ZH
EN
ES

монолитный фотодиод

монолитный фотодиод, Всего: 286 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к монолитный фотодиод, являются: Полупроводниковые материалы, Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Лампы и сопутствующее оборудование, Оптика и оптические измерения, Оптоволоконная связь, Печатные схемы и платы, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Телевидение и радиовещание, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Атомная энергетика, Солнечная энергетика, Малый корабль, Электронные устройства отображения, Электронные лампы, Стоматология, Электрические и электронные испытания, Экологические испытания.

Professional Standard - Electron, монолитный фотодиод

SJ/T 11470-2014 Эпитаксиальные пластины светодиодов
SJ/T 11471-2014 Методы измерения эпитаксиальных пластин светодиодов
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 11396-2009 Сапфировые подложки для нитридных светодиодов
SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
SJ/T 11869-2022 Подробная спецификация кремниевой подложки, светодиодный чип белого света
SJ/T 11868-2022 Подробные характеристики кремниевых подложек синих светодиодных чипов
SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
SJ/T 11867-2022 Подробные характеристики кремниевых подложек, светодиодов синего света малой мощности
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ 2354.1-1983 Общие методики измерения электрических и оптических параметров PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 2354.10-1983 Метод измерения коэффициента перекрестной освещенности матрицы PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
SJ 2354.2-1983 Метод измерения напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ 2354.14-1983 Метод измерения коэффициента избыточного шума PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 2354.11-1983 Метод измерения ширины слепой зоны ПИН и матрицы лавинного фотодиода
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2354.9-1983 Метод измерения эквивалентной мощности помех PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2354.7-1983 Метод измерения кривой спектрального отклика и диапазона спектрального отклика PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.12-1983 Метод измерения температурного коэффициента напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ 2354.8-1983 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 2215.5-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ/T 10947-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковые зеленые светодиоды FG341052 и FG343053.
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ/T 10948-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковых красных светодиодов FG313052, FG314053, FG313054 и FG314055.
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, монолитный фотодиод

CNS 13808-1997 Эпитаксиальные пластины для светодиодов
CNS 13806-1997 Метод измерения длины волны излучения и силы света эпитаксиальных пластин светодиодов
CNS 13780-1996 Методы испытания на долговечность инфракрасных излучающих диодов (для автоматизации) — испытание постоянным напряжением
CNS 13090-1992 Метод испытания на выносливость больших светодиодных ламп (для наружных дисплеев) — испытание на непрерывную подачу тока
CNS 6121-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание выпрямительных диодов при постоянном приложении напряжения)

Group Standards of the People's Republic of China, монолитный фотодиод

T/COEMA 004LCD-2022 Поляризационная пленка для ТВ-дисплеев на органических светодиодах
T/ZZB 2332-2021 Полированная сапфировая подложка для светодиодов
T/COEMA 003LCD-2022 Поляризационная пленка для дисплеев на органических светодиодах среднего и малого размера.
T/QGCML 030-2020 Обычные электрические стандарты для диодных диффузионных листов
T/CVIA 59-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 11-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 58-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 10-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CSA 048-2019 Измерение электрических и фотометрических характеристик светодиодов общего освещения при различных токах/температурах

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, монолитный фотодиод

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип
DB35/T 1370-2013 Метод проверки точки светодиодного чипа

Professional Standard - Military and Civilian Products, монолитный фотодиод

WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением
WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера

Defense Logistics Agency, монолитный фотодиод

DLA SMD-5962-96843 REV D-2008 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ, ДИОД ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ, 1,2 ВОЛЬТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕХДИОДНАЯ МАССИВКА ШОТКИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-00523 REV F-2006 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ ШУНТО-ДИОДНЫЙ РЕГУЛЯТОР НА 2,5 В, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-00523 REV G-2008 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ ШУНТО-ДИОДНЫЙ РЕГУЛЯТОР НА 2,5 В, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-00523 REV J-2010 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ ШУНТО-ДИОДНЫЙ РЕГУЛЯТОР НА 2,5 В, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-00523 REV K-2011 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ ШУНТО-ДИОДНЫЙ РЕГУЛЯТОР НА 2,5 В, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, 16 384 БИТ ШОТТКИ, БИПОЛЯРНАЯ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПОСТОЯННАЯ ПАМЯТЬ (ПЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, 32768 БИТ ШОТТКИ, БИПОЛЯРНЫЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПОСТОЯННАЯ ПАМЯТЬ (ПЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89549-1989 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕГИСТР С ТЕНЕВЫМ РЕГИСТРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, ТТЛ, МОНОСТАБИЛЬНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 СВЕТОДИОД (LED), ЗАЗОР МАРКЕРА-ЗАТЕМНЕНИЕ, 14 И 28 ВОЛЬТ
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 1-2009 Микросхемы, цифровые, биполярные, улучшенные ТТЛ Шоттки, двоичные счетчики, монолитный кремний
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНЫЙ СИНХРОННЫЙ ЧЕТЫРЕХРАЗРОДНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ-ВНИЗ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/343 B VALID NOTICE 2-2013 Микросхемы, цифровые, биполярные, улучшенные ТТЛ Шоттки, двоичные счетчики, монолитный кремний
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, ТТЛ ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ИЛИ ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, 8-ВХОДНЫЕ ВЕНТИЛИ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, 8-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88627 REV B-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, 8-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89545 REV B-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, СЧЕТВЕРНАЯ, 2 ВХОДА, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ИЛИ ВЕНТИЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ТРОЙНАЯ, 3-ВХОДНАЯ, ПОЗИТИВНАЯ И ВОРОТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ЗАТВОР И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНОЙ ШИННЫЙ БУФЕР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, МАЛОМОЩНЫЕ ТТЛ ШОТКИ, ШЕСТИГРАННЫЕ ИНВЕРТОРЫ С ТРИГГЕРОМ ШМИТТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/500 E (1)-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, УНИПОЛЯРНЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ТИПЫ 1N5555 ДО 1N5558, 1N5907, 1N5629A ДО 1N5665A, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-DTL-28803/1 E-2013 ДИСПЛЕЙ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ, СЕГМЕНТИРОВАННЫЙ СЧИТЫВАНИЕ, С ПОДСВЕТКОЙ, СТИЛЬ II (СВЕТОДИОДНЫЙ), ЭКРАНИРОВАННЫЙ от радиочастотных помех, ВЛАГОГЕРМЕТИЧНЫЙ, ВЫСОКИЙ УДАР, ТИП R01
DLA SMD-5962-89944 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ, ТТЛ, ДВОИЧНО-СЕМЬ-СЕГМЕНТНЫЙ ДЕКОДЕР/ДРАЙВЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕХБИФЕТНЫЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 1-2008 Микросхемы, цифровые, биполярные, маломощные ТТЛ Шоттки, счетчики, монолитный кремний
DLA MS21351 REV G-2011 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, ТУМБЛЕН, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ РАЗРЫВ, СПЕЦИАЛЬНАЯ ЦЕПЬ, МИНИАТЮРНЫЙ ТУМБЛЕР, ЗАПАЙКА, ОДНОПОЛЮСНЫЙ, МОНТАЖНАЯ ВТУЛКА .469
DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ШОТТКИ TTL, ДВОЙНЫЕ ШЛЕПАНКИ JK С ПРОЗРАЧНЫМ МОНОЛИТНЫМ КРЕМНИЕМ
DLA SMD-5962-97562 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШЛЕПАНКИ D-ТИПА С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ И 3-ХОСТЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 Микросхемы цифровые, биполярные, улучшенные TTL Шоттки, 4-битные двоичные полные сумматоры с быстрым переносом, монолитный кремний
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 Микросхемы цифровые, биполярные, улучшенные TTL Шоттки, 4-битные двоичные полные сумматоры с быстрым переносом, монолитный кремний
DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ БУФЕРЫ И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ С ТРЕМЯ ГОСУДАРСТВЕННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-83025 REV H-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОГО ТТЛ ШОТТКИ, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87621 REV B-2011 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ TTL, 8-битный двоичный счетчик с входными регистрами, монолитный кремний
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, ЧЕТЫРЕХРУБНЫЕ ШЛЕПАНЦЫ D-ТИПА С ПРОЗРАЧНЫМ МОНОЛИТНЫМ КРЕМНИЕМ
DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ ШЛЕПАНКИ ШОТТКИ TTL, ДВОЙНОЙ JK, С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ КРОМКОМ, С ПРОЗРАЧНЫМИ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫМИ НАСТРОЙКАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88621 REV C-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТТКИ, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, 2-ВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНО-ИЛИ-ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ЧЕТЫРЕХВХОДНОЙ ДРАЙВЕР NAND, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97549-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШЛЕПАНКИ D-ТИПА С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ И 3-МИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, МАЛОМОЩНЫЕ ТТЛ ШОТКИ, БУФЕРЫ/ДРАЙВЕРЫ, ВЫХОД ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

ES-UNE, монолитный фотодиод

UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
UNE-EN 120001:1992 BDS: СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ БЕЗ ВНУТРЕННЕЙ ЛОГИКИ И РЕЗИСТОРА. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, монолитный фотодиод

GB/T 36613-2018 Метод зондового испытания светодиодных микросхем
GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.

