ZH
EN
ES

эффект автоэмиссии

эффект автоэмиссии, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к эффект автоэмиссии, являются: Полупроводниковые приборы, Измерения радиации, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Клапаны, Акустика и акустические измерения, Аэрокосмические двигатели и двигательные установки, Геология. Метеорология. Гидрология, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Медицинские науки и учреждения здравоохранения в целом, Организация и управление компанией, Электрические дорожные транспортные средства, Аналитическая химия, Услуги, Бортовое оборудование и приборы, Защита окружающей среды, Механические конструкции электронного оборудования, Медицинское оборудование, Космические системы и операции, Электронные компоненты в целом, Аэрокосмическое электрооборудование и системы, Разработка программного обеспечения и системная документация, Электротехника в целом, Радиосвязь, Солнечная энергетика, Словари, Изоляционные материалы, Борьба с авариями и стихийными бедствиями, Оптоволоконная связь, Ювелирные изделия, Цветные металлы, Радиационная защита, Самолеты и космические аппараты в целом, Электромагнитная совместимость (ЭМС), Системы ветряных турбин и другие альтернативные источники энергии, Установки в зданиях, Неразрушающий контроль, Вибрация и шок по отношению к человеку, Условия и процедуры испытаний в целом, Дорожные транспортные средства в целом, Бытовые, коммерческие и промышленные отопительные приборы, Полупроводниковые материалы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Атомная энергетика, Качество воды, Сельское и лесное хозяйство, Добыча полезных ископаемых.

YU-JUS, эффект автоэмиссии

JUS N.R1.330-1979 иполярные транзисторы. Определения параметров рассеяния
JUS N.R1.353-1979 Буквенный символ полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.323-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.451-1982 Полевой транзистор. Общие принципы методов измерения
JUS N.N6.363-1978 Радиосвязь. Передатчики. Измерения, относящиеся к передатчикам и транспонерам для телевидения. Переходный процесс
JUS N.R1.391-1979 Бвполярные транзисторы. Основные номиналы и характеристики: силовые транзисторы
JUS N.N6.222-1985 Радиосвязь. Оборудование, используемое в ловушках/льдах. Оборудование, использующее выбросы A3E, F3E или G3E. Методы измерения. Радиационный полигон (30 м)
JUS N.N6.234-1985 Радиосвязь. Оборудование, используемое в услугах mobi/e. Приемники, использующие излучение A3E, F3E или G3E. Методы измерения. Интермодуляционная реакция
JUS N.N6.081-1977 Радиоприемники для различных систем УФ излучения. Радк>-частотные измерения на приемниках амплитудно-модулированных излучений. Радиочастотная избирательность
JUS N.N6.224-1985 Радиосвязь. Оборудование, используемое в мобильной связи. Оборудование, использующее выбросы A3E, F3E или G3E. Методы измерения. Радиационный испытательный полигон для измерений выше 100 МГц

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, эффект автоэмиссии

GJB 9709-2020 Требования к интерфейсу между системами космических приложений и системами стартовой площадки
GJB 5216A-2017 Порядок испытаний и запуска космодрома пилотируемых космических кораблей
GJB 4233A-2011 Правила технической безопасности испытаний и запусков на космодроме
GJB 8975-2017 Требования к мониторингу электрических полей атмосферы на космодромах
GJB 3643-1999 Методы дистанционного аварийного радиационного контроля
GJB 9730-2020 Спецификация детекторов радиационного воздействия частиц
GJB 7235-2011 Требования к программе репетиций в стартовом комплексе космических аппаратов
GJB 8974-2017 Руководство по проектированию безопасности площадки космического старта
GJB 5214.15-2003 Методы испытаний на воздействие специальных боеприпасов. Часть 15. Испытание дымовых шашек на эффект дымовой завесы.
GJB 8670.15-2015 Методы испытаний на воздействие специальных боеприпасов. Часть 15. Испытание дымовых шашек на эффект дымовой завесы.
GJB 1752-1993 Требования к системе внешнего аварийного радиационного контроля
GJB 4402A-2011 Требования к проверке и техническому обслуживанию оборудования стартового комплекса космических аппаратов
GJB 9869-2020 Технические условия на проектирование системы воздухоснабжения космодрома
GJB 4115-2000 Требования к подготовке плана обучения для запуска спутников
GJB 4402-2002 Требования к осмотру и техническому обслуживанию оборудования космодрома
GJB 8976-2017 Совместные операционные процедуры космической космодрома Star-Arrow
GJB 7335-2011 Критерий слива традиционных топлив в стартовом комплексе космических аппаратов
GJB 7911-2012 Правила заправки традиционным топливом космодрома
GJB 7899-2012 Положение о мерах предосторожности и сигнализации при громе и молниях на аэрокосмическом космодроме
GJB 7910-2012 Правила заправки криогенным топливом космодрома
GJB 5848-2006 Методы обнаружения утечки топлива спутника на космодроме
GJB 6762-2009 Критерий слива криогенного топлива в стартовом комплексе космических аппаратов
GJB 1474.3-1992 Правила использования топлива на космодроме - жидкий водород
GJB 1474.4-1992 Правила использования топлива для космодромов гелий
GJB 7062-2010 Общие технические условия на систему передачи испытательных спутниковых сигналов в космодроме
GJB 8670.8-2015 Метод испытания на воздействие специальных боеприпасов. Часть 8. Испытание на эффект поджога бомбы. Метод стрельбы боевыми патронами.
GJB 7348-2011 Требование плана чрезвычайных мер для стартовой кампании
GJB 6900-2009 Правила безопасного применения традиционной системы заправки космодрома
GJB 7344-2011 Правила применения безопасности системы обслуживания башни космодрома
GJB 7894-2012 Требования к сбою обработки в испытательной миссии на космодроме
GJB 4996A-2017 Требования к интерфейсу системы пилотируемого космического корабля и космодрома
GJB 4233-2001 Правила технической безопасности для стартовых площадок ракет (ракет) и спутников.
GJB 4020A-2015 Технические требования к системе космонавта для системы стартовой площадки
GJB 1474.1-1992 Правила использования топлива на космодроме безводный гидразин
GJB 3754-1999 Критерии наземного контроля безопасности космодромов
GJB 10146-2021 Нормы строительства объектов охраны окружающей среды на космодромах
GJB 6763-2009 Критерий безопасности криогенной ракетной системы на космодроме
GJB 7900-2012 Метод проверки герметичности системы заправки на космодроме
GJB 7061-2010 Требования к интерфейсу между системой стартовой площадки и спутниковой системой
GJB 9593-2019 Порядок установки сервисной башни космодрома
GJB 1474.2-1992 Правила применения топлива на космодроме: диметилгидразин
GJB 4020-2000 Технические требования к системам космонавтов на системах стартовой площадки
GJB/Z 41.4-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, полевой транзистор со спектром
GJB 7350-2011 Метод испытаний воздействия импульсного γ-излучения на изделия военной электроники
GJB 9397-2018 Метод испытаний на воздействие нейтронного излучения военных электронных компонентов
GJB 7337-2011 Код для передачи информации между ракетой-носителем, космическим кораблем и космодромом
GJB 7909-2012 Требования к использованию и техническому обслуживанию обычного заправочного оборудования космодрома
GJB 5219-2004 Требования к испытаниям газовых примесей нефти, используемых при испытаниях на космодроме
GJB 10154-2021 Технические условия на системы заземления наземных объектов космодромов
GJB 33/24-2021 Подробные характеристики кремниевого полевого микроволнового импульсного силового транзистора CS0406-10
GJB 33/25-2021 Подробные характеристики кремниевого полевого микроволнового импульсного силового транзистора CS0406-350
GJB 9091-2013 Правила проведения испытаний на герметичность герметичности обычных жидкостных ракет-носителей на космодроме
GJB 4033-2000 Технические требования к стартовым площадкам стратегических ракет и ракет-носителей
GJB 9080-2017 Правила безопасности систем подачи кислорода пилотируемых космических кораблей на космодромах
GJB 9711-2020 Руководство по безопасному использованию испытательных шахт стратегических ракет
GJB 5814-2006 Метод испытания эффекта повышения дозы рентгеновского излучения для военных электронных устройств
GJB 9592-2019 Порядок работ по монтажу объектов комплекса сборки и испытаний космодрома
GJB 5214.12-2003 Метод испытания на воздействие специальных боеприпасов. Часть 12. Фотографический метод измерения эффективной ширины дымовой завесы и эффективной высоты дымовой завесы дымовых снарядов
GJB 8670.11-2015 Метод испытания на воздействие специальных боеприпасов. Часть 11. Фотографический метод определения эффективной ширины дымовой завесы и эффективной высоты дымовой завесы дымовых снарядов
GJB 2678-1996 Метод испытания работоспособности передающей подсистемы РЛС, характеристики нагрузки, энергоэффективность

