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질량 스펙트럼 실리콘 피크

모두 134항목의 질량 스펙트럼 실리콘 피크와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 질량 스펙트럼 실리콘 피크와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 광학 및 광학 측정, 금속 재료 테스트, 원자력공학, 유기화학, 섬유 섬유, 살충제 및 기타 농약, 분석 화학, 반도체 소재, 수질, 도로 차량 종합, 내화물, 섬유제품, 도체 재료, 비금속 광물, 반도체 개별 장치, 광섬유 통신, 건축 자재, 비철금속, 세라믹, 플라스틱, 농업 및 임업.


海关总署, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • SN/T 5349-2021 가스 크로마토그래피-질량분석법/질량분석법을 이용한 실리카 내열성 물질 내 실록산 화합물 측정

Group Standards of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • T/YYHG 0003-2022 실리카겔 매트릭스 역상 크로마토그래피 컬럼
  • T/CNTAC 152-2023 가스 크로마토그래피-질량 분석법을 이용한 직물 내 메틸사이클로실록산의 스크리닝 및 열분해
  • T/CNIA 0017-2019 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 다결정 실리콘용 클로로실란의 불순물 함량 측정
  • T/CNIA 0061-2020 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 실리콘 에피택시용 사염화규소의 불순물 함량 측정
  • T/SSAE 45-2023 가스 크로마토그래피-질량 분석법을 통한 자동차 재료의 실리콘 화합물 및 기타 SVHC 측정
  • T/HZAS 17-2021 식품 접촉용 실리콘 종이 내 수소화 터페닐의 이동량 측정 - 가스 크로마토그래피-질량분석법
  • T/HZAS 16-2021 가스 크로마토그래피-질량 분석법을 사용한 식품 접촉용 실리콘 종이의 디이소프로필나프탈렌(DIPN) 이동 측정
  • T/CASAS 009-2019 반절연 탄화규소 소재의 미량 불순물 농도 및 분포에 대한 2차 이온 질량분석법 검출 방법
  • T/CNIA 0141-2022 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통해 다결정 실리콘 생산에 사용되는 수소 가스의 금속 불순물 함량 측정
  • T/YXNX 004-2021 알루미노실리케이트 내화물의 멀라이트 상 함량 측정(X선 회절 전체 스펙트럼 피팅 방법)
  • T/CASAS 032-2023 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 탄화 규소 웨이퍼 표면의 금속 원소 함량 측정
  • T/CNIA 0064-2020 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법을 사용하여 폴리실리콘 산업에 사용되는 먼지 없는 물티슈의 불순물 함량 측정
  • T/CSTM 00780.3-2023 바나듐산나트륨 분석방법 3부 : 유도결합플라즈마분광법을 이용한 실리콘, 알루미늄 등 12종 불순물 원소 함량 측정
  • T/CNIA 0020-2019 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법을 이용한 클로로실란 불균등화 반응용 수지 촉매의 불순물 함량 측정
  • T/CNIA 0116-2021 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법을 이용한 다결정 실리콘 생산 시 배기 가스 정화에 사용되는 활성탄의 불순물 함량 측정

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB15/T 1242-2017 가스 크로마토그래피-질량 분석법을 통한 클로로실란의 헥사클로로실록산 함량 측정
  • DB15/T 1239-2017 유도 결합 플라즈마 광방출 분광법을 이용한 다결정 실리콘 생산에서 수소 정제를 위한 활성탄의 불순물 함량 측정

International Organization for Standardization (ISO), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • ISO/CD 6863 동위원소 희석 질량 분석법(IDMS)을 위한 플루토늄 및 우라늄 스파이크 준비
  • ISO 17560:2014 표면 화학 분석 - 2차 이온 질량 분석법 - 실리콘 내 실리콘의 심층 분석 방법
  • ISO 20596-2:2021 수질 물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정 2부: 액체-액체 추출 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 방법
  • ISO 14237:2010 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일한 도핑 종을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • ISO 14237:2000 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일한 도핑 종을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • ISO 20596-1:2018 수질 물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정 1부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS)을 사용한 정화 및 포획 방법
  • ISO 12406:2010 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 실리콘 내 비소의 깊이 프로파일링
  • ISO 17560:2002 표면 화학 분석 재생된 이온 질량의 분광학 측정 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 방법
  • ISO 23812:2009 표면 화학 분석 2차 이온 질량분석기 다중 델타층 참조 물질을 사용한 실리콘 깊이 교정 방법

