ZH
EN
KR
JP
ES
DEдиод
диод, Всего: 500 предметов.
В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к диод, являются: Полупроводниковые приборы, Электронные устройства отображения, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Словари, Лампы и сопутствующее оборудование, Оптоволоконная связь, Полупроводниковые материалы, Электронные лампы, Электрические и электронные испытания, Стекло, Системы дорожного транспорта, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Печатные схемы и платы, Аэрокосмическое электрооборудование и системы, Пассажирское и салонное оборудование, Электрические аксессуары, Радиосвязь, Упаковка и распространение товаров в целом, Аналитическая химия, Железнодорожный подвижной состав, Солнечная энергетика, Телевидение и радиовещание, Чернила. Печатные краски, Электротехника в целом, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Атомная энергетика, Упаковочные материалы и аксессуары, Защита окружающей среды, Малый корабль.
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), диод
- KS C IEC 60747-3-1:2006 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3:Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый:Плановая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
- KS C IEC 60747-3:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (в том числе коммутационные) и регуляторные диоды.
- KS C IEC 60747-3:2016 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3:Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды
- KS C IEC 60747-3-2:2006 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
- KS C 5205-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ДИОДЫ-РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ Опорного напряжения
- KS C IEC 60747-3-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый: Пустая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
- KS C IEC 60747-3-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый: Пустая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
- KS C 7120-1990 Светоизлучающие диоды (для индикации)
- KS C 7120-1990(2016) Светоизлучающие диоды (для индикации)
- KS C 7120-1990(2021) Светоизлучающие диоды (для индикации)
- KS C IEC 60747-3-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, исключая
- KS C IEC 60747-3-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, исключая
- KS C 7003-1996 Методы измерения малосигнальных диодов
- KS C 5205-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ДИОДЫ-РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ Опорного напряжения
- KS C 7003-1981 Методы измерения малосигнальных диодов
- KS C 7003-2017 Методы измерения малосигнальных диодов
- KS C 5300-1992 Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
- KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
- KS C 7003-2017(2022) Методы измерения малосигнальных диодов
- KS C 6905-2001 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
- KS C 7121-1990 Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
- KS C 5301-1992 Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
- KS C 7121-1990(2021) Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
- KS C 5300-1992(2022) Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
- KS C 5203-1980(2000) НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
- KS C 6905-2001(2021) Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
- KS C 6045-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
- KS C 5203-1980 НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
- KS C 6045-1986 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
- KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
- KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
- KS C 6906-2001 Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 5203-2002 НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
- KS C 5213-1981(1997) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
- KS C 5213-1981 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
- KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
- KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
- KS C 7104-2005 Эталон измерения характеристик светодиодов
- KS C 6942-2014 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
- KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
- KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
- KS C 5204-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
- KS C 5217-1983(1998) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
- KS C 7104-2005(2020) Эталон измерения характеристик светодиодов
- KS C 5204-1980 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
- KS C IEC 60747-2-2:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2. Выпрямительные диоды. Раздел второй. Бланк подробной спецификации выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
- KS C IEC 60747-2-1:2006 Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
- KS C 5204-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
- KS C 5213-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
- KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
- KS C 5301-1992(2017) Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 6906-2001(2016) Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 5301-1992(2022) Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 6906-2001(2021) Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 6943-2014 Методы испытаний лазерных диодных модулей для волоконно-оптической передачи данных
- KS C 5217-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
- KS C 5300-1992(2017) Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
- KS C 6704-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ДЛЯ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ
- KS C 5217-1983 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
- KS C IEC 62031:2011 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности.
International Electrotechnical Commission (IEC), диод
- IEC 60747-3-1:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел первый. Бланк подробной спецификации сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
- IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
- IEC 60747-3:1985 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
- IEC 60747-3-2:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел второй: Пустая подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных эталонных диодов с температурной компенсацией d.
