ZH

EN

ES

Псевдоемкость оксидов металлов

Псевдоемкость оксидов металлов, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Псевдоемкость оксидов металлов, являются: Изоляция, Электрические аксессуары, Полупроводниковые приборы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Клапаны, Оптоволоконная связь, Изоляционные жидкости, Термодинамика и измерения температуры, Распределительные устройства и устройства управления, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Стоматология, Порошковая металлургия, Цветные металлы, Конденсаторы, Резисторы, Электростанции в целом, Защита зданий и внутри зданий, Аналитическая химия, Нерудные полезные ископаемые, Обработка поверхности и покрытие, Материалы для аэрокосмического строительства, Линейные и угловые измерения, Качество воздуха, Гальванические элементы и батареи, Электрические и электронные испытания, Физика. Химия, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Электрические фильтры, Огнеупоры, Лабораторная медицина, Радиосвязь, Железнодорожный подвижной состав, Испытание металлов, Продукция текстильной промышленности.


Professional Standard - Machinery, Псевдоемкость оксидов металлов

  • JB/T 9670-2014 Оксид цинка для варисторов металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • JB/T 8444-2015 Технические условия на электрические контакты серебро-металлоксид методом порошковой металлургии
  • JB/T 8444-1996 Техническая спецификация на контактор электрический серебряно-металлооксидный методом порошковой металлургии
  • JB/T 6479-2014 Металлооксидные разрядники с последовательными разрядниками для линейных ловушек для систем переменного тока
  • JB/T 10497-2005 Ограничители перенапряжения из металлооксида в полимерном корпусе с последовательным зазором для линий электропередачи переменного тока
  • JB/T 6479-1992 Металлооксидные ограничители перенапряжения с последовательным зазором для изоляции линий электросистем переменного тока

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Псевдоемкость оксидов металлов

  • KS C 4808-2011(2016) Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без зазоров для распределительной линии
  • KS C 6425-1985(2000) МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
  • KS C 6425-1985 МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
  • KS C 4808-2011(2021) Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без зазоров для распределительной линии
  • KS C 6371-1995(2000) ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛООКСИДНО-ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ
  • KS C 6371-1990 ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛООКСИДНО-ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ
  • KS C 6371-1995 ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛООКСИДНО-ПЛЕНОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ
  • KS C 4616-2011 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • KS C 6428-1992(1997) ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПОЛИЭФИРНЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОМ ОБОРУДОВАНИИ
  • KS C 6428-1992 ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПОЛИЭФИРНЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОМ ОБОРУДОВАНИИ
  • KS C 6428-1979 ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПОЛИЭФИРНЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОМ ОБОРУДОВАНИИ
  • KS D 8519-2009 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • KS D 8519-2009(2015) Металлическое и оксидное покрытие-Измерение толщины покрытия-Микроскопический метод
  • KS C IEC 60099-4:2021 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS L ISO 21068-3-2012(2022) Химический анализ карбидкремниевого сырья и огнеупорных изделий. Часть 3. Определение содержания азота, кислорода, металлических и оксидных компонентов.
  • KS C IEC 60099-4:2019 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 61643-331-A:2014 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 60099-4:2012 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 61643-331-A:2015 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 61643-331:2006 Компоненты для устройств защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C ISO TS 18827:2021 Нанотехнологии — Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.
  • KS C IEC 61643-331-2006(2019) Компоненты для устройств защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Псевдоемкость оксидов металлов

  • GB/T 13397-2008 Технические условия на электрические контакты металлоксид серебра методом внутреннего оксидирования сплава
  • GB 13397-1992 Технические условия на электрические контакты металлоксид серебра методом внутреннего оксидирования сплава
  • GB/T 27746-2011 Технические характеристики металлооксидных варисторов (МОВ), используемых в низковольтной аппаратуре
  • GB/T 12690.1-1990 Оксид лантана. Определение оксида церия, оксида празеодима, оксида недеодиния, оксида самария и оксида иттрия. Атомно-эмиссионный спектрографический метод с индутивно-связанной плазмой.
  • GB/T 12690.14-1990 Оксид лантана, оксид церия, оксид неодима, оксид гадолиния. Определение содержания кобальта, железа, марганца, никеля, меди, хрома, свинца и цинка в оксидах. Эмиссионный спектрографический метод.
  • GB/T 12690.28-2000 Редкоземельные металлы и их оксиды. Определение содержания оксида кальция. Атомно-эмиссионный спектрографический метод с индуктивно связанной плазмой.
  • GB/T 41917-2022 Нанотехнологии — Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.
  • GB/T 18802.331-2007 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • GB/T 12690.17-2010 Химические методы анализа нередкоземельных примесей в редкоземельных металлах и оксидах. Часть 17. Определение содержания ниобия и тантала в редкоземельных металлах.
  • GB/T 12690.14-2006 Методы химического анализа нередкоземельных примесей в редкоземельных металлах и их оксидах.Определение титана в редкоземельных металлах.
  • GB/T 12690.15-2006 Методы химического анализа нередкоземельных металлов и их оксидов.Определение содержания оксида кальция.
  • GB/T 12690.3-2015 Химические методы анализа нередкоземельных примесей редкоземельных металлов и их оксидов. Часть 3. Определение содержания воды в оксидах редкоземельных металлов. Гравиметрический метод.
  • GB/T 12690.2-2015 Методы химического анализа нередкоземельных примесей редкоземельных металлов и их оксидов. Часть 2. Определение содержания потерь при прокаливании оксидов редкоземельных металлов. Гравиметрический метод.
  • GB/T 12690.2-2015(英文版) Методы химического анализа нередкоземельных примесей редкоземельных металлов и их оксидов. Часть 2. Определение содержания потерь при прокаливании оксидов редкоземельных элементов. Гравиметрический метод.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Псевдоемкость оксидов металлов