Professional Standard - Chemical Industry, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • HG/T 6153-2023 가스 크로마토그래피 질량 분석법을 통한 메틸클로로실란 내 에틸디클로로실란 측정

工业和信息化部, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • YS/T 1300-2019 가스 크로마토그래피 질량 분석법을 통한 클로로실란 내 메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란 및 메틸트리클로로실란 측정
  • YS/T 987-2021 가스 크로마토그래피 질량 분석법을 통한 클로로실란의 탄소 함량 측정
  • YS/T 1301-2019 가스 크로마토그래피 질량 분석법을 통한 클로로실란 내 옥시염화인 및 삼염화인 측정
  • YB/T 4590-2017 유도 결합 플라즈마 광방출 분광법을 이용한 실리콘 소재용 고순도 흑연 제품의 불순물 함량 측정
  • YS/T 1164-2016 유도 결합 플라즈마 광방출 분광법을 이용한 실리콘 소재용 고순도 석영 제품의 불순물 함량 측정

National Health Commission of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • GB 23200.53-2016 가스 크로마토그래피-질량분석법을 통한 식품 내 Flusilazole 잔류물 측정

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB53/T 501-2013 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 다결정 실리콘의 삼염화실란 불순물 원소 함량 측정

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB35/T 1146-2011 글로우 방전 질량 분석법을 통한 실리콘 재료의 불순물 원소 함량 측정

Professional Standard - Agriculture, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • SN/T 5578-2023 헤드스페이스-가스 크로마토그래피-질량 분석법을 사용한 가죽 내 메틸사이클로실록산 측정

American Society for Testing and Materials (ASTM), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • ASTM C1871-22 열이온화질량분석법을 이용한 이봉법에 의한 우라늄 동위원소 조성 측정을 위한 표준 시험 방법
  • ASTM C1871-18a 열이온화질량분석법을 이용한 비스파이크법을 이용한 우라늄 동위원소 조성 측정의 표준시험법
  • ASTM C1871-18 열이온화질량분석법을 이용한 비스파이크법을 이용한 우라늄 동위원소 조성 측정의 표준시험법
  • ASTM F1845-97 고질량 감소 글로우 방전 질량분석기를 사용하여 전자등급 알루미늄-구리, 알루미늄-실리콘, 알루미늄-구리-실리콘의 미량 금속 불순물을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1845-97(2002) 고질량 감소 글로우 방전 질량분석기를 사용하여 전자등급 알루미늄-구리, 알루미늄-실리콘, 알루미늄-구리-실리콘의 미량 금속 불순물을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1845-08 고질량 감소 글로우 방전 질량분석기를 사용하여 전자등급 알루미늄-구리, 알루미늄-실리콘, 알루미늄-구리-실리콘의 미량 금속 불순물을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1845-08(2016) 고질량 분해능 글로우 방전 질량 분석법을 사용하여 전자 등급 알루미늄-구리, 알루미늄-실리콘 및 알루미늄-구리-실리콘 합금의 미량 금속 불순물에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1366-92(1997)e1 2차 이온 질량분석기를 이용한 고농도 도핑 실리콘 기판의 산소 함량 측정 방법
  • ASTM F1724-96 산 추출 원자 흡수 분광법을 이용한 다결정 실리콘 표면의 금속 불순물 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1617-98 2차 이온 질량 분석법(SIMS)을 통한 표면 나트륨, 알루미늄, 칼륨-실리콘 및 EPI 기판 측정을 위한 표준 테스트 방법

Professional Standard - Commodity Inspection, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • SN/T 2236-2008 수입 및 수출 식품 내 플루오로실라졸 잔류물 검출 방법 가스 크로마토그래피-질량분석법
  • SN/T 4025-2014 희토류 페로실리콘 합금 및 마그네슘 페로실리콘 합금의 화학적 분석 방법 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 총 희토류 함량 측정.
  • SN/T 4107-2015 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 백색 강옥 및 크롬 강옥의 규소, 철, 칼륨, 나트륨, 크롬, 칼슘 및 마그네슘 측정
  • SN/T 2619-2010 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법을 이용한 금속 크롬 내 알루미늄, 안티몬, 비소, 비스무트, 구리, 철, 납, 실리콘 및 주석의 불순물 원소 측정

