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personalidad bipolar

personalidad bipolar, Total: 178 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en personalidad bipolar son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Lámparas y equipos relacionados., Equipos y sistemas eléctricos aeroespaciales., Equipo de cocina, Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Accesorios electricos, Radiocomunicaciones, Dispositivos semiconductores, Condensadores, Celdas de combustible, Dispositivos de almacenamiento de datos, Equipos e instrumentos a bordo., Compatibilidad electromagnética (CEM), Circuitos impresos y placas., Características y diseño de máquinas, aparatos, equipos., Movimientos de tierras. Excavaciones. Construcción de cimientos. Obras subterráneas, Revestimientos de suelos no textiles, Ingeniería de energía y transferencia de calor en general., Física. Química, Pilas y baterías galvánicas., Productos de hierro y acero., Aspectos, Componentes electrónicos en general., Medidas lineales y angulares., Materiales y accesorios de embalaje., Comunicaciones de fibra óptica., Mediciones de radiación, Herramientas de corte, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Componentes y accesorios para equipos de telecomunicaciones..

Defense Logistics Agency, personalidad bipolar

DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR BÚFER DE 10 BITS DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88763-1990
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/19 H VALID NOTICE 1-2011 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1 amperio con diodo interno para supresión transitoria de bobina y protección de inversión de polaridad, terminales con patrón de rejilla de 0,100 pulgadas
DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010 Relés, híbridos, confiabilidad establecida, DPDT, accionamiento Mosfet interno de bajo nivel a 1,0 amperios con protección de compuerta de diodo Zener (salida electromecánica) Supresión de bobina de diodo y terminales con espaciado de cables de red de 0,100
DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 MICROCIRCUITO LINEAL BIPOLAR AMPLIFICADOR RF/IF CON AGC, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 REGULADOR DE MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, LINEAL, DOBLE POSITIVO Y NEGATIVO DE 15 VOLTIOS, 12 VOLTIOS Y 5 VOLTIOS
DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO TTL, DUAL 4 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 CONECTORES, RECEPTÁCULO, ELÉCTRICO, CARCASAS DE PESTILLO, POLARIZADOS, DOBLE FILA, POSTES .025
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL, ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE TENSIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, BIPOLAR HEXAGONAL NTDS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, RECEPTOR NTDS HEXAGONAL BIPOLAR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR BÚFER DE 10 BITS DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, 8 BITS IGUAL AL COMPARADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, DUAL CARRY-SAVE FULL SUMADORES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/20 J VALID NOTICE 1-2010 Relés electromagnéticos de confiabilidad establecida, DPDT, de bajo nivel a 1,0 amperios con diodos internos para supresión transitoria de bobina y protección contra inversión de polaridad
DLA MIL-PRF-39016/43 E VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1,0 amperio, con diodos internos para supresión transitoria de la bobina y terminales de protección contra inversión de polaridad Patrón de rejilla de 0,100 pulgadas (sensible, 60 milivatios, potencia de funcionamiento de la bobina a 25
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MICROCIRCUITOS DIGITALES, SCHOTTKY DE 32.768 BITS, BIPOLAR, MEMORIA DE SÓLO LECTURA PROGRAMABLE (PROM), SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/30 F VALID NOTICE 1-2010 Relés electromagnéticos de confiabilidad establecida, DPDT, de bajo nivel a 1,0 amperios (enclavamiento) con diodos internos para supresión transitoria de bobina y protección contra inversión de polaridad
