ZH

EN

KR

JP

ES

DE

Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

Псевдоемкостные свойства оксидов металлов, Всего: 149 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Псевдоемкостные свойства оксидов металлов, являются: Электрические аксессуары, Резисторы, Клапаны, Физика. Химия, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые приборы, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Цветные металлы, Радиосвязь.


American Society for Testing and Materials (ASTM), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • ASTM F1153-92(1997) Стандартный метод испытаний для определения характеристик структур металл-оксид-кремний (МОП) путем измерения напряжения-емкости
  • ASTM F996-11 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
  • ASTM F996-98 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
  • ASTM F996-98(2003) Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик
  • ASTM F996-10 Стандартный метод испытаний для разделения сдвига порогового напряжения МОП-транзистора, индуцированного ионизирующим излучением, на компоненты из-за захваченных оксидом отверстий и состояний интерфейса с использованием подпороговых вольт-амперных характеристик

SCC, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • ITU-T K.77-2019 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок
  • BS PD ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии. Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами
  • BS PD IEC TS 62607-8-1:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления: металлооксидные интерфейсные устройства с нанотехнологиями. Метод контроля дефектных состояний термостимулированным током
  • DANSK DS/EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331. Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).
  • CEI EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).
  • DIN EN 61643-331 E:2018 Проект документа. Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV) (IEC 37B/160/FDIS:2017); Немецкая версия FprEN 61643-331:2017

International Telecommunication Union (ITU), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • ITU-T K.77-2009 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок 5-я Исследовательская комиссия
  • ITU-T K.77 CORR 1-2011 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок Исправление 1
  • ITU-T K.77 AMD 1-2013 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок. Поправка 1: Новое Приложение III – Определение характеристик термически защищенных MOV с использованием стресс-тестов переменного тока (Исследовательская группа 5)

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • NEMA C78.387-1987 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЛАМПЫ - МЕТАЛЛОГАЛИДНЫЕ ЛАМПЫ - МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • KS C 4808-2011(2016) Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без зазоров для распределительной линии
  • KS C ISO TS 18827:2021 Нанотехнологии — Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

U.S. Military Regulations and Norms, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ВОРОТ
  • ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ВОРОТ
  • ARMY MIL-M-63324 A-1981 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ВОРОТ
  • ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, НЕ ВОРОТ
  • ARMY MIL-I-48331 A NOTICE 2-1997 ИНТЕГРАЛЬНЫЙ, ЦИФРОВОЙ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ВРЕМЯ И СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ, КРЕМНИевый
  • ARMY MIL-I-48331 A VALID NOTICE 1-1988 ИНТЕГРАЛЬНЫЙ, ЦИФРОВОЙ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ВРЕМЯ И СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ, КРЕМНИевый
  • ARMY MIL-I-48331 A (2)-1982 ИНТЕГРАЛЬНЫЙ, ЦИФРОВОЙ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ВРЕМЯ И СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ, КРЕМНИевый
  • ARMY MIL-I-48331 A-1979 ИНТЕГРАЛЬНЫЙ, ЦИФРОВОЙ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ВРЕМЯ И СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ, КРЕМНИевый

Group Standards of the People's Republic of China, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • T/CECA 27-2017 Общие технические условия на металлооксидные варисторы с характеристиками надежности

British Standards Institution (BSI), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • BS PD IEC TS 62607-8-2:2021 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Нанотехнологические интерфейсные устройства с металлооксидами. Метод испытания поляризационных свойств током термостимулированной деполяризации
  • PD IEC TS 62607-8-3:2023 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Нанотехнологические интерфейсные устройства с металлооксидами. Аналоговое изменение и колебания сопротивления: измерение электрического сопротивления
  • PD IEC/TS 62607-8-3:2023 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Нанотехнологические интерфейсные устройства с металлооксидами. Аналоговое изменение и колебания сопротивления: измерение электрического сопротивления
  • PD ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии. Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами
  • PD IEC TS 62607-8-1:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Нанотехнологические интерфейсные устройства с металлооксидами. Метод контроля дефектных состояний термостимулированным током
  • BS EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV)
  • BS EN IEC 61643-331:2018 Компоненты устройств защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).
  • 18/30383392 DC БС ЕН 61643-331 Ред.3.0. Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Требования к эксплуатации и методы испытаний металлооксидных варисторов (МОВ)