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • GB/T 42263-2022 2차 이온 질량 분석법을 통한 실리콘 단결정의 질소 함량 측정
  • GB/T 32281-2015 2차 이온 질량 분석법을 통한 태양광 등급 실리콘 웨이퍼 및 재료의 산소, 탄소, 붕소 및 인 측정
  • GB/T 24582-2009 산성 침출 유도 결합 플라즈마 질량 분석기를 사용하여 다결정 실리콘 표면의 금속 불순물을 측정합니다.
  • GB/T 24582-2023 산 침출 유도 결합 플라즈마 질량분석법을 이용한 다결정 실리콘 표면의 금속 불순물 함량 측정
  • GB/T 32495-2016 실리콘 내 비소에 대한 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 깊이 프로파일링 방법
  • GB/T 24580-2009 고농도로 도핑된 n형 실리콘 기판의 붕소 오염에 대한 2차 이온 질량 분석법 검출 방법
  • GB/T 29851-2013 태양전지용 실리콘 소재의 B 및 Al 수용체 불순물 함량을 측정하기 위한 2차 이온 질량분석법
  • GB/T 24575-2009 실리콘 및 에피택셜 웨이퍼 표면의 Na, Al, K 및 Fe의 2차 이온 질량 분석 검출 방법
  • GB/T 29852-2013 태양전지용 실리콘 소재의 P, As, Sb 공여체 불순물 함량을 측정하기 위한 2차 이온 질량분석법
  • GB/T 20176-2006 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일한 도핑 종을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • GB/T 31854-2015 태양전지용 실리콘 소재의 금속 불순물 함량에 대한 유도결합플라즈마 질량분석법 측정 방법
  • GB/T 29849-2013 태양전지용 실리콘 소재 표면의 금속 불순물 함량을 측정하기 위한 유도결합플라즈마 질량분석법
  • GB/T 32651-2016 고질량 분해능 글로우 방전 질량 분석법을 사용한 태양광 등급 실리콘의 미량 원소 테스트 방법
  • GB/T 29056-2012 실리콘 에피택시를 위한 트리클로로실란의 화학적 분석 방법 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 붕소, 알루미늄, 인, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 몰리브덴, 비소 및 안티몬의 양 측정
  • GB/T 14849.5-2014 산업용 실리콘의 화학적 분석 방법 5부: 불순물 원소 함량 측정 X선 형광 분광법
  • GB/T 24581-2009 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정 시험 방법
  • GB/T 6901.10-2004 규산 내화물의 화학적 분석 방법 10부: 화염 원자 흡수 분광법을 이용한 산화망간 함량 측정
  • GB/T 23275-2009 루테늄 분말의 화학적 분석 방법 납, 철, 니켈, 알루미늄, 구리, 은, 금, 백금, 이리듐, 팔라듐, 로듐 및 실리콘의 측정 글로우 방전 질량 분석법
  • GB/T 6901.8-2004 규산 내화물의 화학적 분석 방법 제8부: 화염 원자 흡광 분석법을 이용한 산화칼슘 및 산화마그네슘 측정
  • GB/T 6901.9-2004 규산 내화물의 화학적 분석 방법 9부: 화염 원자 흡광 분석법을 이용한 산화칼륨 및 산화나트륨 측정

British Standards Institution (BSI), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • BS ENISO 20596-2:2021 수질 수중 순환 휘발성 메틸실록산 측정 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법
  • BS EN ISO 20596-2:2022 수질 수중 순환 휘발성 메틸실록산 측정 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법
  • BS ISO 20596-1:2018 수성 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 퍼지 및 트랩 방법에서 순환 휘발성 메틸실록산의 수질 측정
  • BS ISO 20596-2:2021 수질 내 순환 휘발성 메틸실록산 측정 액체-액체 추출-가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 방법
  • BS ISO 14237:2010 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일한 도핑 종을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • BS ISO 12406:2010 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 실리콘 내 비소의 깊이 프로파일링
  • 19/30356328 DC BS ISO 20596-2 수질 내 순환 휘발성 메틸실록산 측정 2부. 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출을 사용하는 방법
  • BS ISO 17560:2002 표면 화학 분석 재생 이온 질량 분석법 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 분석
  • BS ISO 17560:2014 표면 화학 분석 재생 이온 질량 분석법 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 분석
  • BS ISO 23812:2009 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 다중 델타층 기준 물질을 사용한 실리콘의 깊이 교정 방법
  • BS EN 15979:2011 세라믹 원료 및 기본 재료 테스트 DC 아크 여기 방출 분광법을 사용하여 탄화규소 분말 및 과립의 불순물 질량 분율을 직류 측정합니다.