IET - Institution of Engineering and Technology, эффект автоэмиссии

RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 Методы радиочастотного и микроволнового моделирования и измерения полевых транзисторов
MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 СВЧ полевые транзисторы: теория, конструкция и применение

American Institute of Aeronautics and Astronautics (AIAA), эффект автоэмиссии

AIAA R-099-2001 Рекомендуемая практика интеграции космического запуска

Defense Logistics Agency, эффект автоэмиссии

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДНОСОБЫТНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7405, 2N7406, 2N7407 И 2N7408, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, ПОЛЕВЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, N-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), ТИПЫ 2N7472U2, 2N7473U2 И 2N7474U2, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7403 И 2N7404, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и однократное воздействие), кремниевый P-канальный транзистор типа 2N7438 и 2N7439 JANSD и JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и одиночное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типы 2N7497T2, 2N7498T2 и 2N7499T2, JANTXVR и JANSR
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7292, 2N7294, 2N7296 И 2N7298, JANTXVM, D, R, H И JANSM, D И R
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИП 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, Р-КАНАЛЬНЫЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7506U8 И 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С JFET-ВХОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИП 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR и JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7509, 2N7510 И 2N7511, JANTXVD, R И JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное событие), N-канальный кремниевый транзистор типов 2N7512, 2N7513 и 2N7514 JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное воздействие), кремниевый N-канальный транзистор, типы 2N7509, 2N7510 и 2N7511, JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7403 И 2N7404, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/753-2008 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
DLA MIL-PRF-19500/755-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7588T3, 2N7590T3, 2N7592T3 И 2N7594T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7523T1, 2N7523U2, 2N7524T1 И 2N7524U2, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 И 2N7550U2, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРНЫЙ МИКР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ, JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7624U3 И 2N7625T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковые устройства, полевые, радиационно-стойкие (общая доза и единичные эффекты) Транзисторный кристалл, N-канал и PC-канал, кремний, различные типы, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ P-КАНАЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N7519U3, 2N7519U3C, 2N7519T3, 2N7520U3, 2N7520U3C, 2N752 0T3, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7503U8 И 2N7503U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
DLA MIL-PRF-19500/746-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/758-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7609U8 И 2N7609U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7424U, 2N7425U, 2N7426U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7463T2, 2N7464T2, 2N7463U5 И 2N7464U5 JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7405, 2N7406, 2N7407 И 2N7408, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ЧЕТЫРЕХТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7518 И 2N7518U, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7503U8 И 2N7503U8C, JANTXVR, F, G И H И JANSR, F, G И H
DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7468U2 И 2N7469U2 JANTXVR, F, G И H И JANSR, F, G И H
DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7470T1 И 2N7471T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННЫЕ ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ ТИПА 2N7632UD, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7470T1 И 2N7471T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий (общая доза и единичное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типов 2N7494U5, 2N7495U5 и 2N7496U5, JANTXVR, F, G и H, и JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ, ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, N И P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7424, 2N7425 И 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7424, 2N7425 И 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7509, 2N7510 И 2N7511, JANTXVD, R И JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7465T3 И 2N7466T3 И СУФФИКСЫ U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7491T2, 2N7492T2 И 2N7493T2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7482T3, 2N7483T3 И 2N7484T3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7482T3, 2N7483T3 И 2N7484T3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7479U3, 2N7480U3, 2N7481U3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7491T2, 2N7492T2 И 2N7493T2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7494U5, 2N7495U5, 2N7496U5, JANTXVR, F, G, AND H, AND JANSR, F, G, AND H
DLA SMD-5962-89659-1990 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, БУФЕРНЫЙ ПОЛЕТОВЫЙ МОДЕЛЬ, ГИБРИДНАЯ
DLA MIL-PRF-19500/740 (1)-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ЧЕТЫРЕХТРАНЗИСТОРНЫЙ, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7521U, 2N7522U, 2N7525 И 2N7526, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA SMD-5962-01512-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, ДРАЙВЕР НА ПОЛЕВЫХ МОДУЛЯХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, СИЛЬНОТОЧНЫЙ ДРАЙВЕР НА ПОЛЕВЫХ ПИТАНИЯХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7616UB, 2N7616UBC, 2N7616UBN, 2N7616UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR , И ЯНСФ
DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7380 И 2N7381, JANTXV, M, D, R, F, G, H И JANS, M, D, R , Ф, Г и Ч
DLA MIL-PRF-19500/744 C-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7616UB, 2N7616UBC, 2N7616UBN, 2N7616UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR , И ЯНСФ
DLA MIL-PRF-19500/745 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR , И ЯНСФ
DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR , И ЯНСФ
DLA MIL-PRF-19500/745 D-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR , И ЯНСФ
DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ЧЕТЫРЕХТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7518 И 2N7518U, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, P-канал, кремниевые, тип 2N2608, JAN и UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, P-канал, кремниевые, тип 2N2609, JAN и UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N2609, ЯН И УБ
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N2608, ЯН И УБ
DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7389, 2N7390, 2N7389U, 2N7389U5 И 2N7390U, 2N7390U5, JANTXV, R, AND F И JANS, R, AND F
DLA MIL-PRF-19500/663 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7431, 2N7432 И 2N7433, JANTXVR, F, G и H; И ЯНСР, Ж, Г, И Ч
DLA MIL-PRF-19500/664 D-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7431U, 2N7432U И 2N7433U, JANTXVR, F, G и H; И ЯНСР, Ж, Г, И Ч
DLA MIL-PRF-19500/663 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7431, 2N7432 И 2N7433, JANTXVR, F, G и H; И ЯНСР, Ж, Г, И Ч
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 МИКРОСХЕМЫ, ГИБРИДНЫЕ, ЗАКАЗНЫЕ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, 600 ВОЛЬТ ИЛИ 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA SMD-5962-97637 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, БЫСТРЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ JFET МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-98515 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ДВОЙНЫМ JFET-ВХОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7507U3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, N-канальный, кремниевый, тип 2N7507U3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7505T3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7508U3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, P-канал, кремниевый, тип 2N7505T3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, P-канал, кремниевый, тип 2N7508U3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/615 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7382 И 2N7383, JANTXV M, D, R И F И JANS M, D, R и F
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, С ВХОДОМ ПОЛЕТОВОГО ПЕТЛЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 МИКРОСХЕМЫ, ГИБРИДНЫЕ, ЗАКАЗНЫЕ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, 600 ВОЛЬТ ИЛИ 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7291, 2N7293, 2N7295 И 2N7297, JANTXVM, D, AND R, И JANSM, D, AND R
DLA MIL-PRF-19500/662 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА), P-КАНАЛ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7422, 2N7422U, 2N7423 И 2N7423U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/605 D-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7292, 2N7294, 2N7296 И 2N7298, JANTXVM, D, R, H И JANSM, D И R

Illuminating Engineering Society of North America, эффект автоэмиссии

IESNA HB-9 CHAPTER 5-2000 Невизуальные эффекты оптического излучения

GB-REG, эффект автоэмиссии

REG 14 CFR PART 420-2012 ЛИЦЕНЗИЯ НА УПРАВЛЕНИЕ СТАРТОВОЙ ПЛОЩАДКОЙ
REG NASA-LLIS-0363--1994 Извлеченные уроки: деградация приемника космического корабля на стартовой площадке
REG NASA-LLIS-1713-2005 Извлеченные уроки: моделирование радиочастотной конфигурации стартовой площадки во время I&T

Professional Standard - Electron, эффект автоэмиссии

SJ 1974-1981 Детальная спецификация полевых транзисторов низкочастотных типа CS1
SJ 1975-1981 Детальная спецификация полевых транзисторов низкочастотных типа CS2
SJ 1976-1981 Детальная спецификация на полевые транзисторы низкочастотные типа CS3
SJ 1977-1981 Детальная спецификация на высокочастотные полевые транзисторы типа CS4
SJ 1978-1981 Подробная спецификация на высокочастотные полевые транзисторы типа CS5
SJ 1979-1981 Подробная спецификация на высокочастотные полевые транзисторы типа CS6
SJ 1980-1981 Подробная спецификация на высокочастотные полевые транзисторы типа CS7
SJ 1981-1981 Подробная спецификация на высокочастотные полевые транзисторы типа CS8
SJ 1982-1981 Детальная спецификация высокочастотных полевых транзисторов типа CS9
SJ 1990-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS20
SJ 1991-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS21
SJ 1992-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS22
SJ 1989-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов с N-канальной соединительной парой типа CS19
SJ 1986-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS13
SJ 1988-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS15.
SJ 1984-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS11.
SJ 1987-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS14.
SJ 1983-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS10.
SJ 1985-1981 Подробная спецификация низкочастотных малошумящих полевых транзисторов типа CS12.
SJ 1994-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS24
SJ 2002-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS32
SJ 2003-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS33
SJ 2001-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS31
SJ 1995-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS25
SJ 1997-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS27
SJ 1998-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS28
SJ 2000-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS30
SJ 2004-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS34
SJ 1993-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS23
SJ 1996-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS26
SJ 1999-1981 Подробная спецификация полевых транзисторов N-канальной соединительной пары типа CS29
SJ 20231-1993 Регулирование проверки тестера FET Yfs с двойным затвором KDK
SJ 20789-2000 Методы экспресс-проверки термочувствительного параметра полевого МОП-транзистора
SJ 2748-1987 Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов
SJ 20232-1993 Регулирование проверки тестера FET Gp с двойным затвором KDK
SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)
SJ 2099-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS42
SJ 2103-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS46
SJ 2104-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS47
SJ 2092-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS35
SJ 2093-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS36
SJ 2094-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS37
SJ 2095-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS38
SJ 2096-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS39
SJ 2097-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS40
SJ 2105-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS48
SJ 2106-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS49
SJ 2107-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS50
SJ 2108-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS51
SJ 20184-1992 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация полевых транзисторов типов CS3821,3822,3823
SJ 2100-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS43
SJ 2102-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS45
SJ 2098-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS41
SJ 2101-1982 Подробная спецификация полевых переключающих транзисторов малой мощности с N-канальным соединением типа CS44

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), эффект автоэмиссии

KS C 5202-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5202-2004 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C IEC 60747-8:2002 Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS C IEC 60747-8:2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS M 0032-2009 Общие правила эмиссионного спектрохимического анализа ICP

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, эффект автоэмиссии

JEDEC JEP69-B-1973 Предпочтительные конфигурации выводов полевых транзисторов
JEDEC JES2-1992 Транзистор, силовой полевой транзистор на основе арсенида галлия, общие характеристики