- IEC 60747-3/AMD2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 3: сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды; поправка 2
- IEC 60747-3/AMD1:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 3: сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды; поправка 1
- IEC TS 62504:2011 Общее освещение - Светодиоды и светодиодные модули - Термины и определения
- IEC TS 62861:2017 Руководство по проверке надежности основных компонентов светодиодных источников света и светодиодных светильников
- IEC 91/926/PAS:2010 Электронная плата для светодиодов высокой яркости
- IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.
- IEC 60747-2-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
- IEC 60747-2-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел первый: пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
- IEC 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.
- IEC 62931:2017 Трубчатая светодиодная лампа с цоколем GX16t-5. Характеристики безопасности
- IEC 60747-5-11:2019 Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Приборы оптоэлектронные. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светоизлучающих диодов.
- IEC 91/928/PAS:2010 Методы испытаний электронных плат светодиодов высокой яркости
- IEC 60747-7:1988 Полупроводниковые дискретные приборы и интегральные схемы; часть 7: биполярные транзисторы
- IEC 62031:2008 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
- IEC 62031:2008/AMD1:2012 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
British Standards Institution (BSI), диод
- BS IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства: сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
- BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
- BS EN 120001:1993 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
- BS PD IEC/TS 62861:2017 Руководство по проверке надежности основных компонентов светодиодных источников света и светодиодных светильников
- BS 9300 C678-721:1971 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения
- BS EN 120001:1991 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
- BS IEC 60747-5-11:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
- BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
- BS EN 120002:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- BS 9300 C762:1971 Подробная спецификация диодов смесителя для использования на частотах X-диапазона
- BS IEC 60747-2:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Выпрямительные диоды
- BS EN 60747-2:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Выпрямительные диоды
- 18/30367363 DC БС МЭК 60747-5-8. Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
- BS IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытаний плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока
- BS EN 62341-1-1:2009 Дисплеи на органических светодиодах (OLED) — общие характеристики
- BS EN 62931:2017 Трубчатая светодиодная лампа с цоколем GX16t-5. Характеристики безопасности
- BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
- BS EN ISO 19009:2015 Маленькое судно. Электрические навигационные огни. Производительность светодиодных фонарей
- BS ISO 13207-1:2012 Дорожные транспортные средства. Характеристики светодиодной лампы для обнаружения неисправностей, совместимых с лампами. Светодиодные лампы, используемые в качестве указателей поворота
- 18/30388245 DC БС ЕН МЭК 60747-5-11. Полупроводниковые приборы. Часть 5-11. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
- BS PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
- BS EN 62707-1:2014 LED-биннинг. Общие требования и сетка белого цвета
- BS EN 62031:2008+A1:2013 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
- BS EN 62031:2008 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
Defense Logistics Agency, диод
- DLA MIL-L-376 C NOTICE 1-1998 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
- DLA MIL-L-376 C (1)-1994 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
- DLA MIL-L-376 C-1983 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
- DLA MIL-PRF-19500/735-2006 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЕВЫЕ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПА 1N7041CCU1 И ОДИНОЧНЫЕ ДИОДЫ ТИПА 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
- DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, ДВОЙНОЙ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТНИК, ТИП 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
- DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, УЛЬТРА БЫСТРЫЙ
- DLA MIL-PRF-19500/187 B (1)-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДИЛИКОНОВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИПА JAN1N2361
- DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый тип 1N1742A
- DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый тип 1N31
- DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
- DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
- DLA DSCC-DWG-94022 REV G-2000 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СТАНДАРТНОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ
- DLA MIL-S-19500/227 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор диод типа 1N995M (ВМФ)
- DLA MIL-S-19500/229 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод, тип 1N830AM (ВМФ)
