ZH

EN

KR

JP

ES

DE

диод

диод, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к диод, являются: Полупроводниковые приборы, Электронные устройства отображения, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Словари, Лампы и сопутствующее оборудование, Оптоволоконная связь, Полупроводниковые материалы, Электронные лампы, Электрические и электронные испытания, Стекло, Системы дорожного транспорта, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Печатные схемы и платы, Аэрокосмическое электрооборудование и системы, Пассажирское и салонное оборудование, Электрические аксессуары, Радиосвязь, Упаковка и распространение товаров в целом, Аналитическая химия, Железнодорожный подвижной состав, Солнечная энергетика, Телевидение и радиовещание, Чернила. Печатные краски, Электротехника в целом, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Атомная энергетика, Упаковочные материалы и аксессуары, Защита окружающей среды, Малый корабль.


Korean Agency for Technology and Standards (KATS), диод

  • KS C IEC 60747-3-1:2006 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3:Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый:Плановая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
  • KS C IEC 60747-3:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (в том числе коммутационные) и регуляторные диоды.
  • KS C IEC 60747-3:2016 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3:Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды
  • KS C IEC 60747-3-2:2006 Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
  • KS C 5205-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ДИОДЫ-РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ Опорного напряжения
  • KS C IEC 60747-3-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый: Пустая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
  • KS C IEC 60747-3-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды-Раздел первый: Пустая подробная спецификация для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов
  • KS C 7120-1990 Светоизлучающие диоды (для индикации)
  • KS C 7120-1990(2016) Светоизлучающие диоды (для индикации)
  • KS C 7120-1990(2021) Светоизлучающие диоды (для индикации)
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, исключая
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды-Раздел второй: Пустые подробные спецификации для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, исключая
  • KS C 7003-1996 Методы измерения малосигнальных диодов
  • KS C 5205-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ДИОДЫ-РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ Опорного напряжения
  • KS C 7003-1981 Методы измерения малосигнальных диодов
  • KS C 7003-2017 Методы измерения малосигнальных диодов
  • KS C 5300-1992 Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
  • KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
  • KS C 7003-2017(2022) Методы измерения малосигнальных диодов
  • KS C 6905-2001 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
  • KS C 7121-1990 Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
  • KS C 5301-1992 Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
  • KS C 7121-1990(2021) Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
  • KS C 5300-1992(2022) Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
  • KS C 5203-1980(2000) НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
  • KS C 6905-2001(2021) Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
  • KS C 6045-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
  • KS C 5203-1980 НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
  • KS C 6045-1986 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
  • KS C IEC 60747-2-1-2006(2016) Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
  • KS C IEC 60747-2-1-2006(2021) Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
  • KS C 6906-2001 Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 5203-2002 НАДЕЖНОСТЬ, ГАРАНТИРОВАННАЯ МАЛЕНЬКИМИ СИГНАЛЬНЫМИ ДИОДАМИ
  • KS C 5213-1981(1997) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
  • KS C 5213-1981 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел второй: Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, на ток
  • KS C 7104-2005 Эталон измерения характеристик светодиодов
  • KS C 6942-2014 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
  • KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
  • KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
  • KS C 5204-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
  • KS C 5217-1983(1998) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
  • KS C 7104-2005(2020) Эталон измерения характеристик светодиодов
  • KS C 5204-1980 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
  • KS C IEC 60747-2-2:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2. Выпрямительные диоды. Раздел второй. Бланк подробной спецификации выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
  • KS C IEC 60747-2-1:2006 Полупроводниковые устройства-Дискретные устройства-Часть 2: Выпрямительные диоды-Раздел первый: Пустые подробные спецификации для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А
  • KS C 5204-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ
  • KS C 5213-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ДИОДОВ
  • KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
  • KS C 5301-1992(2017) Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 6906-2001(2016) Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 5301-1992(2022) Методы испытаний светодиодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 6906-2001(2021) Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 6943-2014 Методы испытаний лазерных диодных модулей для волоконно-оптической передачи данных
  • KS C 5217-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
  • KS C 5300-1992(2017) Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
  • KS C 6704-1991(2001) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ДЛЯ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ
  • KS C 5217-1983 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
  • KS C IEC 62031:2011 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности.

International Electrotechnical Commission (IEC), диод

  • IEC 60747-3-1:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел первый. Бланк подробной спецификации сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
  • IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Часть 3. Дискретные устройства. Сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
  • IEC 60747-3:1985 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • IEC 60747-3-2:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел второй: Пустая подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных эталонных диодов с температурной компенсацией d.
  • IEC 60747-3/AMD2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 3: сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды; поправка 2
  • IEC 60747-3/AMD1:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 3: сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды; поправка 1
  • IEC TS 62504:2011 Общее освещение - Светодиоды и светодиодные модули - Термины и определения
  • IEC TS 62861:2017 Руководство по проверке надежности основных компонентов светодиодных источников света и светодиодных светильников
  • IEC 91/926/PAS:2010 Электронная плата для светодиодов высокой яркости
  • IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.
  • IEC 60747-2-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.
  • IEC 60747-2-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 2: выпрямительные диоды; раздел первый: пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
  • IEC 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.
  • IEC 62931:2017 Трубчатая светодиодная лампа с цоколем GX16t-5. Характеристики безопасности
  • IEC 60747-5-11:2019 Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Приборы оптоэлектронные. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светоизлучающих диодов.
  • IEC 91/928/PAS:2010 Методы испытаний электронных плат светодиодов высокой яркости
  • IEC 60747-7:1988 Полупроводниковые дискретные приборы и интегральные схемы; часть 7: биполярные транзисторы
  • IEC 62031:2008 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
  • IEC 62031:2008/AMD1:2012 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности

British Standards Institution (BSI), диод

  • BS IEC 60747-3:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства: сигнальные, переключающие и регуляторные диоды.
  • BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
  • BS EN 120001:1993 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
  • BS PD IEC/TS 62861:2017 Руководство по проверке надежности основных компонентов светодиодных источников света и светодиодных светильников
  • BS 9300 C678-721:1971 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения
  • BS EN 120001:1991 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
  • BS IEC 60747-5-11:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
  • BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
  • BS EN 120002:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • BS 9300 C762:1971 Подробная спецификация диодов смесителя для использования на частотах X-диапазона
  • BS IEC 60747-2:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Выпрямительные диоды
  • BS EN 60747-2:2016 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Выпрямительные диоды
  • 18/30367363 DC БС МЭК 60747-5-8. Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
  • BS IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытаний плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока
  • BS EN 62341-1-1:2009 Дисплеи на органических светодиодах (OLED) — общие характеристики
  • BS EN 62931:2017 Трубчатая светодиодная лампа с цоколем GX16t-5. Характеристики безопасности
  • BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
  • BS EN ISO 19009:2015 Маленькое судно. Электрические навигационные огни. Производительность светодиодных фонарей
  • BS ISO 13207-1:2012 Дорожные транспортные средства. Характеристики светодиодной лампы для обнаружения неисправностей, совместимых с лампами. Светодиодные лампы, используемые в качестве указателей поворота
  • 18/30388245 DC БС ЕН МЭК 60747-5-11. Полупроводниковые приборы. Часть 5-11. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
  • BS PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
  • BS EN 62707-1:2014 LED-биннинг. Общие требования и сетка белого цвета
  • BS EN 62031:2008+A1:2013 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности
  • BS EN 62031:2008 Светодиодные модули для общего освещения. Требования безопасности

Defense Logistics Agency, диод

  • DLA MIL-L-376 C NOTICE 1-1998 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
  • DLA MIL-L-376 C (1)-1994 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
  • DLA MIL-L-376 C-1983 СВИНЦА ДИОКСИД ТЕХНИЧЕСКИЙ
  • DLA MIL-PRF-19500/735-2006 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЕВЫЕ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПА 1N7041CCU1 И ОДИНОЧНЫЕ ДИОДЫ ТИПА 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/681 C-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, ДВОЙНОЙ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТНИК, ТИП 1N6843CCU3, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
  • DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, УЛЬТРА БЫСТРЫЙ
  • DLA MIL-PRF-19500/187 B (1)-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДИЛИКОНОВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ТИПА JAN1N2361
  • DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый тип 1N1742A
  • DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый тип 1N31
  • DLA MIL-PRF-19500/730 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/730 B-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ДИОДЫ, КРЕМНИЯ, ШОТТКИ, ДВОЙНЫЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЕ ОТВЕТКИ, ТИПЫ 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
  • DLA DSCC-DWG-94022 REV G-2000 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СТАНДАРТНОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ
  • DLA MIL-S-19500/227 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор диод типа 1N995M (ВМФ)
  • DLA MIL-S-19500/229 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод, тип 1N830AM (ВМФ)
  • DLA MIL-S-19500/191 A (1)-1971 ПРИБОР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ГЕРМАНИЯ ТИПА СМЕСИТЕЛЯ 1N263
  • DLA MIL PRF 19500/670A VALID NOTICE 2-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИевый, БАРЬЕРНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ШОТТКИ, ТИПЫ 1N6826, 1N6826US, 1N6831 и 1N6831US JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, КРЕМНИевый, ШОТТКИ, МОЩНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТЧИК С ОБЩИМ КАТОДОМ ИЛИ АНОДОМ, ТИПЫ 1N6785 И 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
  • DLA DSCC-DWG-94029 REV C-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ ПУТЕЙ, МАССИВ, ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ
  • DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ, ТИП 1N5765 ЯНВАРЬ И TX
  • DLA MIL-S-19500/254 B VALID NOTICE 1-2011 Полупроводниковые приборы, диоды, кремниевые, типы 1N1147 и 1N1149, Январь
  • DLA MIL-S-19500/200 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод германиевый типа 1N270 JAN, JANTX и JANTXV
  • DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый, с высокой проводимостью, тип JAN-1N3207
  • DLA DSCC-DWG-00005-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИЙ, СМЕСИТЕЛЬ, 1Н21ВЭ, 1Н21ВЭМ И 1Н21ВЭМР
  • DLA MIL-PRF-19500/256 C NOTICE 2-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДИОД КРЕМНИЕВЫЙ КОММУТАЦИОННЫЙ ТИПА 1N643, 1N662 И 1N663
  • DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 СВЕТОДИОД (LED), ЗАЗОР МАРКЕРА-ЗАТЕМНЕНИЕ, 14 И 28 ВОЛЬТ
  • DLA MIL-S-19500/201 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, диод германиевый типа 1N277 JAN, JANTX и JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/691 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковые устройства, диоды, кремниевые переключатели, 1N4148UE2 JAN, JANTX и JANJ
  • DLA DSCC-DWG-94030 REV B-2001 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ ПЕРЕХОДНЫХ ДИОДОВ
  • DLA MIL-S-19500/201 B-1989 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ДИОД ГЕРМАНИЕВЫЙ ТИПА 1N277 JAN, JANTX И JANTXV

工业和信息化部, диод

  • SJ/T 11624-2016 Спецификация светоизлучающих диодов для светодиодных (LED) дисплеев
  • QC/T 1038-2016 Светодиоды (LED) и модули для автомобилей
  • SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов
  • SJ/T 11767-2020 Метод испытания параметров низкочастотного шума диодов
  • QB/T 5478-2020 Краска для офсетной печати с УФ-светоотверждением и диодами

Japan Electronics and Information Technology Industries Association, диод

JP-JEITA, диод

Professional Standard - Education, диод

Association Francaise de Normalisation, диод

  • NF C96-832:1981 Полупроводники. Микроволновые диоды. Диоды Шоттки. Общие требования.
  • NF EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: инфракрасные диоды, массивы инфракрасных диодов.
  • NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи на светодиодах без внутренней логики и резистора.
  • NF EN 120001:1992 Пустая спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светоизлучающие диодные дисплеи без резисторов или внутренних логических схем.
  • NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
  • NF C93-120-002*NF EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
  • NF C93-871:1987 Цифровые передатчики со светодиодами.
  • NF C86-502:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • NF C86-508:1993 Пустая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для оптоволоконной системы или подсистемы.
  • NF C86-501:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы.
  • NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
  • NF C86-818/A1:1981 Выпрямительные диоды при заданной температуре окружающей среды
  • NF C96-821:1981 Полупроводниковые приборы Выпрямительные диоды высокой мощности
  • NF C86-815:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения.
  • NF C57-379*NF EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — тест на превышение температуры
  • NF EN 62979:2017 Фотоэлектрические модули. Байпасный диод. Испытание на тепловой разгон.
  • NF C96-811/A3:1974 Полупроводниковые диоды для профессионального применения. Общие статьи.
  • NF C96-811/A4:1974 Полупроводниковые диоды для профессионального применения. Общие сведения.
  • NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
  • NF C86-815/A3:1983 Электронные компоненты Диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения. Руководство с подробными спецификациями в рамках французских стандартов NF C 86-010 и NF C 86-815 (CECC 50 000 и CECC 50 000).

Danish Standards Foundation, диод

  • DS/IEC 747-3:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды.
  • DS/IEC 747-3-2:1987 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3: Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел 2: Пустая подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных диодов с температурной компенсацией.
  • DS/IEC 747-3-1:1987 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел 1. Бланк подробной спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
  • DS/IEC 747-2-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый: Пустая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.

Professional Standard - Military and Civilian Products, диод

  • WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
  • WJ 2539-1999 Правила поверки диодного измерителя температуры
  • WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением
  • WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, диод

  • PQC 105-1992 Пустая подробная спецификация для светоизлучающих диодов @ светоизлучающих диодных матриц
  • QC 750101-1986 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел первый. Пустые подробные спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов (IEC 747-3-1 ED 1).
  • PQC 75-1991 Полупроводниковые приборы — дискретные устройства — выпрямительные диоды. Бланк подробной спецификации: выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды) @ для окружающей среды и номинальный ток @ более 100 А.
  • QC 750105-1986 Полупроводниковые приборы; Дискретные устройства. Часть 3. Раздел «Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды». Подробная двухполосная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения @, исключая точность с температурной компенсацией. Диоды (МЭК
  • QC 750101/GB 0001 ISSUE 1-1990 Кремниевый высокоскоростной переключающий диод, рассчитанный на окружающую среду, в пластиковом корпусе
  • QC 750101/SU 0004-1990 Подробные спецификации для электронных компонентов Полупроводниковые диоды @ для окружающей среды Предназначены для цепей в ТВ-приемниках Коммутационные диоды (Sw) @ Тип KD805A

ES-UNE, диод

  • UNE-EN 120001:1992 BDS: СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ БЕЗ ВНУТРЕННЕЙ ЛОГИКИ И РЕЗИСТОРА. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
  • UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
  • UNE-EN 120002:1992 Пустая детальная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • UNE-EN 120008:1993 BDS: СВЕТОДИОДЫ И ИНФРАКРАСНЫЕ ДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ИЛИ ПОДСИСТЕМЫ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
  • UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
  • UNE-EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — испытание на тепловой разгон (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в октябре 2018 г.)