American Society for Testing and Materials (ASTM), эффект автоэмиссии

ASTM F526-97 Стандартный метод измерения дозы для использования в испытаниях на воздействие импульсного излучения линейного ускорителя
ASTM F526-16 Стандартный метод испытаний для использования калориметров для измерения полной дозы в импульсных линейных ускорителях или импульсных рентгеновских аппаратах
ASTM F526-97(2003) Стандартный метод измерения дозы для использования в испытаниях на воздействие импульсного излучения линейного ускорителя
ASTM F526-11 Стандартный метод измерения дозы для использования в испытаниях на воздействие импульсного излучения линейного ускорителя
ASTM E1361-90(1999) Стандартное руководство по коррекции межэлементных эффектов в рентгеноспектрометрическом анализе
ASTM E1361-02(2021) Стандартное руководство по коррекции межэлементных эффектов в рентгеноспектрометрическом анализе
ASTM E2983-14(2019) Стандартное руководство по применению акустической эмиссии для мониторинга состояния конструкций
ASTM F2174-02(2015) Стандартная практика проверки реакции датчика акустической эмиссии
ASTM F2174-02(2019) Стандартная практика проверки реакции датчика акустической эмиссии
ASTM F2174-02(2023) Стандартная практика проверки реакции датчика акустической эмиссии
ASTM E2983-14 Стандартное руководство по применению акустической эмиссии для мониторинга состояния конструкций
ASTM F1892-12(2018) Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-06 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-04 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-98 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов

Federal Aviation Administration (FAA), эффект автоэмиссии

FAA 14 CFR PART 420-2011 ЛИЦЕНЗИЯ НА УПРАВЛЕНИЕ СТАРТОВОЙ ПЛОЩАДКОЙ

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, эффект автоэмиссии

GB/T 37274-2018(英文版) Технические условия на составление карты безопасной зоны стрельбы на полигонах погодной модификации ракет
GB/T 15450-1995 Пустая подробная спецификация кремниевых полевых транзисторов с двойным выходом
GB/T 27781-2011 Методы и критерии полевых испытаний эффективности инсектицидов общественного здравоохранения. Распыляемая жидкость.
GB/T 6219-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
GB/T 15449-1995 Подробная спецификация Biank для полевых транзисторов для применения в режиме выборки
GB/T 4586-1994 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы
GB/T 28044-2011(英文版) Общее руководство по методу обнаружения биологического действия наноматериалов с помощью просвечивающего электронного микроскопа
GB/T 17680.11-2008 Критерии аварийного планирования и готовности атомных электростанций. Часть 11. Критерии проведения выездной радиологической оценки аварийного реагирования.
GB/T 17248.3-1999 Акустика. Шум, излучаемый машинами и оборудованием. Измерение уровней звукового давления на рабочем месте и в других установленных местах. Метод исследования на месте.
GB/T 10263.5-1988 Основные процедуры экологических испытаний детекторов радиации. Эффективное тестирование воздействия света.

Professional Standard - Aerospace, эффект автоэмиссии

QJ 2448-1993 Порядок пуска надводной (корабельной) воздушной ракеты
QJ 2617-1994 Спецификация приемки корпуса полевого СВЧ-транзистора (микроволнового полевого транзистора)
QJ 3281-2006 Метод обнаружения утечек топлива космических аппаратов на космодроме
QJ 2573-1993 Требования безопасности при заходе на посадку при летных испытаниях наземных (корабельных) воздушных ракет.
QJ 1520-1988 总体
QJ 1520A-1996 Технические требования к схемам тренировок на космодромах ракет, ракет-носителей и спутников

未注明发布机构, эффект автоэмиссии

GJB 7345-2011 Требования к предупреждающим знакам на стартовой площадке
GJB 2211-1994 Требования к защите и охране здоровья персонала на стартовых площадках (полях) стратегических ракет и спутников

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), эффект автоэмиссии

JIS C 7214:1978 Гарантированная надежность полевых транзисторов

British Standards Institution (BSI), эффект автоэмиссии

DD IEC/TS 62396-1:2006 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферного излучения. Учет воздействия атмосферного излучения посредством эффектов единичного события в электронном оборудовании авионики.
BS EN 62396-1:2016 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферного излучения. Учет воздействия атмосферного излучения посредством эффектов единичного события в электронном оборудовании авионики.
DD IEC/TS 62396-3:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Оптимизация конструкции системы с учетом единичных эффектов (SEE) атмосферной радиации.
DD IEC/PAS 62396-3:2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Оптимизация конструкции системы с учетом единичных эффектов (SEE) атмосферной радиации.
BS IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства - Полевые транзисторы
BS IEC 60747-8:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полевые транзисторы. Дополнительные номиналы и характеристики и поправки в методах измерения мощности коммутации полевых транзисторов.
BS EN 61828:2002 Ультразвук. Фокусирующие преобразователи. Определения и методы измерения передаваемых полей.
BS ISO 14620-2:2011 Космические системы. Требования безопасности. Запускаем работу сайта
BS ISO 14620-2:2019 Отслеживаемые изменения. Космические системы. Требования безопасности. Запускаем работу сайта
BS IEC 62396-1:2012 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Компенсация воздействия атмосферного излучения посредством единичных эффектов в электронном оборудовании авионики
BS DD IEC/TS 62396-1:2006 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Учет воздействия атмосферной радиации посредством эффектов единичных событий в электронном оборудовании авионики.
BS IEC 62396-1:2016 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Компенсация воздействия атмосферного излучения посредством единичных эффектов в электронном оборудовании авионики
BS QC 750114:1996 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы. Пустая подробная спецификация полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений
PD ISO/TR 17400:2021 Космические системы. Космические стартовые комплексы, площадки интеграции и другие объекты. Общие рекомендации по тестированию
BS EN 60544-1:2013 Электроизоляционные материалы. Определение воздействия ионизирующего излучения. Радиационное взаимодействие и дозиметрия
DD IEC/TS 62396-2:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Руководство по испытаниям на воздействие одиночного события для систем авионики
DD IEC/PAS 62396-2:2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Руководство по испытаниям на воздействие одиночного события для систем авионики
BS EN 61967-5:2003 Интегральные схемы. Измерение электромагнитного излучения в диапазоне от 150 кГц до 1 ГГц. Измерение кондуктивных излучений. Метод клетки Фарадея на рабочем месте.
BS DD ENV 50204:1996 Электромагнитное поле, излучаемое цифровыми радиотелефонами. Испытание на устойчивость
BS EN 60544-4:2003 Электроизоляционные материалы. Определение воздействия ионизирующего излучения. Система классификации эксплуатации в радиационных средах.
BS EN 16602-70-16:2021 Космическая инженерия. Клеевое соединение для космических кораблей и ракет-носителей.
BS IEC 62396-2:2017 Отслеживаемые изменения. Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Руководство по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики
DD IEC/TS 62396-5:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферного излучения. Рекомендации по оценке потоков и эффектов тепловых нейтронов в системах авионики
DD IEC/PAS 62396-5:2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферного излучения. Рекомендации по оценке потоков и эффектов тепловых нейтронов в системах авионики
BS EN 419:2019 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность
BS DD IEC/TS 62396-4:2009 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Рекомендации по проектированию высоковольтной авиационной электроники и потенциальные единичные эффекты
DD IEC/TS 62396-4:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Рекомендации по проектированию высоковольтной авиационной электроники и потенциальные единичные эффекты.
DD IEC/PAS 62396-4:2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Рекомендации по проектированию высоковольтной авиационной электроники и потенциальные единичные эффекты.