- DLA MIL-S-19500/191 A (1)-1971 ПРИБОР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ГЕРМАНИЯ ТИПА СМЕСИТЕЛЯ 1N263
- DLA MIL PRF 19500/670A VALID NOTICE 2-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИевый, БАРЬЕРНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ШОТТКИ, ТИПЫ 1N6826, 1N6826US, 1N6831 и 1N6831US JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
- DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, МОЩНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТЧИК С ОБЩИМ КАТОДОМ ИЛИ АНОДОМ, ТИПЫ 1N6785 И 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
- DLA DSCC-DWG-94029 REV C-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ ПУТЕЙ, МАССИВ, ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ
- DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ, ТИП 1N5765 ЯНВАРЬ И TX
- DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 Полупроводниковые приборы, диоды, кремниевые, типы 1N1147 и 1N1149, Январь
- DLA MIL-S-19500/200 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод германиевый типа 1N270 JAN, JANTX и JANTXV
- DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый, с высокой проводимостью, тип JAN-1N3207
- DLA DSCC-DWG-00005-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИЙ, СМЕСИТЕЛЬ, 1Н21ВЭ, 1Н21ВЭМ И 1Н21ВЭМР
- DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДИОД КРЕМНИЕВЫЙ КОММУТАЦИОННЫЙ ТИПА 1N643, 1N662 И 1N663
- DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 СВЕТОДИОД (LED), ЗАЗОР МАРКЕРА-ЗАТЕМНЕНИЕ, 14 И 28 ВОЛЬТ
- DLA MIL-S-19500/201 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод германиевый типа 1N277 JAN, JANTX и JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/691 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковые устройства, диоды, кремниевые переключатели, 1N4148UE2 JAN, JANTX и JANJ
- DLA DSCC-DWG-94030 REV B-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ ДИОДОВ
- DLA MIL-S-19500/201 B-1989 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДИОД ГЕРМАНИЕВЫЙ ТИПА 1N277 JAN, JANTX И JANTXV
工业和信息化部, диод
Japan Electronics and Information Technology Industries Association, диод
JP-JEITA, диод
Professional Standard - Education, диод
Association Francaise de Normalisation, диод
- NF C96-832:1981 Полупроводники. Микроволновые диоды. Диоды Шоттки. Общие требования.
- NF EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: инфракрасные диоды, массивы инфракрасных диодов.
- NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи на светодиодах без внутренней логики и резистора.
- NF EN 120001:1992 Пустая спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светоизлучающие диодные дисплеи без резисторов или внутренних логических схем.
- NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
- NF C93-120-002*NF EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
- NF C93-871:1987 Цифровые передатчики со светодиодами.
- NF C86-502:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- NF C86-508:1993 Пустая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для оптоволоконной системы или подсистемы.
- NF C86-501:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы.
- NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
- NF C86-818/A1:1981 Выпрямительные диоды при заданной температуре окружающей среды
- NF C96-821:1981 Полупроводниковые приборы Выпрямительные диоды высокой мощности
- NF C86-815:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения.
- NF C57-379*NF EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — тест на превышение температуры
- NF EN 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.
- NF C96-811/A3:1974 Полупроводниковые диоды для профессионального применения. Общие статьи.
- NF C96-811/A4:1974 Полупроводниковые диоды для профессионального применения. Общие сведения.
- NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
- NF C86-815/A3:1983 Электронные компоненты Диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения. Руководство с подробными спецификациями в рамках французских стандартов NF C 86-010 и NF C 86-815 (CECC 50 000 и CECC 50 000).
Danish Standards Foundation, диод
- DS/IEC 747-3:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
- DS/IEC 747-3-2:1987 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел 2: Пустая подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных диодов с температурной компенсацией.
- DS/IEC 747-3-1:1987 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел 1. Бланк подробной спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
- DS/IEC 747-2-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый: Пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
Professional Standard - Military and Civilian Products, диод
- WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
- WJ 2539-1999 Правила поверки диодного измерителя температуры
- WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением
- WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, диод
- PQC 105-1992 Пустая подробная спецификация для светоизлучающих диодов @ светоизлучающих диодных матриц
- QC 750101-1986 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел первый. Пустые подробные спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов (IEC 747-3-1 ED 1).
