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초기 산화 전위 산화 전위

모두 310항목의 초기 산화 전위 산화 전위와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 초기 산화 전위 산화 전위와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 수질, 토양질, 토양과학, 발전소 종합, 분석 화학, 표면 처리 및 도금, 비철금속, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 식용유지, 유지종자, 소독 및 살균, 에너지 및 열 전달 공학 종합, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 공기질, 어휘, 환경 보호, 무기화학, 과일, 야채 및 그 제품, 유리, 비철금속 제품, 원자력공학, 연료, 금속 부식, 합금철, 천연 가스, 계측 및 측정 합성, 무선 통신, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 전기 장치, 화학 제품, 반도체 개별 장치, 금속 재료 테스트.


Professional Standard - Water Conservancy, 초기 산화 전위 산화 전위

  • SL 94-1994 산화환원 전위 측정(전위차법)

Professional Standard - Environmental Protection, 초기 산화 전위 산화 전위

  • HJ 746-2015 토양 산화환원 전위 측정을 위한 전위차법
  • HJ/T 46-1999 정전위 전해 이산화황 분석기의 기술 조건
  • HJ 693-2014 고정 오염원의 배기 가스에서 질소 산화물 측정: 일정 전위 전기 분해 방법
  • HJ 57-2017 일정 전위 전기분해법을 이용한 고정 오염원의 폐가스 내 이산화황 측정
  • HJ 973-2018 고정 오염원의 배기가스 내 일산화탄소 측정: 일정 전위 전기분해 방법
  • HJ/T 57-2000 고정 오염원의 배기가스 내 이산화황 측정 일정 전위 전기분해 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 초기 산화 전위 산화 전위

  • KS C IEC 60746-5-2014(2019) 전기화학 분석기의 성능 표현 - 5부: 산화환원전위 또는 산화환원전위
  • KS I ISO 11271-2016(2021) 전기장법에 의한 토양 질량 산화환원 전위 측정
  • KS D ISO 2376:2012 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징 - 전기적 파괴 가능성 측정
  • KS D ISO 2376:2013 양극 산화 처리된 알루미늄 및 알루미늄 합금의 전기 파괴 가능성 측정
  • KS B ISO 10156:2018 가스 실린더 및 가스 혼합물용으로 선택된 가스 실린더 밸브 출구의 점화 가능성 및 산화 용량 결정

German Institute for Standardization, 초기 산화 전위 산화 전위

  • DIN IEC 60746-5:1996-07 전기화학 분석기의 성능 표현 - 파트 5: 산화환원 전위 또는 산화환원 전위(IEC 60746-5:1992)
  • DIN ISO 11271:2022-11 토양 덩어리의 산화환원 전위 측정을 위한 현장 방법
  • DIN EN ISO 27107:2010-08 동식물유의 과산화물가 측정 잠재적 종말점 측정
  • DIN ISO 11271:2023-11 토양 질량의 산화환원 전위 측정을 위한 현장 방법(ISO 11271:2022)
  • DIN ISO 11271:2003-03 토양의 질 - 산화환원 전위 측정 - 현장 방법(ISO 11271:2002)
  • DIN 38404-6:1984-05 물, 폐수 및 슬러지 검사를 위한 독일 표준 방법, 물리적 및 물리화학적 매개변수(그룹 C), 산화환원(redox) 전위 측정(C 6)
  • DIN 38404-6 Berichtigung 1:2018-12 물, 폐수 및 슬러지 검사를 위한 독일 표준 방법 물리적 및 물리화학적 매개변수(그룹 C) 파트 6: 산화환원(redox) 전위 측정(C 6)

VN-TCVN, 초기 산화 전위 산화 전위

Professional Standard - Electricity, 초기 산화 전위 산화 전위

GOSTR, 초기 산화 전위 산화 전위

KR-KS, 초기 산화 전위 산화 전위

  • KS I ISO 11271-2016 전기장법에 의한 토양 질량 산화환원 전위 측정
  • KS D ISO 2376-2012 알루미늄 및 알루미늄 합금의 양극산화 파괴 가능성 측정
  • KS B ISO 10156-2018 가스 실린더 및 가스 혼합물용으로 선택된 가스 실린더 밸브 출구의 점화 가능성 및 산화 용량 결정

PL-PKN, 초기 산화 전위 산화 전위

  • PN T06513-02-1990 산화 환원 전위 값 측정. 산업용 분석기
  • PN T06513-03-1989 산화 환원 전위 값. 실험실 측정 장비. 일반 요구 사항 및 테스트
  • PN Z04005-04-1987 공기 순도 보호. 알칼리 함량 테스트. 작업장에서 수산화칼륨의 전위차 측정