Society of Automotive Engineers (SAE), эффект автоэмиссии

SAE AIR1813B-2013 Концепция Коанды/рефракции для подавления шума испытательной камеры газотурбинных двигателей
SAE ARINC629P2-2-1999 ШИНА ДАННЫХ С МНОГОПЕРЕДАТЧИКАМИ. ЧАСТЬ 2. РУКОВОДСТВО ПО ПРИМЕНЕНИЮ.
SAE AIR5060-1997 Руководство по проектированию электронного управления двигателем с учетом электромагнитных воздействий окружающей среды
SAE AIR5060A-2011 Руководство по проектированию электронного управления двигателем с учетом электромагнитных воздействий окружающей среды

Standard Association of Australia （SAA）, эффект автоэмиссии

IEC 62396-1:2016 RLV Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 1. Учет воздействия атмосферной радиации посредством эффектов единичных событий в электронном оборудовании авионики

CZ-CSN, эффект автоэмиссии

CSN 35 8803-1983 Полевые транзисторы. Электрический параметр. Методы измерения
CSN 40 4015-1974 Измерение выхода гаммаэмитов
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевой транзистор

European Standard for Electrical and Electronic Components, эффект автоэмиссии

EN 150012:1991 Пустая подробная спецификация: полевые транзисторы с одним затвором

PL-PKN, эффект автоэмиссии

PN T01505 ArkusZ06-1974 Полевые эффекты? Транзисторы Метод измерения Ga?? текущий Icdo
PN T01505 ArkusZ11-1974 Полевые датчики Метод измерения Разрушение источника стока yol?age U
PN T01505 ArkusZ01-1974 Полевой эффект? транзисторы Измерительный ме?ход Затвор-исток отсечка yol?aoe Ugs (Offi
PN T01505-19-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Коэффициент шума F и эквивалентное входное шумовое напряжение U?
PN T01501 ArkusZ4-1973 Полупроводниковые символы deyictj Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
PN T01505 ArkusZ10-1974 Полевые транзисторы Метод измерения напряжения пробоя Ga?e-источника U(8R) GSS
PN T01505 ArkusZ09-1974 Полевые транзисторы Метод измерения Напряжение пробоя сток-исток U(BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 Полевые транзисторы? Метод измерения по схеме Шорфа? общий источник проводимости inpof 9uss
PN T01505 ArkusZ14-1974 Полевой эффект? транзистор Метод измерения Переносная проводимость короткого замыкания с общим источником g,,?
PN T01505-17-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная емкость короткого замыкания с общим истоком C22SS
PN T01505 ArkusZ02-1974 Полевые транзисторы
PN T01505-16-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Входная емкость короткого замыкания с общим источником CnM

RU-GOST R, эффект автоэмиссии

GOST 17466-1980 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
GOST 20398.2-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения коэффициента шума
GOST 20398.3-1974 Полевые транзисторы. Метод измерения прямой крутизны
GOST 20398.6-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения тока утечки затвора
GOST 20398.11-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения входного шумового напряжения, эквивалентного короткому замыканию
GOST 20398.0-1983 Полевые транзисторы. Общие требования к измерению электрических параметров
GOST 20398.8-1974 Полевые транзисторы. Ток стока для метода измерения V(Gs)=0
GOST 20398.13-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения сопротивления источника стока
GOST 20398.12-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения остаточного тока стока
GOST 19095-1973 Полевые транзисторы. Термины, определения и символы параметров
GOST 20398.1-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения адмиттанса прямого переноса в короткозамкнутой цепи
GOST 20398.4-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения активной составляющей выходной проводимости
GOST 20398.7-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
GOST 27973.2-1988 Золото. Метод атомно-эмиссионного анализа с индуктивной плазмой
GOST 20398.14-1988 Полевые транзисторы. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления и эффективности стока
GOST 25645.214-1985 Радиационная безопасность космического экипажа во время космического полета. Модель генерализованного радиобиологического эффекта
GOST 20398.9-1980 Полевые транзисторы. Метод измерения импульсной прямой проводимости
GOST 20398.10-1980 Полевые транзисторы. Ток стока для импульсного метода измерения Vgs=0
GOST 28353.2-1989 Серебро. Метод атомно-эмиссионного анализа с индуктивной плазмой
GOST R 53081-2008 Вибрация. Оценка воздействия вибрации, передаваемой через руки, с использованием информации о вибрации, излучаемой машинами.
GOST 20398.5-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения входной передачи и выходной емкости

中国气象局, эффект автоэмиссии

QX/T 546-2020 Терминология радиационного воздействия космических энергетических частиц

Association Francaise de Normalisation, эффект автоэмиссии

NF EN 12543-4:1999 Неразрушающий контроль. Характеристики излучательных фокусов промышленных рентгеновских трубок, используемых при неразрушающем контроле. Часть 4. Метод краевого эффекта.
NF EN 50131-10:2014 Системы сигнализации. Системы сигнализации о проникновении и ограблении. Часть 10. Особые требования к применению передатчиков в контролируемых помещениях.
NF R12-615*NF ISO 6313:1988 Дорожные транспортные средства. Тормозные накладки. Влияние тепла на размеры и форму колодок дисковых тормозов. Тестовая процедура.
NF L90-200-70-16*NF EN 16602-70-16:2021 Космическая техника. Клеевое соединение для космических кораблей и ракет-носителей.
NF EN 16602-70-16:2021 Космическая техника — клеевое соединение для космических кораблей и ракет-носителей
NF C26-290-1*NF EN 60544-1:2014 Электроизоляционные материалы. Определение действия ионизирующего излучения. Часть 1. Взаимодействие излучения и дозиметрия.
NF EN 16603-10-12:2016 Космическая инженерия. Процесс расчета полученного излучения и его последствий, а также политика расчетных запасов.
NF E31-401*NF EN 419:2019 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность.

