ZH
EN
ES

Полупроводниковое дискретное устройство уровня gp и gt gf411, полупроводниковый зеленый светодиод в деталях

Полупроводниковое дискретное устройство уровня gp и gt gf411, полупроводниковый зеленый светодиод в деталях, Всего: 21 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводниковое дискретное устройство уровня gp и gt gf411, полупроводниковый зеленый светодиод в деталях, являются: Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование.

Professional Standard - Electron, Полупроводниковое дискретное устройство уровня gp и gt gf411, полупроводниковый зеленый светодиод в деталях

SJ 50033/6-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые светло-зеленые типа ГФ 411 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/4-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые красные светодиоды типа ГФ 111 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/5-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые желтые светодиоды типа ГФ 311 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/3-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH21, GH22 и GH23 классов GP, GT и GCT.
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 20014-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого маломощного PNP-транзистора для классов типа 3CG110GP, GT и GCT.
SJ/T 10947-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковые зеленые светодиоды FG341052 и FG343053.
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20015-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого высокочастотного маломощного транзистора NPN для классов типа 3DG130GP, GT и GCT.
SJ 20016-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN-транзистора малой мощности с высоким обратным напряжением для классов типа 3DG182GP, GT и GCT.
SJ 20011-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS1 классов ГП, ГТ и ГКТ.
SJ 20012-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS4. Классы GP, GT и GCT
SJ 20013-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS10 с режимом обеднения. Классы GP, GT и GCT

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводниковое дискретное устройство уровня gp и gt gf411, полупроводниковый зеленый светодиод в деталях

GJB 33/2-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3767 типа NPN.
GJB 33/1-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3716 типа NPN.
GJB 33/3-1987 Подробные спецификации для полупроводниковых дискретных устройств. Подробные спецификации для кремниевых силовых транзисторов GP, GT и GCT класса 3DD3442 типа NPN.
GJB 33/6-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств. Кремниевые маломощные транзисторы PNP класса 3CG2605 GP, GT и GCT.
GJB 33/8-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств GP, GT и GCT кремниевого переключающего транзистора малой мощности класса 3DK2369A типа NPN
GJB 33/7-1988 Подробные спецификации полупроводниковых дискретных устройств GP, GT и GCT кремниевого переключающего транзистора малой мощности PNP класса 3CK2907