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diodo

diodo, Total: 500 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en diodo son: Dispositivos semiconductores, Dispositivos de visualización electrónica., Optoelectrónica. Equipo láser, Vocabularios, Lámparas y equipos relacionados., Comunicaciones de fibra óptica., Materiales semiconductores, tubos electronicos, Pruebas eléctricas y electrónicas., Vaso, Sistemas de vehículos de carretera, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Circuitos impresos y placas., Equipos y sistemas eléctricos aeroespaciales., Equipamiento de pasajeros y cabina., Accesorios electricos, Radiocomunicaciones, Embalaje y distribución de mercancías en general., Química analítica, Material rodante ferroviario, ingeniería de energía solar, Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Difusión de radio y televisión, ingenieria electrica en general, Tintas. Tintas de impresión, ingeniería de energía nuclear, Materiales y accesorios de embalaje., Protección del medio ambiente, Pequeña embarcación.


International Electrotechnical Commission (IEC), diodo

  • IEC 60747-3-1:1986
  • IEC 60747-3:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 3: Dispositivos discretos: diodos de señal, conmutación y reguladores
  • IEC 60747-3:1985 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores.
  • IEC 60747-3-2:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores. Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluyendo los diodos de referencia de precisión con compensación de temperatura d
  • IEC 60747-3/AMD1:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 3: diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores; enmienda 1
  • IEC 60747-3/AMD2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 3: diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores; enmienda 2
  • IEC TS 62504:2011 Iluminación general - LED y módulos LED - Términos y definiciones
  • IEC TS 62861:2017 Directrices para pruebas de confiabilidad de componentes principales para fuentes de luz LED y luminarias LED
  • IEC 91/926/PAS:2010 Placa de circuito electrónico para LED de alto brillo.
  • IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-8: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz
  • IEC 60747-2-2:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección 2: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
  • IEC 60747-2-1:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 2: diodos rectificadores; sección uno: especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
  • IEC 62979:2017 Módulos fotovoltaicos - Diodo de derivación - Prueba de fuga térmica
  • IEC 62931:2017 Lámpara LED tubular con tapa GX16t-5 - Especificaciones de seguridad
  • IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 5-11: Dispositivos optoelectrónicos - Diodos emisores de luz - Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz
  • IEC 91/928/PAS:2010 Métodos de prueba para placas de circuitos electrónicos para LED de alto brillo.
  • IEC 60747-7:1988 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados; parte 7: transistores bipolares

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), diodo

  • KS C IEC 60747-3-1:2006 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • KS C IEC 60747-3-2:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos reguladores y de señal (incluida la conmutación) －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluidos los diodos de referencia de precisión con compensación de temperatura
  • KS C IEC 60747-3:2006 Dispositivos semiconductores-Dispositivos discretos-Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
  • KS C IEC 60747-3:2016 Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
  • KS C 5205-2002 DIODOS REGULADORES DE TENSIÓN Y DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIÓN CONFIABILIDAD ASEGURADA
  • KS C IEC 60747-3-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • KS C IEC 60747-3-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores－Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores－Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • KS C 7120-1990 Diodos emisores de luz (para indicación)
  • KS C 7120-1990(2016) Diodos emisores de luz (para indicación)
  • KS C 7120-1990(2021) Diodos emisores de luz (para indicación)
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos reguladores y de señal (incluida la conmutación) －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluidos
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 3: Diodos reguladores y de señal (incluida la conmutación) －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluidos
  • KS C 7003-1996 Métodos de medición para diodos de señal pequeños.
  • KS C 5205-1980(2000) DIODOS REGULADORES DE TENSIÓN Y DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIÓN CONFIABILIDAD ASEGURADA
  • KS C 7003-1981 Métodos de medición para diodos de señal pequeños.
  • KS C 7003-2017 Métodos de medición para diodos de señal pequeños.
  • KS C 5300-1992 Reglas generales de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6990-2001 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 7003-2017(2022) Métodos de medición para diodos de señal pequeños.
  • KS C 6905-2001 Reglas generales de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 7121-1990 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
  • KS C 5301-1992 Métodos de prueba de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6991-2001 Métodos de prueba de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 7121-1990(2021) Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
  • KS C 5300-1992(2022) Reglas generales de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 5203-1980(2000) FIABILIDAD ASEGURADA PEQUEÑOS DIODOS DE SEÑAL
  • KS C 6905-2001(2021) Reglas generales de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6045-1991(2001) MÉTODOS DE PRUEBA PARA DIODOS RECTIFICADORES SEMICONDUCTOR
  • KS C 5203-1980 FIABILIDAD ASEGURADA PEQUEÑOS DIODOS DE SEÑAL
  • KS C 6045-1986 MÉTODOS DE PRUEBA PARA DIODOS RECTIFICADORES SEMICONDUCTOR
  • KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
  • KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
  • KS C 6906-2001 Métodos de prueba de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 5203-2002 FIABILIDAD ASEGURADA PEQUEÑOS DIODOS DE SEÑAL
  • KS C 5213-1981(1997) DIODOS DE CONMUTACIÓN DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C 5213-1981 DIODOS DE CONMUTACIÓN DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corriente
  • KS C IEC 60747-2-2:2006 Dispositivos semiconductores-Dispositivos discretos-Parte 2: Diodos rectificadores-Sección dos: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
  • KS C IEC 60747-2-1:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 2: Diodos rectificadores －Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A
  • KS C 7104-2005 Estándar para medir el rendimiento de los diodos emisores de luz.
  • KS C 6942-2014 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6990-2013 REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 6991-2013 MÉTODOS DE PRUEBA DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 5204-1980(2000) DIODOS RECTIFICADORES DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C 5217-1983(1998) DIODOS RECTIFICADORES DE CONFIABILIDAD ASEGURADA (CORRIENTE MEDIA Y ALTA)
  • KS C 7104-2005(2020) Estándar para medir el rendimiento de los diodos emisores de luz.
  • KS C 5204-1980 DIODOS RECTIFICADORES DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C 5204-2002 DIODOS RECTIFICADORES DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C 5213-2002 DIODOS DE CONMUTACIÓN DE BAJA CORRIENTE CONFIABILIDAD GARANTIZADA
  • KS C 6990-2001(2011) REGLAS GENERALES DE FOTODIODOS PARA TRANSMISIÓN POR FIBRA ÓPTICA
  • KS C 5301-1992(2017) Métodos de prueba de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6906-2001(2016) Métodos de prueba de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 5301-1992(2022) Métodos de prueba de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6906-2001(2021) Métodos de prueba de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6943-2014 Métodos de prueba de módulos de diodos láser para transmisión de fibra óptica.
  • KS C 5217-2002 DIODOS RECTIFICADORES DE CONFIABILIDAD ASEGURADA (CORRIENTE MEDIA Y ALTA)
  • KS C 5300-1992(2017) Reglas generales de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • KS C 6704-1991(2001) MÉTODOS DE PRUEBA DE DIODOS LÁSER UTILIZADOS PARA GRABACIÓN Y REPRODUCCIÓN
  • KS C 5217-1983 DIODOS RECTIFICADORES DE CONFIABILIDAD ASEGURADA (CORRIENTE MEDIA Y ALTA)

British Standards Institution (BSI), diodo

  • BS IEC 60747-3:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos de señal, conmutación y reguladores.
  • BS IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
  • BS EN 120001:1993 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • BS PD IEC/TS 62861:2017 Directrices para pruebas de confiabilidad de componentes principales para fuentes de luz LED y luminarias LED
  • BS EN 120001:1991 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificaciones detalladas en blanco - Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • BS 9300 C678-721:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
  • BS 9300 C199-276:1971 Especificaciones detalladas para diodos reguladores de voltaje de silicio.
  • BS 9300 C405-429:1971 Especificaciones detalladas para diodos reguladores de voltaje de silicio.
  • BS 9300 C841-849:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
  • BS 9300 C678-721:1980 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
  • BS 9300 C780-831:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
  • BS E9375:1975 Especificación - Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco: diodos reguladores de tensión y diodos de referencia de tensión, excluidos los diodos de referencia de tensión de precisión con compensación de temperatura
  • BS IEC 60747-5-11:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.
  • BS 9300 C377-378:1971 Especificaciones detalladas para diodos mezcladores coaxiales de silicio.
  • BS 9300 C771-772:1971 Especificación detallada para diodos mezcladores coaxiales.
  • BS 9300 C476:1973 Especificación detallada para el diodo rectificador de avalancha de silicio
  • BS 9300 C667-668:1971 Especificación detallada para diodos rectificadores de avalancha de silicio
  • BS 9300 C776-777:1971 Especificación detallada para diodos mezcladores coaxiales de germanio
  • BS EN 120005:1986 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos - Especificación detallada en blanco - Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • BS EN 120002:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • BS 9300 C762:1971 Especificación detallada para diodos mezcladores para uso en frecuencias de banda X
  • BS 9300 C534:1971 Especificación detallada para diodo de conmutación resistivo coaxial de silicio
  • BS 9300 C762:1980 Especificación detallada para diodos mezcladores para uso en frecuencias de banda X
  • BS IEC 60747-2:2016 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. diodos rectificadores
  • BS EN 60747-2:2016 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. diodos rectificadores
  • 18/30367363 DC BSIEC 60747-5-8. Dispositivos semiconductores. Parte 5-8. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
  • BS IEC 60747-5-16:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba del voltaje de banda plana de diodos emisores de luz basados en GaN basado en la espectroscopia de fotocorriente
  • BS EN 62341-1-1:2009 Pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED): especificaciones genéricas
  • BS EN 62931:2017 Lámpara LED tubular con tapa GX16t-5 - Especificaciones de seguridad
  • BS EN 120005:1993 Especificación para un sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • BS 9300 C778:1971 Especificación detallada para un par combinado de diodos mezcladores coaxiales de germanio
  • BS EN ISO 19009:2015 Pequeña embarcación. Luces de navegación eléctricas. Rendimiento de las luces LED
  • BS ISO 13207-1:2012 Vehiculos de carretera. Características de la lámpara LED para detección de fallas compatibles con bombillas. Lámparas LED utilizadas como indicadores de dirección.
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11. Dispositivos semiconductores. Parte 5-11. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de corrientes radiativas y no radiativas de diodos emisores de luz.

Defense Logistics Agency, diodo

工业和信息化部, diodo

  • SJ/T 11624-2016 Especificación para diodos emisores de luz para uso en pantallas de diodos emisores de luz (LED)
  • SJ/T 2749-2016 Métodos de prueba de diodos láser semiconductores
  • QC/T 1038-2016 Diodos emisores de luz (LED) y módulos para automóviles
  • SJ/T 11767-2020 Método de prueba de parámetros de ruido de baja frecuencia de diodo
  • QB/T 5478-2020 Tinta de impresión offset fotopolimerizable con diodo emisor de luz UV

Japan Electronics and Information Technology Industries Association, diodo

JP-JEITA, diodo

Professional Standard - Education, diodo

Association Francaise de Normalisation, diodo

  • NF C96-832:1981 Semiconductores. Diodos de microondas. Diodos Schottky. Requerimientos generales.
  • NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • NF EN 120002:1992 Especificación marco particular: diodos emisores de infrarrojos, redes de diodos emisores de infrarrojos
  • NF EN 120001:1992 Especificación marco particular: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin resistencia ni circuitos lógicos internos
  • NF EN 120005:1992 Especificación de marco especial: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica}
  • NF C93-120-002*NF EN 120002:1992 Especificación de detalle en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • NF C86-502:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de infrarrojos, matrices de diodos emisores de infrarrojos.
  • NF C93-871:1987 Transmisores digitales con diodos emisores de luz.
  • NF C86-508:1993 Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz y diodos emisores de infrarrojos para sistema o subsistema de fibra óptica.
  • NF C86-501:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz.
  • NF C93-872:1987 Receptores digitales con fotodiodo pin.
  • NF C86-818/A1:1981 DIODOS DE REPARACIÓN A TEMPERATURA AMBIANTE ESPECIFICADA
  • NF C96-821:1981 Dispositivos semiconductores Diodos rectificadores de alta potencia
  • NF C86-815:1981 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Especificación detallada en blanco: diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje.
  • NF C57-379*NF EN 62979:2017 Módulo fotovoltaico - Diodo de derivación - Prueba de fuga térmica
  • NF EN 62979:2017 Módulos fotovoltaicos - Diodo de derivación - Prueba de fuga térmica
  • NF C86-505:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fotodiodos. Matrices de fotodiodos. Especificación de detalle en blanco CECC 20 005.
  • NF C96-811/A3:1974 Diodos semiconductores para aplicaciones profesionales Fichas de artículos generales
  • NF C96-811/A4:1974 Semiconductores Diodos para aplicaciones profesionales Fichas de artículos generales

Danish Standards Foundation, diodo

  • DS/IEC 747-3-2:1987 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores. Sección 2: Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluyendo los diodos de referencia de precisión con compensación de temperatura.
  • DS/IEC 747-3:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores
  • DS/IEC 747-3-1:1987 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores - Sección 1: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • DS/IEC 747-2-1:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 2: Diodos rectificadores. Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A

German Institute for Standardization, diodo

  • DIN IEC 60747-3:1992 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 3: diodos de señal y diodos reguladores; idéntico a IEC 60747-3:1985
  • DIN EN 120005:1996 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
  • DIN EN 120001:1993-06 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia; Versión alemana EN 120001:1992
  • DIN EN 120002:1997-02 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos; Versión alemana EN 120002:1992
  • DIN EN 120001:1993 Especificaciones detalladas en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia; Versión alemana EN 120001:1992
  • DIN EN 120002:1997 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos; Versión alemana EN 120002:1992
  • DIN EN 120005:1996-11 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica); Versión alemana EN 120005:1992
  • DIN 4000-18:1988-12 Diseños tabulares de características de artículos para diodos semiconductores.

Professional Standard - Military and Civilian Products, diodo

  • WJ 2100-2004 Método de prueba para fotodiodos de silicio y fotodiodos de avalancha de silicio.
  • WJ 2539-1999 Reglamento de verificación para medidor de diodo de medición de temperatura
  • WJ 2265-1995 Especificaciones para fotodiodos de avalancha de silicio preamplificados
  • WJ 2506-1998 Reglamento de verificación para el probador dinámico de fotodiodos

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, diodo

  • PQC 105-1992 Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz @ matrices de diodos emisores de luz
  • QC 750101-1986 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores@ Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal@ Diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada (IEC 747-3-1 ED 1)
  • PQC 75-1991 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos rectificadores Especificación detallada en blanco: Diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha) a temperatura ambiente y con clasificación de caja a más de 100 A
  • QC 750105-1986 Dispositivos semiconductores; Dispositivos discretos, Parte 3: Diodos reguladores y de señal (incluida la conmutación) Sección Dos espacios en blanco Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluyendo la precisión con compensación de temperatura Ref. Diodos (IEC
  • QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Diodo de conmutación de alta velocidad con clasificación ambiental de silicio en encapsulación de plástico
  • QC 750101/SU 0004-1990 Especificación detallada para componentes electrónicos Diodos semiconductores@ Clasificación ambiental Designados para circuitos en receptores de TV Diodos de conmutación (Sw)@ Tipo KD805A

ES-UNE, diodo

  • UNE-EN 120001:1992 BDS: DIODOS EMISORES DE LUZ, MATRICES DE DIODOS EMISORES DE LUZ, DISPLAYS DE DIODOS EMISORES DE LUZ SIN LÓGICA INTERNA Y RESISTENCIA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
  • UNE-EN 120005:1992 BDS: FOTODIODOS, Matrices de fotodiodos (NO DESTINADOS A APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA). (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
  • UNE-EN 120002:1992 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • UNE-EN 120008:1993 BDS: DIODOS EMISORES DE LUZ Y DIODOS EMISORES DE INFRARROJOS PARA SISTEMA O SUBSISTEMA DE FIBRA ÓPTICA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)
  • UNE-EN 62979:2017 Módulo fotovoltaico - Diodo de bypass - Ensayo de fuga térmica (Ratificada por Asociación Española de Normalización en octubre de 2018.)
  • UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-FOTODIODOS PARA APLICACIONES DE FIBRA ÓPTICA. (Ratificada por AENOR en septiembre de 1996.)

Professional Standard - Electron, diodo

  • SJ 2216-1982 Fotodiodos de silicio
  • SJ/T 11470-2014 Obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.
  • SJ 1226-1977 Especificación detallada para diodos detectores de germanio, tipo 2AP9 ~ 2AP10
  • SJ 1229-1977 Especificación detallada para diodos de conmutación de germanio, tipo 2AK1 ~ 20
  • SJ 2005-1982 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS34
  • SJ/T 2216-2015 Especificación técnica para fotodiodo de silicio.
  • SJ 1381-1978 Estructura y tecnología del diodo de prueba.
  • SJ 1805-1981 Especificación detallada para diodos de capacitancia variable modulados en frecuencia de silicio, tipo 2CC126
  • SJ 1225-1977 Especificación detallada para diodos detectores de germanio, tipo 2AP11 ~ 2AP17
  • SJ 1228-1977 Especificación detallada para diodos detectores de banda ancha de germanio, tipo 2AP30 ~ 2AP31
  • SJ 1946-1981 Especificación detallada para diodos elevadores de voltaje de silicio, tipo 2CN4C, 2DN4C, 2CN5C y 2DN5C
  • SJ 1947-1981 Especificación detallada para diodos rectificadores de potencia de silicio, tipo 2CZ32B, 2DZ32B, 2CZ33B y 2DZ33B
  • SJ 1227-1977 Especificación detallada para diodos detectores de germanio, tipo 2AP1 ~ 2AP8, 2AP21 y 2AP27
  • SJ/T 2354-2015 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
  • SJ/T 2354-2015/0352 Métodos de medición para fotodiodos de PIN、APD
  • SJ 909-1974 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio, tipo 2CW50~149
  • SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
  • SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
  • SJ 2137-1982 Procedimientos generales de medición para diodos reguladores de corriente de silicio.
  • SJ/T 11471-2014 Métodos de medición para obleas epitaxiales de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
  • SJ/T 11397-2009 Fósforos para diodos emisores de luz.
  • SJ 1388-1978 Métodos de medición de la conductancia anódica de diodos generadores de ruido.
  • SJ 2218-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo diodo.
  • SJ 20788-2000 Método de medición de la impedancia térmica de diodos semiconductores.
  • SJ 2747-1987 Especificación detallada en blanco para diodos de recuperación de función escalonada
  • SJ/T 11141-2017 Especificación genérica para pantallas LED
  • SJ/T 11281-2017 Métodos de medición de pantallas de diodos emisores de luz (LED)
  • SJ/T 11281-2007 Métodos de medición de paneles de diodos emisores de luz (LED)
  • SJ 1389-1978 Métodos de medición de la corriente de fuga de diodos entre electrodos de diodos generadores de ruido.
  • SJ 2140-1982 Métodos de medición para limitar el voltaje de diodos reguladores de corriente de silicio.
  • SJ 50033/102-1995 Especificación detallada del fotodiodo PIN InGaAs/InP para el tipo GD 218
  • SJ 1806-1981 Especificación detallada para diodos de capacitancia variable de conmutación de banda de silicio, tipo 2CC110,2CC210,2CC310,2CC410,2CC130
  • SJ 1392-1978 Métodos de medición del exceso de potencia de ruido de los diodos generadores de ruido.
  • SJ 20785-2000 Métodos de medición para módulo de diodo superluminiscente
  • SJ 2725-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de silicio de uso general, tipo 2CZ311
  • SJ 2727-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de silicio de uso general, tipo 2CZ313
  • SJ 910-1974 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio, tipo 3DW50~202
  • SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11401-2009 Programa en serie para diodos emisores de luz semiconductores.
  • SJ 2726-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de silicio de uso general, tipo 2CZ312
  • SJ 2717-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de silicio de uso general, tipo 2CZ301
  • SJ 2139-1982 Métodos de medición de la impedancia dinámica de diodos reguladores de corriente de silicio.
  • SJ 2722-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ306
  • SJ 2731-1986 Especificación detallada para fiodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ317
  • SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
  • SJ 2724-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ308
  • SJ 2138-1982 Métodos de medición de la corriente regulada de diodos reguladores de corriente de silicio.
  • SJ 2141-1982 Métodos de medición de la tensión de ruptura de diodos reguladores de corriente de silicio.
  • SJ 2354.5-1983 Método de medición de capacitancia de fotodiodos PIN y de avalancha.
  • SJ/T 11396-2009 Los sustratos de zafiro para diodos emisores de luz a base de nitruro.
  • SJ 2732-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ318
  • SJ 2721-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ305
  • SJ 2723-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de alta velocidad de silicio, tipo 2CZ307
  • SJ 2729-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de velocidad media de silicio, tipo 2CZ315
  • SJ 2718-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de velocidad media de silicio, tipo 2CZ302
  • SJ 2354.3-1983 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos PIN y de avalancha.
  • SJ 2354.6-1983 Método de medición de la capacidad de respuesta de PIN y fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2354.13-1983 Método de medición del factor de multiplicación de PIN y fotodiodos de avalancha.
  • SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
  • SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
  • SJ 50033/41-1994 Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja semiconductor tipo GR9414
  • SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
  • SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • SJ 2720-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de velocidad media de silicio, tipo 2CZ304
  • SJ 2728-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de velocidad media de silicio, tipo 2CZ314
  • SJ 2730-1986 Especificación detallada para diodos rectificadores de conmutación de velocidad media de silicio, tipo 2CZ316
  • SJ/T 11880-2022 Requisitos de evaluación de fábrica ecológica para la industria de fabricación de diodos emisores de luz
  • SJ 1386-1978 Condiciones de medición para diodos generadores de ruido y tubos de ruido de descarga de gas.

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., diodo

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, diodo

SE-SIS, diodo

  • SIS SS-CECC 20001-1991 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • SIS SS CECC 20002-1984 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • SIS SS CECC 20005-1988 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • SIS SS-CECC 50009-1991 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación de caja
  • SIS SS CECC 50001-1981 Especificación detallada en blanco: Diodos semiconductores de uso general Vordruck fur Bauartspezi fika tion: Allzweck—Halbleiterdioden
  • SIS SS-CECC 50008-1991 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación ambiental

Lithuanian Standards Office , diodo

  • LST EN 120001-2001 Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • LST EN 120002-2001 Especificación detallada en blanco. Diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • LST EN 120005-2001 Especificación detallada en blanco. Fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)

U.S. Military Regulations and Norms, diodo

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, diodo

  • CNS 13809-1997 Dados de diodo emisor de luz
  • CNS 13810-1997 Marcos de conductores para diodos emisores de luz
  • CNS 13808-1997 Obleas epitaxiales para diodos emisores de luz
  • CNS 11829-1987 Diodos emisores de luz (para indicación)
  • CNS 8383-1982 Medición de transitorios directos en diodos semiconductores
  • CNS 3998-1989 Método de prueba para diodos de señal pequeña
  • CNS 13654-1996 Métodos de medición para fotodiodos (para comunicación)
  • CNS 13651-1996 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para comunicación)
  • CNS 13648-1996 Métodos de medición para diodos láser (para comunicación)
  • CNS 11830-1987 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
  • CNS 13811-1997 Reflectores de tipo numérico para diodos emisores de luz
  • CNS 13807-1997 Métodos de prueba de epoxi para diodos emisores de luz
  • CNS 13655-1996 Pruebas de confiabilidad para fotodiodos (para comunicación)
  • CNS 13092-1992 Método de medición para paneles de visualización LED para exteriores
  • CNS 13649-1996 Pruebas de confiabilidad para diodos láser (para comunicación)
  • CNS 5764-1980 Regulador de voltaje Diodo Ruido Medición de voltaje
  • CNS 13652-1996 Pruebas de confiabilidad para diodos emisores de luz (para comunicación)
  • CNS 13779-1996 Métodos de medición para diodos emisores de infrarrojos (IRED) (para automatización)
  • CNS 13091-1992 Estándar de producto del panel de visualización LED para exteriores
  • CNS 11106-1984 Condiciones de equilibrio térmico para la medición de parámetros estáticos de diodos
  • CNS 6560-1980 Medición del tiempo de recuperación inversa para diodos semiconductores
  • CNS 14546-2007
  • CNS 13656-1996 Pruebas de control de lotes para fotodiodos (para comunicación)
  • CNS 13088-1992 Método de medición para lámparas grandes de diodos emisores de luz (para exhibición en exteriores)
  • CNS 14552-2001 Módulos de luces LED para señales de peatones (→CNS 14546)
  • CNS 13650-1996 Pruebas de control de lotes para diodos láser (para comunicación)
  • CNS 13653-1996 Pruebas de control de lotes para diodos emisores de luz (para comunicación)

TH-TISI, diodo

  • TIS 1970-2000 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, parte 3: sección de diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores, especificación detallada en un espacio en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • TIS 1971-2000 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, parte 3: sección de diodos reguladores y de señal (incluida la conmutación), especificación detallada en dos espacios en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluidos los diodos de referencia de precisión con compensación de temperatura
  • TIS 1596-1999 Dispositivos semiconductores.Dispositivos discretos.Parte 2: Diodos rectificadores Sección 2: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos los diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A.

European Standard for Electrical and Electronic Components, diodo

  • EN 120002:1992 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos
  • EN 120005:1992 Especificación detallada en blanco: fotodiodos, conjuntos de fotodiodos (no destinados a aplicaciones de fibra óptica)
  • EN 120001:1992 Especificación detallada en blanco; diodos emisores de luz, conjuntos de diodos emisores de luz, pantallas de diodos emisores de luz sin lógica interna ni resistencia
  • CECC 50 008- 004 Diodo rectificador de clasificación ambiental (En)
  • CECC 50 008- 005 Diodo rectificador de clasificación ambiental (En)
  • CECC 50 001- 026 ISSUE 3-1994 NL-CECC 50 001-26; Número de tipo de diodos de señal: BA314 (En)
  • CECC 50 008- 014 UTE C 86-818/014; Diodos rectificadores con clasificación ambiental (Fr)
  • EN 150009:1992 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores clasificados en caja
  • EN 150001:1991 Especificación detallada en blanco: diodos semiconductores de uso general
  • EN 150008:1992 Especificación detallada en blanco: diodos rectificadores con clasificación ambiental

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, diodo

  • GB/T 6588-2000 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 3: Diodos de señal (incluidos los de conmutación) y reguladores Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos de señal, diodos de conmutación y diodos de avalancha controlada
  • GB/T 6570-1986 Métodos de medición para diodos de microondas.
  • GB/T 6589-2002 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, Parte 3-2: Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores, especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje (excluidos los diodos de referencia de precisión con compensación de temperatura)
  • GB/T 15178-1994 Especificación detallada en blanco para diodos de capacitancia variable
  • GB 51209-2016 Especificación de diseño de fábrica de diodos emisores de luz.
  • GB/T 16894-1997 Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, para corrientes superiores a 100 A
  • GB/T 6351-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 2: Diodos rectificadores. Sección uno: Especificación detallada en blanco para diodos rectificadores (incluidos diodos rectificadores de avalancha), ambientales y de caja, hasta 100 A.
  • GB/T 15137-1994 Especificación detallada en blanco para diodos Gunn
  • GB/T 15649-1995 Especificación detallada en blanco para diodos láser semiconductores
  • GB/T 15177-1994 Especificaciones detalladas en blanco para detectores de microondas y diodos mezcladores.
  • GB/T 12562-1990 Especificación detallada en blanco para diodos PIN
  • GB/T 23729-2009 Fotodiodos para detectores de centelleo. Procedimientos de prueba
  • GB/T 36356-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • GB/T 12561-1990 Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz

RU-GOST R, diodo

  • GOST R 54814-2018 Diodos emisores de luz y módulos de diodos emisores de luz para aplicaciones generales. Términos y definiciones
  • GOST R 54814-2011 Diodos emisores de luz y módulos de diodos emisores de luz para aplicaciones generales. Términos y definiciones
  • GOST R 51106-1997
  • GOST 17465-1980 Diodos semiconductores. Parametros basicos
  • GOST 28625-1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 3. Diodos de señal (incluida la conmutación) y reguladores. Sección 2. Especificación detallada en blanco para diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje, excluido el diodo de referencia de precisión con compensación de temperatura
  • GOST 18986.10-1974 Diodos semiconductores. Métodos para medir la inductancia.
  • GOST 20693-1975 Kenotrones de alto voltaje. Términos y definiciones
  • GOST 21011.1-1976 Kenotrones de alto voltaje. El método de medición de la corriente del ánodo.
  • GOST 18986.4-1973 Diodos semiconductores. Métodos para medir la capacitancia.
  • GOST 18986.6-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la carga de recuperación.
  • GOST 18986.24-1983 Diodos semiconductores. Método de medición del voltaje de ruptura.
  • GOST 18986.0-1974 Diodos semiconductores. Métodos de medida de parámetros eléctricos. Requerimientos generales
  • GOST 23448-1979 Diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Dimensiones básicas
  • GOST 18986.5-1973 Diodos semiconductores. Método para medir el tiempo de transición.
  • GOST 20215-1984 Diodos semiconductores de microondas. Especificaciones generales
  • GOST 21011.3-1977 Kenotrones de alto voltaje. Método de medición de la corriente del calentador
  • GOST 21011.4-1977 Kenotrones de alto voltaje. Métodos de prueba de resistencia eléctrica.
  • GOST 21011.7-1980 Kenotrones de alto voltaje. El método de medición de la corriente de emisión.
  • GOST 18986.1-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la corriente inversa directa.
  • GOST 21011.2-1976 Kenotrones de alto voltaje. El método de medición de la corriente del ánodo dentro del pulso de voltaje.

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, diodo

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), diodo

  • JIS C 7035:1985 Diodos emisores de luz (para indicación)
  • JIS C 8152-2:2012 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general. Parte 2: módulos LED y motores de luz LED.
  • JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general. Parte 2: módulos LED y motores de luz LED (Enmienda 1).
  • JIS C 5942:1997 Reglas generales de diodos láser utilizados para grabación y reproducción.
  • JIS C 5942:2010 Reglas generales de diodos láser utilizados para grabación y reproducción.
  • JIS C 8152-1:2012 Fotometría de diodos emisores de luz blanca para iluminación general - Parte 1: Paquetes LED
  • JIS C 7223:1978 Diodos reguladores de voltaje y diodos de referencia de voltaje con confiabilidad garantizada
  • JIS C 7031:1993 Métodos de medición para diodos de señal pequeños.
  • JIS C 5940:1997 Reglas generales de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5943:1997 Métodos de medición de diodos láser utilizados para grabación y reproducción.
  • JIS C 5950:1997 Reglas generales de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5990:1997 Reglas generales de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5943:2010 Métodos de medición de diodos láser utilizados para grabación y reproducción.
  • JIS C 7033:1975 Métodos de prueba para diodos rectificadores semiconductores.
  • JIS C 7036:1985 Métodos de medición para diodos emisores de luz (para indicación)
  • JIS C 7221:1978 Fiabilidad garantizada pequeños diodos de señal.
  • JIS C 5941:1997 Métodos de medición de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5951:1997 Métodos de medición de diodos emisores de luz para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 5991:1997 Métodos de medición de fotodiodos para transmisión por fibra óptica.
  • JIS C 7222:1978 Diodos rectificadores de baja corriente con fiabilidad garantizada
  • JIS C 7224:1980 Diodos de conmutación de baja corriente con fiabilidad garantizada
  • JIS C 7225:1982 Diodos rectificadores de confiabilidad asegurada (corriente media y alta)

