ZH

EN

JP

ES

RU

DE

프로브 임피던스

모두 64항목의 프로브 임피던스와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 프로브 임피던스와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 비파괴 검사, 금속 재료 테스트, 절연유체, 반도체 소재, 비철금속, 복합강화재료, 소방, 종합 전자 부품, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 반도체 개별 장치, 도체 재료, 플라스틱, 미생물학, 건물 보호, 세라믹, 농업 및 임업, 전자 디스플레이 장치.


American Society for Testing and Materials (ASTM), 프로브 임피던스

  • ASTM E1629-07 절대 와전류 프로브의 임피던스 결정을 위한 표준 사례
  • ASTM E1629-94 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E1629-94(2001) 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-02ae1 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-98e1 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-02a 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-08 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-08a 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-08b 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-87 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E1629-12(2020) 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM E162-22 절대 와전류 프로브 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM F397-93(1999) 2점 프로브를 사용하여 실리콘 막대의 저항률을 측정하는 표준 테스트 방법
  • ASTM E1629-12 절대 와전류 프로브의 임피던스를 결정하기 위한 표준 사례
  • ASTM B667-97(2003)e1 전기 접촉 저항 측정을 위한 프로브 구성 및 사용에 대한 표준 사례
  • ASTM B667-97(2019) 전기 접촉 저항 측정을 위한 프로브 구성 및 사용에 대한 표준 사례
  • ASTM B667-97(2014) 전기 접촉 저항 측정을 위한 프로브 구성 및 사용에 대한 표준 사례
  • ASTM B667-97(2009) 전기 접촉 저항 측정을 위한 프로브 구성 및 사용에 대한 표준 사례
  • ASTM F390-98 동일 선상에 있는 4개 프로브 배열을 사용한 금속 박막의 면저항에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM F390-11 공선형 4-프로브 방법을 통한 금속 박막의 시트 저항 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1711-96(2016) 4점 프로브 방법을 사용하여 평면 패널 디스플레이 제조에 사용되는 박막 도체의 시트 저항을 측정하는 표준 사례

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 프로브 임피던스

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 프로브 임피던스

  • GB/T 6617-1995 확장된 저항 프로브 방법을 이용한 실리콘 웨이퍼 저항률 측정
  • GB/T 6617-2009 확장된 저항 프로브 방법을 이용한 실리콘 웨이퍼 저항률 측정
  • GB/T 1552-1995 인라인 4개 프로브 방법을 사용한 실리콘 및 게르마늄 단결정 저항률 측정
  • GB/T 1551-1995 실리콘 및 게르마늄 단결정의 저항률을 측정하는 DC 2탐침 방법
  • GB/T 26074-2010 게르마늄 단결정 저항률 DC 4탐침 측정 방법
  • GB/T 30820-2014 비파괴 검사를 위한 절대 와전류 프로브 임피던스 측정 방법
  • GB/T 14141-2009 실리콘 에피택셜 층, 확산층 및 이온 주입층의 시트 저항 측정 인라인 4-프로브 방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 프로브 임피던스

  • GB/T 1551-2021 직류 4탐침법과 직류 2탐침법을 이용한 실리콘 단결정의 저항률 측정
  • GB/T 39978-2021 나노기술 탄소 나노튜브 분말 저항성 4탐침 방법

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 프로브 임피던스

  • YS/T 602-2007 존 용융 게르마늄 잉곳 저항률 테스트 방법 2개 프로브 방법
  • YS/T 602-2017 존 용융 게르마늄 잉곳 저항률 테스트 방법 2개 프로브 방법

RU-GOST R, 프로브 임피던스

  • GOST 24392-1980 단결정 실리콘 및 게르마늄 4개 프로브 방법을 통한 저항률 측정

Group Standards of the People's Republic of China, 프로브 임피던스

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 프로브 임피던스

  • DB13/T 5255-2020 그래핀 전도성 잉크의 면저항 측정을 위한 4탐침 방법
  • DB13/T 5026.3-2019 그래핀 전도성 슬러리의 물성 측정 방법 3부: 슬러리 극편 저항률 측정 4탐침 방법