German Institute for Standardization, монолитный фотодиод

DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
DIN EN 120001:1993-06 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
DIN EN 120001:1993 Бланковая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи светодиоды без внутренней логики и резистора; Немецкая версия EN 120001:1992.
DIN IEC 62088:2002-09 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 62341-6-1:2011-07 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009); Немецкая версия EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62384:2007 Электронные устройства управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006); Немецкая версия EN 62384:2006.
DIN IEC 62088:2002 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 62384:2010 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006 + A1:2009); Немецкая версия EN 62384:2006 + A1:2009
DIN EN 61347-2-13:2007 Аппаратура управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей (IEC 61347-2-13:2006); Немецкая версия EN 61347-2-13:2006.

European Standard for Electrical and Electronic Components, монолитный фотодиод

EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
EN 120001:1992 Пустая подробная спецификация; светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
EN 120006:1992 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, монолитный фотодиод

DB44/T 1630-2015 Светодиодный индикатор 3528/5050 с инкапсулированным чипом

Association Francaise de Normalisation, монолитный фотодиод

NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
NF EN 120001:1992 Пустая спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светоизлучающие диодные дисплеи без резисторов или внутренних логических схем.
NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи на светодиодах без внутренней логики и резистора.
NF C96-551/A2:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C96-551/A3:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C86-502:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
NF C86-501:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы.
NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF C96-565-2*NF EN 62595-2:2013 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
NF C71-305*NF EN 62384:2006 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности.
NF C96-541-6-1*NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF EN IEC 63286:2022 Гибкие панели на органических светоизлучающих диодах (OLED) для общего освещения – требования к производительности
NF C71-251*NF EN 62560:2013 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
NF C71-247-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13: Особые требования к постоянному току для электронных устройств управления переменным током для светодиодных модулей.
NF C71-247-13*NF EN 61347-2-13:2014 Аппаратура управления лампой. Часть 2-13. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, монолитный фотодиод

JEDEC JESD51-50-2012 Обзор методологий тепловых измерений одно- и многокристальных, одно- и много-PN-переходов светоизлучающих диодов (светодиодов)

SE-SIS, монолитный фотодиод

SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
SIS SS-CECC 20001-1991 Пустая детальная спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Lithuanian Standards Office , монолитный фотодиод

LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
LST EN 120001-2001 Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
LST EN 62341-6-1-2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009)

British Standards Institution (BSI), монолитный фотодиод

BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
BS IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытаний плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока
BS IEC 60747-5-11:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS EN 120001:1993 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
BS EN 120001:1991 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
18/30367363 DC БС МЭК 60747-5-8. Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
18/30388245 DC БС ЕН МЭК 60747-5-11. Полупроводниковые приборы. Часть 5-11. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN ISO 19009:2015 Маленькое судно. Электрические навигационные огни. Производительность светодиодных фонарей
PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
BS EN 120002:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
BS EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения оптических и электрооптических параметров
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
BS IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
19/30392174 DC БС ЕН 60747-5-6. Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды
BS EN 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
BS IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции
PD IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений
BS EN 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
BS EN 61347-2-13:2014 Устройство управления лампой. Особые требования к электронным устройствам управления светодиодными модулями с питанием постоянным или переменным током.
BS EN 62384:2006+A1:2009 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
14/30313209 DC БС ЕН 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
23/30475452 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
20/30430108 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
21/30440970 DC БС ЕН МЭК 60747-5-16. Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии фототока
20/30422995 DC БС ЕН МЭК 60747-5-15. Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
BS IEC 60747-5-10:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности, основанный на контрольной точке при комнатной температуре
BS EN 62560:2012 Светильники светодиодные самобалластные для общего освещения напряжением 50 В. Характеристики безопасности
BS EN 62341-6-2:2012 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения качества изображения и характеристик окружающей среды
BS EN IEC 62149-12:2023 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности — лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.
18/30367367 DC БС МЭК 60747-5-62. Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), монолитный фотодиод

KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6905-2001 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6906-2001 Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2001(2011) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS P ISO 10650-2-2009(2014) Стоматология－Активаторы полимеризации－Часть 2:Светодиодные (LED) лампы
KS C IEC 62341-6-1:2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
KS C IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
KS C IEC 62341-6:2007 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6: Методы измерения.
KS C IEC 61347-2-13:2011 Аппаратура управления лампой. Часть 2-13: Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), монолитный фотодиод

JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 8156:2011 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
JIS C 8156:2017 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности

Professional Standard - Machinery, монолитный фотодиод

JB/T 5186-1991 Кремниевые фотодиоды для фотоаппаратов

CZ-CSN, монолитный фотодиод

CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, монолитный фотодиод

GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности
GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.
GB/T 15651.6-2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды.
GB/T 42243-2022 Общие технические характеристики телевизоров на органических светодиодах (OLED)
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 20871.61-2013 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
GB/T 18904.3-2002 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланковая детальная спецификация для светоизлучающих диодов. Применение дисплея.

International Electrotechnical Commission (IEC), монолитный фотодиод

IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.
IEC 91/926/PAS:2010 Электронная плата для светодиодов высокой яркости
IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока.
IEC 60747-5-11:2019 Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Приборы оптоэлектронные. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светоизлучающих диодов.
IEC TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду
IEC 60747-5-6:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 91/928/PAS:2010 Методы испытаний электронных плат светодиодов высокой яркости
IEC 60747-5-6:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 62341-6-3:2017/COR1:2019 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2017 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62595-2:2012 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
IEC 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений.
IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-12. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания эффективности светодиодов.
IEC 62341-6-1:2017 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2009 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения.
IEC 60747-12-3:1998 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланк подробной спецификации для светодиодов. Применение дисплея
IEC 62560:2011 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 62560:2015 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 61347-2-13:2014 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
IEC 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания внутреннего квантового выхода на основе температурно-зависимой электролюминесценции.
IEC 60747-5-14:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-14. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие диоды. Метод определения температуры поверхности на основе метода термоотражения.
IEC 62149-12:2023 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 12. Лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.

Professional Standard - Post and Telecommunication, монолитный фотодиод

YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов

邮电部, монолитный фотодиод

YD/T 0835-1996 Лавинный фотодиодный метод обнаружения

PT-IPQ, монолитный фотодиод

NP 3234-2-1987 Электронный оригинал. Класс электролюминесцентных диодов. Матрица электролюминесцентных диодов, подробные характеристики

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, монолитный фотодиод

NEMA C78.51-2016 Электрические лампы. Светодиодные лампы. Метод обозначения.
NEMA C78.52-2017 Электрические лампы – светодиодные (светодиодные) лампы прямой замены – метод обозначения

RO-ASRO, монолитный фотодиод

STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, монолитный фотодиод

EN 150015:1992 Пустая подробная спецификация: однонаправленные диоды для подавления переходных перенапряжений

IEC - International Electrotechnical Commission, монолитный фотодиод

TS 62916-2017 Фотоэлектрические модули – проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду (редакция 1.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, монолитный фотодиод

GB/T 33762-2017 Метод измерения характеристик дисплея телевизора на органических светодиодах (OLED)

RU-GOST R, монолитный фотодиод

GOST 21107.10-1978 Газоразрядные устройства. Методы измерения электрических параметров режима работы и условий измерения тиратронов тлеющего разряда и газонаполненных выпрямителей
GOST R IEC 62384-2011 Электронная аппаратура управления, питаемая от источников постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
GOST R IEC 62560-2011 Светильники светодиодные самобалластные для общего освещения напряжением 50 В. Характеристики безопасности

未注明发布机构, монолитный фотодиод

BS EN 120008:1995(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы.
BS EN 120006:1993(1999) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Детальная спецификация бланка. Штыревые фотодиоды для волоконно-оптических приложений.
BS EN 150015:1993(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Однонаправленные диоды для подавления переходных перенапряжений.

GB-REG, монолитный фотодиод

REG NASA-LLIS-1840--2006 Извлеченные уроки: Электрический отказ узла детектора лавинного фотодиода (APD) CALIPSO

KR-KS, монолитный фотодиод

KS C IEC 62341-6-1-2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

National Electrical Manufacturers Association（NEMA), монолитный фотодиод

NEMA C78.374-2015 Электрические лампы — спецификация корпуса светодиодов для общего освещения

Danish Standards Foundation, монолитный фотодиод

DS/EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, монолитный фотодиод

EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

GOSTR, монолитный фотодиод

GOST IEC 62341-6-1-2016 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, монолитный фотодиод

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.

American Society for Testing and Materials (ASTM), монолитный фотодиод

ASTM F3095-17 Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения