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실리콘의 질량 분석 측정

모두 9항목의 실리콘의 질량 분석 측정와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 실리콘의 질량 분석 측정와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 분석 화학, 반도체 소재.

Standard Association of Australia （SAA）, 실리콘의 질량 분석 측정

• AS ISO 17560:2006 표면 화학 분석. 2차 이온 질량 분석법. 실리콘에 붕소 주입을 위한 깊이 분포 분석 방법

American Society for Testing and Materials (ASTM), 실리콘의 질량 분석 측정

• ASTM F1366-92(1997)e1 2차 이온 질량분석기를 이용한 고농도 도핑 실리콘 기판의 산소 함량 측정 방법

British Standards Institution (BSI), 실리콘의 질량 분석 측정

• BS ISO 17560:2002 표면 화학 분석 재생 이온 질량 분석법 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 분석
• BS ISO 17560:2014 표면 화학 분석 재생 이온 질량 분석법 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 분석

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 실리콘의 질량 분석 측정

• GB/T 32651-2016 고질량 분해능 글로우 방전 질량 분석법을 사용한 태양광 등급 실리콘의 미량 원소 테스트 방법

International Organization for Standardization (ISO), 실리콘의 질량 분석 측정

• ISO 17560:2002 표면 화학 분석 재생된 이온 질량의 분광학 측정 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 방법

Association Francaise de Normalisation, 실리콘의 질량 분석 측정

• NF X21-051*NF ISO 17560:2006 표면 화학 분석 실리콘 내 붕소의 재생 이온 질량 분광 측정 딥 프로파일링 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 실리콘의 질량 분석 측정

• KS D ISO 17560:2003 표면 화학 분석 재생된 이온 질량의 분광학 측정 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 실리콘의 질량 분석 측정

• JIS K 0164:2010 표면 화학 분석, 재생된 이온 질량의 분광학 측정, 실리콘 내 붕소 심층 압착 방법

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