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Altura media del grano

Altura media del grano, Total: 241 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Altura media del grano son: Productos de hierro y acero., ingeniería de energía nuclear, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., Dispositivos semiconductores, Materiales semiconductores, Materiales conductores, pruebas de metales, Condensadores, Productos de la industria química., Cerámica, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Red Digital de Servicios Integrados (RDSI), Pruebas ambientales, Pruebas eléctricas y electrónicas., Comunicaciones de fibra óptica., válvulas, Componentes de tuberías y tuberías..

Group Standards of the People's Republic of China, Altura media del grano

T/SXJP 018-2023 Barras de acero nervadas laminadas en caliente de grano fino y alta resistencia
T/IAWBS 017-2022 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de curva de oscilación de rayos X de cristal doble de sustrato de cristal único de diamante
T/IAWBS 015-2021 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de Ga2O3
T/IAWBS 016-2022 Método de prueba FWHM de curva oscilante de doble cristal de rayos X para oblea única de carburo de silicio
T/ZZB 2283-2021 Polvo de grafito de pureza ultraalta para cristal semiconductor de carburo de silicio
T/CSTM 00799-2023 Determinación del tamaño de grano en acero: método de microscopio confocal de barrido láser de alta temperatura

Professional Standard - Aviation, Altura media del grano

HB 20057-2011

Professional Standard - Building Materials, Altura media del grano

JC/T 2018-2010 Cristal de yoduro de cesio dopado con talio para la detección de partículas de alta energía

International Electrotechnical Commission (IEC), Altura media del grano

IEC 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
IEC 60747-7-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
IEC 60747-7-1:1989 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 7: transistores bipolares; sección uno: especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia

British Standards Institution (BSI), Altura media del grano

BS EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos: almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.
BS EN 10222-4:2017 Forjas de acero para fines de presión. Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
BS EN 10222-4:1999 Forjas de acero para fines de presión. Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la rotura
BS EN 10222-4:2017+A1:2021 Forjas de acero para fines de presión. Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
19/30396207 DC BS EN 10222-4 AMD1. Forjas de acero para fines de presión. Parte 4. Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
BS EN 10217-3:2019 Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega: tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperatura ambiente, elevada y baja

Defense Logistics Agency, Altura media del grano

DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, ALTA FRECUENCIA TIPO 2N384
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Frecuencia, 25 Milivatios, Tipo JAN-2N128
DLA MIL-PRF-19500/370 G-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N3442, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Alta potencia, Tipos 2N1487, 22N1488, 2N1489 y 2N1490
DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistores, PNP, germanio, tipos de alta potencia 2N456B, 2N457B, 2N458B, 2N1021A, 2N1022A
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alta frecuencia 2N6603 y 2N6604 JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio de alta potencia, tipos 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO DE ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3584, 2N3585, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPOS DE ALTA POTENCIA 2N1722 Y 2N1724, JAN Y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, tipos de alta frecuencia 2N6603 y 2N6604 JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3771 Y 2N3772, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 Semiconductor, dispositivo, transistor, NPN, silicio, tipos de alta potencia 2N2812 y 2N2814 JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta potencia, tipos 2N5671 y 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N3715 Y 2N3716, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N5671 Y 2N5672, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta frecuencia, tipos de alimentación 2N3375, 2N3553 y 2N4440 JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-S-19500/341B-1968 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA FRECUENCIA, TIPOS DE POTENCIA 2N3375, 2N3553 Y 2N4440 JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA FRECUENCIA, TIPOS 2N3866, 2N3866A, 2N3866UB, 2N3866AUB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/439 G-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPOS 2N5038 Y 2N5039, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/461 F-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, SILICIO, ALTA POTENCIA, TIPO 2N6211, 2N6212, 2N6213, 2N6213A, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC Y JANKC
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON HABILITACIÓN DE RELOJ, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, ALTA TENSIÓN, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7387 Y 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, DECODIFICADOR 1 DE 8, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, ALTA TENSIÓN, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7387 Y 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, CONTADOR BINARIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, ALTA FRECUENCIA TIPO 2N5109 Y 2N5109UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG Y JANSH
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR DE 3 A 8 LÍNEAS CON ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS CON ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86852 REV A-2003
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DISPARADOR HEX SCHMITT, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADOS, REGISTRO QUAD DE 2 PUERTOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR DE ONDULACIÓN DE DÉCADA DOBLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, SIMPLE, ALTO VOLTAJE, MOSFET, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPO 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR Y JANSH
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BUFFER OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal PC, silicio, varios tipos, JANHC y JANKC
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DOBLE 1 DE 4, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, LATCH TRANSPARENTE OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91732-1993 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DE 3 A 8 LÍNEAS, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, TRANSCEPTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, TRANSCEPTOR OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR NO INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR INVERSOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS Y PUERTA, COMPATIBLE CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-04228-2004 MICROCIRCUITOS, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO CON PRESET Y RELOJ RIPPLE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, BÚFER OCTAL/CONDUCTOR DE LÍNEA CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PESTILLO TRANSPARENTE BISTABLE DOBLE DE 2 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, silicio, tipos 2N7494U5, 2N7495U5 y 2N7496U5, JANTXVR, F, G y H, y JANSR, F, G y H
DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE DE 3 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, INVERSOR HEXAGONAL, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRIPLE 3 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DE 8 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS O PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DOBLE 4 ENTRADAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND TRIPLE DE 3 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, DOBLE 4 ENTRADAS Y PUERTA, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON ENTRADAS TRANSPARENTES COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE DE 4 BITS, RESET SINCRÓNICO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 9 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO, CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 MICROCIRCUITOS, DIGITALES, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP D DE 8 BITS, DISPARADOR DE BORDE POSITIVO CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, CONDUCTOR/BUFFER DE LÍNEA OCTAL INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, CONTADOR BINARIO PREAJUSTABLE DE 4 BITS, RESET ASÍNCRONO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS BIPOLAR AVANZADO, DISPOSITIVO DE PRUEBA DE ESCANEO CON TRANSCEPTOR DE BUS DE 18 BITS, SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, PUERTA NAND DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN DE DÉCADA DOBLE, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, QUAD 2 ENTRADAS EXCLUSIVAS NOR GATE, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE MAGNITUD DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, SUMADOR COMPLETO BINARIO DE 4 BITS CON TRANSPORTE RÁPIDO, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, REGISTRO DE DIAGNÓSTICO DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP OCTAL TIPO D CON RESET MAESTRO, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, FLIP-FLOP DUAL JK CON SET Y RESET, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO DE 4 BITS SINCRÓNICOS PREAJUSTABLES, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO, SELECTORES/MULTIPLEXORES DE DATOS DOBLES 1 DE 4 CON SALIDAS DE TRES ESTADOS Y ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007
DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR DE ONDULACIÓN BINARIA DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CODIFICADOR DE PRIORIDAD DE LÍNEA DE 10 A 4, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTADOR BINARIO DOBLE DE CUATRO ETAPAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS DE ALTA VELOCIDAD ENDURECIDO POR RADIACIÓN, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR SINCRÓNICO BINARIO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, TRANSCEPTOR DE BUS OCTAL NO INVERSOR CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS DE ALTA VELOCIDAD, CONTADOR BINARIO ARRIBA/ABAJO SINCRÓNICO DE 4 BITS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-92272 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS RÁPIDO, TRANSCEPTOR BIDIRECCIONAL DE 16 BITS CON RESISTENCIA EN SERIE Y SALIDAS DE TRES ESTADOS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL Y OSCILACIÓN DE VOLTAJE DE SALIDA LIMITADA, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86856 REV A-2003

PL-PKN, Altura media del grano

PN C89425-1992 Plástica. Determinación de la temperatura de fusión de polímeros semicristalinos.
PN T01207-01-1992 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Transistores bipolares Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
PN-EN 10217-3-2019-06 P Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperatura ambiente, elevada y baja.

BE-NBN, Altura media del grano

NBN A 23-114-1983 BANDES MAGNETIQUES EN ACIER ALLIE A GRAINS NON ORIENTES LAMINEES A FROID ET LIVREES A L'ETAT SEMI-FINI

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Altura media del grano

GB/T 14999.7-2010 Métodos de prueba para tamaños de grano, espaciado de dendritas primarias y microcontracción de piezas fundidas de superaleaciones.
GB/T 32188-2015 Método de prueba para el ancho total a la mitad del máximo de la curva de oscilación de rayos X de cristal doble del sustrato de cristal único de GaN
GB/T 14999.6-2010 Métodos de prueba para caracterizar tamaños de grano dúplex y distribución de carburos primarios de piezas forjadas de superaleaciones.
GB/T 14999.4-2012 Métodos de prueba para superaleaciones. Parte 4: Determinación de la caracterización de los granos de bandas y la distribución primaria de carburos de laminados de superaleaciones.
GB/T 7576-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
GB/T 6217-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia

Association Francaise de Normalisation, Altura media del grano

NF A04-503:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Aluminio y aleaciones de aluminio.
NF A04-505:1988 Semiproductos elaborados a partir de aluminio, cobre, níquel y sus aleaciones. Determinación del tamaño de grano. Níquel y aleaciones de níquel.
NF A36-620-4/A1:2002 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
NF B41-204-1*NF EN ISO 13383-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Caracterización microestructural - Parte 1: Determinación del tamaño de grano y distribución de tamaño
NF A36-620-4*NF EN 10222-4+A1:2021 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
NF A36-620-4/IN1*NF EN 10222-4/IN1:2021 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
NF EN 10222-4/IN1:2021 Forjas de acero para recipientes a presión - Parte 4: aceros soldables de grano fino con alto límite elástico
NF EN 10222-4+A1:2021 Forjas de acero para recipientes a presión - Parte 4: aceros soldables de grano fino con alto límite elástico

Professional Standard - Electron, Altura media del grano

SJ/T 10557.2-1994 Métodos de medición de la estructura del grano cristalino del papel de aluminio para condensadores electrolíticos de alto voltaje.
SJ 50033/1-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de potencia y alta frecuencia tipo 3DA150
SJ 50033/103-1996 Dispositivos semiconductores discretos: especificación detallada para el transistor de potencia de alta frecuencia tipo 3DA89
SJ 50033/61-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia y alto voltaje tipo 3DK6547
SJ 50033/62-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de conmutación de potencia y alto voltaje tipo 3DK406
SJ 50033/159-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG142
SJ 20059-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia del tipo 3DG111
SJ 20060-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia del tipo 3DG120
SJ 50033/160-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG122
SJ 50033/158-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG44
SJ 50033/154-2002 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de bajo ruido UHF de silicio tipo 3DG251
SJ 50033/75-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de silicio de baja potencia y frecuencia ultraalta tipo 3DG135
SJ 50033/67-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de alta potencia y baja frecuencia de alto voltaje tipo 3DD103
SJ/T 11848-2022 Dispositivo semiconductor discreto 3DG2484 tipo NPN transistor de alta frecuencia y baja potencia de silicio especificaciones detalladas
SJ 20175-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para el transistor de silicio NPN de frecuencia ultraalta y baja potencia del tipo 3DG918
SJ/T 11849-2022 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de baja potencia y alta frecuencia de silicio tipo NPN 3DG3500 y 3DG3501
SJ 50033/95-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia de silicio tipo 3DG144 NPN
SJ 50033/94-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia de silicio tipo 3DG143 NPN
SJ 50033/93-1995 Dispositivos semiconductores discretos. Especificación detallada para el transistor de alta frecuencia, bajo nivel de ruido y baja potencia de silicio tipo 3DG142 NPN
SJ 20062-1992 Dispositivo discrte semiconductor. Especificación detallada para el transistor de coincidencia de diferencia de bajo ruido y frecuencia ultraalta NPN de silicio del tipo 3DG210
SJ 20176-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para transistores de silicio NPN de baja potencia y alto voltaje inverso de los tipos 3DG3439 y 3DG3440
SJ 20015-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de silicio NPN de alta frecuencia y baja potencia para clases tipo 3DG130GP, GT y GCT
SJ 20063-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de coincidencia de doble diferencia de bajo ruido y frecuencia ultraalta NPN de silicio del tipo 3DG213
SJ 20016-1992 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para transistores de voltaje inverso alto y bajo consumo de silicio NPN para clases tipo 3DG182GP, GT y GCT

Danish Standards Foundation, Altura media del grano

DS/EN 10222-4:2021 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
DS/EN 10222-4+A1:2002 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
DS/IEC 747-7-4:1993 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
DS/IEC 747-7-1:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
DS/EN 623-3:2001

International Organization for Standardization (ISO), Altura media del grano

ISO 13383-1:2012 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Caracterización microestructural - Parte 1: Determinación del tamaño de grano y distribución granulométrica
ISO 24369:2005 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación del contenido de partículas gruesas en polvos cerámicos mediante el método de tamizado húmedo

工业和信息化部, Altura media del grano

SJ/T 1486-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG180 tipo silicio PNP alta frecuencia alto voltaje trasero transistor de baja potencia especificación detallada
SJ/T 1477-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG120 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificaciones detalladas
SJ/T 1480-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG130 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada
SJ/T 1472-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG110 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Altura media del grano

GJB 33/001-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta frecuencia y baja potencia para dispositivos semiconductores discretos
GJB 33/14A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada
GJB 33A/14-2003 Dispositivo semiconductor discreto 3DG44 tipo transistor de silicio de frecuencia ultraalta y bajo ruido especificación detallada

Association of German Mechanical Engineers, Altura media del grano

DVS 1702-1999 Ensayos de proceso en la construcción de acero para uniones soldadas en aceros estructurales de grano fino de alta resistencia aptos para soldadura
DVS 1702-1998 Ensayos de procedimientos de soldadura en construcciones de acero para uniones soldadas de aceros estructurales soldables de grano fino de alta resistencia a la tracción.
DVS 1702-1981 Pruebas de procedimientos de soldadura en construcciones de acero para uniones soldadas de aceros estructurales soldables de grano fino de alta resistencia; StE460 y StE690

Professional Standard - Aerospace, Altura media del grano

QJ 10007/11-2008 Especificación detallada para transistores de silicio de alta frecuencia, baja potencia y alto contravoltaje tipo 3DG182 para dispositivos semiconductores discretos utilizados en el sector aeroespacial
QJ 10007/10-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia 3DG122, 3DG130 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales
QJ 10007/5-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia 3CG110, 3CG130 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales
QJ 10007/9-2008 Especificación detallada de los transistores de silicio de alta frecuencia y baja potencia de tipo 3DG100, 3DG101, 3DG111, 3DG112 para dispositivos semiconductores discretos aeroespaciales

German Institute for Standardization, Altura media del grano

DIN EN 10222-4:2001 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba (incluye la Enmienda A1:2001); Versión alemana EN 10222-4:1998 + A1:2001
DIN EN 10222-4/A1:2019 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba; Versión alemana e inglesa EN 10222-4:2017/prA1:2019
DIN EN ISO 13383-1:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Caracterización microestructural - Parte 1: Determinación del tamaño de grano y distribución de tamaño (ISO 13383-1:2012); Versión alemana EN ISO 13383-1:2016
DIN EN 10222-4:2017 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba; Versión alemana EN 10222-4:2017
DIN 2302:2018-03 Consumibles de soldadura - Electrodos cubiertos para soldadura manual por arco metálico de aceros no aleados y de grano fino en un ambiente hiperbárico húmedo - Clasificación
DIN EN 10217-3:2019 Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperaturas ambiente, elevadas y bajas.
DIN EN 10217-3:2019-08 Tubos de acero soldados para fines de presión - Condiciones técnicas de entrega - Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperatura ambiente, elevada y baja; Versión alemana EN 10217-3:2019

European Committee for Standardization (CEN), Altura media del grano

EN 10222-4:1998 Forjas de acero para fines de presión - Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba (incorpora la Enmienda A1: 2001)

Lithuanian Standards Office , Altura media del grano

LST EN 10222-4-2000 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
LST EN 10222-4-2000/A1-2003 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
LST EN 10222-4+A1-2021 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
LST EN 623-3-2002 Cerámica técnica avanzada - Cerámica monolítica - Propiedades generales y texturales - Parte 3: Determinación del tamaño de grano y distribución de tamaño (caracterizada por el Método de Intercepción Lineal)

IT-UNI, Altura media del grano

UNI EN 10222-4-2021 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
EC 1-2021 UNI EN 10217-3-2021 Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperaturas ambiente, elevadas y bajas.

AENOR, Altura media del grano

UNE-EN 10222-4:2017 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.

ES-UNE, Altura media del grano

UNE-EN 10222-4:2017+A1:2022 Forjas de acero para fines de presión. Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba.
UNE-EN 10217-3:2019 Tubos de acero soldados para fines de presión. Condiciones técnicas de entrega. Parte 3: Tubos de acero de aleación de grano fino, soldados eléctricamente y soldados por arco sumergido, con propiedades especificadas para temperaturas ambiente, elevadas y bajas.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Altura media del grano

KS C IEC 60747-7-4:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-1:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
KS C IEC 61788-9-2016(2021) Superconductividad – Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa – Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande
KS D ISO 9327-4-2003(2008) Piezas forjadas de acero y barras laminadas o forjadas para fines de presión－Condiciones técnicas de entrega－Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta resistencia a la prueba
KS C IEC 61788-9:2016 Superconductividad – Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa – Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande
KS D ISO 9328-4-2003(2013) Placas y tiras de acero para fines de presión－Condiciones técnicas de entrega－Parte 4: Aceros soldables de grano fino con alta tensión de prueba suministrados en condiciones normalizadas o templadas y revenidas

AT-ON, Altura media del grano

ONORM M 7824-1986 Electrodos para soldadura de juntas de aceros de grano fino de alta resistencia a la tracción; electrodos cubiertos de tipo básico; Clasificación, designación, especificaciones técnicas.

CEN - European Committee for Standardization, Altura media del grano

DD ENV 623-3-1993 Cerámica Técnica Avanzada - Cerámica Monolítica - Propiedades Generales y Texturales - Parte 3: Determinación del Tamaño de Grano
EN 623-3:2001 Cerámica Técnica Avanzada - Cerámica Monolítica - Propiedades Generales y Texturales - Parte 3: Determinación del Tamaño de Grano y Distribución de Tamaño (Caracterizado por el Método de Intercepción del Liner)

U.S. Military Regulations and Norms, Altura media del grano

ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1,0 MHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS DE ALTA VELOCIDAD
ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 1.544 MHz HASTA 125 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS AVANZADO
ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 0,75 MHz HASTA 200 MHz, SELLO HERMÉTICO, ONDA CUADRADA, CMOS AVANZADO
ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 OSCILADOR, CONTROLADO POR CRISTAL, TIPO 1 (OSCILADOR DE CRISTAL (XO)), 500 KHz HASTA 85 MHz, SELLO HERMÉTICO, CMOS

CZ-CSN, Altura media del grano

CSN 35 8745-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de la relación de transferencia de voltaje inverso en circuito abierto y el coeficiente pequeño a altas frecuencias.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Altura media del grano

GB/T 30537-2014 Superconductividad ―Medidas para superconductores de alta temperatura en masa ―Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Altura media del grano

CNS 5545-1988 Métodos de prueba ambiental y métodos de prueba de resistencia para dispositivos semiconductores discretos Prueba de polarización inversa de transistores a alta temperatura)
CNS 5546-1988 Métodos de prueba ambiental y métodos de prueba de resistencia para dispositivos semiconductores discretos (prueba de polarización inversa de transistores de efecto de campo a alta temperatura)

TH-TISI, Altura media del grano

TIS 1868-1999 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos, parte 7: transistores bipolares, sección 4: especificación detallada en blanco para transistores bipolares clasificados en caja para amplificación de alta frecuencia
TIS 1974-2000 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, parte 6: tiristores, sección 2: especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (triacs), ambientales o de caja, hasta 100 a
TIS 1865-1999 Dispositivos semiconductores-dispositivos discretos parte 7: transistores bipolares sección 1: especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia
TIS 1973-2000 Dispositivos semiconductores, dispositivos discretos, parte 6: tiristores, sección 1: especificación detallada en blanco para tiristores de triodo de bloqueo inverso, ambientales y de caja, hasta 100 a

KR-KS, Altura media del grano

KS C IEC 61788-9-2016 Superconductividad – Parte 9: Medidas para superconductores de alta temperatura en masa – Densidad de flujo atrapado de superconductores de óxido de grano grande

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Altura media del grano

QC 750107-1991 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores con clasificación de caja para amplificación de alta frecuencia (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750112-1987 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 8: Transistores de efecto de campo Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores de efecto de campo de puerta única @ hasta 5 W y 1 GHz (IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750111-1991 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 6: Tiristores Sección dos: Especificación detallada en blanco para tiristores de triodo bidireccionales (Triacs) en ambiente o con clasificación de caja @ hasta 100 A (IEC 747-6-2 ED 1)
QC 750110-1989 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 6: Tiristores Sección uno: Especificación detallada en blanco para tiristores triodo de bloqueo inverso @ ambiente y clasificación de caja @ hasta 100 A (IEC 747-6-1 ED 1)
QC 750102-1989 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 7: Transistores bipolares Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia (IEC 747-7-1 ED 1)

(U.S.) Ford Automotive Standards, Altura media del grano

FORD WSS-M2A177-A2-2014 ALEACIÓN DE ALUMINIO, EXTRUSIÓN, TRATABLE TÉRMICAMENTE, SIN COSTURAS, ALTA RESISTENCIA, TAMAÑO DE GRANO CONTROLADO ***PARA UTILIZAR CON FORD WSS-M99P1111-A*** (Se muestra en FORD WSS-M2A177-A1)
FORD WSS-M2A177-A2-2012 ALEACIÓN DE ALUMINIO, EXTRUSIÓN, TRATABLE TÉRMICAMENTE, SIN COSTURAS, ALTA RESISTENCIA, TAMAÑO DE GRANO CONTROLADO ***PARA UTILIZAR CON FORD WSS-M99P1111-A*** Se muestra en FORD WSS-M2A177-A1