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 초기 산화 전위 산화 전위

  • GB/T 20245.5-2013 전기화학 분석기 성능 표현 파트 5: 산화 환원 잠재력
  • GB/T 8754-2006 항복 전위법에 의한 알루미늄 및 알루미늄 합금의 양극 산화 피막의 절연 특성 결정
  • GB 28234-2011 산산화 잠재수 생성기의 안전보건 기준
  • GB 21346-2022 전해알루미늄 및 알루미나의 단위제품당 에너지 소비 한도
  • GB 8754-1988 절연 특성을 테스트하기 위해 항복 전위 측정 방법을 사용한 알루미늄 및 알루미늄 합금의 양극 산화
  • GB/T 11064.3-2013 탄산리튬, 수산화리튬 일수화물, 염화리튬의 화학적 분석 방법 3부: 전위차 적정법을 이용한 염화리튬 양 측정
  • GB/T 5686.1-2008 망간철, 망간-실리콘 합금, 질화철망간 및 금속 망간 망간 함량 측정 전위차 적정, 질산암모늄 산화 적정 및 과염소산 산화 적정.
  • GB/T 5686.1-2022 전위차 적정, 질산암모늄 산화 적정 및 과염소산 산화 적정을 통한 페로망간, 망간-실리콘 합금, 질화페로망간 및 금속 망간 함량 측정
  • GB/T 11060.6-2011 천연 가스 황 함유 화합물 측정 6부: 전위차법을 통한 황화수소, 메르캅탄 황 및 황화탄소 함량 측정
  • GB/T 7730.1-2002 전위차 적정 및 질산암모늄 산화 적정을 통한 페로망간 및 고로 페로망간 함량 측정
  • GB/T 4699.2-2008 크롬철 및 실리콘-크롬 합금 크롬 함량 측정 과황산암모늄 산화 적정 및 전위차 적정

Group Standards of the People's Republic of China, 초기 산화 전위 산화 전위

  • T/ZSZJX 006-2020 전위차 적정법을 통한 물의 화학적 산소 요구량 측정
  • T/HATSI 0022-2023 그린 디자인 제품 평가 기술 사양 차아염소산 산화 가능성 높은 살균소독제

American Society for Testing and Materials (ASTM), 초기 산화 전위 산화 전위

  • ASTM D1498-14(2022)e1 물의 산화환원 전위에 대한 표준 시험 방법
  • ASTM UOP291-15 마이크로파 분해 및 전위차 적정을 사용하여 알루미나 및 실리카-알루미나 촉매의 총 염소 함량 측정
  • ASTM D1498-14 물의 산화환원 전위 측정을 위한 표준 시험 방법
  • ASTM D1498-08 물의 산화환원 전위 측정을 위한 표준 시험 방법
  • ASTM G200-09 토양 산화환원 전위(ORP) 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM G200-20 토양 산화환원 전위(ORP) 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM G200-09(2014) 토양 산화 환원 전위 측정을 위한 표준 시험 방법 40;ORP41
  • ASTM D873-02(2007) 항공유의 산화안정성 표준시험법(잠재잔류법)
  • ASTM D873-12(2018) 항공유의 산화안정성 표준시험법(잠재잔류법)
  • ASTM UOP291-13 마이크로파 분해 및 전위차 적정을 통한 알루미나 및 실리카-알루미나 촉매의 총 염화물 측정
  • ASTM D3610-00 전위차 적정을 통해 알루미나 기반 코발트-몰리브덴 촉매의 총 코발트 함량을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D3610-00(2004) 전위차 적정을 통해 알루미나 기반 코발트-몰리브덴 촉매의 총 코발트 함량을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D3610-22 전위차 적정에 의한 알루미나 기반 코발트-몰리브덴 촉매의 총 코발트에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D3610-00(2015) 전위차 적정에 의한 알루미나 기반 코발트-몰리브덴 촉매의 총 코발트에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D3610-00(2010) 전위차 적정을 통해 산화코발트 지지 코발트-몰리브덴 촉매의 총 코발트 함량을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F616M-96 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
  • ASTM F616M-96(2003) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
  • ASTM C1413-05 열이온화질량분석법을 이용한 가수분해된 육불화우라늄 및 질산우라닐 용액의 동위원소 분석을 위한 표준 시험 방법
  • ASTM E18-08 p-톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 반응 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정에 의한 수산기 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM E1899-97 p-톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 반응 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정에 의한 수산기 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM E18-08a p-톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 반응 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정에 의한 수산기 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM E1899-23 p-톨루엔설포닐 이소시아네이트(TSI) 반응과 테트라부틸암모늄하이드록사이드의 전위차 적정을 사용한 하이드록실 측정을 위한 표준 테스트 방법