- PQC 75-1991 Полупроводниковые приборы — дискретные устройства — выпрямительные диоды. Бланк подробной спецификации: выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды) @ для окружающей среды и номинальный ток @ более 100 А.
- QC 750105-1986 Полупроводниковые приборы; Дискретные устройства. Часть 3. Раздел «Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды». Подробная двухполосная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения @, исключая точность с температурной компенсацией. Диоды (МЭК
- QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Кремниевый высокоскоростной переключающий диод, рассчитанный на окружающую среду, в пластиковом корпусе
- QC 750101/SU 0004-1990 Подробные спецификации для электронных компонентов Полупроводниковые диоды @ для окружающей среды Предназначены для цепей в ТВ-приемниках Коммутационные диоды (Sw) @ Тип KD805A
ES-UNE, диод
- UNE-EN 120001:1992 BDS: СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ БЕЗ ВНУТРЕННЕЙ ЛОГИКИ И РЕЗИСТОРА. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
- UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
- UNE-EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- UNE-EN 120008:1993 BDS: СВЕТОДИОДЫ И ИНФРАКРАСНЫЕ ДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ИЛИ ПОДСИСТЕМЫ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
- UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
- UNE-EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — испытание на тепловой разгон (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в октябре 2018 г.)
Professional Standard - Electron, диод
- SJ 2216-1982 Кремниевые фотодиоды
- SJ/T 11470-2014 Эпитаксиальные пластины светодиодов
- SJ 1226-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типа 2AP9~2AP10.
- SJ 1229-1977 Подробная спецификация германиевых переключающих диодов типа 2AK1~20
- SJ 2005-1982 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS34
- SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
- SJ 1381-1978 Структура и технология тестового диода
- SJ 1805-1981 Подробная спецификация кремниевых частотно-модулированных диодов переменной емкости типа 2CC126.
- SJ 1225-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типа 2AP11~2AP17
- SJ 1228-1977 Подробная спецификация германиевых широкополосных детекторных диодов типа 2AP30~2AP31
- SJ 1946-1981 Подробная спецификация кремниевых повышающих диодов типа 2CN4C, 2DN4C, 2CN5C и 2DN5C.
- SJ 1947-1981 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов типа 2CZ32B, 2DZ32B, 2CZ33B и 2DZ33B.
- SJ 1227-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типов 2AP1~2AP8, 2AP21 и 2AP27.
- SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
- SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
- SJ 909-1974 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения, тип 2CW50~149
- SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
- SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
- SJ 2137-1982 Общие методики измерений кремниевых диодов-регуляторов тока
- SJ/T 11471-2014 Методы измерения эпитаксиальных пластин светодиодов
- SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
- SJ/T 11397-2009 Люминофоры для светодиодов
- SJ 1388-1978 Методы измерения анодной проводимости шумогенераторных диодов
- SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
- SJ 20788-2000 Метод измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов
- SJ 2747-1987 Пустая подробная спецификация для диодов восстановления ступенчатой функции
- SJ/T 11141-2017 Общая спецификация светодиодных дисплеев
- SJ/T 11281-2017 Методы измерения светодиодных (LED) дисплеев
- SJ/T 11281-2007 Методы измерения светодиодных (LED) панелей
- SJ 1389-1978 Методы измерения тока утечки диодов между электродами диодов-генераторов шума
- SJ 2140-1982 Методы измерения предельного напряжения кремниевых диодов стабилизаторов тока
- SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
- SJ 1806-1981 Подробная спецификация кремниевых диодов с переменной емкостью, тип 2CC110, 2CC210, 2CC310, 2CC410, 2CC130
- SJ 1392-1978 Методы измерения избыточной мощности шума диодов генератора шума
- SJ 20785-2000 Методы измерения модуля суперлюминесцентного диода
- SJ 2725-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ311.
- SJ 2727-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ313.
- SJ 910-1974 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения типа 3DW50~202
- SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
- SJ/T 11401-2009 Серийная программа для полупроводниковых светодиодов
- SJ 2726-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ312.