IEC - International Electrotechnical Commission, эффект автоэмиссии

TS 62396-1-2006 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 1. Учет воздействия атмосферной радиации посредством эффектов единичных событий в электронном оборудовании авионики (Редакция 1.0)
TS 62396-3-2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 3. Оптимизация конструкции системы для учета эффектов единичного события (SEE) атмосферной радиации (Редакция 1.0)
PAS 62396-3-2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 3. Оптимизация конструкции системы с учетом эффектов единичного события (SEE) атмосферной радиации (Редакция 1.0).
TS 62396-2-2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 2. Руководство по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики (издание 1.0).
PAS 62396-2-2007 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 2. Руководство по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики (издание 1.0).

International Electrotechnical Commission (IEC), эффект автоэмиссии

IEC 60747-8:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC TS 62396-1:2006 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 1. Учет воздействия атмосферной радиации посредством эффектов единичных событий в электронном оборудовании авионики.
IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
IEC 60747-8-3:1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Пустая подробная спецификация для корпусных полевых транзисторов для коммутационных приложений.
IEC TS 62396-3:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 3. Оптимизация конструкции системы для учета эффектов единичного события (SEE) атмосферной радиации.
IEC 60747-8-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 8: полевые транзисторы; раздел 2: пустая подробная спецификация полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:1984 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC TS 62396-2:2008 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферного излучения. Часть 2. Руководящие указания по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики.
IEC 62396-2:2017 Управление процессами для авионики. Воздействие атмосферной радиации. Часть 2. Руководящие указания по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики.
IEC 61452:1995 Ядерное приборостроение. Измерение интенсивности гамма-излучения радионуклидов. Калибровка и использование германиевых спектрометров.
IEC 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

Professional Standard - Radio Television Film, эффект автоэмиссии

GY 5069-2001 Стандарт для выборочной площадки передающей станции СВ и ЮЗ
GY 5068-2001 Стандарт для выборочной станции FM- и ТВ-передающей станции

ECMA - European Association for Standardizing Information and Communication Systems, эффект автоэмиссии

ECMA 172-1992 ПОРЯДОК ИЗМЕРЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ОТ УСТРОЙСТВ ОТ 5 ГЦ ДО 400 КГЦ

Professional Standard - Business, эффект автоэмиссии

SB/T 11065-2013 Спецификация по управлению аварийным снабжением рынка сельскохозяйственной продукции

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., эффект автоэмиссии

ASHRAE SF-98-28-2-1998 Некоторые эффекты ограничения струй в вентилируемых помещениях
ASHRAE 4247-1999 Влияние лучистого барьера на охлаждающую нагрузку жилого помещения в жарком и засушливом регионе: эффект чердачного канала

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

DB13/T 5695-2023 Метод испытания на эффект ловушки радиочастотного устройства GaN HEMT

Group Standards of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

T/CSAE 45-2015 Интенсивность излучения электромагнитного поля электромобилей (9 кГц-30 МГц)
T/APSIA 06-2021 Руководство по действиям в чрезвычайных ситуациях на парковке
T/CIAA 020-2023 Руководство по применению антимикробных средств для поверхностного распыления с быстродействующим действием и длительным действием в общественных местах и на объектах недвижимости.
T/SIOT 804-2020 Технические условия на разработку сценариев моделей приложений виртуальной реальности
T/CEEIA 342-2018 Процедура испытания защиты от островной защиты ветряной турбины
T/GZBZ 22-2022 Стандарты экстренного реагирования на объектах общественного обслуживания
T/XCFW TG04-011.13-2023
T/GXAS 348-2022 Технические условия на радиационно-экологический мониторинг места применения ядерного прибора
T/BSRS 090-2023 Техническая спецификация по оценке радиационного риска почвы на площадках разработки и утилизации сопутствующих радиоактивных шахт
T/CPQS E00039-2022 Технические требования к применению полнофункциональных кондиционеров для склада археологических находок
T/BSRS 087-2022 Технический регламент по расследованию радиоактивного загрязнения почв на участке разработки и использования сопутствующих радиоактивных рудников
T/CASAS 022-2022 Технические характеристики полевого транзистора на основе нитрида галлия, используемого в линейных оконечных устройствах и трехфазных счетчиках электроэнергии.
T/CASAS 007-2020 Спецификация испытаний карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов (MOSFET) модуля электромобилей
T/CSEE 0154-2020 Руководство по полевому применению метода радиочастотного обнаружения частичного разряда энергетического оборудования
T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник
T/CGA 026-2021 Метод акустической эмиссии бурового керна для измерения напряжений на месте горной массы золотых рудников

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., эффект автоэмиссии

IEEE C63.7-2015 Американское национальное стандартное руководство по строительству испытательных площадок для проведения измерений радиационных выбросов
IEEE 539-2005 Стандартные определения терминов, касающихся воздействия коронного разряда и полей воздушных линий электропередачи
IEEE 539-1990 Стандартные определения терминов, касающихся воздействия коронного разряда и полей воздушных линий электропередачи

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), эффект автоэмиссии

IEEE/ANSI C63.7-2015 Американское национальное стандартное руководство по строительству испытательных площадок для проведения измерений радиационных выбросов
ANSI/IEEE PC63.7/D rev17, December 2014 Американское национальное стандартное руководство по строительству испытательных площадок для проведения измерений радиационных выбросов
IEEE Std C63.18-2014 Рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте для оценки электромагнитной устойчивости медицинских устройств к радиочастотному (РЧ) излучению от радиочастотных передатчиков
IEEE Std C63.7-2015 Американское национальное стандартное руководство по строительству испытательных площадок для проведения измерений радиационных выбросов
IEEE 539-2020 Определения терминов, касающихся коронного разряда и воздействия полей воздушных линий электропередачи
IEEE Std C63.7-2005 Стандартное руководство по строительству испытательных площадок открытой площадки для проведения измерений радиационных выбросов
ANSI PC63.18/D6.9, April 2014 Американский национальный стандарт, рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте для оценки электромагнитной устойчивости медицинских устройств к радиочастотному (РЧ) излучению от радиочастотных передатчиков
IEEE/ANSI C63.18-2014 Американский национальный стандарт, рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте для оценки электромагнитной устойчивости медицинских устройств к радиочастотному (РЧ) излучению от радиочастотных передатчиков
ANSI C63.18-2014 Американский национальный стандарт, рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте для оценки электромагнитной устойчивости медицинских устройств к радиочастотному (РЧ) излучению от радиочастотных передатчиков

WRC - Welding Research Council, эффект автоэмиссии

BULLETIN 87-1963 КРИТИЧЕСКИЕ ФАКТОРЫ ПРИ ИНТЕРПРЕТАЦИИ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНСТРУКЦИОННЫХ МЕТАЛЛОВ КОММЕРЧЕСКИЕ ПОСЛЕДСТВИЯ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОЕКТИРОВАНИЕ КОРПУСА ДАВЛЕНИЯ РЕАКТОРА@ FABRICATI

American Nuclear Society (ANS), эффект автоэмиссии

ANS 3.8.6-1995 Критерии проведения выездной радиологической оценки аварийного реагирования на атомных электростанциях
ANS 3.8.5-1992 Критерии аварийного радиологического мониторинга, отбора проб и анализа полей
ANS 3.7.1-1995 Объекты и медицинская помощь при радиационных аварийных ситуациях на площадке АЭС

ANS - American Nuclear Society, эффект автоэмиссии

3.8.6-1995 Критерии проведения выездной радиологической оценки аварийного реагирования на атомных электростанциях
3.8.5-1992 Критерии аварийного радиологического мониторинга@ отбора проб@ и анализа
3.7.1-1995 Объекты и медицинская помощь при радиационных аварийных ситуациях на площадке АЭС

TH-TISI, эффект автоэмиссии

TIS 2124-2002 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел третий: пустая подробная спецификация для полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений.
TIS 2122-2002 Полупроводниковые приборы.дискретные устройства.часть 8: полевые транзисторы. раздел первый: пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
TIS 2121-2002 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства.часть 8: Полевые транзисторы.
TIS 2123-2002 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел второй: пустая подробная спецификация для полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом.

RO-ASRO, эффект автоэмиссии

STAS 12389-1985 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Предельные значения и номенклатура основных электрических параметров
STAS SR CEI 747-8-1993 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 8. Полевые транзисторы
STAS 12124/3-1983 Полупроводниковые приборы FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12124/4-1983 Полупроводниковые приборы ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 7128/8-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ. Символы полевых транзисторов.

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

JJG(电子) 04006-1987 Правила пробной проверки тестера параметров трубки с полевыми эффектами модели BJ2913
JJG(电子) 04049-1995 Правила проверки тестера CX с двойным затвором Guoyang
JJG(电子) 04046-1995 Правила поверки тестера параметров крутизны полевых транзисторов типа QC-13

American Gear Manufacturers Association, эффект автоэмиссии

AGMA 08FTM12-2008 Измерение напряжений в науглероженных шестернях методом нейтронной дифракции на месте

American National Standards Institute （ANSI), эффект автоэмиссии

ANSI/IEEE C63.18:2014 Рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте @ для оценки электромагнитной устойчивости медицинских устройств к радиочастотному (РЧ) излучению от радиочастотных передатчиков
ANSI/ASTM F2174:2002 Практика проверки реакции датчика акустической эмиссии
ANSI/SCTE 110-2011 Мониторинг состояния гибридного коаксиального кабеля за пределами установки: альтернативный источник питания для интерфейсной шины транспондера (PSTIB) для транспондеров HMS
ANSI/IEEE C63.18:1997 Рекомендуемая практика для специального метода испытаний на месте для оценки устойчивости медицинских устройств к излучающему электромагнитному излучению к конкретным радиочастотным передатчикам
ANSI/IEEE 539:2005 Стандартные определения терминов, касающихся воздействия коронного разряда и полей воздушных линий электропередачи

FI-SFS, эффект автоэмиссии

SFS 5519-1989 Защитная одежда. Защитное действие материалов от теплового излучения. оценка

International Organization for Standardization (ISO), эффект автоэмиссии

ISO 20892:2018 Космические системы. Процесс модернизации стартовых комплексов. Общие требования.
ISO 26870:2022 Космические системы. Эксплуатационная документация стартовой площадки и площадки интеграции
ISO 14620-2:2011 Космические системы. Требования безопасности. Часть 2. Эксплуатация космодрома.
ISO 14620-2:2000 Космические системы. Требования безопасности. Часть 2. Эксплуатация космодрома.
ISO 14620-2:2019 Космические системы. Требования безопасности. Часть 2. Эксплуатация космодрома
ISO 11202:1995 Акустика. Шум, излучаемый машинами и оборудованием. Измерение уровней звукового давления на рабочем месте и в других установленных местах. Метод исследования на месте.
ISO 14223-3:2018 Радиочастотная идентификация животных. Усовершенствованные транспондеры. Часть 3. Приложения.

中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会, эффект автоэмиссии

GBZ/T 163-2017 Стандарты медицинского наблюдения при отдаленных последствиях острой лучевой болезни от профессионального внешнего облучения

SAE - SAE International, эффект автоэмиссии

SAE ARP1795A-1984 СТРЕСС-КОРРОЗИЯ/ТИТАНОВЫЕ СПЛАВЫ ВЛИЯЮТ МОЮЩИЕ СРЕДСТВ НА МАТЕРИАЛЫ АВИАЦИОННЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ
SAE AIR6219-2018 Разработка анализа эффектов единичных событий атмосферных нейтронов для использования в оценках безопасности

U.S. Military Regulations and Norms, эффект автоэмиссии

ARMY MIL-T-49303 NOTICE 1-1996 КОМПЛЕКТ ТРАНСПОНДЕРА АН/ППН-19(В)
ARMY MIL-T-49303 (1)-1988 КОМПЛЕКТ ТРАНСПОНДЕРА АН/ППН-19(В)
ARMY MIL-T-49303-1988 КОМПЛЕКТ ТРАНСПОНДЕРА АН/ППН-19(В)

United States Navy, эффект автоэмиссии

NAVY MIL-T-85138 VALID NOTICE 1-1987 ПЕРЕДАТЧИК, ИМПУЛЬСНО-КОДОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ (ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ ЗАЩИТНОЙ ТЕЛЕМЕТРИИ)
NAVY MIL-T-85138-1979 ПЕРЕДАТЧИК, ИМПУЛЬСНО-КОДОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ (ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ ЗАЩИТНОЙ ТЕЛЕМЕТРИИ)

Professional Standard - Energy, эффект автоэмиссии

NB/T 32014-2013 Код тестирования на защиту от изолирования фотоэлектрической электростанции
NB/T 32010-2013 Код испытания на защиту от изолирования инвертора фотоэлектрической электростанции, подключенной к сети

National Fire Protection Association (NFPA), эффект автоэмиссии

NFPA 1410-2005 Стандарт подготовки к начальным действиям на месте чрезвычайной ситуации. Дата вступления в силу: 7 февраля 2005 г.
NFPA 1410-2015 Стандарт подготовки к начальным действиям на месте ЧС (дата вступления в силу: 01.12.2014)
NFPA 610-2014 Руководство по действиям в чрезвычайных ситуациях и по обеспечению безопасности на объектах автоспорта (дата вступления в силу: 17.06.2013)
NFPA 1002-2014 Руководство по действиям в чрезвычайных ситуациях и по обеспечению безопасности на объектах автоспорта (дата вступления в силу: 17.06.2013)
NFPA 610-2009 Руководство по действиям в чрезвычайных ситуациях и по обеспечению безопасности на объектах автоспорта. Дата вступления в силу: 18 июля 2008 г.

KR-KS, эффект автоэмиссии

KS C IEC 60747-8-2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS I ISO 11348-2-2009 Качество воды – Определение ингибирующего действия проб воды на световое излучение vibrio fischeri (тест на люминесцентные бактерии) – Часть 2: метод с использованием высушенных в жидкости бактерий.

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, эффект автоэмиссии

ITU-R P.526-1-1982 Распространение за счет дифракции. Раздел 5B. Влияние земли (включая распространение земной волны).
REPORT BT.2142-2009 Эффект рассеяния сигналов цифрового телевидения от ветряной турбины

Professional Standard - Petrochemical Industry, эффект автоэмиссии

SH/T 0686-1999 Стандартный метод испытаний для использования рефрактометра для определения температуры замерзания водных охлаждающих жидкостей двигателей в полевых испытаниях.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, эффект автоэмиссии

GB/T 38801-2020 Технические требования к сети распространения контента. Варианты использования межсоединения

工业和信息化部, эффект автоэмиссии

YD/T 2876-2015 Требования к технологиям сети доставки контента. Сценарии приложений межсоединения.
YD/T 3430-2018 Требования к технологиям сети распространения контента, сценарии применения и потребности

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, эффект автоэмиссии

QC 750106-1993 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом (IEC 747-8-2 ED 1)
QC 750114-1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Пустая подробная спецификация для корпусных полевых транзисторов для коммутационных приложений (IEC 747-8-3 ED 1).
QC 750114-1996 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы. Пустые подробные спецификации для полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных устройств (IEC 747-8-3:1995).
QC 750112-1987 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц (IEC 747-8-1 ED 1).

Qinghai Provincial Standard of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

DB63/T 1820-2020 Определение доступного калия и медленнодействующего калия в почве методом эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, эффект автоэмиссии

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

IN-BIS, эффект автоэмиссии

IS 4400 Pt.10-1983 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть 10. Полевые транзисторы.

TIA - Telecommunications Industry Association, эффект автоэмиссии

TSB-4979-2013 Практические соображения по реализации условий запуска окруженного потока в полевых условиях

能源, эффект автоэмиссии

NB/T 31069-2015 Связь с системой мониторинга ветряных электростанций — сопоставление с протоколом связи

(U.S.) Telecommunications Industries Association , эффект автоэмиссии

TIA TSB-4979-2013 Практические соображения по реализации условий запуска окруженного потока в полевых условиях
TIA-526-2-1989 OFSTP-2 Эффективная выходная мощность передатчика, передаваемая по одномодовому оптоволоконному кабелю. ОДОБРЕНИЕ ANSI ОТМЕНЕНО В ФЕВРАЛЕ 2004 г.

GOSTR, эффект автоэмиссии

GOST 28353.2-2017 Серебро. Метод атомно-эмиссионного анализа с индуктивно связанной плазмой

AGMA - American Gear Manufacturers Association, эффект автоэмиссии

08FTM12-2008 Измерение напряжений в науглероженных шестернях методом нейтронной дифракции на месте

Professional Standard - Electricity, эффект автоэмиссии

DL/T 2074-2019 Технические характеристики применения полевой шины для фундамента теплоэлектростанции

Heilongjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

DB23/T 3289-2022 Требования к наращиванию потенциала реагирования на чрезвычайные ситуации в местах массового скопления людей

National Association of Corrosion Engineers (NACE), эффект автоэмиссии

NACE 7K198-1998 Предсказуемо эффективное оборудование и процессы на месте, применяемые в водных системах Артикул № 24195

Professional Standard - Aviation, эффект автоэмиссии

HB 20116-2012 Метод испытаний для анализа остаточных напряжений на лопатках авиационного двигателя методом дифракции рентгеновских лучей

German Institute for Standardization, эффект автоэмиссии

DIN EN 16602-70-16:2022-02 Космическая техника. Клеевое соединение для космических кораблей и ракет-носителей; Английская версия EN 16602-70-16:2021
DIN EN 419:2020 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность.
DIN EN 419:2020-04 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность.

ES-UNE, эффект автоэмиссии

UNE-CEN/TR 17602-60-02:2021 Обеспечение качества космической продукции. Справочник по методам смягчения радиационных эффектов в ASIC и FPGA.
UNE-EN 419:2021 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность.
UNE-EN 16602-70-16:2021 Космическая техника. Клеевое соединение для космических кораблей и ракет-носителей (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в декабре 2021 г.)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, эффект автоэмиссии

GB/T 18387-2017 Пределы и метод испытаний напряженности магнитного и электрического поля электромобилей
GB/T 34955-2017 Воздействие атмосферной радиации. Рекомендации по испытаниям на воздействие единичного события для систем авионики.

CEN - European Committee for Standardization, эффект автоэмиссии

PREN 419-2017 Газовые потолочные излучающие обогреватели для небытового использования. Безопасность и энергоэффективность.

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, эффект автоэмиссии

DB36/T 1632-2022 Определение доступного в почве бора методом эмиссионной спектрометрии с индуктивно связанной плазмой

American Society of Mechanical Engineers (ASME), эффект автоэмиссии

ASME 1968-1-2001 Использование акустоэмиссионного исследования вместо рентгенографии Раздел VIII, Раздел 1; СУПП 6 Р(2002)

International Telecommunication Union (ITU), эффект автоэмиссии

ITU-T K.62 SPANISH-2004 Соблюдение требований по излучению на уровне системы с использованием математического моделирования

IX-ECMA, эффект автоэмиссии

ECMA 355-2008 Корпоративные телекоммуникационные сети — туннелирование QSIG через SIP

ZA-SANS, эффект автоэмиссии

SANS 11202:1995 Акустика. Шум, излучаемый машинами и оборудованием. Измерение уровней звукового давления на рабочем месте и в других установленных местах. Метод исследования на месте.