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Dispositivo semiconductor discreto gp y gt grado gf411 tipo semiconductor detalles del diodo emisor de luz verde

Dispositivo semiconductor discreto gp y gt grado gf411 tipo semiconductor detalles del diodo emisor de luz verde, Total: 21 artículos.

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Professional Standard - Electron, Dispositivo semiconductor discreto gp y gt grado gf411 tipo semiconductor detalles del diodo emisor de luz verde

• SJ 50033/6-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz verde para el tipo GF 411 de clases GP y GT.
• SJ 50033/4-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz roja para el tipo GF 111 de clases GP y GT.
• SJ 50033/5-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz amarilla para el tipo GF 311 de clases GP y GT.
• SJ 50033/3-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para optoacopladores semiconductores para tipos GH21, GH22 y GH23 de clases GP, GT y GCT.
• SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
• SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
• SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
• SJ 20014-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja potencia para clases tipo 3CG110GP, GT y GCT
• SJ/T 10947-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos: diodos emisores de luz verde semiconductores FG341052 y FG343053
• SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
• SJ 20015-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia para clases tipo 3DG130GP, GT y GCT
• SJ 20016-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de voltaje inverso alto y bajo consumo de silicio NPN para clases tipo 3DG182GP, GT y GCT
• SJ 20011-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de las clases CS1 GP, GT y GCT
• SJ 20012-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS4. Clases GP, GT y GCT
• SJ 20013-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo en modo de reducción de canal N de silicio de tipo CS10. Clases GP, GT y GCT

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Dispositivo semiconductor discreto gp y gt grado gf411 tipo semiconductor detalles del diodo emisor de luz verde

• GJB 33/2-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3767
• GJB 33/1-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3716
• GJB 33/3-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3442
• GJB 33/6-1988 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT, transistores de silicio de baja potencia tipo 3CG2605 tipo PNP
• GJB 33/8-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio
• GJB 33/7-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3CK2907 tipo PNP transistor de conmutación de baja potencia de silicio

Otros:   Dispositivo semiconductor discreto gp y gt grado gf411 tipo semiconductor detalles del diodo emisor de luz verde.