- SJ 2717-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ301.
- SJ 2139-1982 Методы измерения динамического сопротивления кремниевых диодов стабилизаторов тока
- SJ 2722-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных переключаемых выпрямительных диодов типа 2CZ306.
- SJ 2731-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных импульсных выпрямительных фиодов типа 2CZ317.
- SJ 50033/101-1995 Подробная спецификация полупроводниковых лазерных диодных модулей типа GJ1325
- SJ 2724-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ308.
- SJ 2138-1982 Методы измерения регулируемого тока кремниевых диодов-регуляторов тока
- SJ 2141-1982 Методы измерения напряжения пробоя кремниевых диодов стабилизатора тока
- SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
- SJ/T 11396-2009 Сапфировые подложки для нитридных светодиодов
- SJ 2721-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих выпрямительных диодов типа 2CZ305
- SJ 2732-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных переключаемых выпрямительных диодов типа 2CZ318.
- SJ 2723-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих выпрямительных диодов типа 2CZ307
- SJ 2729-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ315.
- SJ 2718-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ302.
- SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
- SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
- SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
- SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
- SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
- SJ 50033/41-1994 Подробная спецификация полупроводникового инфракрасного светодиода типа GR9414
- SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
- SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
- SJ 2720-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих диодов выпрямителя типа 2CZ304
- SJ 2728-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ314.
- SJ 2730-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ316.
- SJ/T 11880-2022 Требования к оценке «зеленой фабрики» для промышленности по производству светоизлучающих диодов
- SJ 1386-1978 Условия измерения диодов-генераторов шума и газоразрядных шумовых трубок
- SJ 1230-1977 Методы измерения высокочастотного выпрямленного тока германиевых детекторных диодов
- SJ 1804-1981 Подробная спецификация кремниевых диодов с переменной емкостью, тип 2CC101~104,2CC201~204,2CC301~304,2CC401~404
- SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
- SJ 2142-1982 Методы измерения текущего температурного коэффициента кремниевых диодов-регуляторов тока
- SJ 911-1974 Подробная спецификация кремниевых плоских диодов регулятора напряжения с температурной компенсацией, тип 2DW230~236
- SJ 966-1975 Методы измерения напряжения обратного пробоя кремниевых переключающих диодов
- SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
- SJ 50033/164-2003 Полупроводниковое дискретное устройство Детальная спецификация PIN-диода типа PIN0002
- SJ 50033/165-2003 Полупроводниковое дискретное устройство Детальная спецификация PIN-диода типа PIN0003
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., диод
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, диод
SE-SIS, диод
- SIS SS-CECC 20001-1991 Пустая детальная спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
- SIS SS CECC 20002-1984 Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
- SIS SS-CECC 50009-1991 Пустая подробная спецификация:Выпрямительные диоды с номинальным корпусом
- SIS SS CECC 50001-1981 Бланк спецификации: Полупроводниковые диоды общего назначения. Vordruck für Bauartspezifikation: Allzweck—Halbleiterdioden.
- SIS SS-CECC 50008-1991 Пустая подробная спецификация: выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
- SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.
Lithuanian Standards Office , диод
- LST EN 120001-2001 Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
- LST EN 120002-2001 Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов
- LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
U.S. Military Regulations and Norms, диод
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
German Institute for Standardization, диод
- DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
- DIN EN 120002:1997-02 Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
- DIN EN 120001:1993-06 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
- DIN EN 120002:1997 Пустая детальная спецификация: Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов; Немецкая версия EN 120002:1992.
- DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
- DIN 4000-18:1988-12 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов
TH-TISI, диод
- TIS 1970-2000 Полупроводниковые приборы дискретные устройства часть 3: раздел сигнальных (в том числе коммутационных) и стабилизирующих диодов однопропускная подробная спецификация на сигнальные диоды, переключающие диоды и управляемые лавинные диоды
- TIS 1971-2000 Дискретные устройства полупроводниковых приборов, часть 3: секция сигнальных (включая коммутационные) и стабилизирующих диодов, двухпропускная подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией.
