de la eficiencia cuántica interna basado en la electroluminiscencia dependiente de la temperatura

Professional Standard - Post and Telecommunication, Fotodiodo monolítico

邮电部, Fotodiodo monolítico

PT-IPQ, Fotodiodo monolítico

  • NP 3234-2-1987 COMPONENTES ELECTR?NICOS Díodos electroluminiscentes. Matrizes

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Fotodiodo monolítico

  • NEMA C78.51-2016 Lámparas eléctricas - Lámparas LED (diodo emisor de luz) - Método de designación
  • NEMA C78.52-2017 Lámparas eléctricas - Lámparas de reemplazo directo LED (diodo emisor de luz) - Método de designación

未注明发布机构, Fotodiodo monolítico

  • ANSI C78.51-2016 Lámparas eléctricas. Lámparas LED (diodo emisor de luz). Método de designación.
  • ANSI C78.52-2017 Lámparas eléctricas: Lámparas LED (diodo emisor de luz) de reemplazo directo: Método de designación
  • ANSI C78.53-2019 Lámparas eléctricas: especificaciones de rendimiento para lámparas LED (diodo emisor de luz) de reemplazo directo
  • ANSI C78.374-2015 Lámparas eléctricas: hoja de especificaciones del paquete de diodos emisores de luz para aplicaciones de iluminación general

GSO, Fotodiodo monolítico

  • GSO IEC 60747-5-7:2021 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
  • BH GSO IEC 60747-5-7:2022 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
  • GSO IEC 60747-5-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
  • BH GSO IEC 60747-5-6:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
  • GSO IEC TS 62916:2021 Módulos fotovoltaicos: prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación
  • GSO IEC 62088:2014 Instrumentación nuclear - Fotodiodos para detectores de centelleo - Procedimientos de prueba
  • GSO IEC 60306-2:2014 Medición de dispositivos fotosensibles. Parte 2: Métodos de medición de fototubos.
  • GSO ISO 10650-2:2015 Odontología - Activadores motorizados de polimerización - Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED)
  • OS GSO ISO 10650-2:2015 Odontología - Activadores motorizados de polimerización - Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED)
  • OS GSO IEC 62088:2014 Instrumentación nuclear - Fotodiodos para detectores de centelleo - Procedimientos de prueba
  • BH GSO ISO 10650-2:2017 Odontología - Activadores motorizados de polimerización - Parte 2: Lámparas de diodos emisores de luz (LED)
  • BH GSO IEC 62088:2016 Instrumentación nuclear - Fotodiodos para detectores de centelleo - Procedimientos de prueba
  • BH GSO IEC 62341-6-1:2016 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos

RO-ASRO, Fotodiodo monolítico

  • STAS 12258/2-1984 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos PIIOTODIODES Terminología y características esenciales
  • STAS 12258/4-1986 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos DIODOS EMISORES DE LUZ Terminología y características principales
  • STAS 12258/6-1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS DIODOS EMM1TING INFRARROJOS Terminología y características esenciales

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Fotodiodo monolítico

  • EN 150015:1992 Especificación detallada en blanco: diodos supresores de sobretensión transitoria unidireccional

IEC - International Electrotechnical Commission, Fotodiodo monolítico

  • TS 62916-2017 Módulos fotovoltaicos: prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas de diodos de derivación (Edición 1.0)
  • IEC 62088:2001 Instrumentación nuclear - Fotodiodos para detectores de centelleo - Procedimientos de prueba (Edición 1.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Fotodiodo monolítico

  • GB/T 33762-2017 Método de medición del rendimiento de visualización de un televisor con diodos emisores de luz orgánicos (OLED)

RU-GOST R, Fotodiodo monolítico

  • GOST 21107.10-1978 Dispositivos de descarga de gas. Métodos de medición de parámetros eléctricos de condiciones de operación y medición para tiratrones de descarga luminiscente y rectificadores llenos de gas.
  • GOST R IEC 62384-2011 Equipos de control electrónico alimentados desde fuentes de corriente directa o alternativa para módulos de diodos luminosos. Requisitos de desempeño
  • GOST R IEC 62560-2011 Lámparas LED autobalastadas para servicios de iluminación general para voltaje 50 V. Especificaciones de seguridad

GB-REG, Fotodiodo monolítico

  • REG NASA-LLIS-1840--2006 Lecciones aprendidas: falla eléctrica del conjunto del detector de fotodiodo de avalancha (APD) CALIPSO

KR-KS, Fotodiodo monolítico

  • KS C IEC 62341-6-1-2020 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.

National Electrical Manufacturers Association（NEMA), Fotodiodo monolítico

  • NEMA C78.374-2015 Lámparas eléctricas: hoja de especificaciones del paquete de diodos emisores de luz para aplicaciones de iluminación general

Danish Standards Foundation, Fotodiodo monolítico

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Fotodiodo monolítico

  • EN 62341-6-1:2011 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) - Parte 6-1: Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos

GOSTR, Fotodiodo monolítico

  • GOST IEC 62341-6-1-2016 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED). Parte 6-1. Métodos de medición de parámetros ópticos y electroópticos.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Fotodiodo monolítico

  • GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401

American Society for Testing and Materials (ASTM), Fotodiodo monolítico

  • ASTM F3095-17 Práctica estándar para tecnologías láser para la medición directa de la forma de la sección transversal de tuberías y conductos mediante diodos láser giratorios y sistemas de cámaras CCTV

  fotodiodo, fotodiodo de silicio, Fotodiodo de silicio, Circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), Chip único sfs2204, Película monolítica de telururo de cadmio, fotodiodo pin, Parámetros del fotodiodo, fotodiodo orgánico, matriz de fotodiodos, voltaje del fotodiodo, Fotón monolítico, Fotón monolítico, EIS de celda monolítica, lente de un solo objetivo, Fotodiodo monolítico, Ruido de fotodiodo, Monolito de telururo de cadmio, PDL de un solo chip, Vidrio monocapa y multicapa.

 



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