Professional Standard - Electron, диод

  • SJ 2216-1982 Кремниевые фотодиоды
  • SJ/T 11470-2014 Эпитаксиальные пластины светодиодов
  • SJ 1226-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типа 2AP9~2AP10.
  • SJ 1229-1977 Подробная спецификация германиевых переключающих диодов типа 2AK1~20
  • SJ 2005-1982 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS34
  • SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
  • SJ 1381-1978 Структура и технология тестового диода
  • SJ 1805-1981 Подробная спецификация кремниевых частотно-модулированных диодов переменной емкости типа 2CC126.
  • SJ 1225-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типа 2AP11~2AP17
  • SJ 1228-1977 Подробная спецификация германиевых широкополосных детекторных диодов типа 2AP30~2AP31
  • SJ 1946-1981 Подробная спецификация кремниевых повышающих диодов типа 2CN4C, 2DN4C, 2CN5C и 2DN5C.
  • SJ 1947-1981 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов типа 2CZ32B, 2DZ32B, 2CZ33B и 2DZ33B.
  • SJ 1227-1977 Подробная спецификация германиевых детекторных диодов типов 2AP1~2AP8, 2AP21 и 2AP27.
  • SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
  • SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
  • SJ 909-1974 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения, тип 2CW50~149
  • SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
  • SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
  • SJ 2137-1982 Общие методики измерений кремниевых диодов-регуляторов тока
  • SJ/T 11471-2014 Методы измерения эпитаксиальных пластин светодиодов
  • SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
  • SJ/T 11397-2009 Люминофоры для светодиодов
  • SJ 1388-1978 Методы измерения анодной проводимости шумогенераторных диодов
  • SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
  • SJ 20788-2000 Метод измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов
  • SJ 2747-1987 Пустая подробная спецификация для диодов восстановления ступенчатой функции
  • SJ/T 11141-2017 Общая спецификация светодиодных дисплеев
  • SJ/T 11281-2017 Методы измерения светодиодных (LED) дисплеев
  • SJ/T 11281-2007 Методы измерения светодиодных (LED) панелей
  • SJ 1389-1978 Методы измерения тока утечки диодов между электродами диодов-генераторов шума
  • SJ 2140-1982 Методы измерения предельного напряжения кремниевых диодов стабилизаторов тока
  • SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
  • SJ 1806-1981 Подробная спецификация кремниевых диодов с переменной емкостью, тип 2CC110, 2CC210, 2CC310, 2CC410, 2CC130
  • SJ 1392-1978 Методы измерения избыточной мощности шума диодов генератора шума
  • SJ 20785-2000 Методы измерения модуля суперлюминесцентного диода
  • SJ 2725-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ311.
  • SJ 2727-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ313.
  • SJ 910-1974 Подробная спецификация кремниевых диодов стабилизатора напряжения типа 3DW50~202
  • SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
  • SJ/T 11401-2009 Серийная программа для полупроводниковых светодиодов
  • SJ 2726-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ312.
  • SJ 2717-1986 Подробная спецификация кремниевых выпрямительных диодов общего назначения типа 2CZ301.
  • SJ 2139-1982 Методы измерения динамического сопротивления кремниевых диодов стабилизаторов тока
  • SJ 2722-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных переключаемых выпрямительных диодов типа 2CZ306.
  • SJ 2731-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных импульсных выпрямительных фиодов типа 2CZ317.
  • SJ 50033/101-1995 Подробная спецификация полупроводниковых лазерных диодных модулей типа GJ1325
  • SJ 2724-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ308.
  • SJ 2138-1982 Методы измерения регулируемого тока кремниевых диодов-регуляторов тока
  • SJ 2141-1982 Методы измерения напряжения пробоя кремниевых диодов стабилизатора тока
  • SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
  • SJ/T 11396-2009 Сапфировые подложки для нитридных светодиодов
  • SJ 2721-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих выпрямительных диодов типа 2CZ305
  • SJ 2732-1986 Подробная спецификация кремниевых высокоскоростных переключаемых выпрямительных диодов типа 2CZ318.
  • SJ 2723-1986 Подробная спецификация кремниевых быстродействующих выпрямительных диодов типа 2CZ307
  • SJ 2729-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ315.
  • SJ 2718-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ302.
  • SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
  • SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
  • SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
  • SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
  • SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
  • SJ 50033/41-1994 Подробная спецификация полупроводникового инфракрасного светодиода типа GR9414
  • SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
  • SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
  • SJ 2720-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих диодов выпрямителя типа 2CZ304
  • SJ 2728-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ314.
  • SJ 2730-1986 Подробная спецификация кремниевых среднескоростных переключающих выпрямительных диодов типа 2CZ316.
  • SJ/T 11880-2022 Требования к оценке «зеленой фабрики» для промышленности по производству светоизлучающих диодов
  • SJ 1386-1978 Условия измерения диодов-генераторов шума и газоразрядных шумовых трубок
  • SJ 1230-1977 Методы измерения высокочастотного выпрямленного тока германиевых детекторных диодов
  • SJ 1804-1981 Подробная спецификация кремниевых диодов с переменной емкостью, тип 2CC101~104,2CC201~204,2CC301~304,2CC401~404
  • SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
  • SJ 2142-1982 Методы измерения текущего температурного коэффициента кремниевых диодов-регуляторов тока
  • SJ 911-1974 Подробная спецификация кремниевых плоских диодов регулятора напряжения с температурной компенсацией, тип 2DW230~236
  • SJ 966-1975 Методы измерения напряжения обратного пробоя кремниевых переключающих диодов
  • SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
  • SJ 50033/164-2003 Полупроводниковое дискретное устройство Детальная спецификация PIN-диода типа PIN0002
  • SJ 50033/165-2003 Полупроводниковое дискретное устройство Детальная спецификация PIN-диода типа PIN0003

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., диод

  • IEEE 256-1963 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
  • IEEE 503-1978 СТАНДАРТ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ И ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДНЫХ КАМЕРЫ

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, диод

  • JEDEC JESD211-2009 Проверка номинальных характеристик стабилитронов и диодов стабилизатора напряжения и испытания характеристик
  • JEDEC JESD381A-1992 Метод измерения добротности диода
  • JEDEC JESD307-1992 Измерение напряжения шума диода регулятора напряжения
  • JEDEC JESD320-A-1992 Условия измерения статических параметров диода [Заменено: JEDEC EIA-302, JEDEC 302]
  • JEDEC JESD282B.01-2002 Кремниевые выпрямительные диоды, пересмотренная версия EIA-JESD282-B
  • JEDEC JESD381A-1981 Метод диода 換? Подтверждение измерений ANSI/EIA-381-1-1992.
  • JEDEC JESD210-2007 Лавинно-пробойные диоды (ABD) Подавители переходного напряжения