- TIS 1596-1999 Полупроводниковые устройства.дискретные устройства.часть 2: выпрямительные диоды. Раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, диод
- GB/T 6588-2000 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел первый. Пустые подробные спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
- GB/T 6589-2002 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3-2. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Подробная спецификация бланка для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения (за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией).
- GB/T 15178-1994 Пустая подробная спецификация для диодов переменной емкости
- GB 51209-2016 Техническое задание завода по производству светодиодов
- GB/T 16894-1997 Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, на ток более 100 А.
- GB/T 6351-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, до 100 А.
- GB/T 15137-1994 Бланк подробной спецификации диодов Ганна
- GB/T 15649-1995 Бланк подробной спецификации полупроводниковых лазерных диодов
- GB/T 15177-1994 Бланк подробной спецификации микроволновых детекторов и смесительных диодов
- GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.
- GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
- GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности
RU-GOST R, диод
- GOST R 54814-2018 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
- GOST R 54814-2011 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
- GOST 17465-1980 Полупроводниковые диоды. Основные параметры
- GOST R 51106-1997 Лазеры инжекционные, лазерные головки, лазерные диоды, лазерные диоды. Методы измерения параметров
- GOST 28625-1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (в том числе коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел 2. Бланк спецификации на диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения, за исключением прецизионного опорного диода с температурной компенсацией
- GOST 18986.10-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения индуктивности
- GOST 20693-1975 Высоковольтные кенотроны. Понятия и определения
- GOST 21011.1-1976 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения анодного тока
- GOST 18986.4-1973 Полупроводниковые диоды. Методы измерения емкости
- GOST 18986.6-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения восстановительного сбора
- GOST 18986.24-1983 Полупроводниковые диоды. Метод измерения напряжения пробоя
- GOST 18986.0-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров. Общие требования
- GOST 23448-1979 Полупроводниковые инфракрасные диоды. Основные размеры
- GOST 18986.5-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения времени перехода
- GOST 20215-1984 Полупроводниковые СВЧ диоды. Основные Характеристики
- GOST 21011.3-1977 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока нагревателя
- GOST 21011.4-1977 Высоковольтные кенотроны. Методы испытаний электрической прочности
- GOST 21011.7-1980 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока эмиссии
- GOST 18986.1-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения прямого обратного тока
- GOST 21011.2-1976 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения анодного тока в импульсе напряжения
- GOST R 56230-2014 Светодиодные модули для общего освещения. Требования к производительности
- GOST 18986.14-1985 Полупроводниковые диоды. Методы измерения дифференциального и наклонного сопротивлений
Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
Professional Standard - Aerospace, диод
- QJ 1907-1990 Характеристики экрана PIN-диода
- QJ 2362-1992 Характеристики экранирования диода ступенчатого восстановления
- QJ 1299-1987 Характеристики экранирования кремниевых микроволновых смесителей и детекторных диодов
Professional Standard - Ferrous Metallurgy, диод
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), диод
- JIS C 8152-2:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные источники света.
- JIS C 5942:1997 Общие правила использования лазерных диодов для записи и воспроизведения
- JIS C 5942:2010 Общие правила использования лазерных диодов для записи и воспроизведения
- JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные светильники (поправка 1)
- JIS C 8152-1:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 1. Комплекты светодиодов.
- JIS C 7031:1993 Методы измерения малосигнальных диодов
- JIS C 5940:1997 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
- JIS C 5943:1997 Методы измерения лазерных диодов, используемых для записи и воспроизведения
- JIS C 5950:1997 Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
- JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
- JIS C 5943:2010 Методы измерения лазерных диодов, используемых для записи и воспроизведения
- JIS C 5941:1997 Методы измерения лазерных диодов для оптоволоконной передачи
- JIS C 5951:1997 Методы измерения светоизлучающих диодов для волоконно-оптической передачи данных
- JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи
YU-JUS, диод
International Commission on Illumination (CIE), диод
Professional Standard - Machinery, диод
RO-ASRO, диод
- STAS 7128/7-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРИРОВАННЫХ СХЕМ. Символы диодов переменной емкости и смесительных диодов.
- STAS 12123/3-1983 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ Методы измерения электрических характеристик
- STAS 12123/2-1983 Полупроводниковые приборы СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ВКЛЮЧАЯ КОММУТАЦИОННЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических характеристик
- STAS 10228-1984 КРЕМНИЕВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. Общие технические требования к качеству.
- STAS 9368-1973 ГЕРМАНОВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Общие технические требования к качеству
Group Standards of the People's Republic of China, диод
- T/QDAS 050-2020 Процедуры исследований и разработок диодных рассеивателей
- T/CSA 047-2019 Метод измерения реального термического сопротивления и импеданса светодиодов
- T/QGCML 097-2021 Технические характеристики упаковки диодного рассеивателя
- T/QGCML 030-2020 Обычные электрические стандарты для диодных диффузионных листов
- T/CIECCPA 003-2019 Спецификация для экологически чистого производства и обработки светодиодов
- T/CSA 015-2012 Освещение на органических светодиодах (OLED). Методы измерения.
- T/CPIA 0052-2023 Модульные диоды для распределительных коробок фотоэлектрических модулей
- T/QDAS 070-2021 Формула источника диффузионной жидкости бора для диодного диффузора
- T/COEMA 004LCD-2022 Поляризационная пленка для ТВ-дисплеев на органических светодиодах
- T/ZZB 2332-2021 Полированная сапфировая подложка для светодиодов
- T/CVIA 11-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
- T/QDAS 094-2022 Смешанная кислотная формула для очистки канавок диодов GPP
- T/CIECCPA 004-2019 спецификация на закупку зеленого сырья для светодиодов
- T/CSTM 01039-2023 Стеклянная подложка для мини-светодиодов
- T/CVIA 59-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
- T/CEMIA 031-2022 Проявитель позитивного фоторезиста для дисплеев на органических светодиодах
- T/CSTM 00410-2021 Стекло-подложка для устройств отображения на органических светодиодах
- T/CSA 014-2012 Освещение на органических светодиодах (OLED) — терминология и буквенное обозначение
- T/CPF 0055-2023 Металлическое декорирование LED-УФ офсетными чернилами
- T/CVIA 49-2016 Термины и символы устройства отображения на органических светодиодах
- T/CESA 1084-2020 Требования к оценке «зеленой фабрики» для промышленности по производству светоизлучающих диодов
- T/CVIA 10-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
- T/CVIA 58-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
- T/CASAS 001-2018 Общие характеристики карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки
Professional Standard - Urban Construction, диод
- CJ/T 361-2011 Светодиодная (LED) лампа, используемая в водном пейзаже
AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., диод
Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, диод
- GJB 3930-2000 Общие спецификации для инфракрасных диодов
- GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов
- GJB 2146-1994 Общие технические условия на светодиодные твердотельные дисплеи
- GJB 2146A-2011 Общие технические условия на полупроводниковые светодиодные приборы
- GJB 1557A-2021 Размеры СВЧ-диода полупроводникового дискретного устройства
PT-IPQ, диод
- NP 3234-2-1987 Электронный оригинал. Класс электролюминесцентных диодов. Матрица электролюминесцентных диодов, подробные характеристики
- NP 3234-3-1987 Электронный оригинал. Инфракрасные излучающие диоды. Матрица инфракрасных диодов, подробные характеристики
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, диод
Indonesia Standards, диод
European Standard for Electrical and Electronic Components, диод
CZ-CSN, диод
- CSN 35 8775-1987 Светодиоды. Измерение шума в прямом направлении
- CSN 35 8736-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение межэлектродной емкости
- CSN 35 8732-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение прямого тока
- CSN 35 8786-1983 Варикапы. Методы измерения электрических параметров
- CSN IEC 747-2-1:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел 1. Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
- CSN 35 8734-1975 Полупроводниковые устройства. Диоды. Измерение обратного тока.