Defense Logistics Agency, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, КМОП, ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЙ ФИЛЬТР С ДВОЙНЫМ КОНДЕНСАТОРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85133-1986 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВОЙ HMOS 80-БИТНЫЙ ЦИФРОВОЙ ПРОЦЕССОР, РАСШИРЕНИЕ МОНОЛИТНОГО КРЕМНИЯ
  • DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 МИКРОСХЕМЫ, 32-БИТНЫЙ ЦИФРОВОЙ МИКРОПРОЦЕССОР, CHMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97528-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97571-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАБОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 8-БИТНАЯ, СОВМЕСТИМАЯ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ, АЦП С ОТСЛЕЖИВАНИЕМ/Удержанием, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, СОВМЕСТИМАЯ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ, ДВОЙНЫЕ 12-БИТЫЕ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР НА 3,3 В И РЕГИСТР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЗАРЕГИСТРИРОВАННАЯ 32К Х 8-БИТ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ С РАЗРЕШЕНИЕМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ТРИГГЕР N И ШМИТТА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ ТРИ ВХОДА NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-НЕ-ЗАБОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, МОЩНЫЙ МОП-транзистор, ДВУХКАНАЛЬНЫЙ, ОПТОПАРА
  • DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ГЕНЕРАТОР ЧЕТНОСТИ/ЧЕТНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, 3,3 В, С ЭКВИВАЛЕНТНЫМИ ВЫХОДНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ А-ПОРТА 22 ОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16-БИТНЫЙ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ТРИГГЕР N И ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ВЕРСИЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94754 REV E-2004 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ОДНОВРЕМЕННО ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, (RAD HARD), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ D-ТРИФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ДВОЙНЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ФРОНТОМ, С ОЧИСТКОЙ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ГЕНЕРАТОР ПРОГНОЗНОГО ПРОИЗВОДСТВА ДЛЯ СЧЕТЧИКОВ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНАЯ ЗАЩЕЛКА SR, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96761-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 1-8-линейный тактовый драйвер, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ГЕНЕРАЦИИ СИНХРОНИЗАЦИИ И СОСТОЯНИЯ ОЖИДАНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С РЕЗИСТОРАМИ СЕРИИ 25 ОМЕГА И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВОЙ, 8-БИТНЫЙ CHMOS МИКРОКОНТРОЛЛЕР С 8 КБ EPROM ПАМЯТЬЮ, МОНЛИТИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНОЙ ТРИГГЕР N И ШМИТТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР НА 3,3 В С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ N-КАНАЛЬНАЯ МОП 8-БИТНАЯ МИКРОКОМПЬЮТЕР С 32 КБИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С 3-х СОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90976-1992 МИКРОсхема, CHMOS ОДНОЧИСТИТЕЛЬНЫЙ, 8-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР С 256 БАЙТАМИ ВСТРОЕННОЙ ОЗУ ДАННЫХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 8К Х 8-БИТНАЯ РЕГИСТРАЦИЯ ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, 8-битный КМОП ЦАП С ВЫХОДНЫМ УСИЛИТЕЛЕМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ BICMOS, 3,3 В ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В ВОСЬМИРИЧЕСКОГО ТИПА D-ТИПА С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ, С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CHMOS ОДНОЧИП, 8-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР С 32 КБ EPROM ПРОГРАММНОЙ ПАМЯТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-битный D-триггер, срабатывание по положительному фронту, с трехсостоятельными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-битный D-триггер, с триггером по положительному фронту, с тремя состояниями, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК ПОВЫШАЮЩЕГО/ВНИЗУЮЩЕГО, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 9-БИТНЫЙ ГЕНЕРАТОР ЧЕТНОСТИ/ЧЕТНОСТИ/ПРОВЕРКА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТРАНСИВЕР ЧЕТНОСТИ 8-9-БИТ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96747-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВЫБОР ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 8-БИТНОЙ ДВУНАПРАВЛЕННОЙ ШИНОЙ ДАННЫХ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ SPDT, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, СИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный диагностический регистр с трехпозиционными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРЕДНАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТРИФЛОП С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-битный регистр сдвига с последовательным/параллельным выходом, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАДВИЖКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОИЧНО-ДЕКАДНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, АСИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ УНИВЕРСАЛЬНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 2-4-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА ПОВЕРХ/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ BCD-ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПОВЫШАЮЩЕГО/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 3,3 В, 16 БИТ, ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С УДЕРЖАНИЕМ ШИНЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ И TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ПОВЫШАЮЩИЙ/НИЖАЮЩИЙ BCD-ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ КРОМКОМ D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С РЕЗИСТОРОМ СЕРИИ 25 ОМЕГА И НЕИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С СЕРИЙНЫМ РЕЗИСТОРОМ 25 ОМ И ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94698-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ СКАНИРОВАНИЕ С 18-БИТНЫМ ПРИЕМОПРИВОДОМ И РЕГИСТРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

International Electrotechnical Commission (IEC), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • IEC TS 62607-8-2:2021 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 8-2. Нанотехнологические устройства на границе раздела металлов и оксидов. Метод испытания поляризационных свойств с помощью тока термостимулированной деполяризации.
  • IEC TS 62607-8-3:2023 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 8-3. Устройства на границе раздела металлов и оксидов с нанотехнологиями. Изменение аналогового сопротивления и колебания сопротивления: измерение электрического сопротивления.
  • IEC TS 62607-8-1:2020 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 8-1. Нанотехнологические устройства на границе раздела металлов и оксидов. Метод испытания дефектных состояний термостимулированным током.
  • IEC 61643-331:2020 RLV Компоненты для защиты от перенапряжений низкого напряжения. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • GB/T 41917-2022 Нанотехнологии — Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.
  • GB/T 12690.16-2010 Методы химического анализа нередкоземельных примесей в редкоземельных металлах и оксидах. Часть 16. Определение содержания фтора. Ионно-селективный электродный анализ.

PH-BPS, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • PNS ISO/TS 18827:2021 Нанотехнологии - Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • IEEE Std C62.33-2016 Стандарт IEEE для методов испытаний и значений характеристик для компонентов защиты от перенапряжения металлооксидных варисторов
  • IEEE PC62.33/D6, September 2016 Утвержденный IEEE проект стандарта на методы испытаний и эксплуатационные характеристики металлооксидных варисторов для защиты от перенапряжений

International Organization for Standardization (ISO), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии - Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

KR-KS, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • KS C ISO TS 18827-2021 Нанотехнологии — Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

Association Francaise de Normalisation, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • NF EN IEC 61643-331:2020 Компоненты разрядников низкого напряжения. Часть 331: Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV)
  • NF C61-743-331*NF EN IEC 61643-331:2018 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • EN IEC 61643-331:2018 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV).

ES-UNE, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • UNE-EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331: Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV) (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в июне 2020 г.)

IEC - International Electrotechnical Commission, Псевдоемкостные свойства оксидов металлов

  • IEC 61643-331:2017 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Требования к рабочим характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV) (издание 2.0).




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.