British Standards Institution (BSI), 초기 산화 전위 산화 전위

  • BS EN ISO 2376:2010 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징 - 전기적 파괴 가능성 측정
  • BS ISO 11271:2022 토양 품질의 산화환원 전위 측정을 위한 현장 방법
  • BS EN ISO 27107:2008 동물성 및 식물성 지방 및 오일 과산화물가 결정 잠재적 종말점 결정
  • BS ISO 15158:2014 금속 및 합금의 부식 산화나트륨 용액의 전위차 제어를 통한 스테인리스강의 공식 부식 전위 측정 방법
  • BS 2000-138:2002 석유 및 그 제품의 시험 방법 항공 연료의 산화 안정성 결정 전위차 잔류 방법
  • BS EN 15168:2006 계면활성제, 수산기 값 측정, 톨루엔술포닐 플루오라이드 이소시아네이트(TSI) 방법 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정 방법

Danish Standards Foundation, 초기 산화 전위 산화 전위

  • DS/EN ISO 2376:2010 양극 산화 알루미늄 및 그 합금의 전기 파괴 가능성 측정
  • DS/ISO 11271:2004 토양 품질의 산화환원 전위 측정을 위한 현장 방법
  • DS/EN ISO 27107:2010 동식물유의 과산화물가 결정 및 잠재적 종말점 결정(ISO 27107:2008, 개정판 2009-05-15)
  • DS/EN 15168:2007 톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 방법 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정 방법을 통한 계면활성제 수산기 값 측정

Defense Logistics Agency, 초기 산화 전위 산화 전위

  • DLA SMD-5962-94532-1994 64비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, 1K x 8비트, 프로그래밍 가능 초기화 기능이 있는 등록된 PROM, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-94533-1994 실리콘 모놀리식, 32비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 실리콘 모놀리식 디지털-아날로그 변환기 듀얼 12비트 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 실리콘 모놀리식 정적 시프트 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 실리콘 모놀리식 6비트 반전 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 실리콘 모놀리식, 64비트 출력 상관기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로컨트롤러, 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92331-1993 실리콘 모놀리식, 16X16비트 좌표 변환기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 리셋버튼을 탑재한 실리콘 모놀리식 JK 플립플롭, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89446-1991 실리콘 모놀리식 8비트 가변 길이 시프트 레지스터 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94537-1994 실리콘 모놀리식, 8비트 메모리 처리 장치, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 실리콘 모놀리식, 16비트 계단식 연산 장치, 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 실리콘 모놀리식, 12 X 10비트 매트릭스 곱셈기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 실리콘 모놀리식 16비트 및 8/16비트 마이크로프로세서 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96683-1996 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체 4BIT 비트 작동 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 세트 리셋 버튼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 듀얼 JK 플립플롭
  • DLA SMD-5962-89731-1989 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 패리티 래치 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 실리콘 모놀리식 12비트 버퍼는 디지털-아날로그 변환기 상보형 금속 산화물 반도체 마이크로회로를 증폭시킵니다.
  • DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 실리콘 모놀리식 8비트 래치 버스 드라이버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77056-1977 6비트 N채널 오픈 드레인 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 8비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 14비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 16비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 96비트 부동 소수점 듀얼 포트 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 12비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 실리콘 모놀리식 6비트 반전 슈미트 트리거 회로, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89772-1992 8비트 또는 16비트 외부 버스 16비트 마이크로 컨트롤러, 보완적인 고성능 금속 산화물 반도체 구조 마이크로 회로가 장착된 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 실리콘 모놀리식 1~64비트 시프트 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94542-1994 실리콘 모놀리식, 32비트 LAN 보조 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89665-1989 실리콘 모놀리식, 9비트 와이드 버퍼 레지스터, 산화물 반도체 고속 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 실리콘 모놀리식, 32비트 고집적 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 실리콘 모놀리식, 8-16비트 병렬 인터페이스/타이머, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90512-1992 실리콘 모놀리식, 8비트 마이크로컴퓨터, 고성능 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 리셋 버튼이 있는 실리콘 모놀리식 6비트 D형 플립플롭 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 8비트 직렬/병렬 입력, 직렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 실리콘 모놀리식 6비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로컨트롤러, 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 실리콘 모놀리식, 16 X 16비트 병렬 멀티플렉서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94564-1994 실리콘 모놀리식, 24비트 범용 디지털 신호 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 실리콘 모놀리식, 8비트 비디오 DC/AC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 12비트 고속 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 DC/AC 컨버터, 이중 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94608-1994 실리콘 모놀리식, 12비트 계단식 곱셈기 가산기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 실리콘 모놀리식 8비트 TTL 호환 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88568-1988 실리콘 모놀리식 8비트 마이크로컴퓨터 단일 조립 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 실리콘 모놀리식, 8비트 병렬 상호 연결 버스 트랜시버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 실리콘 모놀리식 8비트 상보성 금속 산화물 반도체 플래시 변환기 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 범용 시프트 레지스터 및 3상태 출력 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 실리콘 모놀리식 듀얼 12비트 아날로그 변환기 마이크로프로세서 호환 보완적 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 실리콘 모놀리식 버퍼링되지 않은 6비트 변환 회로, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 8비트 TTL/BTL 등록 트랜시버, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89707-1989 실리콘 모놀리식, 동기식 리셋 바이너리 10년 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 산화물 반도체 메모리 하이브리드 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 산화물 반도체 디지털 하이브리드 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 실리콘 모놀리식 16비트 칩 마이크로프로세서 보완적 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 실리콘 모놀리식, 등록된 8K X 8비트 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 14차 진행파 캐리 카운터/드라이버 및 발진기, 산화물 반도체 디지털 미세회로
  • DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 실리콘 모놀리식, 6비트 애니메이션 파일 AC/DC 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 6비트 인버터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 실리콘 모놀리식, 8비트 AC/DC 애니메이션 파일 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 실리콘 모놀리식, 9비트 패리티 생성기/체커, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 실리콘 모놀리식 H 상보성 금속 산화물 반도체 8비트 입력 또는 채널 없는 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 실리콘 모놀리식 256 x 4 정적 메모리 재설정 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 8비트 동기식 바이너리 다운 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 실리콘 모놀리식 범용 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 실리콘 모놀리식 12비트 곱셈 D/A 변환기 상보성 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 실리콘 모놀리식 56비트 디지털 신호 프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 세트 리셋 버튼이 있는 듀얼 JK 플립플롭, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 직렬 입력/병렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89741-1990 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, I/P 래치를 갖춘 8비트 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 비동기 리셋 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 4비트 동기식 업/다운 10년 카운터
  • DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 3상태 출력 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 TTL 호환 8비트 범용 시프트 레지스터
  • DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 512 X 8비트 시리즈 전기적으로 지울 수 있는 읽기 전용 메모리, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 3상태 출력 6비트 버퍼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 3상태 출력 6비트 버퍼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 산화물 반도체 디지털 메모리 하이브리드 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 듀얼 4단 시프트 레지스터, 향상된 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 실리콘 모놀리식 오류 감지 및 수정을 위한 단위 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 개방형 채널 입력을 갖춘 실리콘 모놀리식 6비트 인버터, 개선된 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 실리콘 모놀리식 16 X 16비트 승수 누산기 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 실리콘 모놀리식 A/D 변환 활주로/선반 8비트 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89533-1989 실리콘 모놀리식 10비트 스피커 트랜시버 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 실리콘 모놀리식, 쿼드러플 시리즈 인터페이스 8비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 4비트 동기식 10진 업/다운 카운터, 고속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 실리콘 모놀리식 16비트 오류 감지 및 정정 부품 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 산화물 반도체 메모리 하이브리드 및 모놀리식 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 실리콘 모놀리식, 4비트 ID 버스가 장착된 스캔 채널 커넥터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 실리콘 모놀리식 80비트 디지털 프로세서 확장 프로젝트 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 리셋 버튼이 있는 6비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 듀얼 64단 정적 시프트 레지스터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 3상태 출력 8비트 반전 버퍼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 소자
  • DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 실리콘 모놀리식 4비트 병렬 입력/병렬 출력 시프트 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 3상태 출력 8비트 버스 수신기, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 리셋 버튼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 D형 플립플롭 멀티바이브레이터
  • DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 3상태 출력 8비트 버스 수신기, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 주소 지정 가능 래치, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89989-1990 3상태 출력, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버스 트랜시버
  • DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 실리콘 모놀리식 256 X 4 정적 메모리 재설정 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 저장 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 10비트 돋보기 조정 가능한 빠른 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 9비트 돋보기 규제 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88661-1989 실리콘 모놀리식 9비트 스피커 버스 트랜시버 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 패리티 생성기/검사기를 갖춘 8비트 양방향 트랜시버, 수정된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 실리콘 모놀리식, 128K
  • DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 리셋 버튼이 있는 실리콘 모놀리식 D형 플립플롭 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 3상태 출력을 갖춘 실리콘 모놀리식 8단 시프트 레지스터/래치 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 12비트 버퍼 다중 산화물 반도체 DC/AC 컨버터, 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 3상태 출력, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 양방향 트랜시버
  • DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 전기적으로 프로그래밍 가능한 모놀리식 읽기 전용 메모리, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로프로세서
  • DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 프로그래밍 가능한 펄스 위상차 비트 버퍼를 갖춘 실리콘 모놀리식 방사선 경화 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 3상태 출력 8비트 D형 투명 래치, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 장치
  • DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 실리콘 모놀리식 8비트 시리즈 입력 병렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 듀얼 12비트 이중 버퍼 다중 산화물 반도체 디지털-아날로그 변환기, 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 3상태 출력, 수정된 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 트랜시버/레지스터
  • DLA SMD-5962-89732-1989 3상태 출력, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 버퍼/라인 드라이버
  • DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 마스터 리셋 기능을 갖춘 실리콘 모놀리식 옥탈 D형 플립플롭 상보형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-89951-1990 실리콘 모놀리식, 256 X 4비트 비휘발성 랜덤 액세스 메모리, 금속 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 직렬 입력 다중화 디지털-아날로그 변환기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 실리콘 모놀리식 4비트 양방향 범용 시프트 레지스터 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 10비트 AC/DC 비교 클록, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 삭제 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 컨트롤러
  • DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 비동기식 재설정 기능이 있는 4비트 사전 설정 가능 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 실리콘 모놀리식 8K
  • DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 실리콘 모놀리식 칩에는 동기식 리셋 기능이 있는 4비트 동기식 바이너리 카운터와 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로가 장착되어 있습니다.
  • DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 실리콘 모놀리식, 8비트 병렬 입력 및 직렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 12단 진행파 캐리 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90705-1991 실리콘 모놀리식 비동기 리셋 이진수 디코딩 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 32K X 8비트 전력 변환 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 실리콘 모놀리식 MIL-STD-1750 유형 명령 세트 아키텍처 16비트 마이크로프로세서 보완적 금속 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 실리콘 모놀리식 시프트 레지스터, 상보형 금속 산화물 반도체, 고급 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 3상태 출력 8비트 D형 플립플롭 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 탑재한 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90574-1990 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 8비트 동기식 2진수 감소 값 카운터, 고속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 실리콘 모놀리식 A/D 변환 트랙/보유된 8비트 마이크로프로세서 호환 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 순방향 3상태 출력, 16비트 버스 트랜시버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-93244-1993 실리콘 모놀리식, 512K
  • DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 실리콘 모놀리식 이중 극 포지셔닝 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서 고속 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90686-1999 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 개방형 채널 출력을 갖춘 6비트 인버터, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 3상태 출력 상보형 금속 산화물 반도체를 갖춘 실리콘 모놀리식 TTL 호환 10비트 D형 플립플롭으로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 실리콘 모놀리식 출력 스피커 레퍼런스 12비트 상보형 금속 산화물 반도체 디지털-아날로그 변환 디지털 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 16킬로바이트의 착탈식 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 모놀리식 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 마이크로컨트롤러
  • DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 실리콘 모놀리식 3상태 출력 8비트 시프트 레지스터/스토리지 레코더, 고급 산화물 반도체 방사선 내성 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 주변기기 지원 통합 시스템, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 32비트 메모리 티켓 액세스 컨트롤러
  • DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 메모리가 있는 실리콘 모놀리식, 4중 8비트 다중화 디지털-아날로그 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 순방향 3상태 출력, 변형된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 버퍼/라인 드라이버
  • DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 3가지 상태 출력을 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 양방향 트랜시버 D형 래치, 향상된 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 3상태 출력, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터
  • DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 슈미트 트리거가 장착된 6비트 인버터, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 10비트 투명 래치, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88674-1988 실리콘 모놀리식 8비트 스피커 TTL 호환 버스 인터페이스 조정 입력 빠른 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로

International Organization for Standardization (ISO), 초기 산화 전위 산화 전위

  • ISO 11271:2022 토양의 질 산화환원 전위 측정 현장 방법
  • ISO 8298:2000 핵연료 기술 질산 용액 내 플루토늄의 밀리그램 양 측정 세륨(IV) 산화 및 철 II 환원 후 중크롬산칼륨 전위차 적정

(U.S.) Ford Automotive Standards, 초기 산화 전위 산화 전위

CZ-CSN, 초기 산화 전위 산화 전위

  • CSN 44 1876-1982 보크사이트. 크롬(III) 산화물의 측정. 전위차 및 광도 측정 방법
  • CSN 44 1875-1983 보크사이트. 산화바나듐 함량 측정. 전위차 및 광도 측정 방법
  • CSN 70 0632 Cast.1-1986 유리의 화학적 분석. 산화납 결정. 케톤 3배위법(이온화 및 분해 후)

Professional Standard - Machinery, 초기 산화 전위 산화 전위

  • JB/T 7948.2-1999 제련 플럭스의 화학적 분석 방법 전위차 적정에 의한 산화망간 함량 측정.

Professional Standard - Aviation, 초기 산화 전위 산화 전위

  • HB/Z 339.1-1999 알루미늄 합금 크롬산 아노다이징 용액의 분석 방법 유리 삼산화 크롬 및 총 삼산화 크롬의 함량을 결정하는 전위차 적정 방법.
  • HB/Z 5086.3-2000 시안화물 전기도금 구리 용액의 분석 방법 및 수산화나트륨 함량 측정을 위한 전위차 적정법
  • HB/Z 5105.1-2000 전기화학적 연마액 분석법 삼산화크롬 함량을 측정하는 전위차 적정법
  • HB/Z 5084.2-2000 시안화아연 전기도금액의 분석방법 수산화나트륨의 함량을 측정하는 전위차적정법
  • HB/Z 5085.3-1999 시안화카드뮴 전기도금액 분석 방법 전위차 적정에 의한 수산화나트륨 함량 측정.
  • HB/Z 5105.2-2000 전기화학적 연마액 분석법 삼산화크롬 함량을 측정하는 전위차 적정법
  • HB/Z 5109.9-2001 부동태화 용액 분석 방법 전기도금 구리 부동태화 용액 중 삼산화크롬 함량을 측정하기 위한 전위차 적정법
  • HB/Z 5091.1-1999 전기도금 크롬 용액 분석법 삼산화크롬 함량을 측정하는 전위차 적정법
  • HB/Z 5107.18-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 파트 18: 전위차 적정에 의한 질산 산화 용액의 염화 암모늄(염화나트륨) 함량 측정
  • HB/Z 5107.17-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 17부: 전위차 적정에 의한 질산 산화 용액의 질산 함량 측정
  • HB/Z 5092.1-2001 전기도금 흑색크롬 용액의 분석방법 및 삼산화크롬의 함량을 측정하는 전위차적정법
  • HB/Z 5091.2-1999 전기도금 크롬 용액 분석법 삼산화크롬 함량을 측정하는 전위차 적정법
  • HB/Z 5109.3-2001 부동태화 용액 분석 방법 아연 전기도금 및 카드뮴 전기도금 삼산 부동태화 용액에서 삼산화크롬 함량을 측정하기 위한 전위차 적정법
  • HB/Z 5107.7-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 7부: 전위차 적정을 통한 빙초산 산화 용액의 빙초산 함량 측정
  • HB/Z 5107.9-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 파트 9: 전위차 적정을 통한 빙초산 산화 용액의 염화물 이온 함량 측정
  • HB/Z 5107.16-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 16부: 전위차 적정에 의한 질산 산화 용액의 중크롬산칼륨 함량 측정
  • HB/Z 5093.2-2000 알칼리 전기도금 주석 용액 분석법 수산화나트륨 함량을 측정하는 전위차 적정법
  • HB/Z 5107.5-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 5부: 전위차 적정을 통한 황산알루미늄칼륨 산화 용액의 빙초산 함량 측정
  • HB/Z 5107.6-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 6부: 전위차 적정을 통한 빙초산 산화 용액의 중크롬산칼륨 함량 측정
  • HB/Z 5107.3-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 3부: 전위차 적정을 통한 황산알루미늄칼륨 산화 용액의 중크롬산칼륨 함량 측정
  • HB/Z 5107.11-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 11부: 전위차 적정을 통한 중크롬산나트륨 및 황산망간 산화 용액의 중크롬산나트륨 함량 측정
  • HB/Z 5107.12-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 12부: 전위차 적정을 통한 중크롬산칼륨 황산망간 산화 용액의 중크롬산칼륨 함량 측정
  • HB/Z 5107.14-2004 마그네슘 합금의 화학적 산화 용액 분석 방법 파트 14: 전위차 적정을 통한 중크롬산칼륨 및 황산망간 산화 용액의 황산암모늄 함량 측정
  • HB/Z 5110.2-2000 전기화학적 유분제거 및 약학적 유분제거액 분석법 수산화나트륨, 탄산나트륨, 인산삼나트륨의 함량을 측정하는 전위차적정법
  • HB 20055.2-2011 알루미늄 합금의 화학적 밀링 용액 분석 방법 2부: 전위차 적정을 통한 수산화나트륨 함량 측정
  • HB/Z 5099.5-2000 전기도금 은 용액의 분석 방법 경질 은 도금액 중의 수산화칼륨 함량을 측정하기 위한 전위차 적정 방법.
  • HB/Z 5104.2-1999 알루미늄 합금 황산 양극산화 용액 분석 방법 전위차 적정법에 의한 알루미늄 함량 측정.
  • HB/Z 339.2-1999 알루미늄 합금 크롬산 아노다이징 용액의 분석 방법 전위차 적정에 의한 염화물 이온 함량 측정.
  • HB/Z 5104.3-1999 알루미늄 합금 황산 양극산화 용액 분석 방법 전위차 적정에 의한 염화물 이온 함량 측정.
  • HB/Z 5104.1-1999 알루미늄합금 황산양극산화용액의 분석방법 유리황산과 결합황산의 함량을 측정하는 전위차적정법

RU-GOST R, 초기 산화 전위 산화 전위

  • GOST ISO 27107-2016 동물성 및 식물성 지방 및 오일 전위차 종말점 방법을 사용한 과산화물 값 측정
  • GOST R 8.702-2010 측정 일관성을 보장하기 위한 국가 시스템 ORP(산화 환원 전위) 측정을 위한 측정 전극 교정 절차

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 초기 산화 전위 산화 전위

  • GJB 760-1989 이산화플루토늄의 총 플루토늄 함량을 측정하기 위한 제어된 전위 전기량 측정 방법

Lithuanian Standards Office , 초기 산화 전위 산화 전위

  • LST EN ISO 2376:2010 양극산화 알루미늄 및 그 합금의 전기적 파괴 가능성 측정(ISO 2376:2010)
  • LST EN ISO 27107:2010 동식물유의 과산화물가 결정 및 잠재적 종말점 결정(ISO 27107:2008, 개정판 2009-05-15)
  • LST EN 15168-2007 톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 방법 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정 방법을 통한 계면활성제 수산기 값 측정

AENOR, 초기 산화 전위 산화 전위

  • UNE-EN ISO 2376:2011 양극산화 알루미늄 및 그 합금의 전기적 파괴 가능성 측정(ISO 2376:2010)
  • UNE-ISO 11271:2007 토양 품질의 산화환원 전위 측정을 위한 현장 방법(ISO 11271:2002)
  • UNE 51118:1983 항공유의 산화안정성 표준시험법(잠재잔류법)
  • UNE-EN ISO 27107:2010 동식물유의 과산화물가 결정 및 잠재적 종말점 결정(ISO 27107:2008, 개정판 2009-05-15)
  • UNE-EN 15168:2007 톨루엔술포닐 이소시아네이트(TSI) 방법 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정 방법을 통한 계면활성제 수산기 값 측정

Association Francaise de Normalisation, 초기 산화 전위 산화 전위

  • NF T20-554:1989 산업용 과산화수소 겉보기 pH(pha) 측정 전위차법
  • NF T90-260:2023 수질 분석 방법의 특성화 물의 산화 환원 전위 측정
  • NF EN ISO 27107:2010 동물성 및 식물성 지방. 과산화물 값의 결정. 잠재적인 중단점 결정
  • NF M07-013:1982 액체연료 및 윤활유 항공연료의 산화안정성 잔류전위법
  • NF A05-207*NF ISO 15158:2014 금속 및 합금의 부식 산화나트륨 용액의 전위차 제어를 통한 스테인리스강의 공식 부식 전위 측정 방법
  • NF EN ISO 10156:2017 실린더 가스 및 가스 혼합물은 밸브 출구 연결을 선택하기 위한 가연성 및 산화 가능성을 결정합니다.

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 초기 산화 전위 산화 전위

  • YS/T 710.1-2009 산화코발트의 화학적 분석 방법 1부: 코발트 함량 측정 전위차 적정 방법

Shanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 초기 산화 전위 산화 전위

  • DB14/T 692-2012 자동 전위차 적정법에 의한 견과류 농산물의 과산화물가 측정

International Telecommunication Union (ITU), 초기 산화 전위 산화 전위

  • ITU-R M.587-1 SPANISH-1986 VHF/UHF 해상휴대전화 자동시스템 위치등록 초기화 및 해안국 인증
  • ITU-R M.587-1-1986 자동 VHF/UHF 해상 이동 전화 시스템을 위한 위치 등록 초기화 및 해안국 특성 파트 8C - 해상 이동 서비스 통신 및 관련 분야

工业和信息化部, 초기 산화 전위 산화 전위

  • YS/T 1157.4-2016 조수산화코발트의 화학적 분석 방법 4부: 전위차 적정을 통한 망간 함량 측정
  • YS/T 1157.1-2016 조수산화코발트의 화학적 분석 방법 1부: 전위차 적정을 통한 코발트 함량 측정
  • SJ/T 11636-2016 자동 전위차 적정을 통해 전자 산업용 솔루션 개발에서 수산화테트라메틸암모늄 측정
  • YB/T 4174.3-2022 칼슘 실리콘 합금 분석 방법 3부: 전위차 적정을 통한 산화칼슘 함량 측정
  • YS/T 1445.2-2021 니켈-코발트-알루미늄 3원 복합 수산화물의 화학적 분석 방법 2부: 전위차 적정법에 의한 코발트 함량 측정

Professional Standard - Nuclear Industry, 초기 산화 전위 산화 전위

  • EJ/T 1212.2-2008 소결된 가돌리니아-이산화우라늄 펠릿 분석 방법 2부: 열 이온화 질량 분석법을 통한 우라늄 동위원소 존재비 측정
  • EJ/T 20164-2018 후처리된 삼산화우라늄 분말의 우라늄 함량 측정을 위한 자동 전위차 적정 방법
  • EJ/T 20223-2018 열이온화질량분석법을 이용한 후처리 삼산화우라늄 분말의 우라늄 동위원소 조성 측정
  • EJ/T 973-1995 열 이온화 질량분석법을 이용한 이산화우라늄 분말 및 펠렛의 우라늄 동위원소 존재비 측정
  • EJ/T 973-2016 열 이온화 질량 분석법을 통한 이산화우라늄 분말 및 펠렛의 우라늄 동위원소 존재비 측정
  • EJ/T 1212.5-2008 소결된 가돌리니아-이산화우라늄 펠릿 분석 방법 파트 5: 황산철암모늄 환원 중크롬산칼륨 전위차 적정에 의한 우라늄 함량 측정.
  • EJ/T 277-1986 황산제1철 환원/중크롬산칼륨 전위차 적정법을 이용한 고순도 우라늄 옥톡사이드 내 우라늄의 정밀 측정

Universal Oil Products Company (UOP), 초기 산화 전위 산화 전위

  • UOP 291-2013 마이크로파 분해 및 전위차 적정을 통한 알루미나 및 실리카-알루미나 촉매의 총 염화물 측정
  • UOP 291-2015 마이크로파 분해 및 전위차 적정을 통한 알루미나 및 실리카-알루미나 촉매의 총 염화물 측정

U.S. Military Regulations and Norms, 초기 산화 전위 산화 전위

Professional Standard - Commodity Inspection, 초기 산화 전위 산화 전위

  • SN/T 4306-2015 마이크로파 시료 용해 - 자동 전위차 적정법을 이용한 크롬 광석 내 삼산화 크롬 측정

IN-BIS, 초기 산화 전위 산화 전위

  • IS 8554-1977 파괴 전위 측정을 통해 양극 산화 코팅의 절연 특성을 확인하는 방법

Professional Standard - Agriculture, 초기 산화 전위 산화 전위

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, 초기 산화 전위 산화 전위

  • GJB 5969.2-2007 해저 원자력 발전소에 사용하기 위한 니오븀 코팅 이산화우라늄 미소구의 시험 방법 2부: 우라늄 측정 황산철 환원 중크롬산칼륨 산화 전위차 적정 방법.

未注明发布机构, 초기 산화 전위 산화 전위

  • GJB 8793.2-2015 해저 원자력발전소에 사용되는 니오븀 코팅 이산화우라미소구의 시험방법 제2부: 우라늄 결정 황산철환원-중크롬산칼륨 산화 전위차 적정법

European Committee for Standardization (CEN), 초기 산화 전위 산화 전위

  • EN 15168:2006 계면활성제, 수산기 값 측정, 톨루엔술포닐 플루오라이드 이소시아네이트(TSI) 방법 및 테트라부틸암모늄 수산화물 전위차 적정 방법




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