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Perfilado en profundidad de espectrometría de masas de iones secundarios

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国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Perfilado en profundidad de espectrometría de masas de iones secundarios

GB/T 41064-2021 Análisis químico de superficies—Perfiles de profundidad—Método para la determinación de la velocidad de pulverización catódica en espectroscopía fotoelectrónica de rayos X, espectroscopia de electrones Auger y espectrometría de masas de iones secundarios perfilado de profundidad de pulverización catódica utilizando películas delgadas de una o varias capas
GB/T 40109-2021 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad el boro en silicio.

International Organization for Standardization (ISO), Perfilado en profundidad de espectrometría de masas de iones secundarios

ISO 12406:2010 Análisis químico de superficies - Espectrometría de masas de iones secundarios - Método para perfilar en profundidad el arsénico en silicio
ISO 17109:2015 Análisis químico de superficies - Perfilado de profundidad - Método para la determinación de la velocidad de pulverización catódica en espectroscopia fotoelectrónica de rayos X, espectroscopía de electrones Auger y espectrometría de masas de iones secundarios perfilado de profundidad de pulverización catódica utilizando películas delgadas de una o varias capas

British Standards Institution (BSI), Perfilado en profundidad de espectrometría de masas de iones secundarios

BS ISO 12406:2010 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad el arsénico en silicio.
BS ISO 17109:2015 Análisis químico de superficies. Perfilado de profundidad. Método para la determinación de la velocidad de pulverización catódica en espectroscopia fotoelectrónica de rayos X, espectroscopia electrónica Auger y espectrometría de masas de iones secundarios. Perfilado de profundidad de pulverización catódica utilizando películas delgadas de una o varias capas.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Perfilado en profundidad de espectrometría de masas de iones secundarios

GB/T 32495-2016 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad el arsénico en silicio.