- CSN 35 8767-1982 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров.
- CSN 35 8737-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение дифференциального росистаэя
- CSN 35 8760-1973 Серапроводники. Стабилизирующие диоды. Измерение температурного коэффициента напряжения
- CSN 35 8735-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение постоянного тока и напряжения
- CSN 35 8769-1983 Полупроводниковые стабилитроны. Методы измерения электрических параметров
- CSN 35 8768-1983 Полупроводниковые переключающие диоды. Методы измерения электрических параметров
- CSN 35 8766-1976 Полупроводниковые устройства. Переключение диодов. Измерение относительно прямого напряжения.
- CSN 35 8731-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды Измерение прямого напряжения постоянного тока
- CSN 35 8763-1973 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение о? обратное напряжение пробоя
United States Navy, диод
Professional Standard - Post and Telecommunication, диод
- YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов
- YD/T 834-1996 Метод испытаний лазерных диодов с распределенной обратной связью
- YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
Underwriters Laboratories (UL), диод
- UL 8752-2012 Панели на органических светодиодах (OLED)
- UL SUBJECT 8752-2011 План исследования панелей на органических светоизлучающих диодах (OLED)
- UL 1598C-2014 Стандарт UL для комплектов для переоборудования светильников с безопасными светодиодами (LED) (первое издание; переиздание с изменениями до 12 июля 2017 г. включительно)
- UL 8750 BULLETIN-2008 ПЛАН ИССЛЕДОВАНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ (LED) ИСТОЧНИКОВ СВЕТА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ОСВЕТИТЕЛЬНОЙ ПРОДУКЦИИ
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, диод
- GB/T 36613-2018 Метод зондового испытания светодиодных микросхем
- GB/T 36919-2019 Органическое светодиодное освещение (OLED). Терминология и буквенные обозначения.
- GB/T 38621-2020 Метод переходных тепловых испытаний светоизлучающих диодных модулей
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), диод
邮电部, диод
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, диод
- EN 120008:1993 Пустая подробная спецификация: светоизлучающие диоды и инфракрасные излучающие диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы
- EN 150006:1991 Пустая детальная спецификация: диоды переменной емкости
Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, диод
- GJB 5905-2006 Спецификация для диодов с быстрым восстановлением, 600 А и выше
Society of Automotive Engineers (SAE), диод
PL-PKN, диод
(U.S.) Telecommunications Industries Association , диод
Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
SAE - SAE International, диод
American National Standards Institute (ANSI), диод
NEMA - National Electrical Manufacturers Association, диод
JP-JARI, диод
TIA - Telecommunications Industry Association, диод
- TIA/EIA-455-130-2001 FOTP-130 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах
- TIA-455-127-1991 Спектральная характеристика многомодовых лазерных диодов FOTP-127
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), диод
- EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — тест на превышение температуры
Professional Standard - Light Industry, диод
- QB/T 4057-2010 Светодиоды для общего освещения.Требования к производительности
Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
- DB52/T 861-2013 Подробная спецификация кремниевого лавинного выпрямительного диода типа 2CB003
机械电子工业部, диод
- JB 5837-1991 Выпрямительные диоды серии ZP, рассчитанные на ток выше 2000 А
Canadian Standards Association (CSA), диод
Professional Standard - Construction Industry, диод
- JG/T 467-2014 Светодиодный (LED) светильник для внутренних помещений.
National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, диод
Professional Standard - Automobile, диод
- QC/T 706-2004 Техническая спецификация средств кремниевой лавинной выпрямления для автомобилей
Illuminating Engineering Society of North America, диод
- IESNA TM-16-2005 Технический меморандум по источникам и системам светоизлучающих диодов (LED)
Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, диод
未注明发布机构, диод
- BS EN 120008:1995(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы.