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半導体の光電特性

半導体の光電特性は全部で 15 項標準に関連している。

半導体の光電特性 国際標準分類において、これらの分類：オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 機械、設備、装置の特性と設計、 半導体ディスクリートデバイス、 光ファイバー通信。

RO-ASRO, 半導体の光電特性

• STAS 12258/7-1987 光電子半導体デバイス。 太陽光発電の用語と基本的な特性
• STAS 12258/3-1985 光電子半導体デバイス。 フォトトランジスタの用語と基本的な特性
• STAS 12258/2-1984 光電子半導体デバイス。 フォトダイオードの用語と基本的な特性
• STAS 12258/5-1986 オプトエレクトロニクス半導体。 装備品の展示。 用語と基本的な特徴
• STAS 12258/4-1986 光電子半導体装置。 発光ダイオードの用語と主な特徴

British Standards Institution (BSI), 半導体の光電特性

• BS EN 62007-1:2000 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な評価と特性
• BS EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• BS EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
• BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイスの基本的な定格と特性の仕様テンプレート
• BS IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス-光電子デバイス 半導体レーザー
• BS IEC 60747-5-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、半導体レーザー

German Institute for Standardization, 半導体の光電特性

• DIN 4000-20:1988 パート 20: 光電子半導体部品の製品特性テーブルの設計

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体の光電特性

• YD/T 2001.1-2009 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 第 1 部: 基本特性と評価

Lithuanian Standards Office , 半導体の光電特性

• LST EN 62007-1-2015 光ファイバーシステムで使用する半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本特性と定格の仕様テンプレート (IEC 62007-1-2015)

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体の光電特性

• GJB 33/17-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO11型半導体フォトカプラ

その他：   光電子特性, 半導体光電流, 半導体光電流, 半導体光検出, 光電流半導体, 一般的な半導体光電子部品, 半導体光電モジュール全般, 半導体光電モジュール, 半導体光電子部品, 光電子特性, 半導体の光電特性, 光電子半導体材料, 半導体の光電特性, 半導体光電子材料, 半導体材料特性, 半導体オプトエレクトロニクス, 半導体特性, 半導体オプトエレクトロニクス, 光電応答特性, 光電応答特性.