  • ASTM F1153-92(1997) Стандартный метод испытаний для определения характеристик структур металл-оксид-кремний (МОП) путем измерения напряжения-емкости
  • ASTM E1652-00 Стандартные технические условия на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве платиновых термометров сопротивления с металлической оболочкой, термопар из недрагоценных металлов и термопар из благородных металлов
  • ASTM E1652-21 Стандартные технические условия на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве термопар из недрагоценных металлов, платиновых термометров сопротивления в металлической оболочке и
  • ASTM E1652-03 Стандартные технические условия на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве платиновых термометров сопротивления с металлической оболочкой, термопар из недрагоценных металлов и
  • ASTM E1652-15 Стандартные спецификации на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве термопар из недрагоценных металлов, платиновых термометров сопротивления с металлической оболочкой и термопар из благородных металлов
  • ASTM E1652-14 Стандартные спецификации на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве термопар из недрагоценных металлов, платиновых термометров сопротивления с металлической оболочкой и термопар из благородных металлов
  • ASTM E1652-14a Стандартные спецификации на порошки оксида магния и оксида алюминия и дробимые изоляторы, используемые при производстве термопар из недрагоценных металлов, платиновых термометров сопротивления с металлической оболочкой и термопар из благородных металлов
  • ASTM E574-19 Стандартные спецификации для дуплексного провода термопары из недрагоценного металла с изоляцией из стекловолокна или кварцевого волокна