Professional Standard - Electron, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • SJ/T 11493-2015 실리콘 기판의 질소 농도를 측정하기 위한 2차 이온 질량 분석법
  • SJ/T 11498-2015 고농도로 도핑된 실리콘 기판의 산소 농도를 측정하기 위한 2차 이온 질량 분석법
  • SJ 2594-1985 고순도 사염화규소 중의 붕소 및 금속 불순물의 화학 분광 분석 방법

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • GB/T 33236-2016 글로우 방전 질량 분석법을 이용한 다결정 실리콘의 미량 원소 화학적 분석

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • GB/T 41153-2021 2차 이온 질량분석법을 통한 탄화규소 단결정의 붕소, 알루미늄 및 질소 불순물 함량 측정
  • GB/T 40109-2021 표면 화학 분석 실리콘 내 붕소의 깊이 프로파일링을 위한 2차 이온 질량 분석 방법
  • GB/T 37049-2018 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 전자 등급 폴리실리콘의 매트릭스 금속 불순물 함량 측정
  • GB/T 39145-2020 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 원소 함량 측정
  • GB/T 24581-2022 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 통한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정
  • GB/T 37185-2018 가스 분석실의 휘발성 유해 유기 화합물 측정 "SUMMA 탱크 실란화 튜브" 샘플링 가스 크로마토그래피/질량 분석법(GC/MS) 방법

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • YS/T 1601-2023 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 헥사클로로디실란의 불순물 함량 측정
  • YS/T 1600-2023 글로우 방전 질량분석법을 이용한 탄화규소 단결정의 미량 불순물 원소 함량 측정
  • YS/T 981.1-2014 고순도 인듐 화학 분석법 마그네슘, 알루미늄, 규소, 황, 철, 니켈, 구리, 아연, 비소, 은, 카드뮴, 주석, 탈륨, 납 측정 고질량 분해능 글로우 방전 질량분석기
  • YS/T 35-2012 고순도 안티몬 화학 분석 방법 마그네슘, 아연, 니켈, 구리, 은, 카드뮴, 철, 황, 비소, 금, 망간, 납, 비스무트, 규소, 셀레늄 함량 측정 고품질 분해능 글로우 방전 질량 분석기

RO-ASRO, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • STAS 10837/2-1977 셀레늄, 철, 규소, 은, 구리, 마그네슘, 납, 주석, 안티몬 및 비소 불순물의 반정량 분광학 측정

Liaoning Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB21/T 2070-2013 원자흡광분석법을 이용한 규산알루미늄 내화물의 화학적 분석

European Committee for Standardization (CEN), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • EN ISO 20596-2:2022 수질 물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정 2부: 액체-액체 추출 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 방법
  • EN 15979:2011 세라믹 원료 및 기본 재료 테스트 DC 아크 여기 방출 분광법을 사용하여 탄화규소 분말 및 과립의 불순물 질량 분율을 직류 측정합니다.

Danish Standards Foundation, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DS/ISO 20596-2:2021 수질 "물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정" 2부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법

ES-UNE, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • UNE-EN ISO 20596-2:2023 수질 측정 물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정 2부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법
  • UNE-EN 15991:2015 세라믹 및 기본 재료 테스트 유도 결합 플라즈마 광학 방출 분광법을 사용하여 탄화규소 분말 및 과립의 불순물 질량 분율을 직접 측정

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • JIS K 0164:2023 실리콘 내 붕소의 깊이 분석을 위한 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석 방법
  • JIS H 0615:2021 광발광 분광법을 이용한 실리콘 결정의 불순물 농도 측정 시험 방법
  • JIS H 0615:1996 광발광 분광법을 이용한 실리콘 결정의 불순물 농도 측정 시험 방법
  • JIS K 0164:2010 표면 화학 분석, 재생된 이온 질량의 분광학 측정, 실리콘 내 붕소 심층 압착 방법
  • JIS K 0143:2023 표면 화학 분석 - 2차 이온 질량 분석법 - 균일하게 도핑된 재료를 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • JIS K 0143:2000 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일하게 도핑된 물질을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • JIS K 0156:2018 표면 화학 분석 - 2차 이온 질량 분석법 - 다중 델타층 참조 물질을 사용한 실리콘 깊이 교정 방법