SE-SIS, диод

  • SIS SS-CECC 20001-1991 Пустая детальная спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
  • SIS SS CECC 20002-1984 Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
  • SIS SS-CECC 50009-1991 Пустая подробная спецификация:Выпрямительные диоды с номинальным корпусом
  • SIS SS CECC 50001-1981 Бланк спецификации: Полупроводниковые диоды общего назначения. Vordruck für Bauartspezifikation: Allzweck—Halbleiterdioden.
  • SIS SS-CECC 50008-1991 Пустая подробная спецификация: выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду.
  • SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Lithuanian Standards Office , диод

  • LST EN 120001-2001 Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
  • LST EN 120002-2001 Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов
  • LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)

U.S. Military Regulations and Norms, диод

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • CNS 13809-1997 Светоизлучающие диодные кубики
  • CNS 13810-1997 Выводные рамки для светодиодов
  • CNS 13808-1997 Эпитаксиальные пластины для светодиодов
  • CNS 11829-1987 Светоизлучающие диоды (для индикации)
  • CNS 8383-1982 Прямое измерение переходных процессов на полупроводниковых диодах
  • CNS 3998-1989 Метод испытания диодов малого сигнала
  • CNS 13654-1996 Методы измерения фотодиода (для связи)
  • CNS 13648-1996 Методы измерения лазерных диодов (для связи)
  • CNS 11830-1987 Методы измерения светоизлучающих диодов (для индикации)
  • CNS 13651-1996 Методы измерения светоизлучающих диодов (для связи)
  • CNS 13811-1997 Отражатели числового типа для светодиодов
  • CNS 13807-1997 Методы испытаний эпоксидной смолы для светодиодов
  • CNS 13655-1996 Проверка надежности фотодиода (для связи)
  • CNS 13092-1992 Метод измерения для светодиодных наружных рекламных панелей
  • CNS 13649-1996 Тестирование надежности лазерных диодов (для связи)
  • CNS 13652-1996 Проверка надежности светоизлучающих диодов (для связи)
  • CNS 5764-1980 Измерение напряжения шума диода регулятора напряжения
  • CNS 13779-1996 Методы измерения инфракрасных излучающих диодов (IRED) (для автоматизации)
  • CNS 13091-1992 Стандарт продукта для светодиодной наружной панели дисплея
  • CNS 11106-1984 Условия теплового равновесия для измерения статических параметров диода
  • CNS 6560-1980 Измерение времени обратного восстановления полупроводниковых диодов
  • CNS 14546-2007 Светодиодные фонари светофора и корпус фонаря
  • CNS 13656-1996 Контрольное тестирование партии фотодиодов (для связи)
  • CNS 13088-1992 Метод измерения для больших светодиодных ламп (для наружной рекламы)
  • CNS 14552-2001 Светодиодные модули светофоров для пешеходов (→CNS 14546)
  • CNS 13653-1996 Контрольное тестирование партии светодиодов (для связи)
  • CNS 13650-1996 Контрольное тестирование партии лазерных диодов (для связи)

German Institute for Standardization, диод

  • DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
  • DIN EN 120002:1997-02 Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
  • DIN EN 120001:1993-06 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
  • DIN EN 120002:1997 Пустая детальная спецификация: Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов; Немецкая версия EN 120002:1992.
  • DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
  • DIN 4000-18:1988-12 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов

TH-TISI, диод

  • TIS 1970-2000 Полупроводниковые приборы дискретные устройства часть 3: раздел сигнальных (в том числе коммутационных) и стабилизирующих диодов однопропускная подробная спецификация на сигнальные диоды, переключающие диоды и управляемые лавинные диоды
  • TIS 1971-2000 Дискретные устройства полупроводниковых приборов, часть 3: секция сигнальных (включая коммутационные) и стабилизирующих диодов, двухпропускная подробная спецификация для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией.
  • TIS 1596-1999 Полупроводниковые устройства.дискретные устройства.часть 2: выпрямительные диоды. Раздел 2: пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, для токов более 100 А.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, диод

  • GB/T 6588-2000 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 3. Сигнальные (включая переключающие) и регуляторные диоды. Раздел первый. Пустые подробные спецификации для сигнальных диодов, переключающих диодов и управляемых лавинных диодов.
  • GB/T 6589-2002 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3-2. Сигнальные (включая коммутационные) и регуляторные диоды. Подробная спецификация бланка для диодов стабилизатора напряжения и диодов опорного напряжения (за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией).
  • GB/T 15178-1994 Пустая подробная спецификация для диодов переменной емкости
  • GB 51209-2016 Техническое задание завода по производству светодиодов
  • GB/T 16894-1997 Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, на ток более 100 А.
  • GB/T 6351-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для выпрямительных диодов (включая лавинные выпрямительные диоды), рассчитанных на окружающую среду и корпус, до 100 А.
  • GB/T 15137-1994 Бланк подробной спецификации диодов Ганна
  • GB/T 15649-1995 Бланк подробной спецификации полупроводниковых лазерных диодов
  • GB/T 15177-1994 Бланк подробной спецификации микроволновых детекторов и смесительных диодов
  • GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.
  • GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
  • GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности

RU-GOST R, диод

  • GOST R 54814-2018 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
  • GOST R 54814-2011 Светодиоды и светодиодные модули общего назначения. Понятия и определения
  • GOST 17465-1980 Полупроводниковые диоды. Основные параметры
  • GOST R 51106-1997 Лазеры инжекционные, лазерные головки, лазерные диоды, лазерные диоды. Методы измерения параметров
  • GOST 28625-1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 3. Сигнальные (в том числе коммутационные) и регуляторные диоды. Раздел 2. Бланк спецификации на диоды стабилизатора напряжения и диоды опорного напряжения, за исключением прецизионного опорного диода с температурной компенсацией
  • GOST 18986.10-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения индуктивности
  • GOST 20693-1975 Высоковольтные кенотроны. Понятия и определения
  • GOST 21011.1-1976 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения анодного тока
  • GOST 18986.4-1973 Полупроводниковые диоды. Методы измерения емкости
  • GOST 18986.6-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения восстановительного сбора
  • GOST 18986.24-1983 Полупроводниковые диоды. Метод измерения напряжения пробоя
  • GOST 18986.0-1974 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров. Общие требования
  • GOST 23448-1979 Полупроводниковые инфракрасные диоды. Основные размеры
  • GOST 18986.5-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения времени перехода
  • GOST 20215-1984 Полупроводниковые СВЧ диоды. Основные Характеристики
  • GOST 21011.3-1977 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока нагревателя
  • GOST 21011.4-1977 Высоковольтные кенотроны. Методы испытаний электрической прочности
  • GOST 21011.7-1980 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока эмиссии
  • GOST 18986.1-1973 Полупроводниковые диоды. Метод измерения прямого обратного тока
  • GOST 21011.2-1976 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения анодного тока в импульсе напряжения
  • GOST R 56230-2014 Светодиодные модули для общего освещения. Требования к производительности
  • GOST 18986.14-1985 Полупроводниковые диоды. Методы измерения дифференциального и наклонного сопротивлений

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • DB36/T 579-2010 Светодиод (светодиод)Дорожный свет

Professional Standard - Aerospace, диод

  • QJ 1907-1990 Характеристики экрана PIN-диода
  • QJ 2362-1992 Характеристики экранирования диода ступенчатого восстановления
  • QJ 1299-1987 Характеристики экранирования кремниевых микроволновых смесителей и детекторных диодов

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, диод

  • YB/T 4215-2010 Холоднокатаная стальная полоса для диода

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), диод

  • JIS C 8152-2:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные источники света.
  • JIS C 5942:1997 Общие правила использования лазерных диодов для записи и воспроизведения
  • JIS C 5942:2010 Общие правила использования лазерных диодов для записи и воспроизведения
  • JIS C 8152-2 AMD 1:2014 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 2. Светодиодные модули и светодиодные светильники (поправка 1)
  • JIS C 8152-1:2012 Фотометрия диода белого света для общего освещения. Часть 1. Комплекты светодиодов.
  • JIS C 7031:1993 Методы измерения малосигнальных диодов
  • JIS C 5940:1997 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
  • JIS C 5943:1997 Методы измерения лазерных диодов, используемых для записи и воспроизведения
  • JIS C 5950:1997 Общие правила использования светодиодов для оптоволоконной передачи данных
  • JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
  • JIS C 5943:2010 Методы измерения лазерных диодов, используемых для записи и воспроизведения
  • JIS C 5941:1997 Методы измерения лазерных диодов для оптоволоконной передачи
  • JIS C 5951:1997 Методы измерения светоизлучающих диодов для волоконно-оптической передачи данных
  • JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи

YU-JUS, диод

  • JUS N.R1.421-1979 Выпрямительные диоды. Методы измерения
  • JUS A.A4.302-1990 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов
  • JUS N.R1.422-1980 Сигнальный диод малой мощности?. Методы измерения
  • JUS N.R1.321-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Диоды
  • JUS N.R1.372-1979 Полупроводниковые диоды. Основные номиналы и характеристики: выпрямительные диоды.
  • JUS N.R1.375-1980 Полупроводниковый диод с. Основные рейтинги и характеристики. Диоды переменной емкости

International Commission on Illumination (CIE), диод

Professional Standard - Machinery, диод

  • JB/T 7624-2013 Методы испытаний выпрямительных диодов
  • JB/T 5186-1991 Кремниевые фотодиоды для фотоаппаратов
  • JB/T 10875-2008 Методы измерения оптических свойств светодиодов
  • JB/T 5837-1991 Выпрямительные диоды серии ZP 2000A и выше, рассчитанные на корпус
  • JB/T 5841-1991 Серия ZH 200A и выше, номинальный выпрямительный диод высокого напряжения

RO-ASRO, диод

  • STAS 7128/7-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРИРОВАННЫХ СХЕМ. Символы диодов переменной емкости и смесительных диодов.
  • STAS 12123/3-1983 Полупроводниковые приборы ДИОДЫ ЗАДАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ И ДИОДЫ РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ Методы измерения электрических характеристик
  • STAS 12123/2-1983 Полупроводниковые приборы СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ВКЛЮЧАЯ КОММУТАЦИОННЫЕ ДИОДЫ Методы измерения электрических характеристик
  • STAS 10228-1984 КРЕМНИЕВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. Общие технические требования к качеству.
  • STAS 9368-1973 ГЕРМАНОВЫЕ ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ Общие технические требования к качеству