DLA MIL-PRF-39016/18 H VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1,0 amperios con diodo interno para supresión transitoria de bobina, terminales con patrón de rejilla de 0,100 pulgadas
DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 MICROCIRCUITO LINEAL, BIPOLAR, HEX NTDS, CONDUCTOR RÁPIDO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/38 C VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 2 amperios (espaciado entre terminales de 0,150 pulgadas), con diodos internos para supresión transitoria de bobina y protección de polaridad inversa
DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, PUERTAS CUÁDRUPLES NAND POSITIVAS DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, CUÁDRUPLE PUERTAS NOR POSITIVAS DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO, TRIPLE PUERTA NAND POSITIVA DE 3 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MICROCIRCUITO LINEAL AMPLIFICADORES OPERACIONALES BI-FET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL CUÁDRUPLE 2 ENTRADAS POSITIVAS O PUERTA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, PUERTAS NAND POSITIVAS DE 8 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 MICROCIRCUITO LINEAL BIPOLAR QUAD NTDS RECEPTOR RÁPIDO/ANEW, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, QUAD 2 ENTRADAS POSITIVAS O PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, TRIPLE 3 ENTRADAS POSITIVAS Y PUERTAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, FLIP-FLOP DE INTERFAZ DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTA NAND POSITIVA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL AVANZADO DE BAJA POTENCIA, PUERTA NAND POSITIVA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 CHANCLAS DE MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR AVANZADO SCHOTTKY TTL, DUAL JK DE BORDE POSITIVO CON SILICIO MONOLÍTICO CLARO Y PREAJUSTADO
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 MICROCIRCUITO LINEAL, QUAD BIFET, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, SINCRÓNICO DE 8 BITS, CONTADOR ARRIBA/ABAJO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/29 G VALID NOTICE 1-2011 Relés electromagnéticos de confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1,0 amperios (enclavamiento) con diodos internos para supresión transitoria de bobina
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, TTL SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, BUFFER NAND POSITIVO CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/42 E VALID NOTICE 1-2011 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1,0 amperio con diodo interno para supresión transitoria de bobina, terminales con patrón de rejilla de 0,100 pulgadas (sensibles 60 milivatios, potencia de funcionamiento de la bobina a 25 grados C)
DLA MIL-PRF-39016/16 G VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1,0 amperio (sensible, 60 milivatios) con diodo interno para supresión transitoria de bobina
DLA MIL-PRF-39016/37 C VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 2 amperios (espaciado entre terminales de 0,150 pulgadas), con diodo interno para supresión transitoria de bobina
DLA MIL-PRF-39016/55 B VALID NOTICE 1-2011 Relé, electromagnético, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 2 amperios (espaciado entre terminales de 0,200 pulgadas), con diodo interno para supresión transitoria de bobina
DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, OCTAL CHANCLAS DE DISPARO POR BORDE TIPO D CON SALIDAS DE 3 ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, FLIP-FLOP TIPO D DE DISPARO POR BORDE OCTAL CON HABILITACIÓN DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA CONSUMO, TTL, FLIP-FLOPS DE INTERFAZ DE BUS DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 FLIPFLOPS DE MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, INTERFAZ DE BUS DE 10 BITS CON ENTRADAS INVERSORAS Y NO INVERSORAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-39016/41 E VALID NOTICE 1-2010 Relés, electromagnéticos, confiabilidad establecida, DPDT, nivel bajo a 1 amperio, terminales sensibles al patrón de rejilla de 0,100 pulgadas, 60 milivatios, potencia de funcionamiento de la bobina a 25 grados C

Association Francaise de Normalisation, personalidad bipolar

UTE C86-614:1977 Componentes electrónicos - Transistores de conmutación bipolares - Colección de especificaciones especiales.
NF C72-210/A5*NF EN 60081/A5:2014 Lámparas fluorescentes de doble casquillo: especificaciones de rendimiento
NF EN 60081/A6:2017 Lámparas fluorescentes de doble extremo: especificaciones de rendimiento
NF EN 61243-3:2015 Trabajo en tensión - Detectores de tensión - Parte 3: tipo bipolar de baja tensión
NF P94-051:1993 Suelo: investigación y pruebas. Determinación de los límites de Atterberg. Prueba de límite líquido mediante aparato de Cassagrande. Ensayo límite plástico sobre hilo enrollado.
NF C72-776*NF EN 62776:2015 Lámparas LED de doble casquillo diseñadas para modernizar lámparas fluorescentes lineales: especificaciones de seguridad
NF E22-563:1988 Cojinetes lisos. Semicojinetes metálicos de paredes finas. Determinación del límite elástico sigma 0,01.

PL-PKN, personalidad bipolar

PN T01210-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de baja frecuencia
PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia

British Standards Institution (BSI), personalidad bipolar

BS EN 62639:2012 Lámparas fluorescentes de inducción. Especificación de rendimiento
BS EN 60081:1998+A11:2018 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento
BS EN 2593-001:2014 Serie aeroespacial. Bases para relés electromagnéticos enchufables de 10 A, bipolares y tetrapolares. Especificación técnica
PD IEC/TR 62152:2009 Propiedades de transmisión de dos puertos o cuadripolos en cascada. Antecedentes de términos y definiciones.
BS EN 60838-2-3:2017 Portalámparas varios. Requisitos particulares. Portalámparas para lámparas LED lineales de doble casquillo
BS IEC 60404-8-5:2020 Materiales magnéticos: especificaciones para materiales individuales. Flejes y láminas de acero eléctrico con propiedades mecánicas específicas y polarización magnética.
BS ISO 366-3:2009 Maquinaria textil y accesorios - Cañas - Dimensiones y denominación de cañas metálicas con doble resorte
BS PD IEC/TS 62607-4-1:2014 Nanofabricación. Características clave de control. Nanomateriales catódicos para baterías de iones de litio. Caracterización electroquímica, método de celda de 2 electrodos.
BS IEC 61156-8:2023 Cables multinúcleo y pares/cuadrángulos simétricos para comunicaciones digitales - Cables de pares simétricos con características de transmisión de hasta 1 200 MHz. Cableado del área de trabajo. Especificación seccional

GOSTR, personalidad bipolar

GOST R 59175-2020 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento

AENOR, personalidad bipolar

UNE-EN 60081:1999 LÁMPARAS FLUORESCENTES DE DOBLE CAPA. ESPECIFICACIONES DE RENDIMIENTO.

German Institute for Standardization, personalidad bipolar

DIN EN 60081:2019-07 Lámparas fluorescentes de doble casquillo - Especificaciones de rendimiento (IEC 60081:1997 + A1:2000, modificada + A2:2003 + A3:2005 + A4:2010 + A5:2013 + A6:2017, modificada); Versión alemana EN 60081:1998 + A1:2002 + A2:2003 + A3:2005 + A4:2010 + A5:2013 + A6:2017 + A1...
DIN EN 2593-001:2015-03 Serie Aeroespacial - Bases para relés electromagnéticos enchufables de 10 A, bipolares y tetrapolares - Parte 001: Especificaciones técnicas; Versión alemana e inglesa EN 2593-001:2014
DIN 4000-18:1988-12 Diseños tabulares de características de artículos para diodos semiconductores.
DIN 4000-18:1988 Diseños tabulares de características de artículos para diodos semiconductores.
DIN CEN/TS 13130-13:2005 Materiales y artículos en contacto con productos alimenticios - Sustancias plásticas sujetas a limitación - Parte 13: Determinación de 2,2-bis(4-hidroxifenil)propano (Bisfenol A) en simulantes alimentarios; Versión alemana CEN/TS 13130-13:2005
DIN EN 62776:2015 Lámparas LED de doble casquillo diseñadas para modernizar lámparas fluorescentes lineales - Especificaciones de seguridad (IEC 62776:2014 + COR1:2015); Versión alemana EN 62776:2015

ES-UNE, personalidad bipolar

UNE-EN 60081:1998/A6:2017 Lámparas fluorescentes de doble casquillo - Especificaciones de rendimiento (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en diciembre de 2017.)
UNE-EN 60081:1999/A11:2018 Lámparas fluorescentes de doble casquillo: especificaciones de rendimiento

International Electrotechnical Commission (IEC), personalidad bipolar

IEC 61195:2012 Lámparas fluorescentes de doble casquillo - Especificaciones de seguridad
IEC 61195:2014 Lámparas fluorescentes de doble casquillo - Especificaciones de seguridad
IEC 34A/1596/PAS:2012 Lámparas fluorescentes de cátodo frío - Parte 2: Especificaciones de rendimiento
IEC 34A/1598/PAS:2012 Lámparas fluorescentes de electrodo externo - Parte 2: Especificaciones de rendimiento

