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半導体装置

半導体装置は全部で 500 項標準に関連している。

半導体装置 国際標準分類において、これらの分類：半導体ディスクリートデバイス、 医療機器、 分析化学、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 原子力工学、 電気、磁気、電気および磁気測定、 品質、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 キッチン用品、 熱力学と温度測定、 整流器、コンバータ、安定化電源、 力、重力、圧力の測定、 グラフィックシンボル、 非鉄金属製品、 語彙、 オーディオ、ビデオ、およびオーディオビジュアル エンジニアリング、 電子機器、 放射線測定、 トランス、リアクトル、インダクタ、 ソフトウェア開発とシステム文書化、 電子および通信機器用の電気機械部品、 環境試験、 放射線防護、 カラーコーディング、 ガラス、 総合電子部品。


British Standards Institution (BSI), 半導体装置

  • BS IEC 60747-14-5:2010 半導体デバイス、半導体センサー、PN接合半導体温度センサー
  • BS IEC 60747-14-4:2011 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、半導体加速器
  • BS IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス-光電子デバイス 半導体レーザー
  • BS EN 62047-20:2014 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、ジャイロスコープ
  • BS EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 波長可変半導体レーザーガス分析計
  • BS IEC 60747-14-2:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体デバイス、半導体センサー、ホール素子
  • BS IEC 60747-14-2:2000 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体デバイス、半導体センサー、ホール素子
  • BS IEC 60747-14-3:2009 半導体装置、半導体センサー、圧力センサー
  • BS IEC 60747-5-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、光電子デバイス、半導体レーザー
  • BS IEC 60747-14-1:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路 半導体デバイス 半導体センサー 一般原理と分類 センサーの一般原理と半導体センサーの分類
  • BS EN 60747-15:2004 半導体ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
  • BS IEC 60747-14-1:2010 半導体デバイス、半導体センサー、センサーの一般仕様
  • BS EN 60747-15:2012 半導体装置、ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
  • BS EN 62779-1:2016 半導体デバイス、人体通信用の半導体インターフェース、一般要件
  • BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 半導体デバイスの一般原則
  • BS IEC 62951-4:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス フレキシブル半導体デバイス基板上のフレキシブル導電膜の疲労評価
  • PD IEC/TR 63133:2017 半導体デバイス スキャンベースの半導体デバイスの劣化レベル推定
  • BS IEC 60747-6:2000 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体サイリスタ
  • BS IEC 60747-6:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体サイリスタ
  • BS IEC 62779-4:2020 半導体デバイス 半導体インターフェース 人体通信用カプセル内視鏡
  • 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半導体デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導体レーザー
  • 13/30264591 DC BS EN 60747-14-6 半導体デバイス パート 14-6 半導体センサー 湿度センサー
  • 13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 半導体デバイス パート 14-7 半導体センサー流量計
  • BS EN 62779-2:2016 半導体デバイスインターフェイスの人体通信用の半導体インターフェイスの性能特性評価
  • BS 6493-1.1:1984 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、レビュー
  • 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半導体デバイス パート 5-4 光電子デバイス 半導体レーザー
  • BS EN IEC 62969-1:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェース 車載センサー 電源インターフェース 一般要件
  • BS IEC 60747-7:2011 半導体デバイス ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ
  • BS IEC 60747-7:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、バイポーラトランジスタ
  • BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス バイポーラトランジスタ
  • BS EN 62416:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体 (MOS) トランジスタのホットキャリア試験
  • BS IEC 62951-7:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイス フレキシブル有機半導体フィルムカプセル化のバリア特性を特性評価するための試験方法
  • BS EN IEC 63287-1:2021 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン IC 信頼性認定ガイドライン
  • BS IEC 60747-14-10:2019 半導体デバイス 半導体センサー ウェアラブルグルコースセンサーの性能評価方法
  • 13/30264600 DC BS EN 60747-14-8 半導体デバイス パート 14-8 半導体センサー 液体容量性劣化センサー
  • BS IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブル伸縮性半導体デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
  • BS EN 62779-3:2016 半導体デバイス、人体通信用の半導体インターフェース、機能の種類とその動作条件
  • PD IEC TR 61292-9:2023 光増幅器 半導体光増幅器 (SOA)
  • BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 半導体デバイス ディスクリートデバイス 電界効果トランジスタ
  • BS EN IEC 63364-1:2022 半導体デバイスIoTシステムに使用される半導体デバイスの音変化検出試験方法
  • BS EN IEC 62969-4:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェース 車載センサー データインターフェース評価方法
  • BS IEC 62951-6:2019 半導体デバイスおよび伸縮性半導体デバイスのフレキシブル導電フィルムのシート抵抗の試験方法
  • BS EN 13604:2013 銅および銅合金、高導電性銅半導体デバイス、電子真空製品
  • BS EN IEC 60747-5-5:2020 半導体デバイス 光電子デバイス フォトカプラ
  • BS IEC 62951-1:2017 半導体デバイスのフレキシブル基板上の導電膜のフレキシブル伸縮性半導体デバイスの曲げ試験方法
  • BS IEC 60748-1:2002 半導体デバイス、集積回路、一般原理
  • BS 6493-2.1:1985 半導体デバイス、集積回路、一般原理
  • BS EN 60749-38:2008 半導体デバイス 機械的および気候的テスト方法 メモリを備えた半導体デバイスのソフト エラー テスト方法
  • 18/30363340 DC BS IEC 62779-4 半導体デバイス 人体通信用半導体インターフェース パート 4: 人体通信を用いたカプセル内視鏡用半導体インターフェース
  • BS EN IEC 63244-1:2021 半導体デバイス ワイヤレス電力伝送および充電に使用される半導体デバイスの一般要件と仕様
  • BS EN 62258-1:2006 半導体スタンピング製品の調達と使用
  • BS EN 62258-1:2010 半導体スタンピング製品の購入と使用
  • BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
  • BS IEC 60747-18-4:2023 半導体デバイス、半導体バイオセンサー、レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーのノイズ特性評価方法
  • BS IEC 60747-2:2016 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、整流ダイオード
  • BS EN IEC 60747-16-6:2019 半導体装置マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A2:2017 半導体デバイスマイクロ波集積回路増幅器
  • BS EN 60747-16-3:2002+A2:2017 半導体装置マイクロ波集積回路インバータ
  • BS EN 60747-16-5:2013+A1:2020 半導体デバイスマイクロ波集積回路発振器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A1:2007 半導体デバイス、マイクロ波集積回路、アンプ
  • 14/30297227 DC BS EN 62880-1 半導体デバイス 半導体デバイスのウェーハレベル信頼性銅ストレスマイグレーション試験方法
  • BS EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載用半導体インターフェイス 車載センサー向け衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • BS IEC 60748-11:2000 半導体デバイス、集積回路、半導体集積回路のサブ仕様（ハイブリッド回路を除く）
  • BS IEC 60748-11:1991 半導体デバイス集積回路 半導体集積回路のサブ仕様（ハイブリッド回路を除く）
  • BS IEC 60747-18-2:2020 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーパッケージモジュールの評価プロセス
  • BS EN IEC 62435-6:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パッケージ化されたデバイスまたは完成したデバイス
  • BS IEC 60747-8:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、電界効果トランジスタ
  • BS EN 60191-4:2014 半導体デバイスの機械的標準化 半導体デバイスのパッケージ外形のコーディング体系と分類形式
  • BS EN 62830-3:2017 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス 振動ベースの電磁エネルギーハーベスティング
  • BS IEC 62830-1:2017 半導体デバイス エナジーハーベストおよび発電用半導体デバイス 振動ベースの圧電エナジーハーベスト
  • BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半導体デバイスの機械的規格化 半導体デバイスのパッケージのコーディング体系とパッケージ外観分類
  • BS IEC 62830-7:2021 半導体デバイス。 環境発電および発電用の半導体デバイス。 リニアスライディングモード摩擦電気エネルギーハーベスティング
  • BS EN 62258-2:2011 半導体スタンプ品 データフォーマットの交換
  • BS EN 62258-2:2005 半導体スタンプ品 データフォーマットの交換
  • BS IEC 62899-203:2018 プリンテッドエレクトロニクス材料 半導体インク
  • BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ
  • BS IEC 60747-9:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ (IGBT)
  • BS EN 60146-2:2000 半導体コンバータおよびライン整流型コンバータの一般要件 直接 DC コンバータを含む自己整流型半導体コンバータ

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体装置

CZ-CSN, 半導体装置

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体装置

  • GB/T 20726-2006 半導体検出器X線分光器の一般原理
  • GB/T 11685-2003 半導体X線検出器システムおよび半導体X線エネルギー分析装置の測定方法
  • GB/T 20522-2006 半導体デバイス パート 14-3: 半導体センサー 圧力センサー
  • GB/T 3859.2-1993 半導体コンバータのアプリケーションガイドライン
  • GB/T 20521-2006 半導体デバイス パート 14-1: 半導体センサーの一般原則と分類
  • GB 15651.4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導体レーザー
  • GB/T 13974-1992 半導体チューブ特性図形測定器試験方法
  • GB/T 13973-2012 半導体管特性グラフ装置の一般仕様
  • GB/T 3859.4-2004 半導体コンバータには、直接DCコンバータを含む半導体自励式コンバータが含まれます。
  • GB/T 31358-2015 半導体レーザーの一般仕様
  • GB/T 8750-1997 半導体デバイス用ボンディングワイヤ
  • GB/T 29299-2012 半導体レーザー距離計の一般的な技術条件
  • GB/T 13973-1992 半導体管特性グラフ装置の一般技術条件
  • GB/T 31359-2015 半導体レーザーの試験方法
  • GB/T 8750-2007 半導体デバイス接合用金線
  • GB/T 3859.3-1993 半導体コンバータトランスおよびリアクトル
  • GB 7423.2-1987 半導体デバイスのヒートシンクのプロファイル ヒートシンク
  • GB/T 12560-1999 半導体デバイスのディスクリートデバイス仕様
  • GB/T 3436-1996 半導体集積回路オペアンプのシリーズと種類
  • GB/T 4376-1994 半導体集積回路電圧調整器のシリーズと種類
  • GB/T 17950-2000 半導体コンバータ パート 6: 半導体コンバータを過電流から保護するためのヒューズの使用に関するアプリケーション ガイドライン
  • GB 7423.3-1987 半導体デバイス用ラジエーター インターデジット型ラジエーター
  • GB 12565-1990 半導体デバイスおよび光電子デバイスの仕様
  • GB/T 11499-2001 半導体ディスクリートデバイスのテキストシンボル
  • GB/T 2900.32-1994 電気用語 パワー半導体デバイス
  • GB 7423.1-1987 半導体デバイスのヒートシンクに関する一般的な技術条件
  • GB/T 32817-2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス MEMS 一般仕様書
  • GB/T 13422-2013 半導体コンバータの電気的試験方法
  • GB/T 15291-2015 半導体デバイス 第 6 部: サイリスタ
  • GB/T 15291-1994 半導体デバイス 第6部 サイリスタ
  • GB/T 42836-2023 マイクロ波半導体集積回路ミキサー
  • GB/T 42837-2023 マイクロ波半導体集積回路増幅器

RU-GOST R, 半導体装置

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体装置

  • IEC 60747-14-5:2010 半導体デバイス、パート 14-5: 半導体センサー、PN 接合半導体温度センサー
  • IEC 60333:1993 原子力機器半導体荷電粒子検出器のテスト手順
  • IEC 60747-14-4:2011 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 14-4: 半導体センサー
  • IEC 60747-14-3:2001 半導体デバイス パート 14-3: 半導体センサー 圧力センサー
  • IEC 60747-14-3:2009 半導体デバイス、パート 14-3: 半導体センサー、圧力センサー
  • IEC 60747-5-4:2022 半導体デバイス パート 5-4: 光電子デバイス 半導体レーザー
  • IEC 60747-5-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 5-4: 光電子デバイス、半導体レーザー
  • IEC 62047-20:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • IEC 60747-15:2003 半導体ディスクリートデバイス パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • IEC 60747-14-1:2010 半導体デバイス パート 14-1: 半導体センサー センサーの一般仕様
  • IEC 60747-15:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 15: 個別のパワー半導体デバイス
  • IEC 62951-4:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス 第4回 フレキシブル半導体デバイス基板上のフレキシブル導電膜の疲労評価
  • IEC 60747-14-2:2000 半導体デバイス パート 14-2: 半導体コンポーネント ホール素子
  • IEC 61207-7:2013/COR1:2015 ガス分析計の性能表現 第 7 部: 波長可変半導体レーザーガス分析計; 正誤表 1
  • IEC 60747-14-1:2000 半導体デバイス パート 14-1: 半導体コンポーネントの一般原則と分類
  • IEC 60191-1:1966 半導体デバイスの機械的標準化 第1部：半導体デバイスのグラフィック描画
  • IEC 62779-4:2020 半導体デバイス、人体通信用の半導体インターフェース、その4: カプセル内視鏡
  • IEC 60146-2:1999 半導体コンバータ 第 2 部: 直接 DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • IEC 60191-1A:1969 半導体デバイスの機械的標準化 第 1 部：半導体デバイスの図形描画 追補 1
  • IEC 60191-1C:1974 半導体デバイスの機械的標準化 第 1 部：半導体デバイスの図作図補足 3
  • IEC TR 60146-6:1992 半導体コンバータ パート 6: ヒューズを使用して半導体コンバータを過電流から保護するためのアプリケーション ガイドライン
  • IEC 60759:1983 半導体X線分光計の標準試験手順
  • IEC 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • IEC 60747-1:2006 半導体デバイス パート 1: 一般
  • IEC 60747-1:2006/AMD1:2010 半導体デバイス パート 1: 一般
  • IEC 60747-1:2010 半導体デバイス パート 1: 一般
  • IEC 60747-1:2006+AMD1:2010 CSV 半導体デバイス パート 1: 一般
  • IEC 60747-14-10:2019 半導体デバイス、パート 14-10: 半導体センサー、ウェアラブル グルコース センサーの性能評価方法。
  • IEC 62416:2010 半導体デバイス - Mos トランジスタのホットキャリアテスト
  • IEC 62969-1:2017 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 1: 車載センサー パワー インターフェイスの一般要件
  • IEC 63287-1:2021 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン パート 1: IC 信頼性認定ガイドライン
  • IEC 60747-6:2016 半導体デバイス - パート 6: サイリスタ
  • IEC 62779-3:2016 半導体デバイス - 人体通信用半導体インターフェース - 第 3 部: 機能の種類とその動作条件
  • IEC 62951-6:2019 半導体デバイス フレキシブルおよび伸縮性半導体デバイス パート 6: フレキシブル導電性フィルムのシート抵抗の試験方法。
  • IEC 63364-1:2022 半導体デバイス IoT システム用半導体デバイス 第 1 部: 音変化検出の試験方法
  • IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ
  • IEC 60747-7:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ
  • IEC 60747-7:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ
  • IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ
  • IEC TR2 60146-6:1992 半導体コンバータ 第 6 部: ヒューズによる過電流保護のための半導体コンバータの適用ガイドライン

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体装置

Association Francaise de Normalisation, 半導体装置

  • NF EN 62047-20:2014 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 20: ジャイロスコープ
  • NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 パート 7: 波長可変半導体レーザーガス分析計
  • NF C96-015:2005 半導体ディスクリートデバイス 第 15 部: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • NF EN 60747-15:2013 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 15: 絶縁型半導体パワーデバイス
  • NF C96-050-20*NF EN 62047-20:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • NF C53-221:1980 半導体自動変換器
  • NF X21-008:2012 マイクロビーム分析 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
  • NF C96-779-1*NF EN 62779-1:2016 半導体デバイス間の人体通信のための半導体インターフェース パート 1: 一般要件
  • NF C53-221*NF EN 60146-2:2002 半導体コンバータ その2: DCコンバータを含む自己変換型半導体コンバータ
  • NF EN 60146-2:2002 半導体コンバータ - パート 2: フォワード DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • NF C86-010:1986 半導体デバイス 電子デバイス品質評価連携システム 電子部品 半導体ディスクリートデバイス 一般仕様書
  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の移動イオン試験
  • NF EN IEC 63364-1:2023 半導体デバイス - IDO システム用半導体デバイス - パート 1: 音響変化検出テスト方法
  • NF C96-822:1981 半導体デバイスハイパワーサイリスタ
  • NF EN 62417:2010 半導体デバイス - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • NF EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
  • NF EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス - 車載半導体インターフェイス - パート 3: 車載センサーからの圧電衝撃エネルギーの収集
  • NF C96-287-1*NF EN IEC 63287-1:2021 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン パート 1: IC 信頼性認定ガイドライン
  • NF EN 62415:2010 半導体デバイス – 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • NF C96-779-3*NF EN 62779-3:2016 半導体デバイス 人体通信用半導体インターフェース 第3部 機能の種類と動作条件
  • NF EN 62779-2:2016 半導体デバイス - 人体を介した通信のための半導体インターフェース - パート 2: インターフェースの性能の特性評価
  • NF A51-310*NF EN 13604:2013 銅および銅合金 高導電性銅半導体デバイス、電子管および真空製品
  • NF C96-069-1*NF EN IEC 62969-1:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 1: 車載センサー パワー インターフェイスの一般要件
  • NF C96-069-4*NF EN IEC 62969-4:2018 半導体デバイス 車載用半導体インターフェース 第4部: 車載用センサーデータインターフェースの評価方法

ES-UNE, 半導体装置

  • UNE-EN 62047-20:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 20: ジャイロスコープ
  • UNE-EN 60747-15:2012 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • UNE-EN 60146-2:2000 半導体コンバータ パート 2: 直接 DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • UNE-EN 62779-1:2016 半導体デバイス - 人体通信用の半導体インターフェース - パート 1: 一般要件
  • UNE-EN 61207-7:2013 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
  • UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
  • UNE-EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • UNE-EN 62779-2:2016 半導体デバイス 人体通信用半導体インターフェース パート 2: インターフェース性能の特性評価
  • UNE-EN IEC 63287-1:2021 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン パート 1: IC 信頼性認定ガイドライン
  • UNE-EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • UNE-EN IEC 62969-1:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 1: 車載センサー パワー インターフェイスの一般要件
  • UNE-EN IEC 62969-4:2018 半導体デバイス 車載用半導体インターフェース 第4部: 車載用センサーデータインターフェースの評価方法

Professional Standard - Electron, 半導体装置

  • SJ/T 10229-1991 XJ4810 半導体管特性グラフ計測器
  • SJ/T 10414-2015 半導体デバイス用はんだ
  • SJ/T 10414-1993 半導体デバイス用はんだ
  • SJ/T 10535-1994 半導体デバイス用タングステンボート
  • SJ 20072-1992 半導体ディスクリートデバイス、半導体フォトカプラ、タイプ GH24、GH25、および GH26 詳細仕様
  • SJ/Z 9021.1-1987 半導体デバイスの機械的標準化 第1部：半導体デバイスのパターン図
  • SJ 20234-1993 HP4145A 半導体パラメータ・アナライザの校正手順
  • SJ 20236-1993 GH2050/51 半導体管特性グラフィック機器校正器の校正手順
  • SJ 50033/3-1994 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード GH21、GH22、GH23 タイプ半導体フォトカプラの詳細仕様
  • SJ 2220-1982 半導体ダーリントンフォトカプラ
  • SJ/T 11089-1996 半導体ディスクリートデバイスのテキストシンボル
  • SJ/T 11777-2021 半導体管特性図校正器の技術要件と測定方法
  • SJ 50033/109-1996 半導体光電子デバイス 半導体レーザーダイオード タイプ GJ9031T、GJ9032T、GJ9034T 詳細仕様
  • SJ/T 2215-2015 半導体フォトカプラの試験方法
  • SJ 2247-1982 半導体光電子デバイスの寸法
  • SJ/T 10416-1993 半導体ディスクリートデバイスチップの一般仕様

German Institute for Standardization, 半導体装置

  • DIN 28058-2:1989-01 計装工学で使用されるリード、半製品設計リード
  • DIN EN 60747-15:2012-08 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • DIN EN 62047-20:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 20: ジャイロスコープ (IEC 62047-20:2014)
  • DIN EN 60146-2:2001 半導体コンバータ 第 2 部: DC コンバータを含む自己整流型半導体コンバータ
  • DIN ISO 15632:2015 マイクロビーム分析半導体検出器を備えたエネルギー発散 X 線分光計の機器仕様 (ISO 15632-2012)
  • DIN EN 61207-7:2015-07 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
  • DIN EN 62417:2010-12 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DIN EN IEC 63287-1:2020-06 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン パート 1: LSI 信頼性認定ガイドライン
  • DIN EN 62415:2010-12 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験

Defense Logistics Agency, 半導体装置

Danish Standards Foundation, 半導体装置

  • DS/EN 60747-15:2012 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス
  • DS/EN 60146-2:2000 半導体コンバータ パート 2: 直流 - DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • DS/EN 62417:2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン テスト
  • DS/EN IEC 63287-1:2021 半導体デバイス「一般半導体認定ガイド」第 1 部：IC 信頼性認定ガイド
  • DS/EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験
  • DS/EN IEC 63244-1:2021 半導体デバイス「ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体デバイス」第 1 部：一般要件と仕様

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体装置

KR-KS, 半導体装置

  • KS C IEC 60747-14-1-2021 半導体デバイス 第 14-1 部：半導体センサーの一般仕様
  • KS C IEC 60747-14-1-2019 半導体デバイス - パート 14-1: 半導体センサー - センサーの一般仕様
  • KS C IEC 60747-1-2020 半導体デバイス - パート 1: 一般
  • KS C IEC 60747-14-10-2022 半導体デバイス、パート 14-10: 半導体センサー、ウェアラブル グルコース センサーの性能評価方法。
  • KS C IEC 60747-7-2022 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ
  • KS C IEC 60747-7-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ

工业和信息化部, 半導体装置

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体装置

  • DB13/T 5293-2020 半導体特性のグラフィカルな機器メンテナンス仕様

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 半導体装置

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体装置

  • JIS C 5630-20:2015 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • JIS C 8377:2021 半導体デバイスを保護するためのヒューズリンクの要件

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体装置

  • IEC 60146-2:1974 半導体コンバータ パート 2: 半導体自励式コンバータ (バージョン 1.0)
  • IEC TR 63133:2017 半導体デバイス スキャンベースの半導体デバイスの劣化レベル推定 (バージョン 1.0)

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体装置

  • GJB/Z 41.3-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトル半導体光電子デバイス
  • GJB 33/17-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 GO11型半導体フォトカプラ
  • GJB 33/16-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 3DU32型半導体フォトトランジスタ
  • GJB 33-1985 半導体ディスクリートデバイスの一般仕様
  • GJB 33/15-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 BT401型半導体赤外発光ダイオード
  • GJB 128-1986 半導体ディスクリートデバイスの試験方法
  • GJB 128B-2021 半導体ディスクリートデバイスの試験方法
  • GJB/Z 10-1989 半導体ディスクリートデバイスのシリーズタイプスペクトル
  • GJB 33B-2021 半導体ディスクリートデバイスの一般仕様
  • GJB 3164-1998 半導体ディスクリートデバイスのパッケージング仕様
  • GJB 8119-2013 半導体光電子デバイスの一般仕様
  • GJB 923-1990 半導体ディスクリートデバイスケースの一般仕様
  • GJB 33/18-2011 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GO417 双方向半導体光電結合アナログスイッチ

TH-TISI, 半導体装置

  • TIS 1863-2009 半導体デバイス、ディスクリートデバイス
  • TIS 1972-2009 半導体デバイス 第 6 部: サイリスタ
  • TIS 1864-2009 半導体デバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体装置

  • EN 60747-15:2012 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 15: 独立したパワー半導体デバイス
  • EN 62417:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET)
  • EN 62779-1:2016 半導体デバイス - 人体通信用の半導体インターフェース - パート 1: 一般要件
  • EN 61207-7:2013 ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
  • EN 60146-2:2000 半導体コンバータ パート 2: 直接 DC コンバータを含む自己整流半導体コンバータ IEC 60146-2-1999
  • EN 62047-20:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 20 部: ジャイロスコープ
  • EN IEC 63287-1:2021 半導体デバイスに関する一般的な半導体認定ガイドライン パート 1: IC 信頼性認定ガイドライン
  • EN 62779-3:2016 半導体デバイス 人体通信用半導体インターフェース 第3部 機能の種類と動作条件
  • EN 62416:2010 半導体デバイス、MOSトランジスタのホットキャリア試験
  • EN IEC 62969-1:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 1: 車載センサー パワー インターフェイスの一般要件
  • EN IEC 62969-4:2018 半導体デバイス 車載用半導体インターフェース 第4部: 車載用センサーデータインターフェースの評価方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体装置

  • EN 60747-15:2004 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 15: 独立したパワー半導体デバイス
  • EN 62415:2010 半導体デバイス - 定電流エレクトロマイグレーション試験

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導体装置

  • JJF 1894-2021 半導体管特性の校正仕様 グラフィカル機器校正器
  • JJF 1236-2010 半導体管特性測定器の校正仕様書
  • JJF 2009-2022 半導体パラメータ精密アナライザの校正仕様