Professional Standard - Electron, 프로브 임피던스

  • SJ/T 10314-1992 DC 4개 프로브 저항률 테스터의 일반 기술 조건
  • SJ/T 10481-1994 실리콘 에피택시층 저항률을 위한 표면 접촉 3개 프로브 테스트 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 프로브 임피던스

  • KS D 0260-1999 단결정 실리콘 웨이퍼의 저항률을 테스트하기 위한 4점 프로브 방법
  • KS L 1619-2013(2018) 4개 프로브 어레이 전도성 세라믹 박막 저항률 테스트 방법
  • KS C 0256-2002(2022) 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼 저항률에 대한 4점 프로브 테스트 방법
  • KS L 1619-2013 전기전도성 세라믹박막의 비저항 측정방법 4점 탐침법
  • KS L 1619-2003 전기전도성 세라믹박막의 비저항 측정방법 4점 탐침법
  • KS D 0260-1989(1994) 4점 프로브를 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼의 비저항 테스트 방법
  • KS C 0256-2002 4-프로브법을 이용한 실리콘 단결정 및 실리콘 웨이퍼의 비저항 측정 방법
  • KS C 0256-2002(2017) 4점 프로브를 이용한 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼의 비저항 테스트 방법
  • KS C IEC TS 62607-6-1:2022 나노제조 중요한 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료 체적 저항률: 4-프로브 방법

German Institute for Standardization, 프로브 임피던스

  • DIN 50431:1988 반도체 재료의 테스트 프로브를 직선으로 배열한 4-프로브/DC 방식을 사용하여 단결정 실리콘 또는 게르마늄 단결정의 저항률을 측정합니다.
  • DIN 10115:1999 임피던스 방법을 이용한 식품 내 미생물 검출 및 측정의 기본 원리
  • DIN 50435:1988 반도체 재료 테스트: 4-프로브/DC 방법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 및 게르마늄 웨이퍼의 저항률의 방사형 변화 측정

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 프로브 임피던스

  • JIS H 0602:1995 4점 탐침법을 이용한 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼 저항률 테스트 방법
  • JIS K 7194:1994 4점 프로브 배열 방식을 이용한 전도성 플라스틱의 저항률 측정 테스트 방법
  • JIS R 1637:1998 4점 탐침 배열법에 의한 전도성 파인 세라믹 박막의 비저항 측정 시험 방법

KR-KS, 프로브 임피던스

  • KS L 1619-2013(2023) 4점 프로브 어레이를 이용한 전도성 세라믹 박막의 저항률 테스트 방법
  • KS C IEC TS 62607-6-1-2022 나노제조 중요한 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료 체적 저항률: 4-프로브 방법

British Standards Institution (BSI), 프로브 임피던스

  • BS ISO 9869-3:2023 건물 구성 요소의 단열 저항 및 열전도도 현장 측정 - 프로브 삽입 방법
  • PD IEC TS 62607-6-1:2020 나노제조를 위한 주요 제어 특성 그래핀 기반 재료의 체적 저항률: 4개 프로브 접근 방식

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, 프로브 임피던스

  • DB32/T 4378-2022 기판 표면의 나노 및 서브 마이크론 규모의 박막 시트 저항에 대한 비파괴 테스트를 위한 4개 프로브 방법

ECIA - Electronic Components Industry Association, 프로브 임피던스

  • 337-1967 유리 코팅된 서미스터 비드 및 유리 프로브 및 유리 막대의 서미스터 비드(부온도 계수) 일반 사양

IX-IX-IEC, 프로브 임피던스

  • IEC TS 62607-6-8:2023 나노제조의 주요 제어 특성 6-8부: 그래핀 시트 저항기: 직렬로 연결된 4점 프로브

International Electrotechnical Commission (IEC), 프로브 임피던스

  • IEC TS 62607-6-1:2020 나노 제조의 주요 제어 특성 6-1부: 그래핀 기반 재료의 체적 저항률: 4탐침 방법




©2007-2024 저작권 소유