Defense Logistics Agency, Псевдоемкость оксидов металлов

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA A-A-55564/3 B-2004 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, РАДИАЛЬНЫЙ ВЫВОД
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР, ОКСИД МЕТАЛЛА), ЧИП
  • DLA A-A-55562 A-2001 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР, ОКСИД МЕТАЛЛА), ЧИП
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип
  • DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA A-A-55564/2 B-2012 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, ВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ СРАВНИТЕЛЬ ИДЕНТИЧНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA A-A-55562/2 A-2001 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НА НАПРЯЖЕНИЕ (ВАРИСТОР, ОКИСЛ МЕТАЛЛА), ЧИП, ТИПА 0805
  • DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 МИКРОСХЕМА, МИКРОПРОЦЕССОР, СОВМЕСТИМЫЕ ЧАСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ, CMOS МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA MIL-PRF-83530 C-2008 РЕЗИСТОРЫ НАПРЯЖЕННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ (ВАРИСТОРНЫЕ, МЕТАЛЛОКИСДНЫЕ), ОБЩИЕ СПЕЦИФИКАЦИИ
  • DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0603
  • DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0805
  • DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 1206
  • DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 1210
  • DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0402
  • DLA A-A-55564/3 C-2012 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, РАДИАЛЬНЫЙ ВЫВОД
  • DLA QPL-83530-7-2004 РЕЗИСТОРЫ НАПРЯЖЕННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ (ВАРИСТОРНЫЕ, МЕТАЛЛОКИСДНЫЕ), ОБЩИЕ СПЕЦИФИКАЦИИ
  • DLA SMD-5962-94745-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 256К Х 1-БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИИ, ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, КМОП, ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЙ ФИЛЬТР С ДВОЙНЫМ КОНДЕНСАТОРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРО, КМОП, 10-БИТНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ РЕГИСТР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88624-1988 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СЧЕТЧИК ДЕЛЕНИЯ НА N, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ РЕГИСТР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, НОР-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ ТРИ ВХОДА NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-НЕ-ЗАБОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 16 Х 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, КМОП 16 Х 16 УМНОЖИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA DSCC-DWG-09006-2009 КОНДЕНСАТОРЫ ФИКСИРОВАННЫЕ МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЕ ПЛАСТИКОВЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА ГЕРМЕТИЧЕСКИ ЗАКРЫТЫЕ
  • DLA SMD-5962-95762-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-ВХОДНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ВЕРСИЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94709-1994 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР БЭНГ-БЭНГ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, SRAM, 128K X 8-бит, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БЫСТРЫЕ КМОП-СИНХРОННЫЕ С НАСТРОЙКОЙ, ДВОИЧНЫЕ, СЧЕТЧИКИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ
  • DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-БИТНАЯ ПРОВЕРКА ГЕНЕРАТОРА НЕЧЕТНОЙ/ЧЕТНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97528-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97571-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ГЕНЕРАТОР ПРОГНОЗНОГО ПРОИЗВОДСТВА ДЛЯ СЧЕТЧИКОВ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ВЕНТИЛЯ И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ИЛИ ЗАТИЛЬНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96803-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ КМОП-ИНВЕРТОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94734-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16 МЕГ Х 1 ДРАМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95715-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДРАЙВЕР ТАКТОВОГО ГЕНЕРАТОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 14-СТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ДВУХВХОДНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 МИКРОСХЕМА, NMOS, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЧАСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ГЕНЕРАТОР ПРЕРЫВАНИЯ NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 8 Х 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ЗАТВОРА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8 ВХОДОВ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 4-ВХОДНАЯ НЕЗАВИСИМАЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНАЯ ЗАЩЕЛКА SR, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96761-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 1-8-линейный тактовый драйвер, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕМЕНЯЕМАЯ ФЛЕШ-ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ УСТРОЙСТВА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ГЕНЕРАЦИИ СИНХРОНИЗАЦИИ И СОСТОЯНИЯ ОЖИДАНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С РЕЗИСТОРАМИ СЕРИИ 25 ОМЕГА И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАБОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА, CMOS, 128K X 32-БИТ
  • DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВ 4000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА ПРОЦЕССОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ПЕРЕДНЕГО НЕСУЩЕГО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 8-БИТНАЯ, СОВМЕСТИМАЯ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ, АЦП С ОТСЛЕЖИВАНИЕМ/Удержанием, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, СОВМЕСТИМАЯ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ, ДВОЙНЫЕ 12-БИТЫЕ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90997-1991 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ CHMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92026-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР С ФИКСИРОВАННОЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87744-1987 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, 1М (64К Х 16) БИТ, NMOS, УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92103-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СИГНАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85528-1986 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ШИННЫЙ АРБИТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 8 Х 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, CMOS ARINC-ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ТАЙМЕРЫ ТОЧНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, HCMOS МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ПЕРИФЕРИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ С ЧЕТЫРЕХ ВХОДАМИ ИЛИ ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, МУЛЬТИПЛЕКСОРНАЯ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ С ДВУМЯ ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94733-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КОНФИГУРИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 12000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95717-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96895-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИКМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ОПТИЧЕСКИЙ/МЕДНЫЙ ИНТЕРФЕЙС ПЕРЕДАЧИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96896-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИКМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ОПТИЧЕСКИЙ/МЕДНЫЙ ИНТЕРФЕЙС ПРИЕМНИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, МИКРОЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ФАЗОВАЯ АВТОМАТИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96683-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 4-БИТНАЯ АРИФМЕТИКО-ЛОГИЧЕСКАЯ БЛОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, LVDS, ЧЕТЫРЕХКМОП, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С 3-х СОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1-ИЗ-8, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90901-1992 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРОВАННЫЕ ТРАНСИВЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 МИКРОсхема, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ КОНТРОЛЛЕР ПРЕРЫВАНИЯ, N-КАНАЛЬНЫЙ МОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 МИКРОСХЕМА, ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ CMOS-ШИННЫЕ БУФЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, МУЛЬТИПЛЕКСОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92106-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, АДРЕСНЫЙ ПРОЦЕССОР 2, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, NMOS, ПРОЦЕССОР ЧИСЛОВЫХ ДАННЫХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88599-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, БЛОК ГРМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕХАНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ЗАТВОРКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, 4-БИТНЫЙ РЕГИСТР ТИПА D, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88674-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БЫСТРЫЕ КМОП, 8-БИТНЫЕ, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЕ, РЕГИСТРЫ ШИННОГО ИНТЕРФЕЙСА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ФАЗОВАЯ АВТОПРОВОДКА С ГЕНЕРАТОРОМ, УПРАВЛЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, КМОП, МИКРОПРОЦЕССОР, ОПТИМИЗИРОВАННЫЙ ДЛЯ ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГЭТФ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЭНКОДЕР С ПРИОРИТЕТОМ ЛИНИИ 10-4, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ЧЕТЫРЕХСТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР/РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ SPST, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОДИНОЧНЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, НЕ ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ВЫВОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ И/ИЛИ ИЗБИРАТЕЛЬНАЯ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 8-ВХОДНОЙ ЗАТВОР ИЛИ/ИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96786-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ CMOS/TTL, 8-БИТНАЯ, ДВУНАПРАВЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95714 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНЫЙ, 8-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95525-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЯДНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСТИРУЕМЫЙ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ПОТЕНЦИОМЕТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, БЛОК ОБНАРУЖЕНИЯ И ИСПРАВЛЕНИЯ ОШИБОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, CMOS/SOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 4K X 1, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, CMOS/SOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 1K X 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ПРИЕМНИК-ПЕРЕДАТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, NMOS, 16-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91513-1993 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, И/ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЕ ВЕНТИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ГРАФИЧЕСКИЙ СИСТЕМНЫЙ ПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ, КМОП, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88568-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, NMOS, ОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ, 8-битный МИКРОКОМПЬЮТЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, СОПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ, МУЛЬТИПРОТОКОЛЬНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88653-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕРНЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, 32-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, 8-БИТНЫЕ CMOS FLASH АЦП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП 64 Х 5 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88758-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86864-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ СТИРАЕМЫЕ КМОП-ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
  • DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДРАЙВЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89508-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1 ИЗ 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК ПОВЫШАЮЩЕГО/ВНИЗУЮЩЕГО, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ГЕНЕРАТОР ЧЕТНОСТИ/ЧЕТНОСТИ/ПРОВЕРКА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТРАНСИВЕР ЧЕТНОСТИ 8-9-БИТ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР НА 3,3 В И РЕГИСТР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, МОЩНЫЙ МОП-транзистор, ДВУХКАНАЛЬНЫЙ, ОПТОПАРА
  • DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ГЕНЕРАТОР С УПРЯДНЫМ НЕСЕТ ДЛЯ СЧЕТЧИКОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, СЧЕТЧИК С НАСТРОЙКОЙ ДЕЛЕНИЯ НА "N", МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ТАЙМЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87761 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88671 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ РЕВЕРСИВНЫЙ/ОБРАТНЫЙ СЧЕТЧИК С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88672 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88675-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БЫСТРАЯ КМОП, 8-БИТНАЯ НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ЗАЩЕЛКА ИНТЕРФЕЙСА ШИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96747-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВЫБОР ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 8-БИТНОЙ ДВУНАПРАВЛЕННОЙ ШИНОЙ ДАННЫХ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ НА 10 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90512-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, HMOS, 8-битный микрокомпьютер, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ДВОИЧНЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 8-БИТНАЯ АДРЕСНАЯ ЗАЩЕЛКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ ПРИОРИТЕТНЫЙ ЭНКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ТАЙМЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, СЧЕТВЕРНАЯ, ДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96816-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАБОТНЫЙ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96822-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАТВОР, С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96825-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ИЛИ ЗАТВОРА С ДВУМЯ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР С ОТКРЫТЫМ СТОКОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95824-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 8-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94684-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕМЕНЯЕМАЯ ФЛЕШ-ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ УСТРОЙСТВА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СОПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 РЕЛЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ, ГЕРМЕТИЧНО, ОПТИЧЕСКИ ИЗОЛИРОВАННОЕ, 1,0 АМПЕР, 60 В постоянного тока, SPST (N.0.), ВХОД CMOS
  • DLA SMD-5962-96721 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ОБНАРУЖЕНИЯ И ИСПРАВЛЕНИЯ ОШИБОК С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ, МАЛОЙ МОЩНОСТИ, КОМПАРАТОР НАПРЯЖЕНИЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, ДРАЙВЕР MOSFET, ДВОЙНОЕ ПИТАНИЕ
  • DLA SMD-5962-87685-1987 МИКРОСХЕМЫ, 8-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ЦП, NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, CMOS, КОНТРОЛЛЕР АДРЕСОВ VMEBUS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, КОНТРОЛЛЕР ИНТЕРФЕЙСА VMEBUS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87723-1987 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, 13 ВХОДОВ И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, КМОП, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92104-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, АДРЕСНЫЙ ПРОЦЕССОР 1, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИВИБРАТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Псевдоемкость оксидов металлов

  • GJB 3794-1999 Спецификация на сплавы оксидов металлов на основе серебра для электрического контакта
  • GJB 3794A-2018 Спецификация на обрабатываемые материалы для электрического контакта с оксидами металлов на основе серебра
  • GJB 1214/1-2011 Подробная спецификация на металлизированные полиэфирные пленочные фиксированные конденсаторы постоянного тока с номинальной интенсивностью отказов, металлизированная полиэфирная пленка, тип CLK41

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Псевдоемкость оксидов металлов

  • GB/T 34869-2017 Металлооксидный варистор для защиты комплектов конденсаторных батарей последовательной компенсации
  • GB/T 32996-2016 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптической эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.

International Organization for Standardization (ISO), Псевдоемкость оксидов металлов

  • ISO/TS 5094:2023 Нанотехнологии — Оценка пероксидазоподобной активности наночастиц металлов и оксидов металлов
  • ISO/TR 20489:2018 Нанотехнологии — Пробоподготовка для определения характеристик металлических и металлооксидных нанообъектов в пробах воды.
  • ISO 1463:1973 Отсутствует заголовок – устаревший бумажный документ
  • ISO 1463:1982 Металлические и оксидные покрытия; Измерение толщины покрытия; Микроскопический метод
  • ISO/TS 25138:2019 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.
  • ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии - Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.
  • ISO 1463:2003 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • ISO/TS 25138:2010 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.
  • ISO/DIS 21068-3 Химический анализ сырья и огнеупорных изделий, содержащих карбид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния и сиалон. Часть 3. Определение азота, кислорода, металлических и оксидных составляющих.
  • ISO/DIS 23597 Редкоземельные элементы. Определение содержания редкоземельных элементов в отдельных редкоземельных металлах и их оксидах. Метод титрования.
  • ISO/FDIS 23597 Редкоземельные элементы. Определение содержания редкоземельных элементов в отдельных редкоземельных металлах и их оксидах. Метод титрования.
  • ISO 23597:2023 Редкоземельные элементы. Определение содержания редкоземельных элементов в отдельных редкоземельных металлах и их оксидах. Метод титрования.

British Standards Institution (BSI), Псевдоемкость оксидов металлов

  • PD ISO/TS 5094:2023 Нанотехнологии. Оценка пероксидазоподобной активности наночастиц металлов и оксидов металлов
  • BS EN 61643-331:2003 Устройства защиты от перенапряжения низкого напряжения. Спецификация металлооксидных варисторов (MOV)
  • PD ISO/TR 20489:2018 Нанотехнологии. Пробоподготовка для определения характеристик металлических и металлооксидных нанообъектов в пробах воды
  • BS EN 60099-4:2004+A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • BS EN 60099-4:2004 Ограничители перенапряжения - Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • BS EN 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • BS EN ISO 1463:2005 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • BS EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод
  • PD ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии. Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами
  • PD ISO/TS 25138:2019 Отслеживаемые изменения. Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
  • BS EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV)
  • 20/30395419 DC BS EN ISO 1463. Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод
  • BS ISO 17299-5:2014 Текстиль. Определение свойств дезодоранта. Метод металлооксидно-полупроводникового сенсора
  • BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
  • BS ISO 23597:2023 Редкоземельный. Определение содержания редкоземельных металлов в отдельных редкоземельных металлах и их оксидах. Метод титрования

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Псевдоемкость оксидов металлов

  • IEEE Std C62.11-2020 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.11-1999 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока (1 кВ)
  • IEEE Std C62.11-1993 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.22-2009 Руководство IEEE по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения в системах переменного тока
  • ANSI/IEEE Std C62.11-1987 Стандарт IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.11-1987 Стандарт IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.11-2005 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока (1 кВ)
  • IEEE Std C62.22-1991 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE Std C62.22-1997 Руководство IEEE по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения в системах переменного тока
  • ANSI/IEEE Std 641-1987 Стандартные определения IEEE и характеристики полупроводниковых матриц из оксидов металлов
  • IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D12A, August 2012 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D11, February 2012 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE Std C62.11-2012 Стандарт IEEE на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (1 кВ)
  • IEEE Std 581-1978 Стандартные определения, символы и характеристики IEEE полевых транзисторов металл-нитрид-оксид
  • IEEE Std C62.33-2016 Стандарт IEEE для методов испытаний и значений характеристик для компонентов защиты от перенапряжения металлооксидных варисторов

Professional Standard - Electron, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)

工业和信息化部, Псевдоемкость оксидов металлов

  • YD/T 2972-2015 Металлооксидный варистор для защиты связи

Professional Standard - Energy, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NB/T 10452-2020 Эпоксидное соевое масло для изоляции жидкометаллизированных пленочных конденсаторов.
  • NB/T 42059-2015 Разъединители металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 815-2021 Металлооксидный разрядник с композитной оболочкой для линий электропередачи переменного тока

国家能源局, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NB/T 10452-2026 Эпоксидное соевое масло для изоляции жидкометаллизированных пленочных конденсаторов.
  • NB/T 42152-2018 Общие технические требования к нелинейным металлооксидным резисторам

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Псевдоемкость оксидов металлов

  • IEEE C62.11-2012 Металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)
  • IEEE C62.11-1993 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE C62.11-1987 СТАНДАРТ НА МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ РАЗРЯДНИКИ ДЛЯ СИЛОВЫХ ЦЕПЕЙ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
  • IEEE C62.11-1999 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE C62.11-2005 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)
  • IEEE 641-1987 СТАНДАРТНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТАЛЛ-НИТРИД-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАССИВЫ
  • IEEE PC62.11/D2.0-2019 Проект стандарта на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)
  • IEEE C62.33-2016 Методы испытаний и значения характеристик для компонентов защиты от перенапряжения металлооксидных варисторов
  • IEEE C62.11A-2008 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ). Поправка 1. Испытания на короткое замыкание для станционных, промежуточных и распределительных разрядников.

American National Standards Institute (ANSI), Псевдоемкость оксидов металлов

  • ANSI/IEEE C62.11:2005 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • ANSI/IEEE C62.22:2009 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока

工业和信息化部/国家能源局, Псевдоемкость оксидов металлов

  • JB/T 8444-2014 Технические характеристики электрических контактов из оксида серебра для порошковой металлургии

Group Standards of the People's Republic of China, Псевдоемкость оксидов металлов

  • T/CAB 0156-2022 Металлооксидный МЭМС датчик газа для умной бытовой техники
  • T/CECA 27-2017 Общие технические условия на металлооксидные варисторы с характеристиками надежности
  • T/CEC 221-2019 Общие технические стандарты для металлооксидных резисторов с высоким градиентом и низким остаточным напряжением
  • T/GDC 143-2022 Неорганизованные выбросы. Определение летучих органических соединений методом оксидов металлов.
  • T/QGCML 911-2023 Разрядник для защиты от перенапряжений из оксида металла в композитной оболочке 10 кВ переменного тока без зазоров

Military Standards (MIL-STD), Псевдоемкость оксидов металлов

  • DOD A-A-51838-1987 АССОРТИМЕНТ ПОЛОСОК АБРАЗИВНЫХ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИХ (ОКСИД АЛЮМИНИЯ, НА МЕТАЛЛ. ОСНОВЕ)

ES-UNE, Псевдоемкость оксидов металлов

  • UNE-EN 24501:1993 ТВЕРДЫЕ МЕТАЛЛЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТИТАНА. ФОТОМЕТРИЧЕСКИЙ ПЕРОКСИДНЫЙ МЕТОД. (Одобрено AENOR в январе 1994 г.)
  • UNE-EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)
  • UNE-EN 60099-9:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 9: Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения (одобрено AENOR в январе 2015 г.)
  • UNE-EN 60099-4:2016 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • UNE-EN ISO 21068-3:2008 Химический анализ карбидкремниевосодержащего сырья и огнеупорных изделий. Часть 3: Определение азота, кислорода, металлических и оксидных компонентов (ISO 21068-3:2008) (Одобрено AENOR в октябре 2008 г.)

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Псевдоемкость оксидов металлов

  • YS/T 484-2005 Способ измерения разрядной емкости сплавов для хранения водорода в качестве отрицательного электрода металлогидридно-никелевой батареи

RU-GOST R, Псевдоемкость оксидов металлов

  • GOST 23862.1-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Спектральный метод определения примесей в оксидах редкоземельных элементов
  • GOST 23862.2-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Прямой спектральный метод определения примесей в оксидах редкоземельных элементов
  • GOST 23862.7-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Химико-спектральные методы определения примесей в оксидах редкоземельных элементов
  • GOST 23862.0-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Общие требования к методам анализа
  • GOST 26318.8-1984 Неметаллические рудные материалы. Радиометрический метод определения массовой доли оксида калия
  • GOST 23862.6-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Методы определения натрия, калия и кальция
  • GOST 23862.11-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Химико-спектральный метод определения примесей ванадия, железа, кобальта, марганца, меди, никеля
  • GOST 30550-1998 Металлик из порошков. Определение содержания нерастворимых в кислоте порошков железа, меди, олова и бронзы.
  • GOST 23862.4-1979 Редкоземельные металлы и их оксиды. Спектральный метод определения ванадия, железа, кобальта, кремния, марганца, меди, никеля, свинца, титана, хрома.

U.S. Military Regulations and Norms, Псевдоемкость оксидов металлов

Association Francaise de Normalisation, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NF EN 24501:1994 Твердые металлы - Определение титана - Пероксидный фотометрический метод.
  • NF A91-110:2004 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • NF A91-110*NF EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • NF A91-110:1995 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 9: Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения.
  • NF C65-101/A1:2006 Ограничители перенапряжения. Часть 4: Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NF S91-141:1997 Биоразлагаемость металлических сплавов, используемых в стоматологии - Стандартизация электрохимических испытаний
  • NF C65-101/A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4: Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • NF C65-101:2005 Ограничители перенапряжения. Часть 4: Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NF S91-141:1990 БИОРАЗЛАГАЕМОСТЬ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИХ СПЛАВОВ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ.
  • NF A05-106*NF EN ISO 6988:1995 Металлические и другие неорганические покрытия. Испытание на диоксид серы с общей конденсацией влаги.