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体装置

  • GB/T 15651.4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第5-4部：光電子デバイス 半導体レーザー

Standard Association of Australia （SAA）, 半導体装置

  • AS 60146.2:2001(R2013) 半導体コンバータ 自励式半導体コンバータには、DC コンバータが含まれます
  • AS 60146.2:2001/Amdt 1:2001 半導体コンバータ 自励式半導体コンバータには、DC コンバータが含まれます
  • AS 60146.2:2001 半導体コンバーター。 直接DCコンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • AS 4424:1996 半導体デバイス規格リファレンスガイド

Underwriters Laboratories (UL), 半導体装置

Professional Standard - Machinery, 半導体装置

ESD - ESD ASSOCIATION, 半導体装置

SE-SIS, 半導体装置

  • SIS SS IEC 333:1986 核実験装置。 半導体荷電粒子検出器の試験手順
  • SIS SS IEC 759:1986 核実験装置。 半導体X線エネルギー分光器検出プログラム
  • SIS SS CECC 50000-1987 一般的な仕様。 ディスクリート半導体デバイス
  • SIS SS IEC 596:1981 核実験装置。 半導体放射線検出器とシンチレーションカウンター検出法の用語解説
  • SIS SS IEC 340:1981 核実験装置。 電離放射線半導体検出器用増幅器およびプリアンプの試験手順

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体装置

International Organization for Standardization (ISO), 半導体装置

  • ISO 15632:2021 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
  • ISO 15632:2012 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
  • ISO 15632:2002 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様

ZA-SANS, 半導体装置

  • SANS 60146-2:1999 半導体コンバーター。 パート 2: DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ
  • SANS 60146-6:1992 半導体コンバーター。 第6部：半導体コンバータヒューズ過電流保護応用マニュアル

Lithuanian Standards Office , 半導体装置

  • LST EN 60747-15-2012 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 15: 絶縁型パワー半導体デバイス (IEC 60747-15:2010)
  • LST 1412-1995 半導体デバイスの用語と定義
  • LST EN 60146-2-2002 半導体コンバータ パート 2: 直接 DC コンバータを含む自励式半導体コンバータ (IEC 60146-2:1999)

Professional Standard - Aerospace, 半導体装置

  • QJ 2225-1992 半導体デバイスの使用ルール
  • QJ 1511A-1998 半導体ディスクリートデバイスの受け入れ仕様

JP-JEC, 半導体装置

IN-BIS, 半導体装置

European Standard for Electrical and Electronic Components, 半導体装置

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 半導体装置

  • YS/T 678-2008 半導体デバイスボンディング用銅線
  • YS/T 641-2007 半導体デバイスボンディング用アルミワイヤー

American National Standards Institute （ANSI), 半導体装置

PL-PKN, 半導体装置

GOSTR, 半導体装置

未注明发布机构, 半導体装置

  • GJB 33A-1997 半導体ディスクリートデバイスの一般仕様
  • BS EN 61207-7:2013(2015) ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
  • GJB 128A-1997 半導体ディスクリートデバイスの試験方法

Professional Standard - Medicine, 半導体装置

  • YY 1289-2016 レーザー治療装置 眼科用半導体レーザー光凝固装置

PH-BPS, 半導体装置

  • PNS IEC 62830-2:2021 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 2: 熱電エネルギーハーベスティング

IET - Institution of Engineering and Technology, 半導体装置

机械电子工业部, 半導体装置

国家机械工业局, 半導体装置

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体装置

  • IEEE 1131-1987 ゲルマニウム半導体ガンマ線分光計の標準クライオスタット エンド キャップ寸法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体装置

  • GB/T 15879.4-2019 半導体デバイスの機械的標準化 第4部：半導体デバイスのパッケージ外形の分類とコーディング体系
  • GB/T 8446.1-2022 パワー半導体デバイス用ヒートシンク その1：ヒートシンク

中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会, 半導体装置

  • GB/T 11713-1989 半導体ガンマ線分光計を使用した低比放射能ガンマ線放射性サンプルの標準分析方法

RO-ASRO, 半導体装置

Professional Standard - Building Materials, 半導体装置

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 半導体装置

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体装置

  半導体試験装置, 半導体機器, 半導体機器, 半導体装置, 半導体測定器, 半導体装置, 半導体装置.

 



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