Group Standards of the People's Republic of China, диод

  • T/QDAS 050-2020 Процедуры исследований и разработок диодных рассеивателей
  • T/CSA 047-2019 Метод измерения реального термического сопротивления и импеданса светодиодов
  • T/QGCML 097-2021 Технические характеристики упаковки диодного рассеивателя
  • T/QGCML 030-2020 Обычные электрические стандарты для диодных диффузионных листов
  • T/CIECCPA 003-2019 Спецификация для экологически чистого производства и обработки светодиодов
  • T/CSA 015-2012 Освещение на органических светодиодах (OLED). Методы измерения.
  • T/CPIA 0052-2023 Модульные диоды для распределительных коробок фотоэлектрических модулей
  • T/QDAS 070-2021 Формула источника диффузионной жидкости бора для диодного диффузора
  • T/COEMA 004LCD-2022 Поляризационная пленка для ТВ-дисплеев на органических светодиодах
  • T/ZZB 2332-2021 Полированная сапфировая подложка для светодиодов
  • T/CVIA 11-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
  • T/QDAS 094-2022 Смешанная кислотная формула для очистки канавок диодов GPP
  • T/CIECCPA 004-2019 спецификация на закупку зеленого сырья для светодиодов
  • T/CSTM 01039-2023 Стеклянная подложка для мини-светодиодов
  • T/CVIA 59-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
  • T/CEMIA 031-2022 Проявитель позитивного фоторезиста для дисплеев на органических светодиодах
  • T/CSTM 00410-2021 Стекло-подложка для устройств отображения на органических светодиодах
  • T/CSA 014-2012 Освещение на органических светодиодах (OLED) — терминология и буквенное обозначение
  • T/CPF 0055-2023 Металлическое декорирование LED-УФ офсетными чернилами
  • T/CVIA 49-2016 Термины и символы устройства отображения на органических светодиодах
  • T/CESA 1084-2020 Требования к оценке «зеленой фабрики» для промышленности по производству светоизлучающих диодов
  • T/CVIA 10-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
  • T/CVIA 58-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
  • T/CASAS 001-2018 Общие характеристики карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки

Professional Standard - Urban Construction, диод

  • CJ/T 361-2011 Светодиодная (LED) лампа, используемая в водном пейзаже

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., диод

  • NAS717-1963 Полупроводниковые диоды (ред. 1)

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип
  • DB35/T 2107-2022 Метод оценки ультрафиолетовых светодиодов
  • DB35/T 1370-2013 Метод проверки точки светодиодного чипа
  • DB35/T 1176-2011 Силовые светодиоды для освещения дорог.
  • DB35/T 1611-2016 Технические характеристики белого светодиода в корпусе COB

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, диод

  • GJB 3930-2000 Общие спецификации для инфракрасных диодов
  • GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов
  • GJB 2146-1994 Общие технические условия на светодиодные твердотельные дисплеи
  • GJB 2146A-2011 Общие технические условия на полупроводниковые светодиодные приборы
  • GJB 1557A-2021 Размеры СВЧ-диода полупроводникового дискретного устройства

PT-IPQ, диод

  • NP 3234-2-1987 Электронный оригинал. Класс электролюминесцентных диодов. Матрица электролюминесцентных диодов, подробные характеристики
  • NP 3234-3-1987 Электронный оригинал. Инфракрасные излучающие диоды. Матрица инфракрасных диодов, подробные характеристики

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, диод

  • GB/T 35846-2018 Осветительная стеклянная трубка для светодиода

Indonesia Standards, диод

  • SNI 7397-2008 Светодиодные сигнальные лампы в поездах

European Standard for Electrical and Electronic Components, диод

  • CECC 50 008- 004 Выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду (En)
  • CECC 50 008- 005 Выпрямительный диод, рассчитанный на окружающую среду (En)
  • CECC 50 001- 026 ISSUE 3-1994 НЛ-CECC 50 001-26; Номер типа сигнальных диодов: BA314 (En)
  • CECC 50 008- 014 УТЕ С 86-818/014; Выпрямительные диоды, рассчитанные на окружающую среду (фр.)
  • CECC 50 001- 023 УТЕ С 86-812/003 Издание 2; Полупроводниковые диоды общего назначения (фр.)

CZ-CSN, диод

  • CSN 35 8775-1987 Светодиоды. Измерение шума в прямом направлении
  • CSN 35 8736-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение межэлектродной емкости
  • CSN 35 8732-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение прямого тока
  • CSN 35 8786-1983 Варикапы. Методы измерения электрических параметров
  • CSN IEC 747-2-1:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 2: Выпрямительные диоды. Раздел 1. Бланковая подробная спецификация на выпрямительные диоды (включая лавинные диоды), рассчитанные на окружающую среду и корпус, до 100 А.
  • CSN 35 8734-1975 Полупроводниковые устройства. Диоды. Измерение обратного тока.
  • CSN 35 8767-1982 Полупроводниковые диоды. Методы измерения электрических параметров.
  • CSN 35 8737-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение дифференциального росистаэя
  • CSN 35 8760-1973 Серапроводники. Стабилизирующие диоды. Измерение температурного коэффициента напряжения
  • CSN 35 8735-1964 Полупроводниковые диоды. Измерение постоянного тока и напряжения
  • CSN 35 8769-1983 Полупроводниковые стабилитроны. Методы измерения электрических параметров
  • CSN 35 8768-1983 Полупроводниковые переключающие диоды. Методы измерения электрических параметров
  • CSN 35 8766-1976 Полупроводниковые устройства. Переключение диодов. Измерение относительно прямого напряжения.
  • CSN 35 8731-1975 Полупроводниковые приборы. Диоды Измерение прямого напряжения постоянного тока
  • CSN 35 8763-1973 Полупроводниковые приборы. Диоды. Измерение о? обратное напряжение пробоя