CU-NC, personalidad bipolar

NC 66-29-1984 Electrónica. Métodos de medición de transistores bipolares
NC 66-27-1984
NC 66-28-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Tipo BF 199. Especificaciones de calidad
NC 66-94-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Especificaciones de calidad de los transistores bipolares de baja frecuencia y alta potencia
NC 66-25-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Especificaciones de calidad
NC 66-93-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores Bipolares de Baja Frecuencia y Media Potencia. Especificaciones de calidad
NC 66-26-1984 Electrónica. Transistor de conmutación bipolar de alta potencia, tipo BU 208. Especificaciones de calidad
NC 66-23-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipo 2N 3055. Especificaciones de calidad
NC 66-17-1987 Industria Electrotécnica y Electrónica. Transistores Bipolares de Alta Tensión y Media Potencia. Especificaciones de calidad
NC 66-14-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares encapsulados en plástico. Especificaciones generales de calidad
NC 66-16-1987 Transistores bipolares de potencia y bajo ruido para la industria electrónica y electrotécnica. Especificaciones de calidad
NC 66-18-1984 Electrónica. Transistores bipolares de media potencia y alto voltaje Tipos BC 328 y BC 338. Especificaciones de calidad
NC 66-20-1984 Electronios. Transaistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipos BD 175, BD 176, BD 177 y BD 178. Especificaciones de calidad
NC 66-22-1984 Electronios. Tranaistores Bipolares de Alta Potencia y Baja Frecuencia, Tipos BD 705, BD 707, BD 708, BD 709, y BD 710 Especificaciones de Calidad
NC 66-19-1984 Electrónica. Transistores bipolares de media potencia y alto voltaje, tipos BD 135, BD 136, 3D 137, BD 138, BD 139 y BD 140. Especificaciones de calidad
NC 66-24-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipos BD 533, BD 534, BD 535, BD 536, BD 537 BD 538. Especificaciones de calidad
NC 66-21-1984 Electronios. Tranaistores Bipolares de Alta Potencia y Baja Frecuencia, Tipos BD 233, BD 234, BD 235, BD 236, BD 237 y BD 238. Especificaciones de Calidad

Lithuanian Standards Office , personalidad bipolar

LST EN 60081-1999 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento (IEC 60081:1997)
LST EN 60081-1999/A2-2004 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento (IEC 60081:1997/A2:2003)
LST EN 60081-1999/A3-2006 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento (IEC 60081:1997/A3:2005)
LST EN 60081-1999/A1-2002 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento (IEC 60081:1997/A1:2000, modificada)

American Society for Testing and Materials (ASTM), personalidad bipolar

ASTM F1605-95 Método de prueba estándar para el rendimiento de planchas de doble cara
ASTM F1605-14(2019) Método de prueba estándar para el rendimiento de planchas de doble cara
ASTM A1088-13 Especificación estándar para acero, láminas, laminado en frío, fase compleja (CP), fase dual (DP) y plasticidad inducida por transformación (TRIP)
ASTM D7932-14 Especificación estándar para etiquetas adhesivas impresas sensibles a la presión para uso en entornos de distribución extremos
ASTM D7932-17 Especificación estándar para etiquetas adhesivas impresas sensibles a la presión para uso en entornos de distribución extremos
ASTM C1353-09 Método de prueba estándar para la resistencia a la abrasión de piedras dimensionales sometidas a tránsito peatonal utilizando una plataforma giratoria, abrasador de doble cabezal
ASTM C1353/C1353M-09e1 Método de prueba estándar para la resistencia a la abrasión de piedras dimensionales sometidas a tránsito peatonal utilizando una plataforma giratoria, abrasador de doble cabezal
ASTM E1855-96 Método de prueba estándar para el uso de transistores bipolares de silicio 2N2222A como sensores de espectro de neutrones y monitores de daños por desplazamiento
ASTM E1855-15 Método de prueba estándar para el uso de transistores bipolares de silicio 2N2222A como sensores de espectro de neutrones y monitores de daños por desplazamiento

Professional Standard - Electron, personalidad bipolar

SJ/Z 9184-1995 Especificaciones para la determinación de condensadores electrolíticos de aluminio bipolares utilizados para VCR.
SJ 20973-2007 Condensadores fijos, de doble polarización, electrolíticos (electrolito sólido), tantalio, confiabilidad establecida, especificaciones generales para
SJ 20208-1992 Especificaciones detalladas para condensadores, electrolíticos (electrolito sólido), tantalio (no polarizado, sinterizado), confiabilidad establecida, tipo CAK70.
SJ 50063.1-1994 Condensadores, fijos, electrolíticos (electrolito sólido) de tantalio, confiabilidad establecida (no polarizada), estilo CAK, especificaciones detalladas para
SJ/T 10504-1994 Especificación de detalle de componentes electrónicos. Condensadores de tantalio fijos bipolares tipo CA 70 con electrolito sólido. Nivel de evaluación E

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, personalidad bipolar

GJB 605-1988 Condiciones técnicas del paquete de baterías bipolares SD01A para armas nucleares de misiles

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), personalidad bipolar

KS C 5208-2002 TIRISTORES TRIODO BIDIRECCIONALES CONFIABILIDAD ASEGURADA (BAJA CORRIENTE)
KS C 5209-1980(2000) TIRISTOROS TRIODO BIDIRECCIONALES CONFIABILIDAD ASEGURADA (ALTA Y MEDIA CORRIENTE)
KS C 5209-1980 TIRISTOROS TRIODO BIDIRECCIONALES CONFIABILIDAD ASEGURADA (ALTA Y MEDIA CORRIENTE)
KS C IEC 62776:2020 Lámparas LED de doble tapa diseñadas para modernizar lámparas fluorescentes lineales: especificaciones de seguridad
KS C 5209-2002 TIRISTOROS TRIODO BIDIRECCIONALES CONFIABILIDAD ASEGURADA (ALTA Y MEDIA CORRIENTE)
KS C IEC 60747-7-2:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia
KS C IEC TS 62607-4-1:2019 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 4-1: Nanomateriales catódicos para el almacenamiento de energía eléctrica mediante nanotecnología. Caracterización electroquímica, métodos de celdas de 2 electrodos.
KS B ISO 1938-1:2020 Especificaciones geométricas de productos (GPS). Equipos de medición dimensional. Parte 1: Medidores de límite simples de tamaño lineal.
KS B ISO 16570:2013 Especificaciones geométricas de productos (GPS): dimensiones y tolerancias lineales y angulares: +/- especificaciones límite. Dimensiones de los escalones, distancias, tamaños angulares y radios.

Danish Standards Foundation, personalidad bipolar

DS/IEC 747-7-2:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de baja frecuencia

IN-BIS, personalidad bipolar

IS 10676-1983 ESPECIFICACIÓN PARA ESPÁTULA, CEREBRO, DE DOBLE EXTREMO, MALEABLE, PATRÓN DE OLIVECRONA

YU-JUS, personalidad bipolar

JUS N.R1.391-1979 Transistores polares. Clasificaciones y características esenciales: transistores de potencia.
JUS N.R1.373-1980 Yodos semiconductores. Clasificaciones y características esenciales. Diodos de señal de baja potencia
JUS N.R1.390-1979 Tnmmton bipolar. Clasificaciones y características esenciales: transistores de señal de potencia bw

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), personalidad bipolar

JIS C 7233:1978 Tiristores triodos bidireccionales con confiabilidad asegurada (baja corriente)
JIS C 7234:1978 Tiristores triodo bidireccionales de confiabilidad asegurada (corriente alta y media)

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, personalidad bipolar

REPORT M.2175-2010 Técnica de transmisión simultánea de polarización lineal dual que utiliza cancelación digital de polarización cruzada para sistemas SMS

Group Standards of the People's Republic of China, personalidad bipolar

T/ZJCX 0034-2023 Estándar de prueba de las características de la placa bipolar de grafito para celdas de combustible de membrana de intercambio de protones
T/CES 084-2021 Especificación de prueba para la confiabilidad de la aplicación de módulos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC) utilizando convertidores de fuente de voltaje (VSC)
T/CEC 155-2018 Requisitos generales para dispositivos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de tipo engarzado para transmisión de energía flexible

Indonesia Standards, personalidad bipolar

SNI 19-2967-1992 130 mm, 1, 9 tp mm, dos caras, doble densidad, cartuchos de disco flexible sin formato, uso 7958 bpr

Aeronautical Radio Inc., personalidad bipolar

ARINC 407-1 PART 5-1961 Práctica recomendada sobre polaridades de señales para señales de condición y comando

KR-KS, personalidad bipolar

KS C IEC 62776-2020 Lámparas LED de doble tapa diseñadas para modernizar lámparas fluorescentes lineales: especificaciones de seguridad
KS C IEC TS 62607-4-1-2019 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 4-1: Nanomateriales catódicos para el almacenamiento de energía eléctrica mediante nanotecnología. Caracterización electroquímica, métodos de celdas de 2 electrodos.
KS B ISO 1938-1-2020 Especificaciones geométricas de productos (GPS). Equipos de medición dimensional. Parte 1: Medidores de límite simples de tamaño lineal.

RU-GOST R, personalidad bipolar

GOST 26169-1984 Compatibilidad electromagnética de equipos radioelectrónicos. Estándares de coeficientes de componentes de intermodulación de transistores lineales bipolares de alta frecuencia y alta potencia
PNST 116-2016 Lámparas LED de doble casquillo diseñadas para modernizar lámparas fluorescentes lineales. Especificaciones de seguridad
GOST R IEC 60254-2-2009 Baterías de tracción de plomo-ácido. Parte 2. Dimensiones de celdas y terminales y marcado de polaridad en las celdas.
GOST 25347-2013 Normas básicas de intercambiabilidad. Especificaciones geométricas del producto. Sistema de tolerancias en medidas lineales. Serie de tolerancias, desviaciones límite para agujeros y ejes.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, personalidad bipolar

GB/T 20042.6-2011 Pila de combustible de membrana de intercambio de protones. Parte 6: Método de prueba de las propiedades de la placa bipolar.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, personalidad bipolar

CNS 14735-8-2003 Especificación para tableros impresos flexibles de una y dos caras con conexiones pasantes
CNS 14735.8-2003 Especificación para tableros impresos flexibles de una y dos caras con conexiones pasantes
CNS 14735-7-2003 Especificación para tableros impresos flexibles de una y dos caras sin conexiones pasantes
CNS 14735.7-2003 Especificación para tableros impresos flexibles de una y dos caras sin conexiones pasantes

Standard Association of Australia （SAA）, personalidad bipolar

AS 4782.2:2019 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento, Parte 2: Norma mínima de rendimiento energético (MEPS)
AS/NZS 4782.1:2020 Lámparas fluorescentes de doble casquillo. Especificaciones de rendimiento, Parte 1: General (IEC 60081:1997+AMD1:2000 CSV (ED.5.1), MOD)

International Organization for Standardization (ISO), personalidad bipolar

ISO 10575:2012 Revestimientos de suelos resilientes: especificación para revestimientos de suelos de láminas de caucho con respaldo

American National Standards Institute （ANSI), personalidad bipolar

ANSI X3.121-1984 Sistemas de información: cartucho de disco flexible, de doble cara, sin formato, 8 pulgadas (200 mm), 48 TPI, de doble densidad: requisitos generales, físicos y magnéticos para aplicaciones de dos cabezales 13 262 FTPR
ANSI/INCITS 121-1984 Sistemas de información: cartucho de disco flexible, de doble cara, sin formato, de 8 pulgadas (200 mm), 48 tpi, de doble densidad: requisitos generales, físicos y magnéticos para aplicaciones de dos cabezales de 13 262 ftpr Reemplaza a ANSI X3. 121-1984
ANSI/INCITS 126-1986 Cartucho de disco flexible de una y dos caras, de doble densidad, sin formato, de 5,25 pulgadas (130 mm), 96 pistas por pulgada (3,8 pistas por mm): requisitos generales, físicos y magnéticos para el uso de 7958 BPR
ANSI X3.125-1985 Sistemas de información: cartucho de disco flexible de dos caras, doble densidad, sin formato, 5,25 pulgadas (130 mm), 48 tpi (1,9 tpmm) para uso con 7958 BPR: requisitos generales, físicos y magnéticos
ANSI/AWS B2.1-1-007:2002 Soldadura por arco de tungsteno con gas de acero galvanizado, calibre 10 a 18, en el estado en que está soldado, con o sin respaldo
ANSI/INCITS 125-1985 Sistemas de información: cartucho de disco flexible de dos caras, doble densidad, sin formato, 5,25 pulgadas (130 mm), 48 tpi (1,9 tpmm) para uso de 7958 bpr; requisitos generales, físicos y magnéticos que reemplazan a ANSI X3.125-1985