Professional Standard - Aerospace, diodo

  • QJ 1907-1990 Especificaciones de detección de diodos PIN
  • QJ 2362-1992 Especificaciones de detección de diodos de recuperación de pasos
  • QJ 1299-1987 Especificaciones de detección para diodos detectores y mezcladores de microondas de silicio

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, diodo

YU-JUS, diodo

International Commission on Illumination (CIE), diodo

Professional Standard - Machinery, diodo

  • JB/T 7624-2013 Métodos de prueba para diodos rectificadores.
  • JB/T 5186-1991 Fotodiodos de silicio para cámaras.
  • JB/T 10875-2008 Métodos de medición de las propiedades ópticas de los LED.
  • JB/T 5837-1991 Diodos rectificadores con clasificación de caja serie ZP 2000A y superiores
  • JB/T 5841-1991 Diodo rectificador de alto voltaje con clasificación de caja de 200A y superiores de la serie ZH

RO-ASRO, diodo

  • STAS 7128/7-1986 SÍMBOLOS DE LETRAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS Símbolos para diodos de capacitancia variable y diodos mezcladores
  • STAS 12123/3-1983 Dispositivos semiconductores DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIÓN Y DIODOS REGULADORES DE TENSIÓN Métodos de medición de características eléctricas
  • STAS 12123/2-1983 Dispositivos semiconductores DIODOS DE SEÑAL DE BAJA POTENCIA, INCLUIDOS LOS DIODOS DE CONMUTACIÓN Métodos de medición de las características eléctricas
  • STAS 10228-1984 DIODOS RECTIFICADORES DE SILICIO Requisitos técnicos generales de calidad
  • STAS 9368-1973 DIODOS DE CONTACTO DE PUNTO DE GERMANUM Requisitos técnicos generales de calidad

Group Standards of the People's Republic of China, diodo

  • T/QDAS 050-2020 Procedimientos de investigación y desarrollo de difusores de diodos.
  • T/CSA 047-2019 Método de medición de la resistencia térmica real y la impedancia de diodos emisores de luz
  • T/QGCML 097-2021 Especificaciones técnicas del embalaje del difusor de diodos.
  • T/QGCML 030-2020 Estándares eléctricos convencionales para láminas de difusión de diodos
  • T/CIECCPA 003-2019 Especificación para la producción y el procesamiento ecológicos de LED
  • T/CSA 015-2012 Iluminación con diodos emisores de luz orgánicos (OLED): métodos de medición
  • T/QDAS 070-2021 Fórmula de fuente líquida de difusión de boro para difusor de diodo.
  • T/COEMA 004LCD-2022 Película polarizadora para pantalla de TV con diodos emisores de luz orgánicos.
  • T/ZZB 2332-2021 Sustrato de zafiro pulido para LED
  • T/CVIA 59-2016 Métodos de medición de TV con diodos orgánicos emisores de luz (OLED)
  • T/CVIA 11-2016 Métodos de medición de TV con diodos orgánicos emisores de luz (OLED)
  • T/QDAS 094-2022 Fórmula de ácido mixto para limpieza de ranuras de diodos GPP
  • T/CIECCPA 004-2019 especificación para la adquisición de materia prima verde de LED
  • T/CSTM 01039-2023 Sustrato de vidrio para mini diodos emisores de luz.
  • T/CEMIA 031-2022 Revelador fotorresistente positivo para pantallas de diodos emisores de luz orgánicos
  • T/CSTM 00410-2021 Vidrio de sustrato para dispositivos de visualización de diodos emisores de luz orgánicos.
  • T/CSA 014-2012 Iluminación con diodos emisores de luz orgánicos (OLED): terminología y símbolo de letra
  • T/CPF 0055-2023 Tinta offset LED-UV para decoración de metales
  • T/CVIA 58-2016 Requisitos técnicos generales para televisores con diodos emisores de luz orgánicos (OLED)
  • T/CVIA 49-2016 Términos y símbolos del dispositivo de visualización de diodos orgánicos emisores de luz
  • T/CESA 1084-2020 Requisitos de evaluación de fábrica ecológica para la industria de fabricación de diodos emisores de luz
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