ZH
EN
ES

Умирает половинной высоты

Умирает половинной высоты, Всего: 241 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Умирает половинной высоты, являются: Изделия из железа и стали, Атомная энергетика, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Электронные компоненты в целом, Полупроводниковые приборы, Полупроводниковые материалы, Проведение материалов, Испытание металлов, Конденсаторы, Продукция химической промышленности, Керамика, Сварка, пайка и пайка, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Механические конструкции электронного оборудования, Цифровая сеть с интеграцией услуг (ISDN), Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Оптоволоконная связь, Клапаны, Детали трубопроводов и трубопроводы.

Group Standards of the People's Republic of China, Умирает половинной высоты

T/SXJP 018-2023 Прутки стальные мелкозернистые высокопрочные горячекатаные ребристые.
T/IAWBS 017-2022 Метод испытаний на полную ширину на половине высоты кривой рентгеновского качания двойного кристалла монокристаллической алмазной подложки
T/IAWBS 015-2021 Метод испытания полной ширины на половине высоты двойной кристаллической рентгеновской кривой качания монокристаллической подложки Ga2O3
T/IAWBS 016-2022 Метод рентгеновского испытания кривой качания двойного кристалла на полувысоте для одиночной пластины карбида кремния
T/ZZB 2283-2021 Порошок графита сверхвысокой чистоты для полупроводникового кристалла карбида кремния.
T/CSTM 00799-2023 Определение размера зерна в стали — метод высокотемпературного лазерного сканирующего конфокального микроскопа.

Professional Standard - Aviation, Умирает половинной высоты

HB 20057-2011 Методы испытаний для оценки размера зерна отливок по выплавляемым моделям из суперсплавов

Professional Standard - Building Materials, Умирает половинной высоты

JC/T 2018-2010 Кристалл йодида цезия, легированный таллием, для обнаружения частиц высоких энергий

International Electrotechnical Commission (IEC), Умирает половинной высоты

IEC 62435-5:2017 Электронные компоненты. Долговременное хранение электронных полупроводниковых приборов. Часть 5. Устройства на кристаллах и пластинах.
IEC 60747-7-4:1991 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел 4: пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления высокой частоты.
IEC 60747-7-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел первый: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.

British Standards Institution (BSI), Умирает половинной высоты

BS EN 62435-5:2017 Электронные компоненты - Долговременное хранение электронных полупроводниковых приборов. - Часть 5: Устройства на кристаллах и пластинах.
BS EN 10222-4:2017 Стальные поковки для работы под давлением. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
BS EN 10222-4:1999 Стальные поковки для работы под давлением. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
BS EN 10222-4:2017+A1:2021 Стальные поковки для работы под давлением. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
19/30396207 DC БС ЕН 10222-4 АМД1. Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали высокой условной прочности.
BS EN 10217-3:2019 Сварные стальные трубы для напорных целей. Технические условия поставки - Трубы электросварные и сварные под флюсом из легированной мелкозернистой стали с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами.

Defense Logistics Agency, Умирает половинной высоты

DLA DSCC-DWG-04029-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N5927
DLA DSCC-DWG-04030-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N5926
DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ТРАНЗИСТОР PNP, ГЕРМАНИЯ, ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТИПА 2Н384
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, PNP, германий, высокочастотный, 25 милливатт, тип JAN-2N128
DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПА 2N3442, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокой мощности, типы 2N1487, 22N1488, 2N1489 и 2N1490
DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы, PNP, германиевые, мощные типы 2N456B, 2N457B, 2N458B, 2N1021A, 2N1022A
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокочастотные типы 2N6603 и 2N6604 JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, транзистор, NPN, кремниевый высокой мощности, типы 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПЫ 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ТИПА 2N1722 И 2N1724, JAN И JANTX
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокочастотные типы 2N6603 и 2N6604 JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПЫ 2N3771 И 2N3772, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 Полупроводники, устройства, транзисторы, NPN, кремниевые, высокомощные типы 2N2812 и 2N2814 JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокой мощности, типы 2N5671 и 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПЫ 2N3715 И 2N3716, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПЫ 2N5671 И 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы, NPN, кремниевые, высокочастотные, типы питания 2N3375, 2N3553 и 2N4440 JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-S-19500/341B-1968 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, МОЩНЫЕ ТИПЫ 2N3375, 2N3553 И 2N4440 JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, ТИПЫ 2N3866, 2N3866A, 2N3866UB, 2N3866AUB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИИ, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПЫ 2N5038 И 2N5039, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, PNP, КРЕМНИевый, ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ, ТИПА 2N6211, 2N6212, 2N6213, 2N6213A, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ТРАНЗИСТОРЫ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ПОЛЕВЫЕ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7387 И 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1-ИЗ-8, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ТРАНЗИСТОРЫ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ПОЛЕВЫЕ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7387 И 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДНОСОБЫТНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7405, 2N7406, 2N7407 И 2N7408, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и однократное воздействие), кремниевый P-канальный транзистор типа 2N7438 и 2N7439 JANSD и JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и одиночное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типы 2N7497T2, 2N7498T2 и 2N7499T2, JANTXVR и JANSR
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ДВУХВХОДНАЯ, С ТТЛ-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТИПА 2N5109 И 2N5109UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG, JANSH
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГАЗАЦИЯ С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНЫЙ 2-ВХОД ИЛИ ВХОД С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХПОРТОВОЙ 2-ПОРТОВЫЙ РЕГИСТР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОП-транзистор, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИП 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR и JANSH
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное событие), N-канальный кремниевый транзистор типов 2N7512, 2N7513 и 2N7514 JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное воздействие), кремниевый N-канальный транзистор, типы 2N7509, 2N7510 и 2N7511, JANTXVD, R и JANSD, R
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковые устройства, полевые, радиационно-стойкие (общая доза и единичные эффекты) Транзисторный кристалл, N-канал и PC-канал, кремний, различные типы, JANHC и JANKC
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 1-ИЗ-4 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91732-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-04228-2004 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКОЙ И ПУЛЬСИРУЮЩИМ СИГНАЛОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ЧЕТЫРЕХТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7518 И 2N7518U, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий (общая доза и единичное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типов 2N7494U5, 2N7495U5 и 2N7496U5, JANTXVR, F, G и H, и JANSR, F, G и H
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ЗАТВОРА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8 ВХОДОВ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 4-ВХОДНАЯ НЕЗАВИСИМАЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ПРОЗРАЧНЫМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, СИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-битный D-триггер, срабатывание по положительному фронту, с трехсостоятельными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-битный D-триггер, с триггером по положительному фронту, с тремя состояниями, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДРАЙВЕР/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, АСИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный диагностический регистр с трехпозиционными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ГЛАВНЫМ СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРЕДНАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ/МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ 1-ИЗ-4 С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ И ОЧИСТКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГЭТФ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЭНКОДЕР С ПРИОРИТЕТОМ ЛИНИИ 10-4, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ЧЕТЫРЕХСТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ШИНА ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРИЕМОПРИЕМНИК С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ РЕЗИСТОРОМ И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И LS TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

PL-PKN, Умирает половинной высоты

PN C89425-1992 Пластики. Определение температуры плавления полукристаллических полимеров
PN T01207-01-1992 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Биполярные транзисторы Пустая подробная спецификация на биполярные транзисторы, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низкой и высокой частоты
PN-EN 10217-3-2019-06 P Трубы стальные сварные для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 3. Трубы из легированной мелкозернистой стали, сваренные электросваркой и дуговой сваркой под флюсом, с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами.

BE-NBN, Умирает половинной высоты

NBN A 23-114-1983 Магнитная холоднокатаная полоса из неориентированной легированной стали, поставка полуфабриката

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Умирает половинной высоты

GB/T 14999.7-2010 Методы определения размеров зерен, расстояния между первичными дендритами и микроусадки отливок из суперсплавов
GB/T 32188-2015 Метод испытания полной ширины на половине высоты двойной кристаллической рентгеновской кривой качания монокристаллической подложки GaN
GB/T 14999.6-2010 Методы испытаний для определения размеров дуплексных зерен и распределения первичных карбидов в поковках из суперсплавов
GB/T 14999.4-2012 Методы испытаний суперсплавов. Часть 4. Определение характерных полосатых зерен и распределения первичных карбидов в прокатах из суперсплавов.
GB/T 7576-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый. Пустые подробные спецификации для корпусных биполярных транзисторов для усиления высоких частот.
GB/T 6217-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.

Association Francaise de Normalisation, Умирает половинной высоты

NF A04-503:1988 Полуфабрикаты из алюминия, меди, никеля и их сплавов. Определение размера зерна. Алюминий и алюминиевые сплавы.
NF A04-505:1988 Полуфабрикаты из алюминия, меди, никеля и их сплавов. Определение размера зерна. Никель и никелевые сплавы.
NF A36-620-4/A1:2002 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4: свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
NF B41-204-1*NF EN ISO 13383-1:2016 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Микроструктурная характеристика. Часть 1. Определение размера зерна и распределения по размерам.
NF A36-620-4*NF EN 10222-4+A1:2021 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
NF A36-620-4/IN1*NF EN 10222-4/IN1:2021 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
NF EN 10222-4/IN1:2021 Стальные поковки для сосудов под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высоким пределом текучести.
NF EN 10222-4+A1:2021 Стальные поковки для сосудов под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высоким пределом текучести.

Professional Standard - Electron, Умирает половинной высоты

SJ/T 10557.2-1994 Методы измерения кристаллической структуры алюминиевой фольги для высоковольтных электролитических конденсаторов
SJ 50033/1-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация высокочастотного и силового транзистора типа 3DA150.
SJ 50033/103-1996 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация высокочастотного силового транзистора типа 3DA89.
SJ 50033/61-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация на высоковольтный и силовой переключающий транзистор типа 3ДК6547
SJ 50033/62-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация на транзистор высоковольтный и силовой коммутирующий типа 3ДК406
SJ 50033/159-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG142
SJ 20059-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого NPN высокочастотного маломощного транзистора типа 3ДГ111
SJ 20060-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого NPN высокочастотного маломощного транзистора типа 3ДГ120
SJ 50033/160-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG122
SJ 50033/158-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG44
SJ 50033/154-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG251
SJ 50033/75-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация кремниевого сверхвысокочастотного маломощного транзистора типа 3DG135.
SJ 50033/67-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация на высоковольтный низкочастотный и мощный транзистор типа 3ДД103
SJ/T 11848-2022 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства 3DG2484 кремниевого высокочастотного маломощного транзистора типа NPN
SJ 20175-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого сверхвысокочастотного маломощного транзистора NPN типа 3DG918.
SJ/T 11849-2022 Подробные технические характеристики полупроводниковых дискретных приборов 3ДГ3500 и 3ДГ3501 транзисторов кремниевых высокочастотных маломощных NPN типа
SJ 50033/95-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация на кремниевый высокочастотный малошумящий маломощный транзистор типа 3DG144 NPN
SJ 50033/94-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация на кремниевый высокочастотный малошумящий маломощный транзистор типа 3DG143 NPN
SJ 50033/93-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация кремниевого высокочастотного малошумящего маломощного транзистора типа 3DG142 NPN
SJ 20062-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN сверхвысокочастотного малошумящего транзистора дифференциального согласования типа 3DG210.
SJ 20176-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN-транзистора малой мощности с высоким обратным напряжением типов 3DG3439 и 3DG3440.
SJ 20015-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого высокочастотного маломощного транзистора NPN для классов типа 3DG130GP, GT и GCT.
SJ 20063-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого NPN сверхвысокочастотного малошумящего транзистора с двойным разностным согласованием типа 3DG213.
SJ 20016-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN-транзистора малой мощности с высоким обратным напряжением для классов типа 3DG182GP, GT и GCT.

Danish Standards Foundation, Умирает половинной высоты

DS/EN 10222-4:2021 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
DS/EN 10222-4+A1:2002 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
DS/IEC 747-7-4:1993 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация на биполярные транзисторы с номинальным корпусом для усиления высокой частоты.
DS/IEC 747-7-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый: Пустая подробная спецификация биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
DS/EN 623-3:2001 Современная техническая керамика. Монолитная керамика. Общие и текстурные свойства. Часть 3. Определение размера зерен и распределения по размерам (характеризуется методом линейного пересечения).

International Organization for Standardization (ISO), Умирает половинной высоты

ISO 13383-1:2012 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Микроструктурная характеристика. Часть 1. Определение размера зерна и распределения по размерам.
ISO 24369:2005 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Определение содержания крупных частиц в керамических порошках методом мокрого просеивания.

工业和信息化部, Умирает половинной высоты

SJ/T 1486-2016 Подробная спецификация полупроводникового дискретного устройства типа 3CG180, кремниевого PNP, высокочастотного транзистора с высоким обратным напряжением и малой мощности.
SJ/T 1477-2016 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3CG120, кремниевый высокочастотный маломощный транзистор PNP, подробные характеристики
SJ/T 1480-2016 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3CG130, кремниевый высокочастотный маломощный транзистор PNP, подробная спецификация
SJ/T 1472-2016 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3CG110, кремниевый высокочастотный маломощный транзистор PNP, подробная спецификация

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Умирает половинной высоты

GJB 33/001-1989 Бланк детальной спецификации на высокочастотные маломощные транзисторы для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/14A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация
GJB 33A/14-2003 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация

Association of German Mechanical Engineers, Умирает половинной высоты

DVS 1702-1999 Технологические испытания высокопрочной свариваемой мелкозернистой конструкционной стали со сварным соединением стальной конструкции
DVS 1702-1998 Испытания сварочных технологий в стальных конструкциях сварных соединений высокопрочных свариваемых мелкозернистых конструкционных сталей
DVS 1702-1981 Отработка технологии сварки в стальных конструкциях сварных соединений высокопрочных свариваемых мелкозернистых конструкционных сталей; StE460 и StE690

Professional Standard - Aerospace, Умирает половинной высоты

QJ 10007/11-2008 Детальная спецификация на кремниевые высокочастотные маломощные транзисторы с высоким обратным напряжением типа 3ДГ182 для полупроводниковых дискретных приборов, применяемых в аэрокосмической отрасли
QJ 10007/10-2008 Детальная спецификация кремниевых высокочастотных маломощных транзисторов 3ДГ122, 3ДГ130 для аэрокосмических полупроводниковых дискретных приборов
QJ 10007/5-2008 Детальная спецификация кремниевых высокочастотных маломощных транзисторов 3CG110, 3CG130 для аэрокосмических полупроводниковых дискретных приборов
QJ 10007/9-2008 Детальная спецификация кремниевых высокочастотных маломощных транзисторов типа 3ДГ100, 3ДГ101, 3ДГ111, 3ДГ112 для авиационных полупроводниковых дискретных приборов

German Institute for Standardization, Умирает половинной высоты

DIN EN 10222-4:2001 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью (включает поправку А1:2001); Немецкая версия EN 10222-4:1998 + A1:2001
DIN EN 10222-4/A1:2019 Поковки стальные для работы под давлением. Часть 4. Стали мелкозернистые свариваемые с высокой испытательной прочностью; Немецкая и английская версия EN 10222-4:2017/prA1:2019
DIN EN ISO 13383-1:2016 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Микроструктурная характеристика. Часть 1. Определение размера зерна и распределения по размерам (ISO 13383-1:2012); Немецкая версия EN ISO 13383-1:2016.
DIN EN 10222-4:2017 Поковки стальные для работы под давлением. Часть 4. Стали мелкозернистые свариваемые с высокой испытательной прочностью; Немецкая версия EN 10222-4:2017
DIN 2302:2018-03 Материалы сварочные. Электроды покрытые для ручной дуговой сварки нелегированных и мелкозернистых сталей во влажной гипербарической среде. Классификация.
DIN EN 10217-3:2019 Трубы стальные сварные для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 3. Трубы из легированной мелкозернистой стали, сваренные электросваркой и дуговой сваркой под флюсом, с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами.
DIN EN 10217-3:2019-08 Трубы стальные сварные под давлением. Технические условия поставки. Часть 3. Трубы электросварные и дуговой сварки под флюсом из мелкозернистой стали из легированной стали с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами; Немецкая версия EN 10217-3:2019

European Committee for Standardization (CEN), Умирает половинной высоты

EN 10222-4:1998 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью (включает поправку A1: 2001 г.)

Lithuanian Standards Office , Умирает половинной высоты

LST EN 10222-4-2000 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
LST EN 10222-4-2000/A1-2003 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
LST EN 10222-4+A1-2021 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
LST EN 623-3-2002 Современная техническая керамика. Монолитная керамика. Общие и текстурные свойства. Часть 3. Определение размера зерен и распределения по размерам (характеризуется методом линейного пересечения).

IT-UNI, Умирает половинной высоты

UNI EN 10222-4-2021 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
EC 1-2021 UNI EN 10217-3-2021 Трубы стальные сварные для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 3. Трубы из легированной мелкозернистой стали, сваренные электросваркой и дуговой сваркой под флюсом, с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами.

AENOR, Умирает половинной высоты

UNE-EN 10222-4:2017 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.

ES-UNE, Умирает половинной высоты

UNE-EN 10222-4:2017+A1:2022 Стальные поковки для работы под давлением. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высокой испытательной прочностью.
UNE-EN 10217-3:2019 Трубы стальные сварные для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 3. Трубы из легированной мелкозернистой стали, сваренные электросваркой и дуговой сваркой под флюсом, с заданными комнатными, повышенными и низкотемпературными свойствами.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Умирает половинной высоты

KS C IEC 60747-7-4:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел четвертый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для высокочастотного усиления
KS C IEC 60747-7-1:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 61788-9-2016(2021) Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.
KS D ISO 9327-4-2003(2008) Поковки стальные и катаные или кованые прутки для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 4. Стали мелкозернистые свариваемые с высокой испытательной прочностью.
KS C IEC 61788-9:2016 Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.
KS D ISO 9328-4-2003(2013) Листы и полосы стальные для работы под давлением. Технические условия поставки. Часть 4. Свариваемые мелкозернистые стали с высоким испытательным напряжением, поставляемые в нормализованном или закаленном и отпущенном состоянии.

AT-ON, Умирает половинной высоты

ONORM M 7824-1986 Электроды для совместной сварки высокопрочных мелкозернистых сталей; покрытые электроды основного типа; Классификация, обозначение, технические характеристики

CEN - European Committee for Standardization, Умирает половинной высоты

DD ENV 623-3-1993 Передовая техническая керамика - Монолитная керамика - Общие и текстурные свойства - Часть 3: Определение размера зерна
EN 623-3:2001 Передовая техническая керамика - Монолитная керамика - Общие и текстурные свойства - Часть 3: Определение размера зерен и распределения по размерам (характеризуется методом пересечения лайнера)

U.S. Military Regulations and Norms, Умирает половинной высоты

ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛ-УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 1,0 МГЦ ДО 85 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖДУНАРОДНЫЙ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 1,544 МГц ДО 125 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖПЕРЕДНЯЯ ЧАСТЬ, РАСШИРЕННАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), ОТ 0,75 МГц ДО 200 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ПЕЧАТЬ, МЕЖДУНАРОДНЫЙ, РАСШИРЕННАЯ КМОП
ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 ГЕНЕРАТОР, КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ, ТИП 1 (КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (XO)), 500 КГЦ ДО 85 МГц, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, КМОП

CZ-CSN, Умирает половинной высоты

CSN 35 8745-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение коэффициента передачи обратного напряжения холостого хода и коэффициента Тини на высоких частотах.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Умирает половинной высоты

GB/T 30537-2014 Сверхпроводимость — Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников — Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Умирает половинной высоты

CNS 5545-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых устройств, испытание транзистора на обратное смещение при высокой температуре)
CNS 5546-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание обратного смещения полевого транзистора при высокой температуре)

TH-TISI, Умирает половинной высоты

TIS 1868-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства часть 7: биполярные транзисторы раздел 4: пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления высокой частоты
TIS 1974-2000 Полупроводниковые приборы, дискретные устройства, часть 6: тиристоры, раздел 2: пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (симисторов), рассчитанных на окружающую среду или корпус, до 100 А.
TIS 1865-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства. Часть 7: биполярные транзисторы. Раздел 1: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
TIS 1973-2000 Полупроводниковые приборы, дискретные устройства, часть 6: тиристоры, раздел 1: пустая подробная спецификация для триодных тиристоров с обратной блокировкой, рассчитанных на окружающую среду и корпус, до 100 А.

KR-KS, Умирает половинной высоты

KS C IEC 61788-9-2016 Сверхпроводимость. Часть 9. Измерения объемных высокотемпературных сверхпроводников. Плотность захваченного потока крупнозернистых оксидных сверхпроводников.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Умирает половинной высоты

QC 750107-1991 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 7. Биполярные транзисторы Раздел четвертый. Пустая подробная спецификация для корпусных транзисторов для высокочастотного усиления (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750112-1987 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц (IEC 747-8-1 ED 1).
QC 750111-1991 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 6. Тиристоры. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для двунаправленных триодных тиристоров (триаков) @ при температуре окружающей среды или корпусе @ до 100 А (IEC 747-6-2 ED 1)
QC 750110-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 6. Тиристоры. Раздел первый. Пустые подробные спецификации для тиристоров с обратной блокировкой @ для окружающей среды и номинального тока @ до 100 А (IEC 747-6-1 ED 1)
QC 750102-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (IEC 747-7-1 ED 1)

(U.S.) Ford Automotive Standards, Умирает половинной высоты

FORD WSS-M2A177-A2-2014 АЛЮМИНИЕВЫЙ СПЛАВ, ЭКСТРУЗИОННЫЙ, ТЕРМООБРАБАТЫВАЕМЫЙ, БЕСШОВНЫЙ, ВЫСОКАЯ ПРОЧНОСТЬ, КОНТРОЛИРУЕМЫЙ РАЗМЕР ЗЕРНА *** ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ С FORD WSS-M99P1111-A*** (Показан на FORD WSS-M2A177-A1)
FORD WSS-M2A177-A2-2012 АЛЮМИНИЕВЫЙ СПЛАВ, ЭКСТРУЗИОННЫЙ, ТЕРМООБРАБАТЫВАЕМЫЙ, БЕСШОВНЫЙ, ВЫСОКАЯ ПРОЧНОСТЬ, КОНТРОЛИРУЕМЫЙ РАЗМЕР ЗЕРНА ***ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ С FORD WSS-M99P1111-A*** Показан на FORD WSS-M2A177-A1