ZH

RU

EN

ES

半導体オプトエレクトロニクス

半導体オプトエレクトロニクスは全部で 113 項標準に関連している。

半導体オプトエレクトロニクス 国際標準分類において、これらの分類:集積回路、マイクロエレクトロニクス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 半導体ディスクリートデバイス、 光ファイバー通信、 語彙、 総合電子部品、 セラミックス。


Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体オプトエレクトロニクス

  • GJB 33/17-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO11型半導体フォトカプラ
  • GJB 33/18-2011 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GO417 双方向半導体光電結合アナログスイッチ
  • GJB 8121-2013 半導体光電子部品の一般仕様
  • GJB 8120-2013 半導体光電子モジュールの一般仕様
  • GJB 8119-2013 半導体光電子デバイスの一般仕様
  • GJB 33/16-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 3DU32型半導体フォトトランジスタ
  • GJB 33/15-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 BT401型半導体赤外発光ダイオード
  • GJB 5018-2001 半導体光電子デバイスのスクリーニングと受け入れに関する一般要件
  • GJB 33/20-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH302型フォトカプラ
  • GJB 33/22-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO103型フォトカプラ
  • GJB/Z 41.3-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトル半導体光電子デバイス
  • GJB 33/21-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様 フォトカプラ GD310Aシリーズ
  • GJB 33/23-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH3201Z-4型フォトカプラ
  • GJB 33/19-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GH302-4型フォトカプラ

Professional Standard - Electron, 半導体オプトエレクトロニクス

  • SJ 20642-1997 半導体光電子モジュールの一般仕様
  • SJ 20786-2000 半導体光電子部品の一般仕様
  • SJ/T 2215-2015 半導体フォトカプラの試験方法
  • SJ 2247-1982 半導体光電子デバイスの寸法
  • SJ/T 2214-2015 半導体フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
  • SJ 20642.5-1998 半導体光電子モジュール GH82型光カプラ詳細仕様
  • SJ 20642.4-1998 半導体光電子モジュール GH81型フォトカプラ詳細仕様
  • SJ 20642.6-1998 半導体光電子モジュール GH83型光カプラ詳細仕様
  • SJ 50033/112-1996 半導体光電子デバイス GD3251Y型フォトダイオード詳細仕様
  • SJ 50033/113-1996 半導体光電子デバイス GD3252Y型フォトダイオード詳細仕様
  • SJ 20644.1-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD3550Y型PINフォトダイオード
  • SJ 20644.2-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD101型PINフォトダイオード
  • SJ 50033/111-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GTI6型シリコンNPNフォトトランジスタ
  • SJ 50033/114-1996 半導体光電子デバイス GD3283Y型位置検出器 詳細仕様
  • SJ 20642.3-1998 半導体光電子モジュール GD83タイプ PIN-FET光受信モジュール 詳細仕様
  • SJ 20642.2-1998 半導体光電子モジュール GD82タイプ PIN-FET光受信モジュール 詳細仕様
  • SJ 20786.1-2002 半導体光電子部品 CBGS2301小型双方向光電ポジショナ 詳細仕様
  • SJ 50033/136-1997 半導体光電子デバイス GF116赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/143-1999 半導体光電子デバイス GF1120型赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/137-1997 半導体光電子デバイス GF216オレンジ色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 20642.1-1998 半導体光電子モジュールの詳細一般仕様 GD81 タイプ DIN-FET 光受信モジュール
  • SJ/T 11405-2009 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • SJ 50033/139-1998 半導体光電子デバイス GF4111緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/138-1998 半導体光電子デバイス タイプ GF318 黄色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/58-1995 半導体光電子デバイス GF413 緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ/T 11393-2009 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
  • SJ 50033/142-1999 半導体光電子デバイス GF4112緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/57-1995 半導体光電子デバイス GF115 赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/109-1996 半導体光電子デバイス 半導体レーザーダイオード タイプ GJ9031T、GJ9032T、GJ9034T 詳細仕様
  • SJ 50033/110-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GR9413型赤外発光ダイオード
  • SJ 53930/1-2002 半導体光電子デバイス GR8813型赤外線発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ/T 11400-2009 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • SJ 50033/99-1995 半導体光電子デバイス GF511 オレンジ/緑色 2 色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 20642.7-2000 半導体光電子デバイス GR1325J タイプ長波長発光ダイオードアセンブリの詳細仕様
  • SJ/T 11817-2022 半導体光電子デバイス用発光ダイオード、フィラメントランプの詳細仕様は空白
  • SJ/T 11866-2022 半導体光電子デバイス - シリコン基板白色光パワー発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/140-1999 半導体光電子デバイス 3DA502 シリコンマイクロ波パルスパワートランジスタの詳細仕様
  • SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導体光電子材料と焦電材料の共通用語と用語

RU-GOST R, 半導体オプトエレクトロニクス

  • GOST R 50471-1993 半導体発光素子の半値角の測定方法
  • GOST 27299-1987 半導体光電子デバイス - 用語、定義、パラメータのアルファベット順コード
  • GOST R 59605-2021 光学およびフォトニクス 半導体光検出器 オプトエレクトロニクスおよび受光デバイス 用語と定義
  • GOST 21934-1983 半導体オプトエレクトロニクスおよび光放射受信デバイス 用語と定義
  • GOST 17772-1988 半導体光検出器および受光器、光電パラメータの測定および特性の決定方法
  • GOST R 59607-2021 光学およびフォトニクス 半導体光検出器 光電子および受光デバイス 光電子パラメータの測定および特性の決定方法

British Standards Institution (BSI), 半導体オプトエレクトロニクス

  • BS EN 62007-2:2000 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス.測定方法
  • BS EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス。 測定方法
  • BS IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス-光電子デバイス 半導体レーザー
  • BS EN 62007-1:2000 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 基本的な評価と特性
  • BS EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
  • BS EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス 基本的なグレードと特性の仕様テンプレート
  • BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイスの基本的な定格と特性の仕様テンプレート

SE-SIS, 半導体オプトエレクトロニクス

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体オプトエレクトロニクス

  • IEC 62007-2:1997 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • IEC 62007-2:1999 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 光ファイバーシステム用の半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法 修正 1
  • IEC 62007-1:1999 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性。
  • IEC 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • IEC 62007-1:1997 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
  • IEC 62007-1/AMD1:1998 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性 修正 1
  • IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 光ファイバーシステムで使用する半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
  • IEC 62007-1:2015 光ファイバーシステムで使用する半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
  • IEC 62007-1:2008 光ファイバーシステムで使用する半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
  • IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 変更 1. 光ファイバ システム アプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクス デバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 半導体オプトエレクトロニクス

  • EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • EN 120000:1996 一般仕様: 半導体光電子デバイスおよび液晶デバイス; EN 61747-1-1999 に置き換えられます。
  • EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体オプトエレクトロニクス

  • EN 62007-2:2000 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • EN 62007-1:2000 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性
  • EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

Association Francaise de Normalisation, 半導体オプトエレクトロニクス

  • NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用半導体光電子デバイス 第 2 部: 測定方法
  • NF EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • NF C93-801-1:2009 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
  • NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体オプトエレクトロニクス

  • KS C IEC 62007-2:2003 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • KS C IEC 62007-2-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • KS C IEC 62007-1:2003 光ファイバーシステム用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 基本的な定格と特性。
  • KS C IEC 62007-1-2003(2018) 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス - パート 1: 基本的な定格と特性

CZ-CSN, 半導体オプトエレクトロニクス

  • CSN 35 8851-1987 半導体光電子デバイス。 パラメータ用語、定義および文字記号
  • CSN 35 8804-1985 半導体光電子デバイスは機器に広く使用されています。 一般仕様
  • CSN 35 8804 Za-1989 リビジョンa. 1989 年 8 月 チェコ国家規格 35 8804 * / ST SEV 3992-83 機器用の半導体光電子デバイス。 一般的な技術条件

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体オプトエレクトロニクス

  • GB/T 36358-2018 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様

KR-KS, 半導体オプトエレクトロニクス

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体オプトエレクトロニクス

  • GB/T 36359-2018 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • GB/T 36360-2018 半導体光電子デバイスのパワー発光ダイオードの空白の詳細仕様

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体オプトエレクトロニクス

  • YD/T 2001.2-2011 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: テスト方法
  • YD/T 2001.1-2009 光ファイバーシステム用半導体オプトエレクトロニクスデバイス 第 1 部: 基本特性と評価

Danish Standards Foundation, 半導体オプトエレクトロニクス

  • DS/EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • DS/EN 62007-1:2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

German Institute for Standardization, 半導体オプトエレクトロニクス

  • DIN EN 62007-2:2009-09 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体光電子デバイス - パート 2: 測定方法
  • DIN EN 62007-2:2009 光ファイバーシステムで使用する半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法 (IEC 62007-2-2009) ドイツ語版 EN 62007-2-2009

ES-UNE, 半導体オプトエレクトロニクス

  • UNE-EN 62007-2:2009 光ファイバーシステム用途向けの半導体光電子デバイス パート 2: 測定方法
  • UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート
  • UNE-EN 62007-1:2015 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 1: 基本的な定格と特性の仕様テンプレート

RO-ASRO, 半導体オプトエレクトロニクス

  • STAS 12258/7-1987 光電子半導体デバイス。 太陽光発電の用語と基本的な特性
  • STAS 12258/3-1985 光電子半導体デバイス。 フォトトランジスタの用語と基本的な特性
  • STAS 12258/2-1984 光電子半導体デバイス。 フォトダイオードの用語と基本的な特性

Lithuanian Standards Office , 半導体オプトエレクトロニクス

  • LST EN 62007-2-2009 光ファイバーシステムアプリケーション用の半導体オプトエレクトロニクスデバイス パート 2: 測定方法 (IEC 62007-2:2009)

International Organization for Standardization (ISO), 半導体オプトエレクトロニクス

  • ISO 14605:2013 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス)屋内照明環境における半導体光電子材料光源の試験




©2007-2024 著作権所有