United States Navy, диод

  • NAVY A-A-59781-2005 СВЕТОДИОДЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ИНДИКАТОРНЫХ СВЕТОВ

Professional Standard - Post and Telecommunication, диод

  • YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов
  • YD/T 834-1996 Метод испытаний лазерных диодов с распределенной обратной связью
  • YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода

Underwriters Laboratories (UL), диод

  • UL 8752-2012 Панели на органических светодиодах (OLED)
  • UL SUBJECT 8752-2011 План исследования панелей на органических светоизлучающих диодах (OLED)
  • UL 1598C-2014 Стандарт UL для комплектов для переоборудования светильников с безопасными светодиодами (LED) (первое издание; переиздание с изменениями до 12 июля 2017 г. включительно)
  • UL 8750 BULLETIN-2008 ПЛАН ИССЛЕДОВАНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ (LED) ИСТОЧНИКОВ СВЕТА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ОСВЕТИТЕЛЬНОЙ ПРОДУКЦИИ

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, диод

  • GB/T 36613-2018 Метод зондового испытания светодиодных микросхем
  • GB/T 36919-2019 Органическое светодиодное освещение (OLED). Терминология и буквенные обозначения.
  • GB/T 38621-2020 Метод переходных тепловых испытаний светоизлучающих диодных модулей

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), диод

  • IEEE No 256-1963 Процедура испытаний IEEE для полупроводниковых диодов
  • IEEE Std C62.37-1996 Спецификация испытаний тиристорных диодных устройств защиты от перенапряжений

邮电部, диод

  • YD/T 0835-1996 Лавинный фотодиодный метод обнаружения
  • YD/T 0834-1996 Метод обнаружения лазерных диодов с распределенной обратной связью

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, диод

  • EN 120008:1993 Пустая подробная спецификация: светоизлучающие диоды и инфракрасные излучающие диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы
  • EN 150006:1991 Пустая детальная спецификация: диоды переменной емкости

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, диод

  • GJB 5905-2006 Спецификация для диодов с быстрым восстановлением, 600 А и выше

Society of Automotive Engineers (SAE), диод

  • SAE ARP6253-2011 Светодиоды и применение в самолетах
  • SAE ARP5873-2007 Светодиодная лампа для чтения для пассажиров в сборе
  • SAE J1889-2011 Светодиодные сигнально-маркировочные осветительные приборы

PL-PKN, диод

  • PN T01504-61-1987 Диоды Методы измерения Восстановленный заряд Q,
  • PN T01504-67-1987 Диоды Методы измерения Последовательное эквивалентное сопротивление
  • PN T01010 ArkusZ05-1974 Электронные лампы Вакуумные диоды Термины и определения
  • PN T04804-1967 Электронные лампы малой мощности Электрические образцы якуумных диодов

(U.S.) Telecommunications Industries Association , диод

  • TIA-455-130-2001 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах
  • TIA-455-130-2007(2014) Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • DB44/T 1630-2015 Светодиодный индикатор 3528/5050 с инкапсулированным чипом

SAE - SAE International, диод

American National Standards Institute (ANSI), диод

  • ANSI/TIA/EIA 455-130-2001 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, диод

  • NEMA C78.51-2016 Электрические лампы. Светодиодные лампы. Метод обозначения.

JP-JARI, диод

  • JRIS R1647-2021 Подвижной состав - задние фонари светодиодного (LED) типа.

TIA - Telecommunications Industry Association, диод

  • TIA/EIA-455-130-2001 FOTP-130 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах
  • TIA-455-127-1991 Спектральная характеристика многомодовых лазерных диодов FOTP-127

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), диод

  • EN 62979:2017 Фотоэлектрический модуль — обходной диод — тест на превышение температуры

Professional Standard - Light Industry, диод

  • QB/T 4057-2010 Светодиоды для общего освещения.Требования к производительности

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • DB52/T 861-2013 Подробная спецификация кремниевого лавинного выпрямительного диода типа 2CB003

机械电子工业部, диод

  • JB 5837-1991 Выпрямительные диоды серии ZP, рассчитанные на ток выше 2000 А

Canadian Standards Association (CSA), диод

Professional Standard - Construction Industry, диод

  • JG/T 467-2014 Светодиодный (LED) светильник для внутренних помещений.

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, диод

  • JJG(电子) 04050-1995 Правила поверки прибора быстрого досмотра диодов РСТ-2

Professional Standard - Automobile, диод

  • QC/T 706-2004 Техническая спецификация средств кремниевой лавинной выпрямления для автомобилей

Illuminating Engineering Society of North America, диод

  • IESNA TM-16-2005 Технический меморандум по источникам и системам светоизлучающих диодов (LED)

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, диод

  • DB37/T 1576-2010 Общая спецификация светодиодов для общего освещения

未注明发布机构, диод

  • BS EN 120008:1995(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.