ECIA - Electronic Components Industry Association, Псевдоемкость оксидов металлов

  • 377-1970 Металлизированные диэлектрические конденсаторы в металлических и неметаллических корпусах для постоянного тока (ANSI C83.62-71)
  • 377-1-1972 «Дополнение к списку деталей к RS-377@» «Металлизованные диэлектрические конденсаторы в металлических и неметаллических корпусах для приложений постоянного тока»»»
  • 495-A-1990 Пленочные диэлектрические конденсаторы с металлизированными бумажными электродами для переменного тока
  • 495-A-1989 Пленочные диэлектрические конденсаторы с металлизированными бумажными электродами для переменного тока

Professional Standard - Electricity, Псевдоемкость оксидов металлов

  • DL/T 804-2002 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 804-2014 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 815-2012 Металлооксидные ограничители перенапряжения для линий электропередачи переменного тока
  • DL/T 815-2002 Металлооксидные разрядники для линий электропередачи переменного тока
  • DL/T 1294-2013 Руководство по применению металлооксидных разрядников-разъединителей для систем переменного тока
  • DL/T 1432.3-2016 Спецификация испытаний устройства оперативного контроля трансформаторного оборудования. Часть 3. Устройство оперативного контроля изоляции емкостного оборудования и металлооксидного ограничителя перенапряжения.
  • DL/T 1498.3-2016 Техническая спецификация на устройство оперативного контроля трансформаторного оборудования. Часть 3. Устройство оперативного контроля изоляции емкостного оборудования и металлооксидных ограничителей перенапряжения.

International Telecommunication Union (ITU), Псевдоемкость оксидов металлов

  • ITU-T K.77-2009 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок 5-я Исследовательская комиссия
  • ITU-T K.77 CORR 1-2011 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок Исправление 1

BE-NBN, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NBN-EN 24501-1994 Твердые металлы. Определение титана. Фотометрический пероксидный метод (ISO 4501:1978)

Danish Standards Foundation, Псевдоемкость оксидов металлов

  • DS/EN ISO 1463:2004 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • DS/ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод.
  • DS/ISO 1463:1983 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод
  • DS/EN 60099-4/A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • DS/EN 60099-4/A1:2007 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • DS/EN 60099-4:2005 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • DS/EN ISO 21068-3:2008 Химический анализ карбидокремнистосодержащего сырья и огнеупорных изделий. Часть 3. Определение азота, кислорода, металлических и оксидных составляющих.
  • DS/EN 61643-331:2007 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • DS/EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021).

Professional Standard - Hydroelectric Power, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SD 176-1986 Технические условия на металлооксидные разрядники электросетей переменного тока напряжением 3–500 кВ.
  • SD 177-1986 Руководство по использованию металлооксидных разрядников в энергосистемах переменного тока напряжением 3–500 кВ.

Professional Standard - Railway, Псевдоемкость оксидов металлов

  • TB/T 1844-1987 Технические характеристики беззазорных разрядников из оксида металла для электрифицированных железных дорог переменного тока напряжением 25 кВ

YU-JUS, Псевдоемкость оксидов металлов

  • JUS C.A6.031-1990 Металл11с и оксидные покрытия. измерение толщины покрытия. Гикроскопический метод
  • JUS C.T7.228-1984 Анодное окисление а/алюминия и аллолов алюминия. Измерение толщины оксидных покрытий. Вихретоковый метод

European Committee for Standardization (CEN), Псевдоемкость оксидов металлов

  • EN ISO 1463:1994 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463: 1982).
  • EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)
  • EN ISO 1463:2004 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2003).

German Institute for Standardization, Псевдоемкость оксидов металлов

  • DIN EN ISO 1463:2004 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2003); Немецкая версия EN ISO 1463:2004.
  • DIN EN 60099-4:2010 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока (IEC 60099-4:2004, измененный + A1:2006 + A2:2009); Немецкая версия EN 60099-4:2004 + A1:2006 + A2:2009
  • DIN EN 61643-331:2004 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV) (IEC 61643-331:2003); Немецкая версия EN 61643-331:2003.
  • DIN 50938:2018 Чернооксидные покрытия на деталях из черных металлов. Требования и методы испытаний
  • DIN 50938:2018-01 Чернооксидные покрытия на деталях из черных металлов. Требования и методы испытаний

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Псевдоемкость оксидов металлов

  • JIS C 8708:1997 Герметичные никель-металлогидридные перезаряжаемые одиночные элементы
  • JIS C 8708:2004 Герметичные никель-металлогидридные перезаряжаемые одиночные элементы

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Псевдоемкость оксидов металлов

  • CNS 8104-1981 Метод измерения линейного порогового напряжения MOSFET
  • CNS 8106-1981 Метод измерения порогового напряжения насыщения MOSFET

PH-BPS, Псевдоемкость оксидов металлов

  • PNS ISO/TS 18827:2021 Нанотехнологии - Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

ZA-SANS, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SANS 60099-4:2007 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NRS 039-2-1999 Ограничители перенапряжения для использования в распределительных системах. Часть 2. Класс распределения, металлооксидные разрядники без зазоров.
  • NRS 039-1-1999 Ограничители перенапряжения для использования в распределительных системах. Часть 1. Руководство по применению беззазорных металлооксидных ограничителей перенапряжения.