Association Francaise de Normalisation, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • NF EN ISO 20596-2:2022 수질 측정 물 속 휘발성 고리형 메틸실록산 측정 2부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법
  • NF T90-007:2001 수질, 가용성 규산염 함량 측정, 분자 흡수 분광법
  • NF T90-053*NF EN ISO 16264:2004 흐름 분석(FIA 및 CFA) 및 분광학적 방법을 통한 가용성 규산염의 수질 측정
  • NF X21-070*NF ISO 14237:2010 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 균일한 도핑 종을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정
  • NF X21-051*NF ISO 17560:2006 표면 화학 분석 실리콘 내 붕소의 재생 이온 질량 분광 측정 딥 프로파일링 방법
  • NF X21-066*NF ISO 23812:2009 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석기 다중 델타층 기준 물질을 사용한 실리콘 심층 교정 방법
  • NF ISO 17560:2006 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 두께 분석을 통한 실리콘 내 붕소 함량 결정
  • NF ISO 23812:2009 다중 삼각층 기준 물질을 이용한 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석을 위한 실리콘 깊이 교정 방법
  • NF ISO 14237:2010 표면 화학 분석 균일하게 도핑된 물질을 사용한 실리콘 내 붕소 원자량의 2차 이온 질량 분석
  • NF B41-105*NF EN 15979:2011 세라믹 원료 및 기본 재료 테스트 DC 아크 여기 분광계(OES)를 사용하여 탄화규소 분말 및 입자의 불순물 질량 분율을 직접 측정

German Institute for Standardization, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DIN EN ISO 20596-2:2023-07 수질 - 물 속의 순환 휘발성 메틸실록산 측정 - 2부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법(ISO 20596-2:2021)
  • DIN EN ISO 20596-2:2023 수질 물 속 순환 휘발성 메틸실록산 측정 2부: 가스 크로마토그래피-질량 분석법(GC-MS) 액체-액체 추출 방법(ISO 20596-2:2021)
  • DIN 51088:2007 세라믹 원료 및 기본 재료 테스트 방출 분광 분석 및 DC 아크 여기를 통해 탄화 규소 분말 및 입상 탄화 규소의 금속 미량 불순물의 질량 분율 결정.
  • DIN EN 15991:2016-02 세라믹 및 기본 재료 테스트 유도 결합 플라즈마 광학 방출 분광법을 사용하여 탄화규소 분말 및 과립의 불순물 질량 분율을 직접 측정

Qinghai Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB63/T 1611-2017 유도결합플라즈마질량분석법을 이용한 광섬유 프리폼의 원료인 사염화규소의 불순물 함량 측정

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • KS D 0078-2008(2018) 불순물 농도 측정을 위한 실리콘 결정의 광발광 분광법 테스트 방법
  • KS D ISO 17560:2003 표면 화학 분석 재생된 이온 질량의 분광학 측정 실리콘 내 붕소의 심층 프로파일링 방법
  • KS D ISO 14237:2003 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 불균일하게 도핑된 물질을 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정.

KR-KS, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • KS D ISO 17560-2003(2023) 실리콘의 표면화학 분석 - 2차 이온 질량 분석 - 붕소 깊이 분포 측정 현장 방법
  • KS D ISO 14237-2003(2023) 지하 화학 분석 - 2차 이온 질량 분석 - 실리콘에 균일하게 첨가된 붕소 원자의 농도 측정 방법

Standard Association of Australia (SAA), 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • AS ISO 17560:2006 표면 화학 분석. 2차 이온 질량 분석법. 실리콘에 붕소 주입을 위한 깊이 분포 분석 방법
  • AS ISO 14237:2006 표면 화학 분석. 2차 이온 질량 분석법. 균일한 절연 재료를 사용하여 실리콘 내 붕소 원자 농도 측정

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • DB51/T 2038-2015 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법을 이용한 바나듐-알루미늄 합금 내 실리콘, 철 등 15가지 불순물 원소 함량 측정

Professional Standard - Building Materials, 질량 스펙트럼 실리콘 피크

  • JC/T 2133-2012 반도체 연마액용 실리카졸의 불순물 원소 함량 측정 - 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법




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