PT-IPQ, personalidad bipolar

NP 2955/6-1985 COMPONENTES ELECTRÓNICOS Memorias bipolares de sólo lectura, programables por fusión en circuitos integrados monolíticos de silicio Especificaciones particulares

CZ-CSN, personalidad bipolar

CSN 01 4240 Zb-1982 ?SN 01 4240* Základní pravidla vyměnitelnosti MEZN? ?CHYLKY NETOLEROVAN?CH ROZM?R?

ANSI - American National Standards Institute, personalidad bipolar

X3.121-1984 Sistemas de información - Dos caras@ Sin formato@ 8 pulgadas (200 mm)@ 48-tpi@ Doble densidad@ Flexible@ Cartucho de disco - General@ Requisitos físicos@ y magnéticos para aplicaciones de dos cabezales de 13 262 ftpr
INCITS 121-1984 Sistemas de información - Dos caras@ Sin formato@ 8 pulgadas (200 mm)@ 48-tpi@ Doble densidad@ Flexible@ Cartucho de disco - General@ Requisitos físicos@ y magnéticos para aplicaciones de dos cabezales de 13 262 ftpr
INCITS 125-1985 Sistemas de información - Dos caras@ Doble densidad@ Sin formato@ 5,25 pulgadas (130 mm)@ 48 tpi (1@9-tpmm)@ Cartucho de disco flexible para uso de 7958 bpr - Requisitos generales@ físicos@ y magnéticos
X3.125-1985 Sistemas de información - Dos caras@ Doble densidad@ Sin formato@ 5,25 pulgadas (130 mm)@ 48 tpi (1@9-tpmm)@ Cartucho de disco flexible para uso de 7958 bpr - Requisitos generales@ físicos@ y magnéticos
X3.126-1986 Sistemas de información - Una o dos caras@ Doble densidad@ Sin formato@ 5,25 pulgadas (130 mm)@ 96 tpi (3@8-tpmm)@ Cartucho de disco flexible para uso de 7958 bpr - General@ Físico@ y magnético Requisitos
INCITS 126-1986 Sistemas de información - Una o dos caras@ Doble densidad@ Sin formato@ 5,25 pulgadas (130 mm)@ 96 tpi (3@8-tpmm)@ Cartucho de disco flexible para uso de 7958 bpr - General@ Físico@ y magnético Requisitos
INCITS 126-2017 Sistemas de información: cartucho de disco flexible de una o dos caras@, doble densidad, sin formato@, 5,25 pulgadas (130 mm)@ 96 tpi (3@8 tpmm)@ para uso de 7958 bpr – Requisitos generales@ físicos@ y magnéticos

RO-ASRO, personalidad bipolar

STAS 7335/9-1988 Protección contra la corrosión de construcciones metálicas subterráneas PROTECCIÓN CÁTODIGA EXTERIOR Y PUESTA A TIERRA MEDIANTE ANOOS ACTIVOS METÁLICOS Especificaciones generales

Professional Standard - Post and Telecommunication, personalidad bipolar

YD/T 2618.3-2014 Transpondedor óptico con formatos de modulación de fase de 40 Gb/s. Parte 3: Recepción coherente y manipulación por desplazamiento de fase en cuadratura de polarización dual

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), personalidad bipolar

IEEE/ANSI N42.17C-1989 Especificaciones de desempeño para instrumentación de física de la salud; Instrumentación portátil para uso en condiciones ambientales extremas.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, personalidad bipolar

EN 60721-1:1995 Clasificación de Condiciones Ambientales Parte 1: Parámetros Ambientales y sus Severidades (Incorpora A2)

NL-NEN, personalidad bipolar

NEN 10721-3-0-1994 Clasificación de las condiciones ambientales. Parte 3: Clasificación de grupos de parámetros ambientales y sus severidades. Introducción (IEC 721-3-0:1984+A1:1987)