International Electrotechnical Commission (IEC), Псевдоемкость оксидов металлов

  • IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:1998 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2004 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 61643-331:2003 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • IEC 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
  • IEC 60099-4:2004/AMD2:2009 Поправка 2. Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 62848-1:2016 Применение на железнодорожном транспорте. Ограничители перенапряжения постоянного тока и устройства ограничения напряжения. Часть 1. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров.

KR-KS, Псевдоемкость оксидов металлов

  • KS C IEC 60099-4-2021 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 60099-4-2019 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 61643-331-A-2014 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C ISO TS 18827-2021 Нанотехнологии — Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

IT-UNI, Псевдоемкость оксидов металлов

  • UNI 6404-1969 P Химическая и электрохимическая обработка поверхности. Измерение локальной толщины металлических отложений и оксидных слоев, заменяющее UNI 4237. микроскопический метод

Standard Association of Australia (SAA), Псевдоемкость оксидов металлов

  • AS 1307.2:1996 Ограничители перенапряжения - Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • AS 1307.2:1996(R2015)

US-FCR, Псевдоемкость оксидов металлов

  • FCR DOE-STD-3013-96-1996 КРИТЕРИИ ПОДГОТОВКИ И УПАКОВКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО И ОКСИДОВ ПЛУТОНИЯ ДЛЯ ДОЛГОВРЕМЕННОГО ХРАНЕНИЯ

PL-PKN, Псевдоемкость оксидов металлов

  • PN-EN ISO 1463-2021-10 E Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Псевдоемкость оксидов металлов

  • DB36/T 688-2012 Химический анализ оксидов иттрия и их металлов. Определение состава пятнадцати оксидов редкоземельных элементов. Эмиссионная спектрометрия с индуктивно связанной плазмой.

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Псевдоемкость оксидов металлов

  • EN 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Псевдоемкость оксидов металлов

  • EN 60099-4:1993 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока
  • EN 131200:2002 Спецификация по разделу: Фиксированные конденсаторы с металлизированными электродами и полипропиленовым диэлектриком.
  • EN 131201:2002 Бланковая детальная спецификация: фиксированные конденсаторы с металлизированными электродами и полипропиленовым диэлектриком.

AENOR, Псевдоемкость оксидов металлов

  • UNE-EN 61643-331:2004 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • UNE-EN ISO 1463:2005 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2003).

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NEMA C78.387-1987 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЛАМПЫ - МЕТАЛЛОГАЛИДНЫЕ ЛАМПЫ - МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК

NL-NEN, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NEN 10099-4-1993 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока (IEC 99-4:1991).

Lithuanian Standards Office , Псевдоемкость оксидов металлов

  • LST EN ISO 1463:2004 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2003).
  • LST EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)
  • LST EN 60099-4-2004/A1-2006 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока (IEC 60099-4:2004/A1:2006)
  • LST EN 60099-4-2004/A2-2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока (IEC 60099-4:2004/A2:2009).

AT-ON, Псевдоемкость оксидов металлов

  • OENORM EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)

CH-SNV, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SN EN ISO 1463:2021 Металлические и оксидные покрытия. Измерение толщины покрытия. Микроскопический метод (ISO 1463:2021)
  • VSM 34343-1974 Нормативы на конденсаторы металлизированные бумажные на напряжение постоянного и переменного тока до 314 Вар.

CZ-CSN, Псевдоемкость оксидов металлов

  • CSN 70 0641 Cast.3-1976 Химический анализ стекла. Определение оксидов щелочных металлов. Пламенно-фотометрический метод (с использованием синтетических растворов)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Псевдоемкость оксидов металлов

  • JEDEC JEP184-2021 Руководство по оценке температурной нестабильности смещения карбидокремниевых устройств металл-оксид-полупроводник для силового электронного преобразования

NO-SN, Псевдоемкость оксидов металлов

  • NS 1181-1979 Металлическое и оксидное покрытие. Измерение толщины путем микроскопического исследования поперечного сечения.

RO-ASRO, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SR 7043/1-1993 Неметаллические (неорганические) покрытия. Анодно-оксидные покрытия на алюминии и алюминиевых сплавах. Технические требования к качеству

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, Псевдоемкость оксидов металлов

  • PREN 3796-1997 Метод испытания анаэробных полимеризующихся соединений аэрокосмической серии. Определение способности анаэробных полимеризующихся соединений к схватыванию на металлических поверхностях (издание P1)

SE-SIS, Псевдоемкость оксидов металлов

  • SIS SMS 2953-1971 Измерение толщины металлических и оксидных покрытий путем микроскопического исследования поперечных сечений.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.